JPS6217807B2 - - Google Patents
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- JPS6217807B2 JPS6217807B2 JP54076544A JP7654479A JPS6217807B2 JP S6217807 B2 JPS6217807 B2 JP S6217807B2 JP 54076544 A JP54076544 A JP 54076544A JP 7654479 A JP7654479 A JP 7654479A JP S6217807 B2 JPS6217807 B2 JP S6217807B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、1000℃以下の低温で焼結できる高誘
電率磁器組成物に関するものである。 従来高誘電率系誘電体としてチタン酸バリウム
（BaTiO3）を主成分とするものが広く実用化され
ていることは周知のとおりである。しかしながら
BaTiO3を主成分とするものは、通常1300〜1400
℃の高温で焼結しなければならない。エレクトロ
ニクス・デイバイスには電極が不可欠であるが、
これらの電極を構成するにも上記焼結温度の高い
ことが影響する。例えば高品質の積層コンデンサ
を製造しようとすれば、この焼結温度に通した内
部電極として主成分が白金又はパラジウム等の高
価な金属を使用しなければならないという欠点に
も結びつくことになるのである。そこでニツケル
や銀等を主成分とする安価な内部電極を使用可能
とするためにも、できるだけ低温、特に1000℃以
下の温度で焼結できる誘電体が強く望まれていた
わけである。 本発明の目的は、低温で焼結でき、誘電率が高
く、しかも誘電損失が著るしく低く、比抵抗が高
い、優れた高誘電率磁器組成物を提供することに
ある。 本発明は、Pb（Fe〓Ｗ〓）O3−Pb（Fe〓Nb
〓）O3の二成分系にさらにPb（In〓Nb〓）O3を
含有せしめることにより、室温での誘電損失を著
るしく低下せしめかつ比抵抗を著るしく増加させ
しかも1000℃以下の低温で焼結できる高性能な高
誘電率磁器に改良できることを見出したものであ
る。 すなわち本発明による磁器組成物は、鉄・タン
グステン酸鉛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕、鉄・ニオ
ブ酸鉛〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕およびインジウ
ム・ニオブ酸鉛〔Pb（In〓Nb〓）O3〕からなる
組成物であつて、これを ｛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕X〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕Y｝U｛Pb（In〓Nb〓）O3｝V と表わしたとき 5.00モル％≦Ｘ≦70.00モル％かつ 0.05モル％≦Ｖ≦48.00モル％ ただしＸ＋Ｙ＝100かつＵ＋Ｖ＝100 の範囲にあることを特徴とするものである。 本発明の高誘電率組成物の用途は多岐に亘る
が、例えば積層型コンデンサや厚膜コンデンサ
等々のエレクトロニクス・デイバイス用の材料と
して、高性能でかつ低価格であり好適である。 以下本発明の実施の一例について具体的に説明
する。 実施例 出発原料として、酸化鉛〔PbO〕、酸化第二鉄
〔Fe2O3〕、酸化タングステン〔WO3〕、酸化ニオ
ブ〔Nb2O5〕および酸化インジウム〔In2O3〕を使
用し、所定の配合比に秤量した。次に、オールミ
ル中で湿式混合した後700℃〜850℃で予焼を行
い、更にこの粉末を粉砕した後、約0.7ton／cm2の
圧力で直径約16mm、厚さ約10mmの円柱に加圧成型
した後、870℃〜1000℃で焼結した。得られた焼
結体を約0.5mmの円板に切断した後、銀電極を焼
付けた。このようにして得られた磁器組成物の配
合比と諸特性の関係を表及び図に示す。
電率磁器組成物に関するものである。 従来高誘電率系誘電体としてチタン酸バリウム
（BaTiO3）を主成分とするものが広く実用化され
ていることは周知のとおりである。しかしながら
BaTiO3を主成分とするものは、通常1300〜1400
℃の高温で焼結しなければならない。エレクトロ
ニクス・デイバイスには電極が不可欠であるが、
これらの電極を構成するにも上記焼結温度の高い
ことが影響する。例えば高品質の積層コンデンサ
を製造しようとすれば、この焼結温度に通した内
部電極として主成分が白金又はパラジウム等の高
価な金属を使用しなければならないという欠点に
も結びつくことになるのである。そこでニツケル
や銀等を主成分とする安価な内部電極を使用可能
とするためにも、できるだけ低温、特に1000℃以
下の温度で焼結できる誘電体が強く望まれていた
わけである。 本発明の目的は、低温で焼結でき、誘電率が高
く、しかも誘電損失が著るしく低く、比抵抗が高
い、優れた高誘電率磁器組成物を提供することに
ある。 本発明は、Pb（Fe〓Ｗ〓）O3−Pb（Fe〓Nb
〓）O3の二成分系にさらにPb（In〓Nb〓）O3を
含有せしめることにより、室温での誘電損失を著
るしく低下せしめかつ比抵抗を著るしく増加させ
しかも1000℃以下の低温で焼結できる高性能な高
誘電率磁器に改良できることを見出したものであ
る。 すなわち本発明による磁器組成物は、鉄・タン
グステン酸鉛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕、鉄・ニオ
ブ酸鉛〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕およびインジウ
ム・ニオブ酸鉛〔Pb（In〓Nb〓）O3〕からなる
組成物であつて、これを ｛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕X〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕Y｝U｛Pb（In〓Nb〓）O3｝V と表わしたとき 5.00モル％≦Ｘ≦70.00モル％かつ 0.05モル％≦Ｖ≦48.00モル％ ただしＸ＋Ｙ＝100かつＵ＋Ｖ＝100 の範囲にあることを特徴とするものである。 本発明の高誘電率組成物の用途は多岐に亘る
が、例えば積層型コンデンサや厚膜コンデンサ
等々のエレクトロニクス・デイバイス用の材料と
して、高性能でかつ低価格であり好適である。 以下本発明の実施の一例について具体的に説明
する。 実施例 出発原料として、酸化鉛〔PbO〕、酸化第二鉄
〔Fe2O3〕、酸化タングステン〔WO3〕、酸化ニオ
ブ〔Nb2O5〕および酸化インジウム〔In2O3〕を使
用し、所定の配合比に秤量した。次に、オールミ
ル中で湿式混合した後700℃〜850℃で予焼を行
い、更にこの粉末を粉砕した後、約0.7ton／cm2の
圧力で直径約16mm、厚さ約10mmの円柱に加圧成型
した後、870℃〜1000℃で焼結した。得られた焼
結体を約0.5mmの円板に切断した後、銀電極を焼
付けた。このようにして得られた磁器組成物の配
合比と諸特性の関係を表及び図に示す。
【表】
ここで誘電率および誘電損失は、周波数
1kHz、温度20℃で測定した。比抵抗は、直流
100Vを印加して温度20℃で測定した。 表及び図からも明らかなように、第３成分とし
てPb（In〓Nb〓）O3を含有せしめれば、誘電損
失を著るしく低下せしめ、比抵抗を増大させるこ
とができ、実用性に富む優れた高誘電率磁器組成
物が得られる。 しかも焼結温度が870℃〜1000℃という低温で
あるた、焼結に伴う炉材の著るしい耐久性の向上
や消費電力費用の低減等による製造コストの低下
はいうに及ばず、特に大容量積層型コンデンサな
どの内部電極の低価格化を実現できるという極め
て量産性に富む材料となつている。 なお本発明の組成物を ｛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕X〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕Y｝U｛Pb（In〓Nb〓）O3｝V と表わしたとき 5.00モル％≦Ｘ≦70.00モル％ かつ0.05モル％≦Ｖ≦48.00モル％ ただしＸ＋Ｙ＝100かつＵ＋Ｖ＝100 と限定すべきである。その理由は、Ｘが5.00モル
％未満では焼結温度が1000℃を越えしかも20℃で
の誘電率が低くなり、Ｘが7.00モル％を越えると
キユリー点が実用温度範囲から更に低温側にずれ
20℃での誘電率が低くなるからである。またＶが
0.05モル％未満では誘電損失や絶縁抵抗の改善効
果が少くなり、48.00モル％を越えると誘電損失
が大きくなり絶縁抵抗も低くなるからである。
1kHz、温度20℃で測定した。比抵抗は、直流
100Vを印加して温度20℃で測定した。 表及び図からも明らかなように、第３成分とし
てPb（In〓Nb〓）O3を含有せしめれば、誘電損
失を著るしく低下せしめ、比抵抗を増大させるこ
とができ、実用性に富む優れた高誘電率磁器組成
物が得られる。 しかも焼結温度が870℃〜1000℃という低温で
あるた、焼結に伴う炉材の著るしい耐久性の向上
や消費電力費用の低減等による製造コストの低下
はいうに及ばず、特に大容量積層型コンデンサな
どの内部電極の低価格化を実現できるという極め
て量産性に富む材料となつている。 なお本発明の組成物を ｛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕X〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕Y｝U｛Pb（In〓Nb〓）O3｝V と表わしたとき 5.00モル％≦Ｘ≦70.00モル％ かつ0.05モル％≦Ｖ≦48.00モル％ ただしＸ＋Ｙ＝100かつＵ＋Ｖ＝100 と限定すべきである。その理由は、Ｘが5.00モル
％未満では焼結温度が1000℃を越えしかも20℃で
の誘電率が低くなり、Ｘが7.00モル％を越えると
キユリー点が実用温度範囲から更に低温側にずれ
20℃での誘電率が低くなるからである。またＶが
0.05モル％未満では誘電損失や絶縁抵抗の改善効
果が少くなり、48.00モル％を越えると誘電損失
が大きくなり絶縁抵抗も低くなるからである。
図はPb（In〓Nb〓）O3のモル比と比抵抗およ
び誘電損失の関係を示したものである。
び誘電損失の関係を示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄・タングステン酸鉛Pb（Fe〓Ｗ〓）O3、
鉄・ニオブ酸鉛Pb（Fe〓Nb〓）O3およびインジ
ウム・ニオブ酸鉛Pb（In〓Nb〓）O3からなる三
成分系組成物を ｛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕X〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕Y｝U｛Pb（In〓Nb〓）O3〕｝V ただしＸ＋Ｙ＝100かつＵ＋Ｖ＝100 と表わした時に、ＸおよびＶが 5.00モル％≦Ｘ≦70.00モル％かつ 0.05モル％≦Ｖ≦48.00モル％ の範囲にあることを特徴とする高誘電率磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7654479A JPS561406A (en) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | Ferroelectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7654479A JPS561406A (en) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | Ferroelectric ceramic composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS561406A JPS561406A (en) | 1981-01-09 |
| JPS6217807B2 true JPS6217807B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=13608201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7654479A Granted JPS561406A (en) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | Ferroelectric ceramic composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS561406A (ja) |
-
1979
- 1979-06-18 JP JP7654479A patent/JPS561406A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS561406A (en) | 1981-01-09 |
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