JPS6217877B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6217877B2 JPS6217877B2 JP55067747A JP6774780A JPS6217877B2 JP S6217877 B2 JPS6217877 B2 JP S6217877B2 JP 55067747 A JP55067747 A JP 55067747A JP 6774780 A JP6774780 A JP 6774780A JP S6217877 B2 JPS6217877 B2 JP S6217877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- image sensor
- thermal head
- image
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Printers Characterized By Their Purpose (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、等倍型イメージセンサ部とサーマル
ヘツド部とを同一基板上に併設した画像入出力デ
イバイスに関するものである。
ヘツド部とを同一基板上に併設した画像入出力デ
イバイスに関するものである。
従来、画像の読取デイバイスとしてCCD型イ
メージセンサ、MOS型イメージセンサ、薄膜フ
オトダイオードを記録紙の幅にわたつて１列に配
設した薄膜等倍型イメージセンサ等がある。一
方、記録デイバイスとしてはサーマルヘツド、マ
ルチスタイラスヘツド、インクジエツトヘツド等
があるが、これらの入、出力デイバイスはそれぞ
れ別個に構成され、組み合わされて装置が構成さ
れている。
メージセンサ、MOS型イメージセンサ、薄膜フ
オトダイオードを記録紙の幅にわたつて１列に配
設した薄膜等倍型イメージセンサ等がある。一
方、記録デイバイスとしてはサーマルヘツド、マ
ルチスタイラスヘツド、インクジエツトヘツド等
があるが、これらの入、出力デイバイスはそれぞ
れ別個に構成され、組み合わされて装置が構成さ
れている。
いま、入力デイバイスと出力デイバイスが、例
えば同一基板上に並べて構成され、一体化される
と、装置（例えばフアクシミリ）の小形化を促進
することが可能になり、また、この入出力デイバ
イスを一連の製造工程で製作することができれ
ば、コストを低減することができる利点が生ず
る。この場合、一般に、出力素子の配列寸法は記
録寸法と同一であるから、CCD型イメージセン
サのように原稿画像を光学系で縮小する方式のイ
メージセンサでは一体化は不可能である。
えば同一基板上に並べて構成され、一体化される
と、装置（例えばフアクシミリ）の小形化を促進
することが可能になり、また、この入出力デイバ
イスを一連の製造工程で製作することができれ
ば、コストを低減することができる利点が生ず
る。この場合、一般に、出力素子の配列寸法は記
録寸法と同一であるから、CCD型イメージセン
サのように原稿画像を光学系で縮小する方式のイ
メージセンサでは一体化は不可能である。
本発明は、上記諸点に鑑みてなされたもので、
同一絶縁基板上に薄膜等倍型イメージセンサ部と
サーマルヘツド部とを並べて配置し、装置の小形
化を可能にするとともに、製造コストを低減する
ようにした画像入出力デイバイスを提供するもの
である。以下、図面により実施例を詳細に説明す
る。
同一絶縁基板上に薄膜等倍型イメージセンサ部と
サーマルヘツド部とを並べて配置し、装置の小形
化を可能にするとともに、製造コストを低減する
ようにした画像入出力デイバイスを提供するもの
である。以下、図面により実施例を詳細に説明す
る。
第１図は、本発明の１実施例を示したもので、
１はグレーズドセラミツク基板、２はサーマルヘ
ツド部、３はサーマルヘツド部２の配線部、４は
イメージセンサ部、５ａ，５ｂはイメージセンサ
部４の配線部、６は上記各部を覆つた透明な耐摩
耗膜である。サーマルヘツド部２では複数の発熱
抵抗体が１列に配設され、またイメージセンサ部
４ではフオトダイオードとブロツキングダイオー
ドとが対になつた受光素子が複数、１列に配設さ
れている。
１はグレーズドセラミツク基板、２はサーマルヘ
ツド部、３はサーマルヘツド部２の配線部、４は
イメージセンサ部、５ａ，５ｂはイメージセンサ
部４の配線部、６は上記各部を覆つた透明な耐摩
耗膜である。サーマルヘツド部２では複数の発熱
抵抗体が１列に配設され、またイメージセンサ部
４ではフオトダイオードとブロツキングダイオー
ドとが対になつた受光素子が複数、１列に配設さ
れている。
第２図は、サーマルヘツド部２とイメージセン
サ部４の構成を、さらに詳細に示したもので、７
は電極および配線部を形成するAu等の金属導電
膜、８はTa2N，Si―Ta合金等の発熱抵抗膜、９
はTe膜、１０はCdHe膜、１１はCdS膜、１２は
SnO2，In2O3等の透明電極を形成する導電膜であ
る。また、耐摩耗膜６は２層構造のSiO2―Ta2O5
膜またはSiC膜である。この耐摩耗膜ル６は、基
板表面に接触しながら移動する記録紙によつて発
熱抵抗体８やイメージセンサ部４が摩耗すること
を防止するための保護膜として設けられている。
サ部４の構成を、さらに詳細に示したもので、７
は電極および配線部を形成するAu等の金属導電
膜、８はTa2N，Si―Ta合金等の発熱抵抗膜、９
はTe膜、１０はCdHe膜、１１はCdS膜、１２は
SnO2，In2O3等の透明電極を形成する導電膜であ
る。また、耐摩耗膜６は２層構造のSiO2―Ta2O5
膜またはSiC膜である。この耐摩耗膜ル６は、基
板表面に接触しながら移動する記録紙によつて発
熱抵抗体８やイメージセンサ部４が摩耗すること
を防止するための保護膜として設けられている。
イメージセンサ部４は、Te膜９、CdTe膜１
０、CdS膜１１および透明な導電膜１２の積層部
分でフオトダイオードが構成され、Te膜９、
CdS膜１１および金属導電膜７の積層部分でブロ
ツキングダイオードが構成される。フオトダイオ
ードはCdS―CdTeヘテロ接合により整流性と感
光性を示し、透明な導電膜１２が受光窓となる。
なお、本実施例の場合、基板１として不透明なグ
レーズドセラミツクを使用しているので、受光面
を積層膜の表面に設けているが、基板として透明
なガラスを使用すれば、積層膜の順序を逆にし
て、基板を通して受光することもできる。ブロツ
キングダイオードはCdS―Teのシヨツトキー接
合により整流性を示す。
０、CdS膜１１および透明な導電膜１２の積層部
分でフオトダイオードが構成され、Te膜９、
CdS膜１１および金属導電膜７の積層部分でブロ
ツキングダイオードが構成される。フオトダイオ
ードはCdS―CdTeヘテロ接合により整流性と感
光性を示し、透明な導電膜１２が受光窓となる。
なお、本実施例の場合、基板１として不透明なグ
レーズドセラミツクを使用しているので、受光面
を積層膜の表面に設けているが、基板として透明
なガラスを使用すれば、積層膜の順序を逆にし
て、基板を通して受光することもできる。ブロツ
キングダイオードはCdS―Teのシヨツトキー接
合により整流性を示す。
上記のように構成されたフオトダイオードとブ
ロツキングダイオードは互いに逆極性に接続され
た形となり、第３図に示したように接続される。
第３図において、１３はフオトダイオード、１４
はブロツキングダイオード、１５はシフトレジス
タ、１６はMOSスイツチ、１７は抵抗器であ
る。このように接続されたイメージセンサ部で
は、シフトレジスタ１５からパルス信号が順次出
力され、この動作を繰り返す。一方、MOSスイ
ツチ１６は、シフトレジスタ１５の繰り返し動作
に同期して順次開閉し、各フオトダイオード１３
が走査される。いま、MOSスイツチ１６ａが
の信号により導通状態となり、シフトレジスタ１
５ののパルス信号が出力されると、フオトダイ
オード１３ａに電荷が蓄積される。そして、他の
フオトダイオード１３に順次電荷が蓄積されてい
る間にフオトダイオード１３ａに光が照射される
と、蓄積された電荷が光量に応じて放電され、走
査が一巡して次の信号がフオトダイオード１３ａ
に印加されたとき、その放電量に応じた電荷が再
び蓄積される。このとき、抵抗器１７に流れる再
充電電流からビデオ信号を取り出すようにする。
ロツキングダイオードは互いに逆極性に接続され
た形となり、第３図に示したように接続される。
第３図において、１３はフオトダイオード、１４
はブロツキングダイオード、１５はシフトレジス
タ、１６はMOSスイツチ、１７は抵抗器であ
る。このように接続されたイメージセンサ部で
は、シフトレジスタ１５からパルス信号が順次出
力され、この動作を繰り返す。一方、MOSスイ
ツチ１６は、シフトレジスタ１５の繰り返し動作
に同期して順次開閉し、各フオトダイオード１３
が走査される。いま、MOSスイツチ１６ａが
の信号により導通状態となり、シフトレジスタ１
５ののパルス信号が出力されると、フオトダイ
オード１３ａに電荷が蓄積される。そして、他の
フオトダイオード１３に順次電荷が蓄積されてい
る間にフオトダイオード１３ａに光が照射される
と、蓄積された電荷が光量に応じて放電され、走
査が一巡して次の信号がフオトダイオード１３ａ
に印加されたとき、その放電量に応じた電荷が再
び蓄積される。このとき、抵抗器１７に流れる再
充電電流からビデオ信号を取り出すようにする。
なお、サーマルヘツド部の駆動方法は、従来の
専用ICをボンデイングする方法、ダイオードマ
トリクス方法などが採用される。
専用ICをボンデイングする方法、ダイオードマ
トリクス方法などが採用される。
第４図は、本実施例の使用例を示したもので、
画像を読み取るときは、原稿１８を、ローラ１９
によつてコンタクトガラス２０上を移動させ、照
明ランプ２１によつて原稿面をスリツト状に照明
する。そして、その反射光を、集束型フアイバア
レイ２２に通してイメージセンサ部４上に結像さ
せ、第３図で説明した動作に従つて読み取る。ま
た、画像を記録するときは、記録紙２３を、サー
マルヘツド部２上をローラ２４によつて送り、画
情報に応じて発熱抵抗体にパルス電流を流し、記
録していく。２５は放熱板である。
画像を読み取るときは、原稿１８を、ローラ１９
によつてコンタクトガラス２０上を移動させ、照
明ランプ２１によつて原稿面をスリツト状に照明
する。そして、その反射光を、集束型フアイバア
レイ２２に通してイメージセンサ部４上に結像さ
せ、第３図で説明した動作に従つて読み取る。ま
た、画像を記録するときは、記録紙２３を、サー
マルヘツド部２上をローラ２４によつて送り、画
情報に応じて発熱抵抗体にパルス電流を流し、記
録していく。２５は放熱板である。
なお、基板１に透明ガラスを使用し、下面より
基板を通してを照射し、イメージセンサ部の各素
子の間から漏れる光で原稿面を照明するようにし
てもよい。この場合、フアイバアレイを必要とせ
ず、原稿は記録紙と同様に基板上を移動させる。
基板を通してを照射し、イメージセンサ部の各素
子の間から漏れる光で原稿面を照明するようにし
てもよい。この場合、フアイバアレイを必要とせ
ず、原稿は記録紙と同様に基板上を移動させる。
以上説明したように、本発明によれば、同一基
板上に薄膜等倍型イメージセンサ部とサーマルヘ
ツド部とを並べて配置することにより、従来のよ
うに個別に構成する場合に比較して装置をコンパ
クトに構成することができ、また、電極、配線部
や耐摩耗膜がイメージセンサ部、サーマルヘツド
部とも、同一製造工程で形成されるので、工程数
を減少することができ、従つて製造コストを大幅
に低減することができる利点がある。
板上に薄膜等倍型イメージセンサ部とサーマルヘ
ツド部とを並べて配置することにより、従来のよ
うに個別に構成する場合に比較して装置をコンパ
クトに構成することができ、また、電極、配線部
や耐摩耗膜がイメージセンサ部、サーマルヘツド
部とも、同一製造工程で形成されるので、工程数
を減少することができ、従つて製造コストを大幅
に低減することができる利点がある。
第１図は、本発明の１実施例の外観を示す斜視
図、第２図は、第１図の断面図、第３図は、イメ
ージセンサ部の回路図、第４図は、第１図の入出
力デイバイスの使用例を示す略図である。 １……基板、２……サーマルヘツド部、４……
イメージセンサ部、６……耐摩耗膜、８……発熱
抵抗体、９……Te膜、１０……CdTe膜、１１…
…CdS膜、１２……透明な導電膜。
図、第２図は、第１図の断面図、第３図は、イメ
ージセンサ部の回路図、第４図は、第１図の入出
力デイバイスの使用例を示す略図である。 １……基板、２……サーマルヘツド部、４……
イメージセンサ部、６……耐摩耗膜、８……発熱
抵抗体、９……Te膜、１０……CdTe膜、１１…
…CdS膜、１２……透明な導電膜。
Claims (1)
- １ 同一絶縁基板上に、多数の受光素子を１列に
配置した薄膜等倍型イメージセンサ部と、多数の
発熱抵抗体を１列に配置したサーマルヘツド部と
を併設したことを特徴とする画像入出力デイバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6774780A JPS56164667A (en) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | Video input and output device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6774780A JPS56164667A (en) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | Video input and output device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56164667A JPS56164667A (en) | 1981-12-17 |
| JPS6217877B2 true JPS6217877B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=13353840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6774780A Granted JPS56164667A (en) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | Video input and output device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56164667A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115854A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
| EP0168592B1 (de) * | 1984-05-29 | 1988-08-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Gerät zum Abtasten und/oder Bedrucken von Aufzeichnungsträgern |
| JPH0649379B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1994-06-29 | キヤノン株式会社 | 情報入出力装置 |
| JPS62251165A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-10-31 | Toshiba Corp | 読取印字ヘツド |
| JP2625433B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1997-07-02 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4180967A (en) * | 1977-06-13 | 1980-01-01 | Hamel GmbH - Zwirnmaschinen | Cable-twisting two yarns |
-
1980
- 1980-05-23 JP JP6774780A patent/JPS56164667A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56164667A (en) | 1981-12-17 |
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