JPS62180915A - 消弧装置 - Google Patents
消弧装置Info
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- JPS62180915A JPS62180915A JP12070286A JP12070286A JPS62180915A JP S62180915 A JPS62180915 A JP S62180915A JP 12070286 A JP12070286 A JP 12070286A JP 12070286 A JP12070286 A JP 12070286A JP S62180915 A JPS62180915 A JP S62180915A
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- Japan
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- arc
- magnetic
- insulator
- magnetic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、回路しゃ断器や電磁接触器等に適用される
消弧装置に関するものである。
消弧装置に関するものである。
回路しゃ断器等の接点部の開閉動作にともなって接点部
に発生するアークを消弧室に専くため、通常、ＩＢ 、
＋ｊ７、部の接点および接触子で構成されるＵ字形催に
よる自己法Ｊｎ （ｉｌ場を形成したり、（？ｉ極的に
ブローアウトコイル等を接点部に設置、〕てアークを接
点から１シ１１れ方向に磁気（７；（動゛、；゛る。ｊ
仙こ一部いろ。このようるこ駆動されたアークの消弧は
ｉｉｃ ：’ｌ仁第ｚｌ１７１ないし第１４図のような
丁段乙こより行Ｐ）れていた。
に発生するアークを消弧室に専くため、通常、ＩＢ 、
＋ｊ７、部の接点および接触子で構成されるＵ字形催に
よる自己法Ｊｎ （ｉｌ場を形成したり、（？ｉ極的に
ブローアウトコイル等を接点部に設置、〕てアークを接
点から１シ１１れ方向に磁気（７；（動゛、；゛る。ｊ
仙こ一部いろ。このようるこ駆動されたアークの消弧は
ｉｉｃ ：’ｌ仁第ｚｌ１７１ないし第１４図のような
丁段乙こより行Ｐ）れていた。
才なわら、第１０図は絶縁＋４料による冷却消弧方式で
あり、接点部５０４こ隣接する消弧室５１を絶縁＋イ料
で４７５成したものである。）妾点部５０：よ自己誘導
（〃場・ぢ形成する（１字形態に構成している。
あり、接点部５０４こ隣接する消弧室５１を絶縁＋イ料
で４７５成したものである。）妾点部５０：よ自己誘導
（〃場・ぢ形成する（１字形態に構成している。
５２はアークである。このものは、消弧室５１をＩｉＤ
：ｔＭシセ１ｔＪ７器等のケースで（１・１成するこ
とができ、ｔｉｊｋ成がきわめて節ｊｉｉでコス）・が
安いという利点がある。しかし、（、イ１気駈・肋さね
、たアークは消弧室５１で単に冷却されるだけのため、
アーク電圧が低くしゃ断能力は低いという欠点がある。
：ｔＭシセ１ｔＪ７器等のケースで（１・１成するこ
とができ、ｔｉｊｋ成がきわめて節ｊｉｉでコス）・が
安いという利点がある。しかし、（、イ１気駈・肋さね
、たアークは消弧室５１で単に冷却されるだけのため、
アーク電圧が低くしゃ断能力は低いという欠点がある。
第１１図および第１２図は磁性体による冷却方式であり
、消弧室５Ｉ内にＵ字形をなす磁性体（」ｍ常は鉄板）
５３を配置し、その開口側が接点部５０に対向するよう
にしている。このものは、磁性体５３に７−り５２によ
る何２束が）ｍす、この匂Ｉ束によりアーク５２を強力
に吸引し、磁性体５３によりアーク５２を急速に冷却す
ることができる。
、消弧室５Ｉ内にＵ字形をなす磁性体（」ｍ常は鉄板）
５３を配置し、その開口側が接点部５０に対向するよう
にしている。このものは、磁性体５３に７−り５２によ
る何２束が）ｍす、この匂Ｉ束によりアーク５２を強力
に吸引し、磁性体５３によりアーク５２を急速に冷却す
ることができる。
しかも、構造が比較的節ｔ１１である。しかし、アーク
５２を磁性体５３により短絡するため、アーク５２の伸
長効果（陽光柱電圧の上昇）は得られず、高いアーク電
圧をｉｌ）るごとができないという欠点がある。
５２を磁性体５３により短絡するため、アーク５２の伸
長効果（陽光柱電圧の上昇）は得られず、高いアーク電
圧をｉｌ）るごとができないという欠点がある。
第１３図および第１３１図はグリッド５６による分１’
ｆ’１方ｊ（であり、アーク５２を吸引する切欠５・１
を形成した複数のグリッド（反５５をｉｉＩ！１古（反
５７により間隔をおいて積層してグリッド５６を形成し
、このグリッド５６を消弧室５１内に配置している。
ｆ’１方ｊ（であり、アーク５２を吸引する切欠５・１
を形成した複数のグリッド（反５５をｉｉＩ！１古（反
５７により間隔をおいて積層してグリッド５６を形成し
、このグリッド５６を消弧室５１内に配置している。
このものは、アーク５２を磁気効果により吸引するとと
もに、図のようにグリッド１反５５によりアーク５２を
分割するため、分割による陰極ｇ正電圧の上昇により高
いアーク電圧を発生ずる。しかし、第１１図および第１
２図と比べてＣ〃電気引力が小さく、しかも構造が？Ｊ
ｌ！雑で大型化しコスト高になるという欠点がある。
もに、図のようにグリッド１反５５によりアーク５２を
分割するため、分割による陰極ｇ正電圧の上昇により高
いアーク電圧を発生ずる。しかし、第１１図および第１
２図と比べてＣ〃電気引力が小さく、しかも構造が？Ｊ
ｌ！雑で大型化しコスト高になるという欠点がある。
この発明の目的は、構造が節））１でしかも高いアーク
電圧が得られる消弧装置を提供することである。
電圧が得られる消弧装置を提供することである。
この発明の消弧装置は、開離によりアークが発生ずる接
点部と、前記アークを吸引する凹部を有する磁性体と、
前記凹部の内面に形成されて前記磁性体の一部を露出し
た絶縁体とをｆ１１＃えたものである。
点部と、前記アークを吸引する凹部を有する磁性体と、
前記凹部の内面に形成されて前記磁性体の一部を露出し
た絶縁体とをｆ１１＃えたものである。
ごの発明の構成によれば、凹部を有するじ（外体により
アークのまわりの磁束を磁性体に集中するため、アーク
を強力に磁性体の凹部に吸引し、アークを磁性体の内面
に設けられた絶縁体により冷却することができる。また
アークを伸長するため、高いアーク電圧が得られる。さ
らに磁性体の一部を露出したため、アークを分７ｔｌｌ
でき、その分割による陰極降下電圧がアーク電圧に加わ
るためアーク電圧がより一層高くなり、消弧能力がさら
に向上する。
アークのまわりの磁束を磁性体に集中するため、アーク
を強力に磁性体の凹部に吸引し、アークを磁性体の内面
に設けられた絶縁体により冷却することができる。また
アークを伸長するため、高いアーク電圧が得られる。さ
らに磁性体の一部を露出したため、アークを分７ｔｌｌ
でき、その分割による陰極降下電圧がアーク電圧に加わ
るためアーク電圧がより一層高くなり、消弧能力がさら
に向上する。
実施例
ごの発明の第１の実施例を第１図および第２図に基つい
て説明する。ずなわら、この消弧装置は、開：Ａ１に、
ｌ゛リアークχ発ηニする接点部ｌと、１ｉｉｉ記アー
クＸを吸引４−る凹部２を有−」゛ろ磁性体３と、前記
凹部２の内面に形成されて前記ｒ１汁外体３の一部４を
露出した絶縁体５とを備えている。
て説明する。ずなわら、この消弧装置は、開：Ａ１に、
ｌ゛リアークχ発ηニする接点部ｌと、１ｉｉｉ記アー
クＸを吸引４−る凹部２を有−」゛ろ磁性体３と、前記
凹部２の内面に形成されて前記ｒ１汁外体３の一部４を
露出した絶縁体５とを備えている。
前記磁性体３は鉄板等の金属板を実施例とし、これをＵ
字に折曲して前記一対の側板６．７と背板８を形成して
いる。
字に折曲して前記一対の側板６．７と背板８を形成して
いる。
前記接点部１は固定接点９を何する固定接触子１０と可
動接点２を有する可動接触子１２とで構成され、固定接
触子１０と可動接触子１２が平行に対向することにより
Ｕ字形態の電路を形成し、発生したアークＸを自己誘導
磁場により磁性体３の側板６，７の背板８と反対側の開
口側に磁気駆動するようにしている。この場合、接点部
ｌの固定接点９および可動接点１１は側板６，７に平行
に開閉するようにしている。その結果、接点部ｌの開閉
動作により発生したアークＸは側板６．７の背板８と反
対側に平行に発生させられることとなる。
動接点２を有する可動接触子１２とで構成され、固定接
触子１０と可動接触子１２が平行に対向することにより
Ｕ字形態の電路を形成し、発生したアークＸを自己誘導
磁場により磁性体３の側板６，７の背板８と反対側の開
口側に磁気駆動するようにしている。この場合、接点部
ｌの固定接点９および可動接点１１は側板６，７に平行
に開閉するようにしている。その結果、接点部ｌの開閉
動作により発生したアークＸは側板６．７の背板８と反
対側に平行に発生させられることとなる。
前記絶縁体５は、成形されたものをかしめや嵌合等の機
械的手段で磁性体３の内面に固定したり、また絶縁材料
をコーティングや蒸、１１１する等の仏。
械的手段で磁性体３の内面に固定したり、また絶縁材料
をコーティングや蒸、１１１する等の仏。
電気、化学的手段で磁性体３に一体化ずろ。
前記磁性体：３の前記一部４は、磁１′１１反３の背板
８より絶縁体５を；、Ｔ ｉ１！ｌ突出するｉｉ電電機
実施例としてい 。この専電！反は前記磁性体３と同Ｌ
４ ’Ｉ＋で磁性体３と一体に形成されている。
８より絶縁体５を；、Ｔ ｉ１！ｌ突出するｉｉ電電機
実施例としてい 。この専電！反は前記磁性体３と同Ｌ
４ ’Ｉ＋で磁性体３と一体に形成されている。
なお、これらの仔杢１４１体３等は図示し！■い消弧室
りこ配置される。
りこ配置される。
この実（恒例の消弧装置の消弧動作について説明する。
接点部１の開閉・動作により１妾点部ＩにアークＸが発
生する。アークＸは（シ点部１の自己誘導磁場により磁
気駆動され、側板６，７の間に進入する。前記アークＸ
のまわりに発生ずる磁束はｆｆｌ性体外体通る。この磁
束によりアークＸを背板８の方向に吸引する。その結果
、アークＸは伸長するため、陽光柱の電圧が上昇し、ア
ーク電圧が高まる。またアークＸ ｉ；ｔ 磁Ｍ体３に
吸引されて背板８の前面の絶縁体５に押イ・１！Ｊられ
絶縁体５により冷Ｉ１１される。またアークＸが磁性体
３の−・部４に接触して２分、ＩＸすさ（１２、このた
め分割による陰極降下電圧（略２５■）がアーク電圧に
加わるのでアーク電圧がより高くなり、消弧能力が向上
する。
生する。アークＸは（シ点部１の自己誘導磁場により磁
気駆動され、側板６，７の間に進入する。前記アークＸ
のまわりに発生ずる磁束はｆｆｌ性体外体通る。この磁
束によりアークＸを背板８の方向に吸引する。その結果
、アークＸは伸長するため、陽光柱の電圧が上昇し、ア
ーク電圧が高まる。またアークＸ ｉ；ｔ 磁Ｍ体３に
吸引されて背板８の前面の絶縁体５に押イ・１！Ｊられ
絶縁体５により冷Ｉ１１される。またアークＸが磁性体
３の−・部４に接触して２分、ＩＸすさ（１２、このた
め分割による陰極降下電圧（略２５■）がアーク電圧に
加わるのでアーク電圧がより高くなり、消弧能力が向上
する。
したが−）−Ｃ１Ｋ ：：ｋ ノ＆ｆａ ｋ−？ Ｌｌ
’ ＋［ニヨルｉ’５１’Ｊｌ 方ｊ（（第１０１ｍ）
と比軸ｊして、この実悔例はアーノノＸを圭１（体
５に・、昨力；こ吸引さｌ゛るた）冷ｔａｎ ｉ曲用が
（憂ｎ５る。また磁性体３による冷ＩＪ’ｌ方代（第１
１１’？］すヌよび第１１）図）と比較して、（１（ｉ
絡がないたダ］仲１．二降下が大きくこのためアーク電
圧を高めることができる。さろにグリッドによる分別古
代（第１３図および第１４図）と比較して、磁気効率て
がよいためアークＸの吸引力が大きいとともに、構造が
節１１１−で大型化せず、安価にすることができる。
’ ＋［ニヨルｉ’５１’Ｊｌ 方ｊ（（第１０１ｍ）
と比軸ｊして、この実悔例はアーノノＸを圭１（体
５に・、昨力；こ吸引さｌ゛るた）冷ｔａｎ ｉ曲用が
（憂ｎ５る。また磁性体３による冷ＩＪ’ｌ方代（第１
１１’？］すヌよび第１１）図）と比較して、（１（ｉ
絡がないたダ］仲１．二降下が大きくこのためアーク電
圧を高めることができる。さろにグリッドによる分別古
代（第１３図および第１４図）と比較して、磁気効率て
がよいためアークＸの吸引力が大きいとともに、構造が
節１１１−で大型化せず、安価にすることができる。
この発明の第２の実施例を第３図ないし第５図に示す。
すなわち、この消弧装置は、１１１前記絶縁体５を一部
１の側（反１３．１４と背１反１．）とによりＵと形に
形成し、前記磁性体３はｌｕ １１１にの平板であって
前記凹部２は前記平板に切欠によｉ′）ｌｆｊ成し、１
１１■記磁性体３を１１７Ｉ記絶縁体５のり（表面側に
所定間隔で埋設し、かつ前記磁性体３の一部４（：Ｌ曲
記音十反１．）の中央に形成された細溝１８により露出
している。
１の側（反１３．１４と背１反１．）とによりＵと形に
形成し、前記磁性体３はｌｕ １１１にの平板であって
前記凹部２は前記平板に切欠によｉ′）ｌｆｊ成し、１
１１■記磁性体３を１１７Ｉ記絶縁体５のり（表面側に
所定間隔で埋設し、かつ前記磁性体３の一部４（：Ｌ曲
記音十反１．）の中央に形成された細溝１８により露出
している。
１６は絶縁体３の外表面に形成されて前記磁性体３を埋
設するための切り込み部である。
設するための切り込み部である。
１）；Ｉ記絶縁体３は、熱可塑性樹脂で形成してもよい
が、アーク熱により熱分解ガスを発生ずる樹脂材料で形
成し、熱分解ガスによりアークＸを冷却して消弧すると
効果的である。またアークＸの磁気吸引によりアークＸ
が背板３に押付けられるため、冷却効果が高い。また細
溝１８により、アークＸが細溝１８内に押し込まれるた
め、細溝１８内では熱分解ガスが多量に発生し冷却効果
が高まるとともに、細溝１８内の圧力が高まるため圧力
消弧の効果が加わる。さらに複数枚の磁性体３で７−り
×を分；！、：ｌするため、陰極降下電圧の一ヒ昇によ
り高いアーク電圧が４−１られる。
が、アーク熱により熱分解ガスを発生ずる樹脂材料で形
成し、熱分解ガスによりアークＸを冷却して消弧すると
効果的である。またアークＸの磁気吸引によりアークＸ
が背板３に押付けられるため、冷却効果が高い。また細
溝１８により、アークＸが細溝１８内に押し込まれるた
め、細溝１８内では熱分解ガスが多量に発生し冷却効果
が高まるとともに、細溝１８内の圧力が高まるため圧力
消弧の効果が加わる。さらに複数枚の磁性体３で７−り
×を分；！、：ｌするため、陰極降下電圧の一ヒ昇によ
り高いアーク電圧が４−１られる。
執分解ガスを発生ずる絶８家体３の好ｒトシい実施例と
して、下表に記戒ずろ。
して、下表に記戒ずろ。
（以下余白）
（以下余白）
この表において、ポリメチル−ペンテン拮４．コ旨は、
で特敵づけられるｔＫ構造式ＲはＣ、、Ｈｚ 、、−＋
＋ またＣ、Ｈは鎮状）の樹脂を指し、ポリメチル
メタクリレートは樹脂１よ、 で枠数づけられる構造式（Ｃ，Ｈ，Ｏは側鎖）の樹、詣
をＩ旨し、ボ゛Ｊアセタール樹脂は、Ｈ，Ｏは主鎖）の
樹脂を指し、ポリブチレンテレフタレート樹脂：よ、 で特徴づけられるＦＲ構造式ヘンゼン環は主鎖）のべ４
指を指し、ポリカーボネートド１脂ごよ、で特徴づけら
れる構造式の［封脂を指し、また化合物の熱分解反応は
、ΔＨｃｐｄ ＝ΔＨｃ＋ΔＨｖｏｌである。
で特敵づけられるｔＫ構造式ＲはＣ、、Ｈｚ 、、−＋
＋ またＣ、Ｈは鎮状）の樹脂を指し、ポリメチル
メタクリレートは樹脂１よ、 で枠数づけられる構造式（Ｃ，Ｈ，Ｏは側鎖）の樹、詣
をＩ旨し、ボ゛Ｊアセタール樹脂は、Ｈ，Ｏは主鎖）の
樹脂を指し、ポリブチレンテレフタレート樹脂：よ、 で特徴づけられるＦＲ構造式ヘンゼン環は主鎖）のべ４
指を指し、ポリカーボネートド１脂ごよ、で特徴づけら
れる構造式の［封脂を指し、また化合物の熱分解反応は
、ΔＨｃｐｄ ＝ΔＨｃ＋ΔＨｖｏｌである。
ここで、ΔＨｃｐｄは化合物を構成するすべての結合の
エネルギーの総和、Δｌ（はカーボン（Ｃ−〇−Ｈ，Ｃ
−０−Ｃ，Ｃ−Ｃ，）を生成する結合のエネルギーの和
、ΔＨｖｏｌは揮発物（Ｃ−Ｈ，Ｃｏ、ＣＯｚ ）とし
てカーボンを除く結合のエネルギーの和、ΔＨｃ−□は
水素を生成するＣ−Ｈ結合のエネルギーの和である。ま
たΔ１ｖｏｌ／ΔＨｃｐｄは、揮発物の生成のし易さを
示し、ΔＨｅ−）Ｉ ／ΔＩＩ ｃ ｐ ｄは水素ガス
の発生のし易さを示すものである。
エネルギーの総和、Δｌ（はカーボン（Ｃ−〇−Ｈ，Ｃ
−０−Ｃ，Ｃ−Ｃ，）を生成する結合のエネルギーの和
、ΔＨｖｏｌは揮発物（Ｃ−Ｈ，Ｃｏ、ＣＯｚ ）とし
てカーボンを除く結合のエネルギーの和、ΔＨｃ−□は
水素を生成するＣ−Ｈ結合のエネルギーの和である。ま
たΔ１ｖｏｌ／ΔＨｃｐｄは、揮発物の生成のし易さを
示し、ΔＨｅ−）Ｉ ／ΔＩＩ ｃ ｐ ｄは水素ガス
の発生のし易さを示すものである。
なお、結合二重ルギーの（直は、Ｃ−Ｃ： ８３、Ｃ＝
Ｃ：１４７、Ｃ−Ｈ：９９、Ｃ−Ｎニア０、Ｃ＝Ｎ：２
１３、Ｃ−０： ８４、Ｃ＝ｏ：１７１、Ｃ−Ｆ：１０
５、Ｃ−Ｃｌ１ニアＢ、Ｃ−３ｉ：６９、Ｎ−Ｈ：９３
、Ｏ−Ｈ： １１０．５ｉ−０：８８、ニア２７とした
。
Ｃ：１４７、Ｃ−Ｈ：９９、Ｃ−Ｎニア０、Ｃ＝Ｎ：２
１３、Ｃ−０： ８４、Ｃ＝ｏ：１７１、Ｃ−Ｆ：１０
５、Ｃ−Ｃｌ１ニアＢ、Ｃ−３ｉ：６９、Ｎ−Ｈ：９３
、Ｏ−Ｈ： １１０．５ｉ−０：８８、ニア２７とした
。
（以下余白）
また第６図は各種の絶縁体５のアーク電圧を示す。図に
おいて、Ｑ、はポリメチルペンテン、Ｑ２はポリメチル
メタクリレート、Ｑ３はポリブチレンテレフタレート、
Ｑ４は比較例であるセラミックである。また条件はＩＫ
Ａピーク、Ａｇ−Ｗ４０χ、３ｍ／ｓ、 ２ＫＧａｕｓ
ｓである。この図からＱ＋ 、Ｑｚのアーク電圧が高く
しゃ断性能が優れていることがわかる。
おいて、Ｑ、はポリメチルペンテン、Ｑ２はポリメチル
メタクリレート、Ｑ３はポリブチレンテレフタレート、
Ｑ４は比較例であるセラミックである。また条件はＩＫ
Ａピーク、Ａｇ−Ｗ４０χ、３ｍ／ｓ、 ２ＫＧａｕｓ
ｓである。この図からＱ＋ 、Ｑｚのアーク電圧が高く
しゃ断性能が優れていることがわかる。
なお、この実施例において、磁性体３は１枚でもよい。
この発明の第３の実施例を第７図および第８図に示す。
すなわち、この消弧装置は、７６２の実施例において、
細溝１８にｔＪＰ気孔１７を形成したものである。
細溝１８にｔＪＰ気孔１７を形成したものである。
排気孔１７を形成することにより、アークガスがｌトス
孔１７より排気されるため、♀ｎｌ ｊ；日８内と外側
の圧力差によりアークＸをよｚつ一層進行方向にｆｌｌ
’、 ｍ Ｌ、アークＸを細溝１８の最深部に押付け・
て冷却効果を一段と高めることができる。
孔１７より排気されるため、♀ｎｌ ｊ；日８内と外側
の圧力差によりアークＸをよｚつ一層進行方向にｆｌｌ
’、 ｍ Ｌ、アークＸを細溝１８の最深部に押付け・
て冷却効果を一段と高めることができる。
第９図は変形例であって、複数の排気孔１７を千１ｒ１
．配置に形成したものである。
．配置に形成したものである。
なお、この発明において、接点部ｌにはアークＸを磁性
体３に）妾近ｒるように５区動さ−Ｕろアーク走行板を
設けてもよい。また熱分解ガスの発生ヱが多くかつ（色
縁性能に優れた絶縁体５を選択することによりさらに消
弧性能を向−１−することができる。
体３に）妾近ｒるように５区動さ−Ｕろアーク走行板を
設けてもよい。また熱分解ガスの発生ヱが多くかつ（色
縁性能に優れた絶縁体５を選択することによりさらに消
弧性能を向−１−することができる。
この発明の消弧装置によれば、凹部を有する磁性体によ
りアークのまわりの磁束を磁性体に集中するため、アー
クを強力に磁性体の凹部に吸引し、アークを磁性体の内
面に設けられた絶ｋ（体により冷却することができる。
りアークのまわりの磁束を磁性体に集中するため、アー
クを強力に磁性体の凹部に吸引し、アークを磁性体の内
面に設けられた絶ｋ（体により冷却することができる。
またアークを伸長するため、高いアーク電圧が（）られ
る。さらに磁性体の一部を露出したため、アークを分割
でき、その分割による陰極降下電圧がアーク電圧に加わ
るためアーク電圧がより一層高くなり、消弧能力がさら
に向上するという効果がある。
る。さらに磁性体の一部を露出したため、アークを分割
でき、その分割による陰極降下電圧がアーク電圧に加わ
るためアーク電圧がより一層高くなり、消弧能力がさら
に向上するという効果がある。
第１図はごの発明の第１の実施例の要部斜視図、第２図
はその断面図、第３図は第２の実施例の要部、ｉＦ視図
、第５１図（Ｊその横断面図、第５図はｒル断斜視図、
第６図は各種化（（、体のアーク電圧：Ｊ ｌｆ性図、
第７図は第３の実施例の要部斜視図、第８図はその背面
図、第９図は変形例の背面図、第１０図は従来例の断面
図、第１１図は他の従来例の断面図、第１２図はその磁
性体の断面図、第１３図はさらに他の実施例のｌｖｉ面
図、第１４図はそのグリッドの側面図である。 １・・・接点部、２・・・凹部、３・・磁性体、・１・
・・一部、５・・・絶Ｘ（体 ニーｒ、”・−一□・ Ｊ−１′、−ｚ、：： 第２図 ：’７ ３（；コ ア５、、、 、、、、Ｓ 、、、、／３７８″７４ ｖ゛２１ ］」 ＩＵ 第５図 一峙間ｔ（ｍｓ） 第 ６ 図 第 ７ 図 第８図 第９図 Ｃ＼ばつ Ｃｕつ 手続主甫正書（自頒 昭和６１年０９月２０日
はその断面図、第３図は第２の実施例の要部、ｉＦ視図
、第５１図（Ｊその横断面図、第５図はｒル断斜視図、
第６図は各種化（（、体のアーク電圧：Ｊ ｌｆ性図、
第７図は第３の実施例の要部斜視図、第８図はその背面
図、第９図は変形例の背面図、第１０図は従来例の断面
図、第１１図は他の従来例の断面図、第１２図はその磁
性体の断面図、第１３図はさらに他の実施例のｌｖｉ面
図、第１４図はそのグリッドの側面図である。 １・・・接点部、２・・・凹部、３・・磁性体、・１・
・・一部、５・・・絶Ｘ（体 ニーｒ、”・−一□・ Ｊ−１′、−ｚ、：： 第２図 ：’７ ３（；コ ア５、、、 、、、、Ｓ 、、、、／３７８″７４ ｖ゛２１ ］」 ＩＵ 第５図 一峙間ｔ（ｍｓ） 第 ６ 図 第 ７ 図 第８図 第９図 Ｃ＼ばつ Ｃｕつ 手続主甫正書（自頒 昭和６１年０９月２０日
Claims (5)
- （１）開離によりアークが発生する接点部と、前記アー
クを吸引する凹部を有する磁性体と、前記凹部の内面に
形成されて前記磁性体の一部を露出した絶縁体とを備え
た消弧装置。 - （２）前記磁性体は平板で形成され、前記凹部は前記平
板をＵ字に折曲したものであり、かつ前記磁性体の前記
一部は前記絶縁体を貫通して突出した導電板である特許
請求の範囲第（１）項記載の消弧装置。 - （３）前記絶縁体は一対の側板と背板とによりＵ字形に
形成され、前記磁性体は複数枚の平板であって前記凹部
は前記平板に切欠により形成し、前記磁性体を前記絶縁
体の外表面側に所定間隔で埋設し、かつ前記磁性体の一
部は前記背板の中央に形成された細溝により露出してい
る特許請求の範囲第（１）項記載の消弧装置。 - （４）前記細溝は排気孔を有する特許請求の範囲第（３
）項記載の消弧装置。 - （５）前記絶縁体は前記アークの熱により熱分解ガスを
発生する樹脂材料で形成されている特許請求の範囲第（
１）項、第（２）項、第（３）項または第（４）項記載
の消弧装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23413785 | 1985-10-18 | ||
| JP60-234137 | 1985-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62180915A true JPS62180915A (ja) | 1987-08-08 |
| JPH0677417B2 JPH0677417B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=16966215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61120702A Expired - Fee Related JPH0677417B2 (ja) | 1985-10-18 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677417B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415267U (ja) * | 1977-07-05 | 1979-01-31 |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61120702A patent/JPH0677417B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415267U (ja) * | 1977-07-05 | 1979-01-31 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677417B2 (ja) | 1994-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |