JPS62182192A - 化合物半導体の液相エピタキシアル成長装置 - Google Patents
化合物半導体の液相エピタキシアル成長装置Info
- Publication number
- JPS62182192A JPS62182192A JP2314886A JP2314886A JPS62182192A JP S62182192 A JPS62182192 A JP S62182192A JP 2314886 A JP2314886 A JP 2314886A JP 2314886 A JP2314886 A JP 2314886A JP S62182192 A JPS62182192 A JP S62182192A
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- Japan
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- single crystal
- crystal layer
- slider
- melt
- epitaxial growth
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- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体の液相エピタキシャル成長装置に
関し、特にスライドボートを用いたテルル化水銀カドミ
ウムの液相エピタキシャル成長装置に関する６ 〔従来の技術］１ 赤外線検出器として使用されるＩＩ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ
単結晶は、気相成長法、液相エピタキシャル成長法を用
いて、ＣｄＴｅ基板上に結晶成長させている。液相エピ
タキシャル成長法のうち、スライドボーＩ−法の場合、
ＣｄＴｅ基板上にＩＩ ｇＣｄ Ｔ ｅ単結晶層を成長
させた後、精度良く製作されたスライダを基板ホルダ上
で平行にずらすことにより結晶成長後の残留融液をＩＩ
ｇＣｄＴｅ単結晶層表面から取除いていた６ジヤーナル
・オブ・エレクトロニ・ｙり・マテリアルズ（Ｊｏｕｒ
ｎａ−１ｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ）、第１０巻、１９８１年、第１０６９頁にそのよ
うな方法が記載されている。
関し、特にスライドボートを用いたテルル化水銀カドミ
ウムの液相エピタキシャル成長装置に関する６ 〔従来の技術］１ 赤外線検出器として使用されるＩＩ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ
単結晶は、気相成長法、液相エピタキシャル成長法を用
いて、ＣｄＴｅ基板上に結晶成長させている。液相エピ
タキシャル成長法のうち、スライドボーＩ−法の場合、
ＣｄＴｅ基板上にＩＩ ｇＣｄ Ｔ ｅ単結晶層を成長
させた後、精度良く製作されたスライダを基板ホルダ上
で平行にずらすことにより結晶成長後の残留融液をＩＩ
ｇＣｄＴｅ単結晶層表面から取除いていた６ジヤーナル
・オブ・エレクトロニ・ｙり・マテリアルズ（Ｊｏｕｒ
ｎａ−１ｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ）、第１０巻、１９８１年、第１０６９頁にそのよ
うな方法が記載されている。
この時スラ、イダが成長したＩＩｇＣｄＴｅＨｇＣｄＴ
ｅ単結晶層とＨｇＣｄＴｅ単結晶層に損傷を与えるので
、これをさけるためにスライダとＨｇＣｄＴｅ単結晶層
の表面には数十ミクロンの間隔をもたせている。従って
、その間隔の大きさやスライダを基板ホルダに対して平
行にずらす速度によってはＩＩ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ単結
晶層の表面に融液（メルト）の一部が残ることがあり温
度の低下と共に固まってＩｔ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ単結晶
層の歩留りを低下させる原因となっていた。
ｅ単結晶層とＨｇＣｄＴｅ単結晶層に損傷を与えるので
、これをさけるためにスライダとＨｇＣｄＴｅ単結晶層
の表面には数十ミクロンの間隔をもたせている。従って
、その間隔の大きさやスライダを基板ホルダに対して平
行にずらす速度によってはＩＩ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ単結
晶層の表面に融液（メルト）の一部が残ることがあり温
度の低下と共に固まってＩｔ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ単結晶
層の歩留りを低下させる原因となっていた。
そうして、スライダの基板ホルダと接触する側の表面は
平坦であって特別の構造を有していない。
平坦であって特別の構造を有していない。
上述した従来の化合物半導体の液相エピタキシャル成長
装置は、残留メルトの効果的な除去手段を有していない
ので、エピタキシャル成長の歩留りが悪いという欠点が
あった。
装置は、残留メルトの効果的な除去手段を有していない
ので、エピタキシャル成長の歩留りが悪いという欠点が
あった。
本発明の目的は、残留メルトを除去するのに効果的な手
段を備えた化合物半導体の液相エピタキシャル成長装置
を提供することにある。
段を備えた化合物半導体の液相エピタキシャル成長装置
を提供することにある。
本発明の化合物半導体の液相エピタキシャル成長装置は
、底部に多数の細い溝又は細孔を設けた払拭用ブロック
を前記払拭用ブロックの底部の表面とスライダの摺動面
とを略一致させて前記スライダに装着してなるスライド
ボートを含むものである。
、底部に多数の細い溝又は細孔を設けた払拭用ブロック
を前記払拭用ブロックの底部の表面とスライダの摺動面
とを略一致させて前記スライダに装着してなるスライド
ボートを含むものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ＞、（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を示
すスライドボートの断面図及び平面図であり、液相エピ
タキシャル成長を行っているときの様子を示している。
すスライドボートの断面図及び平面図であり、液相エピ
タキシャル成長を行っているときの様子を示している。
第２図（ａ＞、（ｂ）はそれぞれ払拭用ブロックの側面
図及び底面図である。
図及び底面図である。
この実施例は、底部に多数の満８を設けたカーボンから
なる払拭用プロ・ツク１をその底部の表面１−１とスラ
イダ２の基板ホルダ３との摺動面とを略一致させてスラ
イダ２に設けられた孔に挿入することによって装着した
スライドボーＩ・を含むものである６ 液相エピタキシャル装置全体は、このスライドボートを
石英管からなる反応室内に入れ１反応室の一端に設けら
れたガス導入管から水素ガスを導入し、反応室の他端に
設けられたガス排出管から排出し、反応室を囲んで設け
られた電気炉によって加熱するようになっているが、こ
れらのことは公知であるから図示しない。
なる払拭用プロ・ツク１をその底部の表面１−１とスラ
イダ２の基板ホルダ３との摺動面とを略一致させてスラ
イダ２に設けられた孔に挿入することによって装着した
スライドボーＩ・を含むものである６ 液相エピタキシャル装置全体は、このスライドボートを
石英管からなる反応室内に入れ１反応室の一端に設けら
れたガス導入管から水素ガスを導入し、反応室の他端に
設けられたガス排出管から排出し、反応室を囲んで設け
られた電気炉によって加熱するようになっているが、こ
れらのことは公知であるから図示しない。
次に、この実施例を使用してＩ（ｇｃｄＴｅの液相エピ
タキシャル成長を行う方法を説明する。
タキシャル成長を行う方法を説明する。
第３図、第４図は液相エピタキシャル成長法を説明する
ための工程順に配列したスライドボートの配置を示す断
面図である。
ための工程順に配列したスライドボートの配置を示す断
面図である。
まず、第１図に示すように、ＨｇＣｄＴｅを融解した融
成物であるメルト６を、基板ホルダ３の凹所に設置した
ＣｄＴｅ基板４に接触させてエピタキシャル成長を行な
う、 ＨｇＣｄＴｅ単結晶層５が適当な厚さになったな
らば、スライダ２を矢印の方向に摺動してメルト６とＩ
ｆ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ単結晶層５との接触を解除する、 第３図に示すように、ＨｇＣｄＴｅ単結晶層５の表面と
スライダ２の摺動面との面に数十ミクロンの間隔がある
ので、ＨｇＣｄＴｅ単結晶層らの表面に多少の残留、メ
ルト７が存在している。
成物であるメルト６を、基板ホルダ３の凹所に設置した
ＣｄＴｅ基板４に接触させてエピタキシャル成長を行な
う、 ＨｇＣｄＴｅ単結晶層５が適当な厚さになったな
らば、スライダ２を矢印の方向に摺動してメルト６とＩ
ｆ ｇ Ｃｄ Ｔ ｅ単結晶層５との接触を解除する、 第３図に示すように、ＨｇＣｄＴｅ単結晶層５の表面と
スライダ２の摺動面との面に数十ミクロンの間隔がある
ので、ＨｇＣｄＴｅ単結晶層らの表面に多少の残留、メ
ルト７が存在している。
次に、第４図に示すように、スライダ２を摺動してＩ（
ｇＣｄＴｅ単結晶層５の上に払拭用プロ・ツク１をもっ
てくる。払拭用プロ・ツク１の底部には第２図に示すよ
うに２００μｍ幅の細かい渦８がスライダ２の進行方向
に平行に多数切り込んであり、ＨｇＣｄＴｅ単結晶層５
の表面に存在する残留メルト７は毛細管現象でこのｆｆ
１８に吸着される。残留メル１−７を全て吸着した後、
スライダ２をさらに矢印の方向にずらせば、ｌ４ｇＣｄ
Ｔｅ単結晶層５の表面から残留メルト７を取り除くこと
ができる、 さらに払拭用ブロック１とスライダ２は一体構造でない
ため溝８に残留メルト７を吸着した払拭用プロ・ツク１
は容易に交換することができ、又、払拭用プロ・ツク１
は引掛り部１−２を有するので。
ｇＣｄＴｅ単結晶層５の上に払拭用プロ・ツク１をもっ
てくる。払拭用プロ・ツク１の底部には第２図に示すよ
うに２００μｍ幅の細かい渦８がスライダ２の進行方向
に平行に多数切り込んであり、ＨｇＣｄＴｅ単結晶層５
の表面に存在する残留メルト７は毛細管現象でこのｆｆ
１８に吸着される。残留メル１−７を全て吸着した後、
スライダ２をさらに矢印の方向にずらせば、ｌ４ｇＣｄ
Ｔｅ単結晶層５の表面から残留メルト７を取り除くこと
ができる、 さらに払拭用ブロック１とスライダ２は一体構造でない
ため溝８に残留メルト７を吸着した払拭用プロ・ツク１
は容易に交換することができ、又、払拭用プロ・ツク１
は引掛り部１−２を有するので。
スライダ２からすべり落ちてＨｇＣｄＴｅ単結晶層５の
表面に損傷を与える危険はない。
表面に損傷を与える危険はない。
なお満８の幅は２００μとは限らすメルトの種類や成長
温度に合せて適宜に定めればよい。
温度に合せて適宜に定めればよい。
更に、溝の代りに多数の細孔を設けてもよい。
第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を示
すスライドボートの断面図及び平面図、第２図（ａ）、
（ｂ）はそれぞれカーボンプロ・・ｌりの側面図及び底
面図、第３図、第４図は液相工ビタキシアル成長法を説
明するための工程順に配列したスライドボーＩ・の配置
を示す断面図である。 １・・・カーボンからなる払拭用プロ・ツク、■−１・
・・払拭用プロ・ツクの底部の表面、１−２・・・払拭
用プロ・ツクの引掛り部、２・・・スライダ、３・・・
基板ホルダ、４・・・ＣｄＴｅ基板、５・・・ＩＩ ｇ
Ｃｄ Ｔ ｅ単結晶層、６・・・Ｉｔ ｇ Ｃｄ Ｔ
ｅのメルト、７・・・残留メルト、８・・・溝。 第 １ 図 １払わ＼ｍラロソフ ４ ＣｄＴｅ基板２ ス
ライダ” ５ Ｈ！ＩＣｃＬＴｅ平時西
層３茅淳平時用層３茅淳 乙 メ２．ト／
６４’ 換２ 慣 ８ 看
すスライドボートの断面図及び平面図、第２図（ａ）、
（ｂ）はそれぞれカーボンプロ・・ｌりの側面図及び底
面図、第３図、第４図は液相工ビタキシアル成長法を説
明するための工程順に配列したスライドボーＩ・の配置
を示す断面図である。 １・・・カーボンからなる払拭用プロ・ツク、■−１・
・・払拭用プロ・ツクの底部の表面、１−２・・・払拭
用プロ・ツクの引掛り部、２・・・スライダ、３・・・
基板ホルダ、４・・・ＣｄＴｅ基板、５・・・ＩＩ ｇ
Ｃｄ Ｔ ｅ単結晶層、６・・・Ｉｔ ｇ Ｃｄ Ｔ
ｅのメルト、７・・・残留メルト、８・・・溝。 第 １ 図 １払わ＼ｍラロソフ ４ ＣｄＴｅ基板２ ス
ライダ” ５ Ｈ！ＩＣｃＬＴｅ平時西
層３茅淳平時用層３茅淳 乙 メ２．ト／
６４’ 換２ 慣 ８ 看
Claims (1)
- 底部に多数の細い溝又は細孔を設けた払拭用ブロックを
前記払拭用ブロックの底部の表面とスライダの摺動面と
を略一致させて前記スライダに装着してなるスライドボ
ートを含むことを特徴とする化合物半導体の液層エピタ
キシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2314886A JPS62182192A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 化合物半導体の液相エピタキシアル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2314886A JPS62182192A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 化合物半導体の液相エピタキシアル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182192A true JPS62182192A (ja) | 1987-08-10 |
Family
ID=12102484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2314886A Pending JPS62182192A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 化合物半導体の液相エピタキシアル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62182192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265195A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-18 | Nec Corp | 結晶成長装置 |
| CN110441539A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-12 | 东软威特曼生物科技（沈阳）有限公司 | 用于固体直热式或空气浴式反应盘的反应杯架及全自动生化分析仪 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710079A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-19 | Nippon Kokan Kk | Method of indicating inclination of electric furnace electrode |
| JPS61261293A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト |
-
1986
- 1986-02-04 JP JP2314886A patent/JPS62182192A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710079A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-19 | Nippon Kokan Kk | Method of indicating inclination of electric furnace electrode |
| JPS61261293A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265195A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-18 | Nec Corp | 結晶成長装置 |
| CN110441539A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-12 | 东软威特曼生物科技（沈阳）有限公司 | 用于固体直热式或空气浴式反应盘的反应杯架及全自动生化分析仪 |
| CN110441539B (zh) * | 2019-08-21 | 2023-08-01 | 东软威特曼生物科技（沈阳）有限公司 | 用于固体直热式或空气浴式反应盘的反应杯架及全自动生化分析仪 |
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