JPS62182971U - - Google Patents

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JPS62182971U
JPS62182971U JP7129886U JP7129886U JPS62182971U JP S62182971 U JPS62182971 U JP S62182971U JP 7129886 U JP7129886 U JP 7129886U JP 7129886 U JP7129886 U JP 7129886U JP S62182971 U JPS62182971 U JP S62182971U
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JP
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sputtering apparatus
utility
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electrode
sputtering
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【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の一実施例の概略断面図、第
2図は、第1図矢印Aの部分の斜視図である。 1……真空槽、2……カソード電極、3……タ
ーゲツト、6……基板電極、7……基板、11…
…ホローカソード電極、14……電子エネルギ制
御電極、16……偏向電極、18……電子捕獲電
極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 高真空槽内において、ターゲツト材料をスパ
    ツタし、基板ホルダ上の基板にスパツタ粒子を付
    着させて薄膜を形成するスパツタリング装置にお
    いて、前記ターゲツト材料からスパツタされたス
    パツタ粒子を、前記基板に付着させる前に高密度
    にイオン化する手段を持つことを特徴とするスパ
    ツタリング装置。 2 実用新案登録請求の範囲第1項記載のスパツ
    タリング装置において、上記イオン化手段が、ア
    ーク放電々極であることを特徴とするスパツタリ
    ング装置。 3 実用新案登録請求の範囲第2項記載のスパツ
    タリング装置において、上記アーク放電々極がホ
    ローカソード電極であり、電子エネルギ制御用電
    極と電子の運動方向を制御する偏向電極とを持つ
    ことを特徴とするスパツタリング装置。 4 実用新案登録請求の範囲第1項記載のスパツ
    タリング装置において、前記イオン化手段は、対
    向する前記真空槽内壁前面に、前記アーク放電々
    極から飛出した電子を捕えるための電子捕獲電極
    を持つことを特徴とするスパツタリング装置。 5 実用新案登録請求の範囲第1項記載のスパツ
    タリング装置において、上記スパツタリング装置
    が、プレーナマグネトロンスパツタリング装置で
    あることを特徴とするスパツタリング装置。 6 実用新案登録請求の範囲第1項記載のスパツ
    タリング装置において、上記スパツタリング装置
    は、上記基板ホルダにバイアス電圧を印加する手
    段を持つことを特徴とするスパツタリング装置。
JP7129886U 1986-05-14 1986-05-14 Pending JPS62182971U (ja)

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