JPS6218488A - 半導体 - Google Patents
半導体Info
- Publication number
- JPS6218488A JPS6218488A JP15659885A JP15659885A JPS6218488A JP S6218488 A JPS6218488 A JP S6218488A JP 15659885 A JP15659885 A JP 15659885A JP 15659885 A JP15659885 A JP 15659885A JP S6218488 A JPS6218488 A JP S6218488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- doping
- nickel
- complex
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0662—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic containing metal elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特定の有機金属錯体をドーピング剤でドープす
ることによって得られる安定性の良好な半導体に関する
ものである。
ることによって得られる安定性の良好な半導体に関する
ものである。
従来、ポリアセチレン、ポリパラフエニレ／、ポリフェ
ニレンスルフィ）’、ホｌＪチェニレン、ポリピロール
等の共役系ポリマーに五フッ化砒素、五フッ化アンチモ
ン、沃素、臭素等のドーピング剤をドーピングさせたポ
リマーが良好な電導性を示し、ドーピング量を変化させ
ると絶縁体から半導体、さらに電導体になることが知ら
れている。
ニレンスルフィ）’、ホｌＪチェニレン、ポリピロール
等の共役系ポリマーに五フッ化砒素、五フッ化アンチモ
ン、沃素、臭素等のドーピング剤をドーピングさせたポ
リマーが良好な電導性を示し、ドーピング量を変化させ
ると絶縁体から半導体、さらに電導体になることが知ら
れている。
一方、非ポリマー系の電導性を有するものとしてテトラ
チアフルバレン−テトラシアノキノジメタンやペリレン
−沃素のような電荷移動錯体などが知られている。
チアフルバレン−テトラシアノキノジメタンやペリレン
−沃素のような電荷移動錯体などが知られている。
一般にドーピング処理した導電体は空気中で不安定で電
導塵の低下、材料の劣化が進行することが知られている
。このことよ＃）、電−導度の低下、材料の劣化のない
安定な導電体の出現が望まれている。
導塵の低下、材料の劣化が進行することが知られている
。このことよ＃）、電−導度の低下、材料の劣化のない
安定な導電体の出現が望まれている。
本発明の目的は空気中でより安定で取扱いの容易な新規
な導電体を提供するにある。
な導電体を提供するにある。
本発明者等はか＼る欠点に鑑み、よシ安定な新規な導電
体を得るべく、種々検討した結果、非ポリマー系の特定
の有機金属錯体を選び、こ喬？ れにドピング剤でドープすれば、半導体の性質を有する
安定性の良好な新規な導電体が得られることを見い出し
、本発明に到達した。
体を得るべく、種々検討した結果、非ポリマー系の特定
の有機金属錯体を選び、こ喬？ れにドピング剤でドープすれば、半導体の性質を有する
安定性の良好な新規な導電体が得られることを見い出し
、本発明に到達した。
即ち、本発明は、一般式（Ｉ）
ＭＬＩ ｍ Ｌｌ ｎ −−−・・−（１）（こ＼で
Ｍは周期律表第ｒ族の金属を表わし、Ｌｌ及びＬｌ は
メチル基、フエ゛ニル基を置換してもよいシクロブタジ
ェン基、シクロペンタジェニル基、アセチルアセトナー
ト基、イソシアニド基、・・ロゲ／を含む置換基を表わ
し、ｍは１〜≠の整数、ｎは０．／、コを表わす）で示
される有機金属錯体をドーピング剤でドープすることに
よって得られる半導体に存する。
Ｍは周期律表第ｒ族の金属を表わし、Ｌｌ及びＬｌ は
メチル基、フエ゛ニル基を置換してもよいシクロブタジ
ェン基、シクロペンタジェニル基、アセチルアセトナー
ト基、イソシアニド基、・・ロゲ／を含む置換基を表わ
し、ｍは１〜≠の整数、ｎは０．／、コを表わす）で示
される有機金属錯体をドーピング剤でドープすることに
よって得られる半導体に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明では、前記したように、一般式（Ｉ）で示される
有機金属錯体が使用される。
有機金属錯体が使用される。
前記一般式（１） において、Ｍは周期律表第８族の
金属を表わし、例えばニッケル、コバルト、鉄、ロジウ
ム等が挙げられる。Ｌｌ及びＬｌはメチル基、フェニル
基で置換してもよいシクロブタジェン基、シクロペンタ
ジェニル基、アセチルアセトナート基、インシアナート
基またはハロゲンを含む置換基を表わし、これらの具体
的な基としては例えばシクロブタジェン基、ジメチルシ
クロブタジェン基、テトラメチルシクロブタジェン基、
テトラフェニルシクロブタジェン基、シクロペンタジェ
ニル基、ジメチルシクロペンタジェニル基、アセチルア
セトナート基、メチルアセチルアセトナート基、フェニ
ルアセチルアセトナート基、フェニルイソシアニド基、
トルイルイソシアニド基、四フッ化ホウ素、四塩化鉄、
六フッ化リン、六フッ化アンチモン等が挙げられる。ま
た、ｍはｌ−弘の整数；ｎは０％ ｌ、コを表わす。
金属を表わし、例えばニッケル、コバルト、鉄、ロジウ
ム等が挙げられる。Ｌｌ及びＬｌはメチル基、フェニル
基で置換してもよいシクロブタジェン基、シクロペンタ
ジェニル基、アセチルアセトナート基、インシアナート
基またはハロゲンを含む置換基を表わし、これらの具体
的な基としては例えばシクロブタジェン基、ジメチルシ
クロブタジェン基、テトラメチルシクロブタジェン基、
テトラフェニルシクロブタジェン基、シクロペンタジェ
ニル基、ジメチルシクロペンタジェニル基、アセチルア
セトナート基、メチルアセチルアセトナート基、フェニ
ルアセチルアセトナート基、フェニルイソシアニド基、
トルイルイソシアニド基、四フッ化ホウ素、四塩化鉄、
六フッ化リン、六フッ化アンチモン等が挙げられる。ま
た、ｍはｌ−弘の整数；ｎは０％ ｌ、コを表わす。
一般式（１） で表わされる具体的な有機金属錯体と
してはシクロペンタジェニル（テトラフェニルシクロブ
タジェン）コバルト、シクロペンタジェニル（テトラメ
チルシクロブタジェン）チルアセトナート）ニッケル、
ビス（メチルアセチルアセトナート）ニッケル、ビス（
アセチルアセトナート）パラジウム、テトラキス（フェ
ニルイソシアニド〕ニッケル、テトラキス（トルイルイ
ソシアニド）ニッケル、ビス（シクロペンタジェニル）
鉄門フッ化ホウ素、ビス（シクロペンタジェニル）鉄門
塩化鉄等が挙げられる。
してはシクロペンタジェニル（テトラフェニルシクロブ
タジェン）コバルト、シクロペンタジェニル（テトラメ
チルシクロブタジェン）チルアセトナート）ニッケル、
ビス（メチルアセチルアセトナート）ニッケル、ビス（
アセチルアセトナート）パラジウム、テトラキス（フェ
ニルイソシアニド〕ニッケル、テトラキス（トルイルイ
ソシアニド）ニッケル、ビス（シクロペンタジェニル）
鉄門フッ化ホウ素、ビス（シクロペンタジェニル）鉄門
塩化鉄等が挙げられる。
殊ニジクロペンタジェニル（テトラフェニルブタジェン
〕コバルト、テトラキス（トルイルイソシアニド）ニッ
ケル、ビス（アセチルアセトナート〕ニッケルが好適で
ある。かかる有機金属錯体は通常、常温で固体のもので
あり公知の技術あるいはその応用技術により、比較的容
易に合成することができる。例えば新実験化学講座（丸
善、ｌり７を年）Ｐａｔターｌり３にはコバルト錯体、
Ｐコ／／、２３０にはニッケル錯体の合成法が記述され
ている。新実験化学講座に記載のないものはｃｏｍｐｒ
ｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ （ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ
ｔｙｒｘ）のＶ ｏ １ 夕ＶＣ：Ｉパルト錯体、ｖｏ
：ｔ＋ にニッケル錯体の製法が記載されている。
〕コバルト、テトラキス（トルイルイソシアニド）ニッ
ケル、ビス（アセチルアセトナート〕ニッケルが好適で
ある。かかる有機金属錯体は通常、常温で固体のもので
あり公知の技術あるいはその応用技術により、比較的容
易に合成することができる。例えば新実験化学講座（丸
善、ｌり７を年）Ｐａｔターｌり３にはコバルト錯体、
Ｐコ／／、２３０にはニッケル錯体の合成法が記述され
ている。新実験化学講座に記載のないものはｃｏｍｐｒ
ｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ （ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ
ｔｙｒｘ）のＶ ｏ １ 夕ＶＣ：Ｉパルト錯体、ｖｏ
：ｔ＋ にニッケル錯体の製法が記載されている。
本発明において、有機金属錯体をドーピングするドーピ
ング剤は公知のものが使用できる。
ング剤は公知のものが使用できる。
例えば、Ｃ１０、Ｂｒ２ 、工２ 、ＩＢｒ、Ａ８Ｆ５
、ＢＦＩ 、Ｂｏｌｌ 。
、ＢＦＩ 、Ｂｏｌｌ 。
５ｂＯ１，、ＰＦ’、 、５ｂＦ５ 、ｓｏ、
、ｓｏ、 、Ｎｏ、 、Ｎｏ、Ｎ２０．
。
、ｓｏ、 、Ｎｏ、 、Ｎｏ、Ｎ２０．
。
ＰＯＦｓ 、Ｎ０ＢＦ４ 、Ｎｏ、８ｂＦ６ 、Ｎ０Ｐ
Ｆ６ 、Ｓｂ、Ｆ、 等、好ましくはＩ２．Ａ８Ｆｓ
、ＰＦＳ、Ｎｏ、８１）Ｆ、 、Ｎ０ＰＦ６等が挙げ
られる。ドーピングは通常の方法に従がい、有機金属錯
体をドーピングし易い形状、例えば結晶のま＼又はそれ
を粉末状、成形体状もしくは薄膜にして気相または液相
雰囲気下に−ｉｏ〜７０℃、好ましくはＱ〜！Ｑ℃で行
なえばよい。
Ｆ６ 、Ｓｂ、Ｆ、 等、好ましくはＩ２．Ａ８Ｆｓ
、ＰＦＳ、Ｎｏ、８１）Ｆ、 、Ｎ０ＰＦ６等が挙げ
られる。ドーピングは通常の方法に従がい、有機金属錯
体をドーピングし易い形状、例えば結晶のま＼又はそれ
を粉末状、成形体状もしくは薄膜にして気相または液相
雰囲気下に−ｉｏ〜７０℃、好ましくはＱ〜！Ｑ℃で行
なえばよい。
ドーピング剤の量は有機金属錯体の金属に対して０．０
７〜３００モルパーセント、好ましくは０．０２ へ２
００モルパーセント程度である。
７〜３００モルパーセント、好ましくは０．０２ へ２
００モルパーセント程度である。
上述の様なドーピング剤でドーピングされた本発明の有
機金、慎錯体は、ドーピング量の変化によシ絶縁体から
良好な半導性を示し、また良好な安定性を示し、取扱い
が容易である。
機金、慎錯体は、ドーピング量の変化によシ絶縁体から
良好な半導性を示し、また良好な安定性を示し、取扱い
が容易である。
以下、実施例を挙げて更に本発明を具体的に説明する。
合成例−７（実施例−７および−の錯体）オクタカルボ
ニルコバルトＣｏ、（Ｃｏ）、 ｉ♂２と新しく調製
したシクロペンタジェン１０．２ｄを乾燥、脱気した塩
化メチレンコ０ｔｒｔｌ中アルゴン気流下で還流する。
ニルコバルトＣｏ、（Ｃｏ）、 ｉ♂２と新しく調製
したシクロペンタジェン１０．２ｄを乾燥、脱気した塩
化メチレンコ０ｔｒｔｌ中アルゴン気流下で還流する。
このときフラスコ及び冷却管をアルミフォル等で覆い、
光を遮断しておく。λ日間の還流の後塩化メチレ／を減
圧蒸留し、さらに蒸留を続けると目的物が暗赤色の液体
として蒸留される（７！〜ｔｏ℃／２λｍｍＨｇ ）。
光を遮断しておく。λ日間の還流の後塩化メチレ／を減
圧蒸留し、さらに蒸留を続けると目的物が暗赤色の液体
として蒸留される（７！〜ｔｏ℃／２λｍｍＨｇ ）。
これをアルゴン下−コＯ℃で保存する。
得られたジカルボニル（シクロペ／タジエニル〕コバル
トＣｏ（Ｃｏ）！ （ＯｓＨｓ ） Ａ−ｊ ｆとトラ
ンＣａＨｓＣＥＯＯ８Ｈ，／ ｘ、ｔ ｆをアルゴン下
で、３００−のパラキシレン中で光遮断して一日還流す
る。
トＣｏ（Ｃｏ）！ （ＯｓＨｓ ） Ａ−ｊ ｆとトラ
ンＣａＨｓＣＥＯＯ８Ｈ，／ ｘ、ｔ ｆをアルゴン下
で、３００−のパラキシレン中で光遮断して一日還流す
る。
放冷後ｆ過しｆ液をカラムクロマト（シリカゲル／ベン
ゼン）にかけると目的物のシクロペンタジェニル（テト
ラフェニルシクロブタジェン）コバルトが最初に濃橙色
のバンドとして溶出してくる。
ゼン）にかけると目的物のシクロペンタジェニル（テト
ラフェニルシクロブタジェン）コバルトが最初に濃橙色
のバンドとして溶出してくる。
合成例−λ（実施例−ｔの錯体）
ｐ−ベンゾキノンコミ９モルのＪＯｒｄエーテル溶液と
テトラフルオロホウ酸水溶液弘ミリリットルをフェロセ
ンｌミリモルのエーテル溶液ＪＯ，ｌに加え攪拌すると
藍色の結晶が生成する。
テトラフルオロホウ酸水溶液弘ミリリットルをフェロセ
ンｌミリモルのエーテル溶液ＪＯ，ｌに加え攪拌すると
藍色の結晶が生成する。
この結晶をｒ取し、エーテルで洗浄し、乾燥すると（Ｆ
ｅ（ＯｓＨｓ ）ｚ ）■ＢＦ４ｅの結晶が得られた。
ｅ（ＯｓＨｓ ）ｚ ）■ＢＦ４ｅの結晶が得られた。
実施例１〜４
有機金属錯体の結晶又は粉末を赤外吸収スペクトル測定
用のベレット成型器を用いて真空下、加圧（約ＡＯｋｇ
重／ｉ）条件下で成型する（直径７３Ｗａ、厚さ約０．
ｊｍ）かもしくはガラス板上有機金属錯体の溶液を塗布
し乾燥後薄膜にして用いた。得られたベレットまたは薄
膜に導電測定した後、室温下で沃素を入れたデシケータ
中に入れ、沃素を昇華によりサンプルにドーピングさせ
た。沃素のドープ量はサンプルの重量増加を測定して算
出した。金属に対する沃素のドープ量は表−７に示すよ
うになるようにドーピングを行なった。ドープ量によシ
試料は黄色〜褐色〜黒色（金属光沢を有する）を示し、
ドープされた試料は室温、密封して空気中に放置してお
いても電導塵の変化は認められなかった。
用のベレット成型器を用いて真空下、加圧（約ＡＯｋｇ
重／ｉ）条件下で成型する（直径７３Ｗａ、厚さ約０．
ｊｍ）かもしくはガラス板上有機金属錯体の溶液を塗布
し乾燥後薄膜にして用いた。得られたベレットまたは薄
膜に導電測定した後、室温下で沃素を入れたデシケータ
中に入れ、沃素を昇華によりサンプルにドーピングさせ
た。沃素のドープ量はサンプルの重量増加を測定して算
出した。金属に対する沃素のドープ量は表−７に示すよ
うになるようにドーピングを行なった。ドープ量によシ
試料は黄色〜褐色〜黒色（金属光沢を有する）を示し、
ドープされた試料は室温、密封して空気中に放置してお
いても電導塵の変化は認められなかった。
各試料の電導塵は公知の四端子法により測定した。その
結果を表−ｌに示した。
結果を表−ｌに示した。
表−７
〔効 果〕
本発明のハロゲンでドーピングされた有機金属錯体はド
ーピング量の変化により絶縁１体から良好な半導性を示
し、また良好な安定性を有し、取扱が容易でろって電子
写真記録材、固体ディスプレイ、光メモリ−、端末機器
、帯電防止材、光電変換素子、蓄電池など広い分野への
適用が可能である。
ーピング量の変化により絶縁１体から良好な半導性を示
し、また良好な安定性を有し、取扱が容易でろって電子
写真記録材、固体ディスプレイ、光メモリ−、端末機器
、帯電防止材、光電変換素子、蓄電池など広い分野への
適用が可能である。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用 −（他１名）
Claims (1)
- （１）一般式 ＭＬ＾１ｎＬ＾２ｎ （ここでＭは周期律表第８族の金属を表わし、Ｌ＾１及
びＬ＾２はメチル基、フェニル基を置換していてもよい
シクロブタジエン基、シクロペンタジエメル基、アセチ
ルアセトナート基、イソシアニド基、ハロゲンを含む置
換基を表わし、ｍは１〜４の整数、ｎは０、１、２を表
わす）で示される有機金属錯体をドーピング剤でドープ
することによつて得られる半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15659885A JPS6218488A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15659885A JPS6218488A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218488A true JPS6218488A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15631253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15659885A Pending JPS6218488A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139552A (en) * | 1989-12-05 | 1992-08-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Apparatus for bending and tempering sheet glass |
| JP2014511037A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-05-01 | サントル ナショナル ド ラ ルシャルシュ シヨンティフィック | 光起電力セルの活性層、および対応する光起電力セルを調製するためのコバルト錯体の使用 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP15659885A patent/JPS6218488A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139552A (en) * | 1989-12-05 | 1992-08-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Apparatus for bending and tempering sheet glass |
| JP2014511037A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-05-01 | サントル ナショナル ド ラ ルシャルシュ シヨンティフィック | 光起電力セルの活性層、および対応する光起電力セルを調製するためのコバルト錯体の使用 |
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