JPS5941831A - 電子ビ−ム描画方法 - Google Patents
電子ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPS5941831A JPS5941831A JP57151214A JP15121482A JPS5941831A JP S5941831 A JPS5941831 A JP S5941831A JP 57151214 A JP57151214 A JP 57151214A JP 15121482 A JP15121482 A JP 15121482A JP S5941831 A JPS5941831 A JP S5941831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raster
- pattern
- electron beam
- edge roughness
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、走査型電子ビーム描画装置を用いて試料上に
パターンを描画する電子ビーム描画方法の改良に関する
。
パターンを描画する電子ビーム描画方法の改良に関する
。
近時、半導体ウェーハやマスク等の試料に微細パターン
を形成するものとして、各種の走査型電子ビーム描画装
置が開発されている。これらの装置の中でラスタ走査方
式、或いはノリーン内部をラスタ走査によシ塗シつぶす
ベクタ方式のものにおいては、描くべきパターンのエツ
ジが直線であるのに対しビーム形状が通常円形であるた
め、パターンエツジに細かい凹凸が形成される。つまシ
、マスク方向と直角のパターン辺でエツジラフネスが発
生し、描画精度が悪化すると云う問題があった。また、
ビーム形状を正方形にして描画する方法も考えられるが
、この場合描くべきノ母ターンの斜線部の凹凸がよシ顕
著になる等の問題を招く。
を形成するものとして、各種の走査型電子ビーム描画装
置が開発されている。これらの装置の中でラスタ走査方
式、或いはノリーン内部をラスタ走査によシ塗シつぶす
ベクタ方式のものにおいては、描くべきパターンのエツ
ジが直線であるのに対しビーム形状が通常円形であるた
め、パターンエツジに細かい凹凸が形成される。つまシ
、マスク方向と直角のパターン辺でエツジラフネスが発
生し、描画精度が悪化すると云う問題があった。また、
ビーム形状を正方形にして描画する方法も考えられるが
、この場合描くべきノ母ターンの斜線部の凹凸がよシ顕
著になる等の問題を招く。
本発明の目的は、走査型電子ビーム描画装置で問題とな
る描くべきノやターンのマスク方向と直角な辺及び斜線
部におけるエツジラフネスを改善することができ、描画
精度の向上をはか勺得る電子ビーム描画方法を提供する
ことにある。
る描くべきノやターンのマスク方向と直角な辺及び斜線
部におけるエツジラフネスを改善することができ、描画
精度の向上をはか勺得る電子ビーム描画方法を提供する
ことにある。
本発明の骨子は、ビーム形状の選択によシ、描くべき・
平ターンのエツジラフネスを改善することにある。
平ターンのエツジラフネスを改善することにある。
すなわち本発明は、ラスタ走査方式或いＦｉパターン内
部をラスク状に走査するペクタ走査方式で試料上に所望
のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、上
記試料に照射する電子ビームの形状を正方形とし、かつ
該ビームの１辺とラスタ方向とのなす角を略４５度に設
定するようにした方法である。
部をラスク状に走査するペクタ走査方式で試料上に所望
のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、上
記試料に照射する電子ビームの形状を正方形とし、かつ
該ビームの１辺とラスタ方向とのなす角を略４５度に設
定するようにした方法である。
本発明によれば、走査型電子ビーム描画装置の欠点であ
ったラスタ方向と直角なパターン辺でのエツジラフネス
を改善することができる。
ったラスタ方向と直角なパターン辺でのエツジラフネス
を改善することができる。
さらに、描くべきパターンの斜線部におけるエツジラフ
ネスを改善することができ、特に、４５°傾斜の斜線部
におけるエツジラフネスは略完全に無くすことができる
。このため、描画精度の向上をはかシ得、微細パターン
形成に極めて有効である。また、正方形のビームを形成
するのは１段又は２段レンズで可能であるから、電子光
学鏡筒を安価に製作でき、その信頼性を高めることも可
能である。
ネスを改善することができ、特に、４５°傾斜の斜線部
におけるエツジラフネスは略完全に無くすことができる
。このため、描画精度の向上をはかシ得、微細パターン
形成に極めて有効である。また、正方形のビームを形成
するのは１段又は２段レンズで可能であるから、電子光
学鏡筒を安価に製作でき、その信頼性を高めることも可
能である。
図は本発明の一実施例に係わるラスタ走査方式の電子ビ
ーム描画方法を説明するための模式図である。図に示す
ように電子ビーム１の形状を正方形、ビーム寸法をラス
タピッチＰの１倍とし、ビーム１０１辺とラスタ方向と
のなす角度を４５°に設定し、４５°の斜線及びラスタ
方向に直角、平行なパターンを描画した場合のノｆター
ン及びドーズ分布を併記した。なお、図中実線太線２Ｆ
ｉ描くべきパターンを示し、またこれは各パターン辺で
のドーズ分布が０．５になる位置を示している。また、
図中Ａ −Ａ’ 、 Ｂ −１はパターン２の斜線部で
のラスタ方向のドーズ分布、Ｃ−σ、Ｄ−１／、Ｅ−ビ
、Ｆ−Ｆ’はラスタ方向に直角な辺でのラスタ方向のド
ーズ分布、Ｇ −Ｇ’はラスタ方向に平行な辺でのラス
タ方向に直角な方向のドーズ分布、Ｈ−「は斜線部での
該斜線に直角な方向のドーズ分布をそれぞれ示している
。
ーム描画方法を説明するための模式図である。図に示す
ように電子ビーム１の形状を正方形、ビーム寸法をラス
タピッチＰの１倍とし、ビーム１０１辺とラスタ方向と
のなす角度を４５°に設定し、４５°の斜線及びラスタ
方向に直角、平行なパターンを描画した場合のノｆター
ン及びドーズ分布を併記した。なお、図中実線太線２Ｆ
ｉ描くべきパターンを示し、またこれは各パターン辺で
のドーズ分布が０．５になる位置を示している。また、
図中Ａ −Ａ’ 、 Ｂ −１はパターン２の斜線部で
のラスタ方向のドーズ分布、Ｃ−σ、Ｄ−１／、Ｅ−ビ
、Ｆ−Ｆ’はラスタ方向に直角な辺でのラスタ方向のド
ーズ分布、Ｇ −Ｇ’はラスタ方向に平行な辺でのラス
タ方向に直角な方向のドーズ分布、Ｈ−「は斜線部での
該斜線に直角な方向のドーズ分布をそれぞれ示している
。
ｚｆ ｐ ｙ ２の斜線部におけるドーズ分布は、図
中Ａ −Ａ’及びＢ−Ｂ’の２個所のドーズゾロファイ
ルを代表例として示す如く直線状になシ、エツジラフネ
スの生じる余地は全くない。なお、上記２個所のドーズ
ゾロファイルはビームの対角線上での位置と対角線でな
い部分で走査し外位置に相当する。また、ドーズゾロフ
ァイルの傾きが一見小さく見えるが、これはパターン辺
に傾いた方向で見ているからで、パターン辺に直角な方
向Ｈ−ｉｆではラスタ方向と平行なパターン辺でのＧ−
σのドーズ分布と同様良好なものとなる。
中Ａ −Ａ’及びＢ−Ｂ’の２個所のドーズゾロファイ
ルを代表例として示す如く直線状になシ、エツジラフネ
スの生じる余地は全くない。なお、上記２個所のドーズ
ゾロファイルはビームの対角線上での位置と対角線でな
い部分で走査し外位置に相当する。また、ドーズゾロフ
ァイルの傾きが一見小さく見えるが、これはパターン辺
に傾いた方向で見ているからで、パターン辺に直角な方
向Ｈ−ｉｆではラスタ方向と平行なパターン辺でのＧ−
σのドーズ分布と同様良好なものとなる。
一方、ラスタ方向と直角な方向でのドーズ分布は、図中
Ｃ−σ、Ｄ−ｄ、Ｅ−１の３個所を代表例として示す如
く、ドーズ分布０．５の位置での３つの直線が交わる。
Ｃ−σ、Ｄ−ｄ、Ｅ−１の３個所を代表例として示す如
く、ドーズ分布０．５の位置での３つの直線が交わる。
したがって、ドーズ分布０．５の位置でビーム寸法が決
まるような現像を行えば、Ｃ−σ、 Ｄ−Ｄ’、 Ｅ−
ビでのドーズ分布が一点で交わシ、エツジラフネスは生
じないことになる。
まるような現像を行えば、Ｃ−σ、 Ｄ−Ｄ’、 Ｅ−
ビでのドーズ分布が一点で交わシ、エツジラフネスは生
じないことになる。
また、現像プロセスの変動やビーム強度の変動等があっ
た場合、例えば最終的に±２０ （４）の変動があった
場合、図から明らかなようにアドレス寸法（−ラスタピ
ッチｐ）の１０［：％］のエツジラフネスが生じるｉｆ
算となる。なお、図中１点鎖線３は２０〔俤〕のオーバ
現像になった場合のノｆターン形状を示し、２点鎖、Ｉ
Ｊ４け２０［１］のアンダー現像になった場合のパター
ン形状を示している。したがって、例えばＩ〔μｍ〕の
ラスタピッチの場合、エツジラフネスは０．１〔μｍ）
（Ｐ−Ｐ）であシ、この程度は円形ビームで適正現像を
行った場合でも生じる値である。つまシ、エツジラフネ
スは大幅に改善されたことになる。
た場合、例えば最終的に±２０ （４）の変動があった
場合、図から明らかなようにアドレス寸法（−ラスタピ
ッチｐ）の１０［：％］のエツジラフネスが生じるｉｆ
算となる。なお、図中１点鎖線３は２０〔俤〕のオーバ
現像になった場合のノｆターン形状を示し、２点鎖、Ｉ
Ｊ４け２０［１］のアンダー現像になった場合のパター
ン形状を示している。したがって、例えばＩ〔μｍ〕の
ラスタピッチの場合、エツジラフネスは０．１〔μｍ）
（Ｐ−Ｐ）であシ、この程度は円形ビームで適正現像を
行った場合でも生じる値である。つまシ、エツジラフネ
スは大幅に改善されたことになる。
かくして本実施例方法によれば、描くべきパターンの斜
線部及びラスタ方向と直角、平行な辺でのエツジラフネ
ス全極めて小さくすることができ、微細パターン形成に
非電に有効である。
線部及びラスタ方向と直角、平行な辺でのエツジラフネ
ス全極めて小さくすることができ、微細パターン形成に
非電に有効である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記電子ビームの寸法はラスタピッチの６
倍であるのが最も好ましい値であるが、必ずしもこの値
にする必要はなく、仕様に応じて適宜変更することが可
能である。また、ラスタ走査型の電子ビーム描画装置に
限らず、パターン内部をラスタ走査によシ塗シつぶすベ
クタ走査型の電子ビーム描画装置に適用することも可能
である。その他、本発明の裂旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
い。例えば、前記電子ビームの寸法はラスタピッチの６
倍であるのが最も好ましい値であるが、必ずしもこの値
にする必要はなく、仕様に応じて適宜変更することが可
能である。また、ラスタ走査型の電子ビーム描画装置に
限らず、パターン内部をラスタ走査によシ塗シつぶすベ
クタ走査型の電子ビーム描画装置に適用することも可能
である。その他、本発明の裂旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
図は本発明の一実施例に係わるラスタ走査方式の電子ビ
ーム描画方法を説明するための模式図である。 １・・・電子ビーム、２・・・描画ノ臂ターン、３・・
・２０（ｑ６）オーバ現像による描画パターン、４・・
・２０（％）アンダー現像による描画パターン。 ４１頁の続き ０発 明 者 辻和夫 沼津市大岡２０６８の３東芝機械株 式会社沼津事業所内 ０発 明 者 笠原泉 沼津市大岡２０６８０３東芝機械株 式会社沼津事業所内 ■出 願 人 東芝機械株式会社 東京都中央区銀座４丁目２番１１ 号
ーム描画方法を説明するための模式図である。 １・・・電子ビーム、２・・・描画ノ臂ターン、３・・
・２０（ｑ６）オーバ現像による描画パターン、４・・
・２０（％）アンダー現像による描画パターン。 ４１頁の続き ０発 明 者 辻和夫 沼津市大岡２０６８の３東芝機械株 式会社沼津事業所内 ０発 明 者 笠原泉 沼津市大岡２０６８０３東芝機械株 式会社沼津事業所内 ■出 願 人 東芝機械株式会社 東京都中央区銀座４丁目２番１１ 号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ ラスタ走査方式、或いＦｉパターン内部をラスク
状に走査するベクタ走査方式で試料上に所望・ぐターン
を描画する電子ビーム描画方法において、上記試料に照
射する電子ビームの形状を正方形とし、かつ該ビームの
１辺とマスク方向どのなす角を略４５度に設定すること
を特徴とする電子ビーム描画方法。 （２）前配電子ビームの寸法を、マスクピッチの６倍に
設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151214A JPS5941831A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 電子ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151214A JPS5941831A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 電子ビ−ム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941831A true JPS5941831A (ja) | 1984-03-08 |
Family
ID=15513726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57151214A Pending JPS5941831A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 電子ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279352A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Honda Motor Co Ltd | 加圧鋳造用金型装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185826A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-07-27 | Thomson Csf | |
| JPS5328379A (en) * | 1977-06-22 | 1978-03-16 | Jeol Ltd | Electron lens device |
| JPS54150083A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of drawing pattern with electron beam |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151214A patent/JPS5941831A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185826A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-07-27 | Thomson Csf | |
| JPS5328379A (en) * | 1977-06-22 | 1978-03-16 | Jeol Ltd | Electron lens device |
| JPS54150083A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of drawing pattern with electron beam |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279352A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Honda Motor Co Ltd | 加圧鋳造用金型装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6433348B1 (en) | Lithography using multiple pass raster-shaped beam | |
| EP1070335B1 (en) | Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field | |
| KR100417906B1 (ko) | 다수의 픽셀 중에서 플래쉬 필드를 특정하는 형상 데이터를 결정하는 플래쉬 컨버터 및 그 방법 | |
| US11774860B2 (en) | Writing data generating method, multi charged particle beam writing apparatus, pattern inspecting apparatus, and computer-readable recording medium | |
| US20220221800A1 (en) | Writing data generating method and multi charged particle beam writing apparatus | |
| JPS63114125A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| KR102293626B1 (ko) | 묘화 데이터 생성 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 | |
| EP1060500B1 (en) | An apparatus and method for controlling a beam shape in lithographiy systems | |
| JP3930411B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
| US5305225A (en) | Charged particle litography method and apparatus | |
| US6455863B1 (en) | Apparatus and method for forming a charged particle beam of arbitrary shape | |
| JPH0669112A (ja) | 透過マスク板 | |
| JPS6218712A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2025000376A (ja) | 描画データの図形内線分交差判定方法、描画データの図形内線分交差判定装置、プログラム、及び電子ビーム描画装置 | |
| JPS5941834A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPS62152125A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JPH09246153A (ja) | 電子線描画データの作成方法 | |
| JPH02165617A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JPH06140309A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPS61263121A (ja) | 電子線露光装置 | |
| JPH04188714A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH04111413A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH04148530A (ja) | 電子ビーム描画用パターン分解方法 | |
| JPS6169124A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JPS62104031A (ja) | 電子線露光方法 |