JPS62187143A - ガラスの加工方法 - Google Patents
ガラスの加工方法Info
- Publication number
- JPS62187143A JPS62187143A JP2781886A JP2781886A JPS62187143A JP S62187143 A JPS62187143 A JP S62187143A JP 2781886 A JP2781886 A JP 2781886A JP 2781886 A JP2781886 A JP 2781886A JP S62187143 A JPS62187143 A JP S62187143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photosensitive film
- glass
- light
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
ガラスの加工方法、特に光ディスクまたは光磁気ディス
ク用の溝付き基板の製造技術に関するものである。
ク用の溝付き基板の製造技術に関するものである。
[従来の技術]
溝付き基板には、グループ法と2F(フォトポリマー)
法との二方法がある。グループ法は、ポジ型レジストの
場合には2ガラス板に7オトレジスト(以下レジストと
記す)を塗布したのちレーザー光で渦巻きまたは同心円
のパターンを点図形の連続として描いたのちエツチング
等の方法により感光部分を除去しくネガ型レジストの場
合は非感光性部分を除去する)ガラスを露出させる。こ
のあとRIE (反応性イオンエツチング)などの方法
でガラスの露出部分をエツチング加工し所定のパターン
を得る。2P法は感光性樹脂を用いガラス面に凹凸の膜
面を積上げ構成する方法で、ガラスを除去するグループ
法とは原理的に異なる。
法との二方法がある。グループ法は、ポジ型レジストの
場合には2ガラス板に7オトレジスト(以下レジストと
記す)を塗布したのちレーザー光で渦巻きまたは同心円
のパターンを点図形の連続として描いたのちエツチング
等の方法により感光部分を除去しくネガ型レジストの場
合は非感光性部分を除去する)ガラスを露出させる。こ
のあとRIE (反応性イオンエツチング)などの方法
でガラスの露出部分をエツチング加工し所定のパターン
を得る。2P法は感光性樹脂を用いガラス面に凹凸の膜
面を積上げ構成する方法で、ガラスを除去するグループ
法とは原理的に異なる。
[発明の解決しようとする問題点]
溝パターンは通常中0.8μ腫、ピッチ1.6μ厘、深
さ0.07μ鳳で、円板口径3.5”(インチ、以下同
じ)ないし5.25″である。レーザー光線でこのパタ
ーンを描くのに約20分を要す、この工程がガラスの溝
付き基板の製造速度を決定して生産効率がよくない、ま
た同機能を狙う2P法の場合はガラス表面にポリマーが
存在することで記録膜の耐久性の点で信頼性に乏しいこ
とと、材料コストの高い欠点があり、また射出成形でで
きるプラスチックの溝付き基板は信頼性および寸法精度
の点で問題があり、ガラスのもつ安定性に大きく及ばな
い。
さ0.07μ鳳で、円板口径3.5”(インチ、以下同
じ)ないし5.25″である。レーザー光線でこのパタ
ーンを描くのに約20分を要す、この工程がガラスの溝
付き基板の製造速度を決定して生産効率がよくない、ま
た同機能を狙う2P法の場合はガラス表面にポリマーが
存在することで記録膜の耐久性の点で信頼性に乏しいこ
とと、材料コストの高い欠点があり、また射出成形でで
きるプラスチックの溝付き基板は信頼性および寸法精度
の点で問題があり、ガラスのもつ安定性に大きく及ばな
い。
[問題点を解決するための手段]
ミクロンオーダーないしそれ以下の微細寸法のパターン
をガラス面に形成するのに、1個の2次元パターンない
し複数個の2次元パターンの複合により所望のパターン
を、ガラス表面に設けた感光性膜面内に、電磁光学的な
方法で形成したのちエツチング等の方法により、ポジ型
レジストの場合はこの部分を除去しくネガ型レジストの
場合は非感光性部分を除去する)てガラスの露出面をつ
くり、次いでこの部分をRIEなどの方法でエツチング
する。
をガラス面に形成するのに、1個の2次元パターンない
し複数個の2次元パターンの複合により所望のパターン
を、ガラス表面に設けた感光性膜面内に、電磁光学的な
方法で形成したのちエツチング等の方法により、ポジ型
レジストの場合はこの部分を除去しくネガ型レジストの
場合は非感光性部分を除去する)てガラスの露出面をつ
くり、次いでこの部分をRIEなどの方法でエツチング
する。
前記電磁光学的な方法としては、UV光(紫外光、波長
的300〜400nm)あるいはDeepU V光(遠
紫外光、波長約200〜300n層)による照射を採用
することができる。
的300〜400nm)あるいはDeepU V光(遠
紫外光、波長約200〜300n層)による照射を採用
することができる。
[実施例1
実施例1
露光装置:キャノンP L A−5213マスク配位モ
ード:ソフトコンタクト 光源: soow高圧水銀灯、入= 29hmマスク:
DNP解像力チャート4″ (0,5゜0.75.1
.0μ層のポジおよびネガパターン付) ガラス:ソーダライムガラス、板厚2■■レジスト(感
光性II) :東京応化製0DUR1000、0,4μ
層厚 露光: 49.58.113. f19 (謹J/c■
2)現像:東京応化製1010現像液で23℃、 2m
1n。
ード:ソフトコンタクト 光源: soow高圧水銀灯、入= 29hmマスク:
DNP解像力チャート4″ (0,5゜0.75.1
.0μ層のポジおよびネガパターン付) ガラス:ソーダライムガラス、板厚2■■レジスト(感
光性II) :東京応化製0DUR1000、0,4μ
層厚 露光: 49.58.113. f19 (謹J/c■
2)現像:東京応化製1010現像液で23℃、 2m
1n。
リンス二東京応化製リンサー、23℃、11n。
0.5終■の線巾のパターンを形成するのに、53mJ
/c肩2の露光が最適なことを光学顕微鏡による観察で
得た。この条件でパターンを形成したガラスをRIE装
置にかけ同寸法のパターンをガラス表面に形成した。ガ
ラスのRIE加工は次の要領で行った。
/c肩2の露光が最適なことを光学顕微鏡による観察で
得た。この条件でパターンを形成したガラスをRIE装
置にかけ同寸法のパターンをガラス表面に形成した。ガ
ラスのRIE加工は次の要領で行った。
RIE装置:キヤノンGIR−280
エツチング条件:
ガス 02F630 cm3/5inHe 80
// 圧力 100 Pa 電力 30〇一 時間 1層in。
// 圧力 100 Pa 電力 30〇一 時間 1層in。
この結果、線巾はマスクと同一で深さ700人のパター
ンをガラス表面上に形成できた。
ンをガラス表面上に形成できた。
実施例2
露光装置:キャノンM P A −500FAマスク配
位モード:ソフトコンタクト 光源: 500w高圧水銀灯 入= 290mmマス
ク: DNP解像力チャート4″(0,5゜0.75.
1.0μ層のポジおよびネガパターン付) ガラス:ソーダライムガラス、°板厚2■■レジスト(
感光性膜) : As2S3.0.IJAll厚霧光
: 100mJ/crn’ 現像: NaOHおよびNa2HPO4の水溶液(PH
=11.8) 、 23℃、 2++in。
位モード:ソフトコンタクト 光源: 500w高圧水銀灯 入= 290mmマス
ク: DNP解像力チャート4″(0,5゜0.75.
1.0μ層のポジおよびネガパターン付) ガラス:ソーダライムガラス、°板厚2■■レジスト(
感光性膜) : As2S3.0.IJAll厚霧光
: 100mJ/crn’ 現像: NaOHおよびNa2HPO4の水溶液(PH
=11.8) 、 23℃、 2++in。
0.5μmの線巾のパターンを形成し、このガラスをR
IE装置にかけ同寸法のパターンを700人の深さにガ
ラス表面に形成できた、RIEの加工条件は実施例の1
に同じ。
IE装置にかけ同寸法のパターンを700人の深さにガ
ラス表面に形成できた、RIEの加工条件は実施例の1
に同じ。
[発明の効果]
1、本発明によれば1個の2次元パターンによる全面の
同時露光または複数個の2次元パターンの複合自合成に
よりパターンをガラス面に形成することができるのでパ
ターンの寸法精度が極めて高い、グループ法や2P法に
おけるレーザー光による直接描画の場合には被露光物ま
たは光源の駆動が必要であるが、機械動作には寸法誤差
を生じやすく、精度を確保するのに著しく精巧な機械装
置を必要とするのに対し、本発明の方法は極めて有利で
ある。
同時露光または複数個の2次元パターンの複合自合成に
よりパターンをガラス面に形成することができるのでパ
ターンの寸法精度が極めて高い、グループ法や2P法に
おけるレーザー光による直接描画の場合には被露光物ま
たは光源の駆動が必要であるが、機械動作には寸法誤差
を生じやすく、精度を確保するのに著しく精巧な機械装
置を必要とするのに対し、本発明の方法は極めて有利で
ある。
2、本発明によれば、ガラス面に塗布したレジスト膜へ
の露光はマスクを使う方法により数秒の短時間で行うこ
とができる。一方上記レーザー光による直接描画では数
十分の時間を要するので、本発明の方法は著しく生産性
で優れる。
の露光はマスクを使う方法により数秒の短時間で行うこ
とができる。一方上記レーザー光による直接描画では数
十分の時間を要するので、本発明の方法は著しく生産性
で優れる。
Claims (3)
- (1)ミクロンオーダーないしそれ以下の微細寸法のパ
ターンをガラス面に形成する方法において、1個の2次
元パターンないし複数個の2次元パターンの複合により
、2次元の所望のパターンを、ガラス表面に設けた感光
性膜に電磁光学的な方法で露光して形成させたのち、エ
ッチング等の方法により (イ)該感光性膜がポジ型感光性膜の場合は前記所望の
パターンの形成部分を除去し あるいは、 (ロ)該感光性膜がネガ型感光性膜の場合は前記所望の
パターンの形成部分以外の感 光性膜部分を除去し てガラスの露出部分をつくり、次いで該露出部分をRI
E(反応性イオンエッチング)、プラズマエッチングな
どの方法によりエッチングすることを特徴とするガラス
の加工方 法。 - (2)前記所望のパターンを前記感光性膜に電磁光学的
な方法で露光して形成させるに際し、フォトマスクをコ
ンタクトまたはプロキシミティの方法で配置し、UV光
またはDeepUV光(遠紫外光)を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のガラス加工方法。 - (3)前記感光性膜として、0.01〜0.3μmの範
囲の厚さに設けた非晶質カルコゲナイドの蒸着膜を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガラス
の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2781886A JPS62187143A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | ガラスの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2781886A JPS62187143A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | ガラスの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62187143A true JPS62187143A (ja) | 1987-08-15 |
Family
ID=12231541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2781886A Pending JPS62187143A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | ガラスの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62187143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2608589A1 (fr) * | 1986-12-23 | 1988-06-24 | Glaverbel | Article en verre portant un dessin grave et procede pour fabriquer un tel article |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP2781886A patent/JPS62187143A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2608589A1 (fr) * | 1986-12-23 | 1988-06-24 | Glaverbel | Article en verre portant un dessin grave et procede pour fabriquer un tel article |
| BE1003081A3 (fr) * | 1986-12-23 | 1991-11-19 | Glaverbel | Article en verre portant un dessin grave et procede pour fabriquer un tel article. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3006199B2 (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| US6671034B1 (en) | Microfabrication of pattern imprinting | |
| CN111606300A (zh) | 一种高深宽比纳米光栅的制作方法 | |
| JP2004304097A (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| TWI765314B (zh) | 轉印滾輪與其製造方法、及光學膜片與其製造方法 | |
| JP2004013973A (ja) | フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体 | |
| JPS62187143A (ja) | ガラスの加工方法 | |
| JP2011014875A (ja) | 構造体の製造方法 | |
| CN114200797B (zh) | 一种用于纳米压印金属光栅拼接对齐的掩模及金属光栅拼接方法 | |
| US7354699B2 (en) | Method for producing alignment mark | |
| CN104698745A (zh) | 一种尺寸可控制的纳米块制作方法 | |
| US20030063553A1 (en) | Manufacturing method of stamper for optical information medium, photoresist master therefor, stamper for optical information medium and optical information medium | |
| WO2020080372A1 (ja) | 微細パターン成形方法、インプリント用モールド製造方法およびインプリント用モールド並びに光学デバイス | |
| CN1996141A (zh) | 一种零留膜的压印模板及压印光刻图形转移方法 | |
| JPH0128374B2 (ja) | ||
| JP2012009776A (ja) | 基板作製方法 | |
| JPH02170994A (ja) | 微細パターン複製用金型の製作方法 | |
| JPH02245322A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法 | |
| JP2010080011A (ja) | モールド構造体及びその製造方法、被転写用基板及びその製造方法、並びにインプリント方法、磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2995755B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP2995754B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH02245321A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法 | |
| JPH04327912A (ja) | 微細凹凸パターン成形用成形型の製造方法 | |
| TW202216475A (zh) | 轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法 | |
| JPH0469296A (ja) | 光カード基板の製造方法 |