JPH02245321A - 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法Info
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- JPH02245321A JPH02245321A JP6847089A JP6847089A JPH02245321A JP H02245321 A JPH02245321 A JP H02245321A JP 6847089 A JP6847089 A JP 6847089A JP 6847089 A JP6847089 A JP 6847089A JP H02245321 A JPH02245321 A JP H02245321A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスク基板を作製するために用いられる光
ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用し
た光ディスク基板の製造法に関する。
ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用し
た光ディスク基板の製造法に関する。
（従来の技術）
プレグルーブ、プレピット等が形成されている光ディス
ク基板の製造法には、主として射出形成法や２Ｐ （Ｐ
ｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ）法等がある、これらの光デ
ィスク基板製造プロセスにおいて用いられるスタンパは
、Ｎ１電鋳法により得られるＮｉミスタノパが一般的で
あった。
ク基板の製造法には、主として射出形成法や２Ｐ （Ｐ
ｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ）法等がある、これらの光デ
ィスク基板製造プロセスにおいて用いられるスタンパは
、Ｎ１電鋳法により得られるＮｉミスタノパが一般的で
あった。
Ｎｉスタンパは、転写工程が多いためにエラーの原因と
なる欠陥やゴミの付着などが生じやすく、また薄いＮｉ
シートであるため強度が低く、成形時にかかる圧力でス
タンパの歪み、破損等の問題があった。更にＮｌスタン
パを用いて２Ｐ法により光ディスク基板を作製する場合
、Ｎｉスタンパは不透明で紫外線を透過しないために紫
外線の照射方向が一方向に限られてしまい照射時間の短
縮化の点で不利となる。このような種々の問題点を解決
するために、透明なガラススタンパが提案されている。
なる欠陥やゴミの付着などが生じやすく、また薄いＮｉ
シートであるため強度が低く、成形時にかかる圧力でス
タンパの歪み、破損等の問題があった。更にＮｌスタン
パを用いて２Ｐ法により光ディスク基板を作製する場合
、Ｎｉスタンパは不透明で紫外線を透過しないために紫
外線の照射方向が一方向に限られてしまい照射時間の短
縮化の点で不利となる。このような種々の問題点を解決
するために、透明なガラススタンパが提案されている。
ガラススタンパの製造方法としては一般的に次の様な方
法が知られている。第２図＜ａ＞に示すガラス基板２１
の上に、フォトレジスト２２をスピンコードで均一に塗
布する（第２図（ｂ））。
法が知られている。第２図＜ａ＞に示すガラス基板２１
の上に、フォトレジスト２２をスピンコードで均一に塗
布する（第２図（ｂ））。
ガラス基板２１を回転させながらフォトレジスト２２表
面をレザー光線２３で露光、次で現像してパターン２４
を形成する（第２図（Ｃ））、次に、このパターン化し
たフォトレジストをマスクとしてＲＩＥ等の手法により
ガラス基板２１のエツチングを行なう （第２図（ｄ）
）、エツチング用のガスとしてはＣＦ４ 、ＣＨＦ、等
が用いられる。
面をレザー光線２３で露光、次で現像してパターン２４
を形成する（第２図（Ｃ））、次に、このパターン化し
たフォトレジストをマスクとしてＲＩＥ等の手法により
ガラス基板２１のエツチングを行なう （第２図（ｄ）
）、エツチング用のガスとしてはＣＦ４ 、ＣＨＦ、等
が用いられる。
エツチング後残存フォトレジストを０．プラズマアッシ
ングにより除去し、プレグルーブ等が形成されたガラス
基板２５が得られる。（第２図（θ））。
ングにより除去し、プレグルーブ等が形成されたガラス
基板２５が得られる。（第２図（θ））。
そして、これを光ディスク成形用のガラススタンパとし
て使用するものである。
て使用するものである。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このような従来の方法では、ガラス基板をエ
ツチング加工する工程でレジストパターンをマスクとし
て用いているが、この場合にはマスクであるレジストの
エンチング速度がガラスのエツチング速度よりも大きい
ためエツチング中にマスクが著しく後退し、ガラス基板
に形成されるビットあるいは溝に寸法誤差や膨軟変化が
生じるという問題があった。
ツチング加工する工程でレジストパターンをマスクとし
て用いているが、この場合にはマスクであるレジストの
エンチング速度がガラスのエツチング速度よりも大きい
ためエツチング中にマスクが著しく後退し、ガラス基板
に形成されるビットあるいは溝に寸法誤差や膨軟変化が
生じるという問題があった。
本発明はガラス基板エツチング時のパターン精度の向上
を図り得るスタンパの製造法及びそのスタンパを使用し
た光ディスク基板の製造法を提供するものである。
を図り得るスタンパの製造法及びそのスタンパを使用し
た光ディスク基板の製造法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、ガラス基板とレジストパターンの間に第２
のレジスト材層を加え、まず第１のエツチングによりレ
ジストパターンをマスクとして第２のレジスト材層のパ
ターン形成を行い、さらに第２のエツチングにより第２
のレジスト材層に用いている素材からなるパターンをマ
スクとしてガラス基板にパターンの形成を行なうように
したものである。
のレジスト材層を加え、まず第１のエツチングによりレ
ジストパターンをマスクとして第２のレジスト材層のパ
ターン形成を行い、さらに第２のエツチングにより第２
のレジスト材層に用いている素材からなるパターンをマ
スクとしてガラス基板にパターンの形成を行なうように
したものである。
以下、本発明を第１図に基づいて具体的に説明する。ガ
ラス基板１上に塩素系ガス（ＣＣｌ ４、ＢＣｌａ 、
Ｓ ｉ Ｃ１０、Ｃ１ｚ等）あるいはＣｏガス雰囲気の
プラズマエツチングでエツチングが可能で且つフッ素系
ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ５、Ｃｚ Ｆ＆ −Ｃｓ Ｆｍ
、ＮＦ３等）に対して耐エツチング性の高い素材よりな
る第２のレジスト材層２を蒸着、スパッタリング、ケミ
カールペーパーデイポジション（ＣＶ Ｄ）等により形
成する。この素材は例えばＡ１、Ｃｒ４、Ｔｉ、Ｎｉの
単体あるいは合金及びこれらの元素の酸化物、窒化物等
が好ましい、この第２レジスト材層２上にフォトレジス
ト（第１のレジスト材層３）を所定の厚さにスピンコー
ドする（図１（ａ））、この際、第２のレジスト材層２
との密着性を高めるためシランカップリング剤を用いる
ことが有効である０次にフォトレジスト面にレーザー光
等により露光、現像後第１のレジストパターン４付基板
を得る（第１（ｂ））、この第１のレジストパターン４
をマスクとして第２レジスト材層２のエツチングを行な
い、ガラス基板１上に第２のレジスト材層に用いた素材
からなる第２のレジストパターン５を形成する（図１（
ｅ））、エツチングとしては、塩素系ガス（ＣＣ１４、
ＢＣｌａ 、Ｓ ｉ Ｃ１４、ＣＩ、等）あるいはＣｏ
ガス雰囲気に、おけるプラズマエツチングがパターン形
状の面で有効であるがこれに限定するものではなく、ウ
ェットエッチングでも良い、この際、エツチング時間は
、グループにガラス基板ｌが露出してから第２のレジス
ト材層２がエツチングによってなくならない間の値にし
ておけば良い、さらに第２のレジスト材層２に用いた素
材からなる第２のレジストパターン５をマスクとしてガ
ラス基板ｌのエツチング（第２のエツチング）を行ない
第１のレジストパターン４と同様のパターンをガラス基
板ｌに形成する（図１（ｄ））、この第２のエツチング
としては、フッ素系ガス（ＣＦａ 、ＣＨＦ５、Ｃｚ
Ｆｈ 、Ｃｘ Ｆｓ 、ＮＦｓ等）雰囲気におけるプラ
ズマエツチングが望ましい、フッ素系ガス雰囲気におけ
るプラズマエツチングでは第２のレジスト材層２に用い
た素材からなる第２のレジストパターン５は、はとんど
エツチングされないため所定の深さまでエツチングが良
好な形状で可能である。残存した第２のレジストパター
ン５は塩素系ガスあるいはＣＯガス雰囲気によるプラズ
マエツチングで除去することができ、完全に透明なガラ
ススタンパ６を製造することができる。
ラス基板１上に塩素系ガス（ＣＣｌ ４、ＢＣｌａ 、
Ｓ ｉ Ｃ１０、Ｃ１ｚ等）あるいはＣｏガス雰囲気の
プラズマエツチングでエツチングが可能で且つフッ素系
ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ５、Ｃｚ Ｆ＆ −Ｃｓ Ｆｍ
、ＮＦ３等）に対して耐エツチング性の高い素材よりな
る第２のレジスト材層２を蒸着、スパッタリング、ケミ
カールペーパーデイポジション（ＣＶ Ｄ）等により形
成する。この素材は例えばＡ１、Ｃｒ４、Ｔｉ、Ｎｉの
単体あるいは合金及びこれらの元素の酸化物、窒化物等
が好ましい、この第２レジスト材層２上にフォトレジス
ト（第１のレジスト材層３）を所定の厚さにスピンコー
ドする（図１（ａ））、この際、第２のレジスト材層２
との密着性を高めるためシランカップリング剤を用いる
ことが有効である０次にフォトレジスト面にレーザー光
等により露光、現像後第１のレジストパターン４付基板
を得る（第１（ｂ））、この第１のレジストパターン４
をマスクとして第２レジスト材層２のエツチングを行な
い、ガラス基板１上に第２のレジスト材層に用いた素材
からなる第２のレジストパターン５を形成する（図１（
ｅ））、エツチングとしては、塩素系ガス（ＣＣ１４、
ＢＣｌａ 、Ｓ ｉ Ｃ１４、ＣＩ、等）あるいはＣｏ
ガス雰囲気に、おけるプラズマエツチングがパターン形
状の面で有効であるがこれに限定するものではなく、ウ
ェットエッチングでも良い、この際、エツチング時間は
、グループにガラス基板ｌが露出してから第２のレジス
ト材層２がエツチングによってなくならない間の値にし
ておけば良い、さらに第２のレジスト材層２に用いた素
材からなる第２のレジストパターン５をマスクとしてガ
ラス基板ｌのエツチング（第２のエツチング）を行ない
第１のレジストパターン４と同様のパターンをガラス基
板ｌに形成する（図１（ｄ））、この第２のエツチング
としては、フッ素系ガス（ＣＦａ 、ＣＨＦ５、Ｃｚ
Ｆｈ 、Ｃｘ Ｆｓ 、ＮＦｓ等）雰囲気におけるプラ
ズマエツチングが望ましい、フッ素系ガス雰囲気におけ
るプラズマエツチングでは第２のレジスト材層２に用い
た素材からなる第２のレジストパターン５は、はとんど
エツチングされないため所定の深さまでエツチングが良
好な形状で可能である。残存した第２のレジストパター
ン５は塩素系ガスあるいはＣＯガス雰囲気によるプラズ
マエツチングで除去することができ、完全に透明なガラ
ススタンパ６を製造することができる。
本発明によるスタンパを用い、両面から光照射し光硬化
性樹脂を光硬化する光キャスト法、又は２Ｐ法により光
ディスク基板を製造することができる。光硬化性樹脂と
しては、ポリオールポリアクリレート、ポリエステルア
クリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレ
ート等を挙げることができるが、これらに限定されるも
のではない、又一般の樹脂も使用することができる。
性樹脂を光硬化する光キャスト法、又は２Ｐ法により光
ディスク基板を製造することができる。光硬化性樹脂と
しては、ポリオールポリアクリレート、ポリエステルア
クリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレ
ート等を挙げることができるが、これらに限定されるも
のではない、又一般の樹脂も使用することができる。
実施例
直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの石英ガラス基板上に
スパッタリング法によりＡ１５ｇ膜を１０００人形成し
た。更にこのＡｊｙｌ膜上にネガレジスト（東京応化部
、商品名０ＭＲ８５）をスピンコードで均一に塗布した
。このフォトレジスト表面をＡｒレーザー光線で露光、
現像してレジストパターンを形成した。その後平行平板
型プラズマエツチング装置（日本真空技術社製、商品名
Ｃ３Ｅ−１１１０型）によりＣＣｌ４雰囲気においてＡ
１３膜のエツチングを行ないレジストパターンと同様の
Ａ１３膜パターンを得た。エツチング条件は、１００Ｗ
ａｔｔ、０．０５Ｔｏｒｒ。
スパッタリング法によりＡ１５ｇ膜を１０００人形成し
た。更にこのＡｊｙｌ膜上にネガレジスト（東京応化部
、商品名０ＭＲ８５）をスピンコードで均一に塗布した
。このフォトレジスト表面をＡｒレーザー光線で露光、
現像してレジストパターンを形成した。その後平行平板
型プラズマエツチング装置（日本真空技術社製、商品名
Ｃ３Ｅ−１１１０型）によりＣＣｌ４雰囲気においてＡ
１３膜のエツチングを行ないレジストパターンと同様の
Ａ１３膜パターンを得た。エツチング条件は、１００Ｗ
ａｔｔ、０．０５Ｔｏｒｒ。
２分とした。更にこのＡｌ５ｇ膜パターンをマスクとし
てＣＦ４雰囲気において石英ガラス基板のエツチングを
行ないレジストパターンと同様のパターンを持つガラス
基板を得た。エツチング条件は１００Ｗａｔｔ、０．０
５Ｔｏｒｒ、５分とした。このときＡＩ薄膜マスクの後
退はほとんど見られなかった０石英ガラス基板上の残存
ＡＩｔＨＩＩはＣＣｌ４雰囲気下におけるプラズマエツ
チングにより除去し、完全に透明なガラススタンパを得
た。
てＣＦ４雰囲気において石英ガラス基板のエツチングを
行ないレジストパターンと同様のパターンを持つガラス
基板を得た。エツチング条件は１００Ｗａｔｔ、０．０
５Ｔｏｒｒ、５分とした。このときＡＩ薄膜マスクの後
退はほとんど見られなかった０石英ガラス基板上の残存
ＡＩｔＨＩＩはＣＣｌ４雰囲気下におけるプラズマエツ
チングにより除去し、完全に透明なガラススタンパを得
た。
（発明の効果）
本発明によるスタンパの製造法により、レジストパター
ンに忠実なピントあるいは溝を良好な形状で任意の深さ
でガラス基板上に形成出来る。
ンに忠実なピントあるいは溝を良好な形状で任意の深さ
でガラス基板上に形成出来る。
第１図（ａ）〜（６）は本発明によるスタンパの製造法
を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅｌ）は従来法による
スタンパの製造法を示す断面図であ符号の説明 １、 ガラス基板 ２、 第２のレジス ３、 第１のレジス ４、第１のレジス ５、 第２のレジス ６、 スタンパ ト材層 ト材層 トパターン トパターン （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ） 第 図 １ガラス基板 ２第２のレジスト材層 ３第１のレジスト材層 ４第１のレジストパターン ５第２のレジストパターン ６スタンパ （ｄ） 第 ↓ 図
を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅｌ）は従来法による
スタンパの製造法を示す断面図であ符号の説明 １、 ガラス基板 ２、 第２のレジス ３、 第１のレジス ４、第１のレジス ５、 第２のレジス ６、 スタンパ ト材層 ト材層 トパターン トパターン （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ） 第 図 １ガラス基板 ２第２のレジスト材層 ３第１のレジスト材層 ４第１のレジストパターン ５第２のレジストパターン ６スタンパ （ｄ） 第 ↓ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス基板上に順次、第２のレジスト材層、第１の
レジスト材層を形成する工程と、第１のレジスト材より
作製された第１のレジストパターンをマスクとしてプラ
ズマ状態の気体を作用させて第１のエッチングを行ない
第２のレジスト材に第１のレジストパターンを転写する
工程と、前記工程により形成した第２のレジスト材の第
２のレジストパターンをマスクとしてプラズマ状態の気
体を作用させて第２のエッチングを行ないガラス基板を
加工する工程からなることを特徴とする光ディスク用ス
タンパの製造法。 ２、第１のレジスト材がネガ型フォトレジストであり、
第２のレジスト材がＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉおよびこれらの元
素の酸化物、窒化物のうちの少なくとも一種を成分とす
るものであり、第１のエッチングに使用するプラズマ状
態の気体がＣＣｌ＿４、ＢＣｌ＿４、ＳｉＣｌ＿４、Ｃ
ｌ＿２、ＣＯのうちの少なくとも一種であり、第２のエ
ッチングに使用するプラズマ状態の気体がＣＦ＿４、Ｃ
ＨＦ＿３、Ｃ＿２Ｆ＿６、Ｃ＿３Ｆ＿８、ＮＦ＿３のう
ちの少なくとも一種であることを特徴とする請求項第１
項記載の光ディスク用スタンパの製造法。 ３、請求項第１項又は第２項記載のスタンパを成形用型
として用いて、これを複製することを特徴とする光ディ
スク基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6847089A JPH02245321A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6847089A JPH02245321A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02245321A true JPH02245321A (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=13374610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6847089A Pending JPH02245321A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02245321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228562B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
| JP2006062923A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドドーム部品およびその製造方法 |
| US7618768B2 (en) * | 2003-08-04 | 2009-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming micropattern, method of manufacturing optical recording medium master copy, optical recording medium master copy, optical recording medium stamper, and optical recording medium |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP6847089A patent/JPH02245321A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228562B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
| US7618768B2 (en) * | 2003-08-04 | 2009-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming micropattern, method of manufacturing optical recording medium master copy, optical recording medium master copy, optical recording medium stamper, and optical recording medium |
| JP2006062923A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドドーム部品およびその製造方法 |
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