JPS62189766A - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents
光電変換装置の作製方法Info
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- JPS62189766A JPS62189766A JP61031106A JP3110686A JPS62189766A JP S62189766 A JPS62189766 A JP S62189766A JP 61031106 A JP61031106 A JP 61031106A JP 3110686 A JP3110686 A JP 3110686A JP S62189766 A JPS62189766 A JP S62189766A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、太陽光の如き連続光において、短波長側の光
を利用して第１の光電変換装置により光起電力を発生せ
しめるとともに、さらに長波長側の光を有効利用して第
２の光電変換装置により光起電力を発生させることによ
り、より広い波長領域の光を電気に変換せしめる光電変
換装置の作製方法に関する。
を利用して第１の光電変換装置により光起電力を発生せ
しめるとともに、さらに長波長側の光を有効利用して第
２の光電変換装置により光起電力を発生させることによ
り、より広い波長領域の光を電気に変換せしめる光電変
換装置の作製方法に関する。
本発明はかかる目的のため、従来より行われている光照
射面側の電極を透光性にするに加えて、非単結晶半導体
の裏面に設けられている電極をも金属の面電極とするの
ではなく、透光性電極とせしめた第１の光電変換装置を
設ける。この第１の光電変換装置を透過してきた光を第
２の光電変換装置に導入し、この第２の装置にても光起
電力を発生させる。本発明は特にこの第２の光電変換装
置の作製方法に関する。そして第２の光電変換装置を構
成するＰＩＮ接合を有する半導体のうち特にＩ型非単結
晶半導体（真性または実質的に真性の導電型を有する非
単結晶半導体）の作製方法に関する。
射面側の電極を透光性にするに加えて、非単結晶半導体
の裏面に設けられている電極をも金属の面電極とするの
ではなく、透光性電極とせしめた第１の光電変換装置を
設ける。この第１の光電変換装置を透過してきた光を第
２の光電変換装置に導入し、この第２の装置にても光起
電力を発生させる。本発明は特にこの第２の光電変換装
置の作製方法に関する。そして第２の光電変換装置を構
成するＰＩＮ接合を有する半導体のうち特にＩ型非単結
晶半導体（真性または実質的に真性の導電型を有する非
単結晶半導体）の作製方法に関する。
従来、広い波長範囲を利用するための光電変換装置はタ
ンデム型アモルファス太陽電池が代表的である。第２図
にその縦断面図の一例が示されているが、照射光（１４
）に対し基板（２１）上に電極（２２）を設け、この上
側にＮ型半導体（２３） 、 Ｉ型半導体（２４）、Ｐ
型半導体（２５）よりなる第３の光電変換装置さらにこ
れに密接してＮ型半導体（２７） 、 Ｉ型半導体（２
Ｂ） 、 Ｐ型半導体（２９）よりなる第２の光電変換
装置さらにこれに密接してＮ型半導体（３１）、Ｉ型半
導体（３２） 、 Ｐ型半導体（３３）よりなる第１の
光電変換装置の三重構造のすべての半導体をグロー放電
を用いたプラズマＣＶＤ法で形成する。さらにその上の
透明電極（３５） 、透光性樹脂媒体（３６） 、透光
性基板（３７）を形成することにより設けられた光電変
換装置が知られている。
ンデム型アモルファス太陽電池が代表的である。第２図
にその縦断面図の一例が示されているが、照射光（１４
）に対し基板（２１）上に電極（２２）を設け、この上
側にＮ型半導体（２３） 、 Ｉ型半導体（２４）、Ｐ
型半導体（２５）よりなる第３の光電変換装置さらにこ
れに密接してＮ型半導体（２７） 、 Ｉ型半導体（２
Ｂ） 、 Ｐ型半導体（２９）よりなる第２の光電変換
装置さらにこれに密接してＮ型半導体（３１）、Ｉ型半
導体（３２） 、 Ｐ型半導体（３３）よりなる第１の
光電変換装置の三重構造のすべての半導体をグロー放電
を用いたプラズマＣＶＤ法で形成する。さらにその上の
透明電極（３５） 、透光性樹脂媒体（３６） 、透光
性基板（３７）を形成することにより設けられた光電変
換装置が知られている。
かかるタンデム構造の光電変換装置は漸次半導体を積層
してゆくことができるため、多量生産に優れるという特
徴を有する。
してゆくことができるため、多量生産に優れるという特
徴を有する。
しかし基板の一方の側（（２１）側）にのみ光電変換装
置を積層していくため、その一つがピンホールで破壊す
るとすべてがショートしてしまい、生産歩留りがきわめ
て悪いという欠点を有する。
置を積層していくため、その一つがピンホールで破壊す
るとすべてがショートしてしまい、生産歩留りがきわめ
て悪いという欠点を有する。
さらにこのタンデム構造において、光の存効利用のため
その光学的エネルギバンド中（Ｅｇ）は、第２図に示す
如く、光照射により光起電力を発生する■型半導体（２
４） 、 （２８） 、 （３２）は入射光側より内部
に向かって漸次小さくさせる必要がある。
その光学的エネルギバンド中（Ｅｇ）は、第２図に示す
如く、光照射により光起電力を発生する■型半導体（２
４） 、 （２８） 、 （３２）は入射光側より内部
に向かって漸次小さくさせる必要がある。
その時、■型半導体層（２４） 、 （２８） 、 （
３２）は５ｉｘＧｅｌ−ｘ（０＜Ｘ＜１）を用い、（３
２）はＸ ＝ １ 、 （２８）はＸ＝０．８゜（２４
）はＸ＝０．６とより内部（基板側）の半導体になる従
って高価なゲルマニュームの添加量を多くしなければな
らない。加えてこの内部の方がより長波長光を吸収しな
ければならないため厚さもより厚くしなければならない
。このため高価なゲルマニュームをより多、ｆｆｉに用
いなければならず、低価格化を求める光電変換装置とし
て二重に大問題であった。
３２）は５ｉｘＧｅｌ−ｘ（０＜Ｘ＜１）を用い、（３
２）はＸ ＝ １ 、 （２８）はＸ＝０．８゜（２４
）はＸ＝０．６とより内部（基板側）の半導体になる従
って高価なゲルマニュームの添加量を多くしなければな
らない。加えてこの内部の方がより長波長光を吸収しな
ければならないため厚さもより厚くしなければならない
。このため高価なゲルマニュームをより多、ｆｆｉに用
いなければならず、低価格化を求める光電変換装置とし
て二重に大問題であった。
本発明はかかる問題点を解かんとするものであって第１
図にその縦断面図の一例を示す。
図にその縦断面図の一例を示す。
第１図において入射光（１４）側に位置する第１の光電
変換装置（１２）は透光性基板（１）上の第１の透光性
電極（２）１光照射により光起電力を発生するＰ【Ｎ接
合を存する非単結晶半導体（３）および透光性の裏面電
極（４）よりなる。さらにこの第１の光電変換装置を透
光した長波長側の光（１４“）は透光性媒体（５）（こ
こではＥＶＡを用いた）を経て第２の光電変換装置（１
３）に至る。この第２の光電変換装置は透光性の第４の
電極（８）、光照射により光起電力を発生する第２のＰ
ＩＮまたはＮＩＰ接合を有する非単結晶半導体（９）、
裏面の第３の電極（１０）より構成される。この第２の
光電変換装置は第２の基板（１１）上に第１の基板上に
設けるのと大部分の工程を同一のグロー放電法を用いた
プラズマＣＶＤ法で形成させ得る。しかし本発明は特に
この構造において、第２の非単結晶半導体のうちＩ型非
単結晶半導体を水素を膜中に少量しか含まない雰囲気下
で形成することによって作製したものである。その結果
、１〜ｌＯμの厚い厚さを有し、かつ光学的エネルギバ
ンド巾は、第１の非単結晶半４体のＩ型非単結晶半導体
と同一材料を用いつつも小さくすることを可能とさせた
ものである。特にこの第２のＩ型非単結晶半導体は、第
１のｌ型非ｊｇ結晶半立体に比べてその結晶化を大きく
したものを用いる。即ち、例えば、第１の非単結晶半導
体のＩ型半導体は水素またはハロゲン元素が添加された
アモルファスシリコン半導体により設けられる。
変換装置（１２）は透光性基板（１）上の第１の透光性
電極（２）１光照射により光起電力を発生するＰ【Ｎ接
合を存する非単結晶半導体（３）および透光性の裏面電
極（４）よりなる。さらにこの第１の光電変換装置を透
光した長波長側の光（１４“）は透光性媒体（５）（こ
こではＥＶＡを用いた）を経て第２の光電変換装置（１
３）に至る。この第２の光電変換装置は透光性の第４の
電極（８）、光照射により光起電力を発生する第２のＰ
ＩＮまたはＮＩＰ接合を有する非単結晶半導体（９）、
裏面の第３の電極（１０）より構成される。この第２の
光電変換装置は第２の基板（１１）上に第１の基板上に
設けるのと大部分の工程を同一のグロー放電法を用いた
プラズマＣＶＤ法で形成させ得る。しかし本発明は特に
この構造において、第２の非単結晶半導体のうちＩ型非
単結晶半導体を水素を膜中に少量しか含まない雰囲気下
で形成することによって作製したものである。その結果
、１〜ｌＯμの厚い厚さを有し、かつ光学的エネルギバ
ンド巾は、第１の非単結晶半４体のＩ型非単結晶半導体
と同一材料を用いつつも小さくすることを可能とさせた
ものである。特にこの第２のＩ型非単結晶半導体は、第
１のｌ型非ｊｇ結晶半立体に比べてその結晶化を大きく
したものを用いる。即ち、例えば、第１の非単結晶半導
体のＩ型半導体は水素またはハロゲン元素が添加された
アモルファスシリコン半導体により設けられる。
更に第２の非単結晶半導体は水素の量が第１の非単結晶
半導体に比べて十分に少ない半導体層により設けられる
。
半導体に比べて十分に少ない半導体層により設けられる
。
特にこの第１及び第２の半導体はともに弗素または珪素
が添加されたゲルマニュームの添加のないより珪素に近
い珪素を主成分として設けられている。
が添加されたゲルマニュームの添加のないより珪素に近
い珪素を主成分として設けられている。
かかる構造とした時の光学的エネルギバンド巾をその番
号を対応させて第３図（図面における厚さは任意スケー
ルである）に示す。
号を対応させて第３図（図面における厚さは任意スケー
ルである）に示す。
かかる第３図の構造とすると、基板側よりＰＩＮ接合を
有しているため、第１の非単結晶半導体（３）と第２の
非単結晶半導体（９）はともに同じ被膜形成装置を用い
て形成し、装置を節約し得る。そしてこの第１の非単結
晶半導体（３）はＰ型半導体（３８）、■型非単結晶半
導体（３９）、 Ｎ型半導体（４０）をともにグロー放
電プラズマＣＶＤ法により１５０〜２５０℃の温度で形
成させ得る。他方、第２の非単結晶半導体（９）のＰ型
半導体（４１）、 Ｎ型半導体（４３）は同様にグロー
放電プラズマＣＶＤ法を用いて形成するが、その厚さは
各々１００〜３００人を有する。
有しているため、第１の非単結晶半導体（３）と第２の
非単結晶半導体（９）はともに同じ被膜形成装置を用い
て形成し、装置を節約し得る。そしてこの第１の非単結
晶半導体（３）はＰ型半導体（３８）、■型非単結晶半
導体（３９）、 Ｎ型半導体（４０）をともにグロー放
電プラズマＣＶＤ法により１５０〜２５０℃の温度で形
成させ得る。他方、第２の非単結晶半導体（９）のＰ型
半導体（４１）、 Ｎ型半導体（４３）は同様にグロー
放電プラズマＣＶＤ法を用いて形成するが、その厚さは
各々１００〜３００人を有する。
■型の第２の非単結晶半導体（４２）は同様の装置にて
より水素添加量の少ない条件すなわち基板の温度を３５
０〜９００℃好ましくは４００〜７００℃の温度で形成
する。すると前者のアモルファス構造のＩ型非単結晶半
導体（３９）は光学的エネルギバンド巾として１．７〜
１．８ｅＶを有し、後者の多結晶構造となる■型非単結
晶半導体（４２）は第４図（４４） １．４〜１．６ｅ
Ｖを有せしめることができる。
より水素添加量の少ない条件すなわち基板の温度を３５
０〜９００℃好ましくは４００〜７００℃の温度で形成
する。すると前者のアモルファス構造のＩ型非単結晶半
導体（３９）は光学的エネルギバンド巾として１．７〜
１．８ｅＶを有し、後者の多結晶構造となる■型非単結
晶半導体（４２）は第４図（４４） １．４〜１．６ｅ
Ｖを有せしめることができる。
さらにこの後者の第２の非単結晶半導体はかかる半導体
を形成してしまった後またはその途中に於いて、活性水
素アニールまたはプラズマ水素アニールを２００〜５０
０℃の温度で行い、残存する再結合中心密度をさらに中
和減少させるとよい。
を形成してしまった後またはその途中に於いて、活性水
素アニールまたはプラズマ水素アニールを２００〜５０
０℃の温度で行い、残存する再結合中心密度をさらに中
和減少させるとよい。
その結果を第４図（４５）に示す。このように温度を変
化させてゆくとＥｇも変化し３５０℃で１ 、６ｅｖ付
近９００℃で１．４ｅｖが得られる代表的な特性を表１
に示す。
化させてゆくとＥｇも変化し３５０℃で１ 、６ｅｖ付
近９００℃で１．４ｅｖが得られる代表的な特性を表１
に示す。
表１
さらに、これらの半導体に活性水素アニールを２００″
Ｃ〜５００℃で行うと、膜中の再結合中心密度をさらに
減少させ表２のような向上した電気特性が得られること
が判明した。
Ｃ〜５００℃で行うと、膜中の再結合中心密度をさらに
減少させ表２のような向上した電気特性が得られること
が判明した。
表２
かくしてガラス基板（１） 、 （１１）上に透光性導
電膜（２）１反射性電極（１０） （実際は反射性電極
、透光性導電膜との２層構造を有する）、非単結晶半導
体（３） 、 （９） 、内側面の透光性導電膜（４）
、 （１０）をそれぞれ形成し、それぞれ独立に光照
射を行い光電変換効率を測定する。その後良品のみを選
別しそれらを中間の媒体としてＥＶＡを挿入し全体を加
熱しラミネートし一体化した。すると２つのガラス基板
（１）、（１”）は合わせガラスとして作用させ、機械
強度を約２倍とすることができる。
電膜（２）１反射性電極（１０） （実際は反射性電極
、透光性導電膜との２層構造を有する）、非単結晶半導
体（３） 、 （９） 、内側面の透光性導電膜（４）
、 （１０）をそれぞれ形成し、それぞれ独立に光照
射を行い光電変換効率を測定する。その後良品のみを選
別しそれらを中間の媒体としてＥＶＡを挿入し全体を加
熱しラミネートし一体化した。すると２つのガラス基板
（１）、（１”）は合わせガラスとして作用させ、機械
強度を約２倍とすることができる。
以下を図面に従って本発明を記す。
実施例１
第２図は本発明の縦断面図を示す。
図面において、第１の光電変換装置の作製は以下の如く
に行った。即ちガラス基板（１）上に酸化スズよりなる
透光性導電膜（２）をスパッタ法またはＣＶＤ法で形成
した。この後、第１のレーザ加工工程（１４）にて複数
の区域に切断する。さらにこの後、プラズマＣｖＯ法に
よりＰ型非単結晶半導体（ＳｉｘＣ＋−１１（０＜Ｘ４
） ）厚さ１００〜２００人）Ｉ型非単結晶半導体（Ｓ
ｉ厚さ０．１〜０．４μ代表的には０．２５μ）−Ｎ型
非単結晶半導体（微結晶化したＳｔ 厚さ１００〜３
００人）を積層して形成する。さらに第２のレーザ加工
工程により第２の溝または穴（１５）を形成した。
に行った。即ちガラス基板（１）上に酸化スズよりなる
透光性導電膜（２）をスパッタ法またはＣＶＤ法で形成
した。この後、第１のレーザ加工工程（１４）にて複数
の区域に切断する。さらにこの後、プラズマＣｖＯ法に
よりＰ型非単結晶半導体（ＳｉｘＣ＋−１１（０＜Ｘ４
） ）厚さ１００〜２００人）Ｉ型非単結晶半導体（Ｓ
ｉ厚さ０．１〜０．４μ代表的には０．２５μ）−Ｎ型
非単結晶半導体（微結晶化したＳｔ 厚さ１００〜３
００人）を積層して形成する。さらに第２のレーザ加工
工程により第２の溝または穴（１５）を形成した。
さらにこの上面に第２の電極を透光性導電膜例えば酸化
亜鉛（４）をスパッタ法により積層した。
亜鉛（４）をスパッタ法により積層した。
その後この透明導電膜に対し第３のレーザ加工処理を施
した。
した。
かくして第１の基板（１）上に第１の光電変換装置（１
２）を集積化して作ることができた。
２）を集積化して作ることができた。
次に第２の光電変換装置（１３）を以下の如くにして作
製する。
製する。
第２の基板（１１）上に金属モリブデンをスパッタ法に
て０．１ μの厚さに形成した。さらにその上にスパッ
タ法にて酸化スズを０．３ μの厚さに形成した。さら
にこの導体に対し第４のレーザ加工処理を施し第４の開
溝（１４’）を設けた。
て０．１ μの厚さに形成した。さらにその上にスパッ
タ法にて酸化スズを０．３ μの厚さに形成した。さら
にこの導体に対し第４のレーザ加工処理を施し第４の開
溝（１４’）を設けた。
この後この上面にグロー放電プラズマＣｖＤ法によりＰ
型半導体（Ｓｉｘ（、、０＜Ｘ＜１ 厚さ１００〜２
００人）を形成した。さらに■型シリコン半導体（厚さ
１〜１０μ）を３５０〜９００℃例えば４５０℃の温度
で２〜５μの厚さに形成する。さらにＮ型微結晶シリコ
ン半導体を２００℃の温度で１００〜３００人の厚さに
形成する。この時多量の水素うを反応ガスに混合し、先
に形成した■型半導体を同時に活性水素アニールまたは
活性水素プラズマアニールを行った。この結果前述のよ
うに■型半導体層の電気特性を向上させることができた
。
型半導体（Ｓｉｘ（、、０＜Ｘ＜１ 厚さ１００〜２
００人）を形成した。さらに■型シリコン半導体（厚さ
１〜１０μ）を３５０〜９００℃例えば４５０℃の温度
で２〜５μの厚さに形成する。さらにＮ型微結晶シリコ
ン半導体を２００℃の温度で１００〜３００人の厚さに
形成する。この時多量の水素うを反応ガスに混合し、先
に形成した■型半導体を同時に活性水素アニールまたは
活性水素プラズマアニールを行った。この結果前述のよ
うに■型半導体層の電気特性を向上させることができた
。
本実施例においてはＮ型半導体層形成時に同時に水素量
の少なｌ、ｚＩ型半導体層の水素アニールを行ったがＮ
型半導体層形成後または夏型半導体層形成後に単独に活
性水素アニールまたは活性水素プラズマアニールを行っ
てもよい。
の少なｌ、ｚＩ型半導体層の水素アニールを行ったがＮ
型半導体層形成後または夏型半導体層形成後に単独に活
性水素アニールまたは活性水素プラズマアニールを行っ
てもよい。
かくして基板側よりＰＩＮ接合を積層して有する非単結
晶半導体を作製する。この後これら全体に対し活性水素
中で水素アニールを３００℃の温度で行い、半導体中の
再結合中心密度をさらに１／１０に減少させてもよい。
晶半導体を作製する。この後これら全体に対し活性水素
中で水素アニールを３００℃の温度で行い、半導体中の
再結合中心密度をさらに１／１０に減少させてもよい。
この後これらに対し第５のレーザ加工処理を施し、半導
体に溝または穴（１５）を作った。さらにこの上に酸化
亜鉛の透光性導電膜をスパック法で積層し、ここに第６
のレーザ加工工程を施し、第６の開溝（１６’）を設け
る。かくして連結部（１７°）にて複数の素子は互いに
直列に連結させることができた。
体に溝または穴（１５）を作った。さらにこの上に酸化
亜鉛の透光性導電膜をスパック法で積層し、ここに第６
のレーザ加工工程を施し、第６の開溝（１６’）を設け
る。かくして連結部（１７°）にて複数の素子は互いに
直列に連結させることができた。
この第２の光電変換装置の連結部（３１）は第１の光電
変換装置の連結部（１７）の上方（入射光側からみて）
とし、光の連結部での有効利用を図ることが好ましい。
変換装置の連結部（１７）の上方（入射光側からみて）
とし、光の連結部での有効利用を図ることが好ましい。
さらに外部電極取り出し用のハンダ付（１Ｂ））を行い
、外部取り出しリード（２０） 、 （１９）を設ける
。
、外部取り出しリード（２０） 、 （１９）を設ける
。
そしてこの２つの光電変換装置を互いに内側に配し、そ
の間にＥＶＡを介在せしめた。そしてラミネートを用い
これら全体を真空引きし、さらに１５０℃に加熱をした
。するとＥＶＡは溶け２つの基板間には残留空気を除去
した状態で一体物として互いに密着させることができた
。
の間にＥＶＡを介在せしめた。そしてラミネートを用い
これら全体を真空引きし、さらに１５０℃に加熱をした
。するとＥＶＡは溶け２つの基板間には残留空気を除去
した状態で一体物として互いに密着させることができた
。
図面において、これら全体をその周辺部をブチルゴム（
６）によりアルミニューム枠（７）で一体化した。
６）によりアルミニューム枠（７）で一体化した。
第２図は光電変換装置の左側の一部を示したが、右方向
も必要に応じて集積化し端部を枠組みさせる。
も必要に応じて集積化し端部を枠組みさせる。
かかる構造のエネルギバンド巾を第３図に示す。
そしてその光電変換装置の出力として以下の特性が得ら
れた。
れた。
■ ■ ■
開放電圧（Ｖ） ０．８７ ０，５５ １．３
７短絡電流（ｏＡ／ｃｍ”） １４．６ ２３．４
１４．４曲線因子 ０．７６ ０．７６ ０
．６５変換効率（χ） ９．６５ ９．７８
１２．８２但し、■ 第１の光電変換装置 ■ 第２の光電変換装置 ■ 直列に連結した第１及び第２の 光電変換装置 上記の結果より明らかな如く、２つの光電変換装置を独
立にすることにより、その連結を外側で行っても、１２
．８２Ｘもの高い変換効率を得ることができた。
７短絡電流（ｏＡ／ｃｍ”） １４．６ ２３．４
１４．４曲線因子 ０．７６ ０．７６ ０
．６５変換効率（χ） ９．６５ ９．７８
１２．８２但し、■ 第１の光電変換装置 ■ 第２の光電変換装置 ■ 直列に連結した第１及び第２の 光電変換装置 上記の結果より明らかな如く、２つの光電変換装置を独
立にすることにより、その連結を外側で行っても、１２
．８２Ｘもの高い変換効率を得ることができた。
更に第２図に示す如くに１００−の基板を用いて集積化
した場合の結果を示す。
した場合の結果を示す。
■ ■ ■
開放電圧（Ｖ） ６．８ ８．０１ １４．
５短絡電流（ｍＡ／ｃｍり １４．２ １３．３ １
３．０曲線因子 ０．７４ ０，６９ ０．
６８但し、■ 第１の光電変換装置 ■ 第２の光電変換装置 ■ 直列に連結した第１及び第２の 光電変換装置 加えて入射光側の光電変換装置の■型半導体層の厚さが
０．２５μと薄いため、光照射により劣化するいわゆる
ステブラ・ロンスキ−効果がほとんど観察されず、きわ
めて安定な光電変換装置とすることができた。
５短絡電流（ｍＡ／ｃｍり １４．２ １３．３ １
３．０曲線因子 ０．７４ ０，６９ ０．
６８但し、■ 第１の光電変換装置 ■ 第２の光電変換装置 ■ 直列に連結した第１及び第２の 光電変換装置 加えて入射光側の光電変換装置の■型半導体層の厚さが
０．２５μと薄いため、光照射により劣化するいわゆる
ステブラ・ロンスキ−効果がほとんど観察されず、きわ
めて安定な光電変換装置とすることができた。
また、エネルギーギャップを小さくするために高価なＧ
ｅを使用する必要がない為にコストを大きく下げること
が可能となった。
ｅを使用する必要がない為にコストを大きく下げること
が可能となった。
本発明において、第２の光電変換装置は基板側よりＰＩ
Ｎ接合を有せしめた。しかしこの構造は基板側より旧Ｐ
接合とさせることも可能である。
Ｎ接合を有せしめた。しかしこの構造は基板側より旧Ｐ
接合とさせることも可能である。
第１図は本発明のタンデム構造の光電変換装置の縦断面
図を示す。 第２図は従来のタンデム構造の光電変換装置を示す。 第３図は本発明の光電変換装置のエネルギバンド図を示
す。 第４図はＩ型非単結晶半導体層の成膜温度とエネルギー
ギヤツブの関係を示す。
図を示す。 第２図は従来のタンデム構造の光電変換装置を示す。 第３図は本発明の光電変換装置のエネルギバンド図を示
す。 第４図はＩ型非単結晶半導体層の成膜温度とエネルギー
ギヤツブの関係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光照射により光起電力を発生する非単結晶半導体を
用いた光の入射表面側および裏面側に設けられた一対の
電極はともに透光性電極よりなる第１の光電変換装置と
、前記第１の光電変換装置を透過した光により光起電力
を発生する非単結晶半導体を用いた第２の光電変換装置
とを有する光電変換装置の作製方法において、前記第２
の非単結晶半導体を用いた光電変換装置は、ＰまたはＮ
型の導電型を有する第１の半導体と該半導体上に他の半
導体層形成時と比較して水素の添加量が十分少ない条件
下で珪素を主成分とする真性または実質的に真性の第２
の非単結晶半導体を形成する工程と、該半導体上に第２
のＮまたはＰ型の第３の非単結晶半導体を形成する工程
を有するとともに、前記第２の半導体層中に水素を添加
せしめる工程を有することを特徴とする光電変換装置作
製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記、第２の非単
結晶半導体層は、珪化物気体を３５０℃〜９００℃の温
度にて分解、反応させることにより、水素の添加量を十
分少なくして形成されるとともに、前記半導体層上面に
、３００℃以下の温度で、水素の添加量が１０ａｔ％以
上であるアモルファスまたはマイクロクリスタル構造の
非単結晶半導体層が水素が多量に存在する雰囲気下で形
成されたことを特徴とする光電変換装置作成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031106A JPS62189766A (ja) | 1986-02-15 | 1986-02-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031106A JPS62189766A (ja) | 1986-02-15 | 1986-02-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62189766A true JPS62189766A (ja) | 1987-08-19 |
Family
ID=12322147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61031106A Pending JPS62189766A (ja) | 1986-02-15 | 1986-02-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62189766A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159070A (en) * | 1981-03-26 | 1982-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of photo electromotive force element |
| JPS6030163A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池モジユ−ル |
-
1986
- 1986-02-15 JP JP61031106A patent/JPS62189766A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159070A (en) * | 1981-03-26 | 1982-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of photo electromotive force element |
| JPS6030163A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池モジユ−ル |
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