JPS62190732A - 半導体バリ取り装置の搬送レ−ル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体バリ取り装置の搬送レールに係り，％に
超高圧水を噴射してバリ取りを行なう際にリードフレー
ムおよびモールド部の変形を防止するに好適な半導体バ
リ取り装置の搬送レールに関する。

〔発明の背景〕

周知のように、ＬＳＩ　、ＩＣ，　　トランジスタ、ダ
イオード等の半導体素子は，金属により成型されたリー
ドフレーム上に、所定のチップを接続・固着し、その後
練チップをレジン等によりモールドすることにより製作
される。そして、通常はその製作の効率化を計るために
，前記リードフレームは複数の素子分、連なるように成
型されていて、半導体素子の製作は、そのリードフレー
ムごとに複数個ずつ行なわれていく。

第６図は１リードフレーム上に形成された複数の半導体
素子の概略平面図である。

図において，リードフレーム４Ａ上には、所定の複数個
のチップ（図示せず）が配置され、そして、各チップは
レジンによりモールドさｎている◎このモールド部は、
符号４Ｂで示されている。

第７図は、各半導体素子のモールド部４Ｂおよび各半導
体素子のリード（電極）に該当する部分、すなわち例え
ば第６図の符号人で示される領域の拡大図、第８図は第
７図をＢ−Ｂ＃で切断した断面図である。なお、第７図
において、符号１０で示される部分のクロスハツチング
は，断面を示すためではなく，バリ１０が形成される領
域を明確にするために施されている。

第７，８図より明らかなように，モールド部４Ｂを形成
すると、各半導体素子のリードに該当する部分であって
、前記モールド部４Ｂの近傍には。

レジンによりバリ１０が形成される。また、半導体素子
の他の部分にもバリが形成されるおそれがある。

このバリ１０を除去するには、種々の方法が採用されて
いるが、つぎにその一例として，若月技研製の超高圧水
応用半導体バリ取り装置（ｍ品名：ウルトラバリエース
）の概略構成を説明する。

第９図は従来のバリ取り装置の一例を示す概略平面図，
第２０図は第９図の正面図、第１１図は第１０図の側面
図である。各々の図において，同一の符号は同一または
同等部分をあらわしている。

この第９図ないし第１１図に示されたバリ取り装置は，
超高圧に加圧された水（以下、超高圧水という）を、１
リードフレーム上に形成された複数の半導体素子（以下
、ワーク４という）に噴射して，その衝撃力により、バ
リを除去する装置である。

第９図ないし第１１図に示す従来のバリ取り装置は，ワ
ーク４を水平に支持し，搬送するための一対のレール３
を備えている。前記支持は、ワーク４の頭部（半導体素
子のモールド部４Ｂ側）および脚部（半導体素子のリー
ド側）が前記一対のレール３から突出するように行なわ
れる。

前記一対のレール３の外側には，それぞれプーリ１に巻
装されたベルト２が配置されている。前記配置は，ベル
ト２の外周面がレール３から突出したワーク４の頭部８
よび脚部に当接するように行なわれている。

レール３に支持されたワーク４の下方および上方には，
噴射ノズル６および支持ローラ５が配置されている。前
記噴射ノズル６からは、図示されない手段により矢印Ｐ
方向に超高圧水が噴射されるＯ なお、前記噴射ノズル６の吐出孔（図示せず）から噴出
する水流の直径は１例えば０．２　（１１３１）　前後
である。また、前記噴射ノズル６は、その中心軸を中心
として旋回することができ、この場合、該噴射ノズル６
の吐出孔が描く円の軌跡の直径は、例えばｌ　Ｏ（＋ｕ
）　　前後である。

以上の構成を有する従来のバリ取り装置において、まず
、図示されない手段により、ワーク４をレール３に供給
し、そしてプーリ１を回動して。

ベルト２を例えば矢印Ｃ方向へ回動させる。前述したよ
うに、ワーク４の頭部および脚部は前記ベルト２に当接
しているので、該ワーク４は、前記ベルト２の動き（こ
より、矢印Ｃ方向に搬送される。

ワーク４が噴射ノズル６の上方に運したら、超高圧水を
ワーク４に噴射させる。そして、この超高圧水の噴射に
より、ワーク４に形成されたバリｌＯが除去される。

このとき、ワーク４の上方には支持ローラ５が配置され
ているので、前記超高圧水の噴射によりワーク４に加わ
る力は、前記支持ローラ５により受止められて、該ワー
ク４の彎曲は防止される。

バリ取りが終了したならば、ワーク４は、レール３から
取りはずされる。

さて、前述したように、従来のバリ取り装置においては
、超高圧水の噴射によりワーク４にかかル力は、支持ロ
ーラ５により支持される。

しかし、前記ローラ５は、ワーク４に対して線接触して
おり、また超高圧水は、ワーク４上の、前記ローラ５と
の接触線に対向する部分だけに噴射されるとは限らない
ので、前記接触縁を支点として、ワーク４が彎曲し、変
形しゃすいＯワーク４すなわち、リードフレーム４人ま
たはモールド部４Ｂが変形すると、モールド部４Ｂ内に
配置されているチップが損傷を受けやすく、これにより
当該半導体素子が使用不能となるおそれがあるＯ〔発明
の目的〕 本発明の目的は、超高圧水をワークに噴射しても、リー
ドフレームおよびモールド部がほとんど変形することの
ない半導体バリ取り装置の搬送レールを提供することに
ある。

〔発明の概要〕

前記の目的を達成するために、本発明は、半導体素子の
搬送方向に沿って、少なくとも該半導体素子に対して噴
射ノズルが配置される側と反対側に、該半導体素子を摺
動させる摺動面を設けるという手段を講じ、これにより
、噴射ノズルから噴射される液体の衝撃力を面で受ける
ようにして。

半導体素子のリードフレームおよびモールド部の変形を
防止するようにした点に特徴があるＯ〔発明の実施例〕 以下に、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例の概略斜視図、第２図は第１
図を矢印Ｆ方向からみた本発明の一実施例の概略側面図
である。

第１，２図において、一対の搬送レール８は、互いに対
称形に製作されている。

前記一対の搬送レール８の互いに対向する面であって、
その上側には、ざらに凹部１８Ａが形成されている。

そして、前記一対の搬送レール８は、その凹部１８Ａの
互いに対向する面の間隔がワークのモールド部の厚みよ
りも若干大きくなるように、また前記凹部１８Ａよりも
下側部分の間隔がワークのモールド部の厚みよりも小さ
く、かつワークのリード部よりも厚くなるように、互い
に平行に配置されている。この配置ｌこより前記一対の
搬送レール８の互いｌこ対向する面の間には、ワークの
摺動路が形成される〇 ワークは、第３図に関して後述するように、前記一対の
搬送レール８の間の摺動路に沿って搬送される。

第３図は、ワーク４を前記搬送レール８上に搬送させる
手段の一例を示す図であり、第１図の紙面に対して右側
に配置された搬送レール８を取去り、その左側に配置さ
れた搬送レール８を矢印Ｇ方向からみた図に相当する。

第３図において、第１図および第２図と同一の符号は、
同一または同等部分をあられしている。

第３図において％搬送レール８の上方には、スプロケッ
ト２０に巻装されたチェーン２１が、前記搬送レール８
の凹部１８Ａと平行ｔこ配置されている。

前記チェーン２１には、ワーク４の横幅よりも広い所定
の間隔ごとに、つめ２２が固着されている。前記つめ２
２は、該つめ２２が固着されているチェーン２１が、ス
プロケット２０の下側に位置したときに、その先端部が
、搬送レール８の凹部１８Ａ内に挿入されるように形成
されている。

さて、前述したように一対の搬送レール８間の間隔のう
ち、凹部１８Ａ間の間隔は、ワーク４のモールド部４Ｂ
の厚みよりも広く、また前記凹部１８人の下方における
間隔は、ワーク４のモールド部４Ｂの厚みよりも狭いの
で１図示されない手段により、ワーク４をそのモールド
部４Ｂが上側となるように一対の搬送レール８間ζこ挿
入すれば、該モールド部４Ｂの下端は、前記凹部１８Ａ
の下面１８に当接する。すなわち、ワーク４は、搬送レ
ール８により支持される口 そして、この状態で、スプロケット２０を例えば矢印Ｈ
方向に回動させれば、ワーク４は、つめ２２に押されて
、一対の搬送レール８の間を矢印工方向に摺動し、搬送
される◎ さて、再び第１図に戻り、一対の搬送レール８には、該
搬送レール８内を搬送されるワークに対して、超高圧水
を噴射することができるように、窓１４および１５が形
成されている。

第４図は、第１図をＤ−Ｄ線で切断して矢印Ｆ方向から
みた断面図、第５図は第１図をＥ−Ｄ線で切断して矢印
Ｆ方向からみた断面図である。

第４図から明らかなように、窓１４は、一対の搬送レー
ル８間を搬送されるワーク４のリード部分に対して噴射
ノズル６人から矢印Ｐ１方向に超高圧水を噴射すること
ができるように、さらに噴射された水および除去された
バリ等を排出することができるように設けられている。

また、第５図から明らかなように、窓１５は、一対の搬
送レール８間を搬送されるワーク４のモールド部４Ｂに
対して噴射ノズル６Ｂから矢印Ｐ２方向に超高圧水を噴
射することができるように。

さらに、噴射された水および除去されたバリ等を排出す
ることができるように設けられている。

ここで、前記窓１４．１５の大きさは％噴射ノズル６人
、６Ｂが有する超高圧水吐出孔の数、該吐出孔から噴出
される水流の直径、および各噴射ノズルの旋回の度合等
を勘案して決定される。また、第１図に招いては、窓１
４．１５は円形状に描かれているが、例えばワーク４の
搬送方向に延びる長大であっても良い。

なお、超高圧水を噴射する噴射ノズルのうち。

窓１４から噴射を行なう噴射ノズル６人は、第４図から
明らかなように、紙面に対して左側に配置された搬送レ
ールＢ側番こ配置され、また窓１５から噴射を行なう噴
射ノズル６Ｂは％第５図から明らかなように１紙面に対
して右側に配置された搬送レール８側に配置されている
・しかし、バリがワーク４の片側だけに形成されている
場合は、前記噴射ノズル６人、６Ｂは、各々同一の側に
配置されても良い。

以上の説明から明らかなように、本発明の一実施例にお
いては、搬送レール８の搬送路が、窓１４および１５の
形成部分を除き、面であるため奢こ、ワーク４に超高圧
水が噴射されても、該ワーク４は面で支持される。した
がって、ワーク４の変形が極めて少なく、チップの損傷
が防止される。

さて、ワーク４のモールド部４Ｂにバリが形成されるお
それがない場合は、窓１５の形成は不要であることはい
うまでもない。

また、窓１４．１５の形状は、第１図に示されるように
円形である必要はなく、また、超高圧水を噴射する側の
窓と噴射された水およびバリを排出する側の窓とは、同
一形状である必要はない。

なお前述した本発明の一実施例においては、ワーク４は
、一対の搬送レール８の互いに対向する面に形成された
凹部１８Ａの下面１８に係止され、該下面１８および搬
送レール８の互いに対向する面を摺動する。したがって
、ワーク４の所要搬送力を抑え、該ワーク４の搬送を滑
かに行なうには。

搬送レール８の互いに対向する側の面を硬（、かつその
面の摩擦係数を小さくする必要がある。このための表面
処理としては、前記搬送レール８としてアルミニウムま
たはアルミニウム合金を用いた場合には、硬質アルマイ
ト処理が好適である。

また、ワーク４は、そのモールド部４Ｂが上方にくるよ
うにして、すなわち搬送レール８に垂直に支持された状
態で搬送されるものとして説明したが、本発明は特にこ
れのみに限定されず、搬送フレームがワークを平面で支
えることができれば、該ワークは水平に保持され、搬送
されても良い・さらに、一対の搬送レール８により、ワ
ーク４が支持されるものとして説明したが、該搬送レー
ル８は、例えばその下部において一体的に接続されても
良いことは当然である。

さらにまた、ワーク４を搬送レール８上に搬送させる手
段を第３図に示したが、該搬送手段はこれのみに限定さ
れず、いかなる手段であっても良いことは明らかである
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、超高圧水の噴射によりワークが受ける
衝撃力を、搬送レールの面で受けることができるので、
リードフレームおよびモールド部がほとんど変形せず、
レジンモールド半導体素子そのものが破損しないという
効果がある。

さらに、搬送レールの搬送路上部に凹部を設け。

咳凹部の下面でワークのモールド部を支持するようにす
れば、ワーク側面を押すだけで該ワークを搬送すること
ができるので、該ワークの搬送装置を比較的簡単に構成
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概略斜視図、第２図は第１
図を矢印Ｆ方向からみた本発明の一実施例の概略側面図
、第３図はワークを搬送レール上に搬送させる手段の一
例を示す図、第４図は第１図をＤ−Ｄ線で切断して矢印
！方向からみた断面図、第５図は第１図をＢ−Ｂ線で切
断して矢印Ｆ方向からみた断面図、第６図は１１Ｊ−ド
フレーム上に形成された複数の半導体素子の概略平面図
、第７図は第６図のＡ部拡大図、第８図は第７図をＢ−
Ｂ線で切断した断面図、第９図は従来のバリ取り装置の
一例を示す概略平面図、第１θ図は第９図の正面図、第
１１図は第１０図の側面図である０ ４・・・ワーク、４Ａ・・・リードフレーム％　４Ｂ・
・・モールド部、６Ａ、６Ｂ・・・噴射ノズル、８・・
・搬送レール、１０・・・バリ、１４．１５・・・窓、
ｘ８・・・凹部下面、１８人・・・凹部 代理人　弁理士　　平　　木　道　　人第１図 第４図 第５図 第９図 第６図 第７図　　第８図 第１１図 ら

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）加圧された液体を噴出する噴射ノズルの前方に、
   レジンモールド処理が施された半導体素子を順次案内す
   るための半導体バリ取り装置の搬送レールであって、 半導体素子の搬送方向と平行に、かつ該半導体素子に対
   して前記噴射ノズルと反対側に、該半導体素子の少なく
   とも一表面を摺動させる摺動面を備え、 前記摺動面には、前記噴射ノズルと対向する部分に噴射
   された液体を排出する窓が形成されたことを特徴とする
   半導体バリ取り装置の搬送レール。
2. （２）加圧された液体を噴出する噴射ノズルの前方に、
   レジンモールド処理が施された半導体素子を順次案内す
   るための半導体バリ取り装置の搬送レールであって、 半導体素子の搬送方向に沿って形成され、該半導体素子
   の、対向する少なくとも一対の表面間の厚さよりもやや
   広い幅を有する溝状の摺動路を備え、 前記摺動路のうち、前記噴射ノズル側の面であって前記
   噴射ノズルと対向する部分には、噴射された液体を摺動
   路内に導入する窓が形成され、前記摺動路のうち、前記
   噴射ノズル側でない側の面であって前記噴射ノズルと対
   向する部分には、噴射された液体を排出する窓が形成さ
   れたことを特徴とする半導体バリ取り装置の搬送レール
   。
3. （３）前記摺動路の上部は、半導体素子のモールド部の
   厚さよりもやや広い幅を有し、その下部は、前記モール
   ド部の厚さよりも狭く、かつ半導体素子のリード部の厚
   さよりも広い幅を有していることを特徴とする前記特許
   請求範囲第２項記載の半導体バリ取り装置の搬送レール
   。