JPS61160944A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61160944A JPS61160944A JP60000950A JP95085A JPS61160944A JP S61160944 A JPS61160944 A JP S61160944A JP 60000950 A JP60000950 A JP 60000950A JP 95085 A JP95085 A JP 95085A JP S61160944 A JPS61160944 A JP S61160944A
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- Japan
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- resin
- lead frame
- flashes
- thin films
- pressure water
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止半導体装置の製造方法に関し具体的
には、樹脂体とリードフレームとの間に形成された樹脂
の薄膜を除去して半導体装置を製造する方法に関する。
には、樹脂体とリードフレームとの間に形成された樹脂
の薄膜を除去して半導体装置を製造する方法に関する。
（従来の技術）
ＩＣ，、ＬＳＩ 、 ＶＬＳＩ等の半導体装置は部品と
し千大量生産され、大量消費される。この様な半導体装
置は、コスト低下や生産性の向上の為にほとんどのもの
がパターン状に打ち抜かれた金属性のリードフレームに
半導体チップを搭載し、これらを樹脂により封止して製
造する様になった。この様なリードフレームについては
特公昭４５−１１３７号公報に詳細に記載されている。
し千大量生産され、大量消費される。この様な半導体装
置は、コスト低下や生産性の向上の為にほとんどのもの
がパターン状に打ち抜かれた金属性のリードフレームに
半導体チップを搭載し、これらを樹脂により封止して製
造する様になった。この様なリードフレームについては
特公昭４５−１１３７号公報に詳細に記載されている。
この様なリードフレームで半導体装置を製造する際、上
記公報Ｆｉｇ＜４にも記載されている様に合成樹脂被覆
体（以下樹脂体という）と、リード線間隔片（以下タイ
バーという）と支持片（以下リードという）との間及び
、樹脂体と連結条帯（以下外枠という）とリードとの間
に薄い合成樹脂板（以下薄膜という）が形成される。な
お、タイバー及び外枠は、リードを連結する役割を持つ
他、封止時に樹脂が流出しない様にする樹脂流出防止板
としての働きをする。
記公報Ｆｉｇ＜４にも記載されている様に合成樹脂被覆
体（以下樹脂体という）と、リード線間隔片（以下タイ
バーという）と支持片（以下リードという）との間及び
、樹脂体と連結条帯（以下外枠という）とリードとの間
に薄い合成樹脂板（以下薄膜という）が形成される。な
お、タイバー及び外枠は、リードを連結する役割を持つ
他、封止時に樹脂が流出しない様にする樹脂流出防止板
としての働きをする。
これらタイバー及び外枠は封止後取り除くが、これらを
リードから切断するときに切断刃が樹脂体にキズを付け
たり、逆に樹脂体により切断刃が破壊されたりしない様
に、これらは樹脂体から離れた位置となる様に形成され
る。この為に樹脂体の外郭を越えた薄膜が必然的に形成
される。
リードから切断するときに切断刃が樹脂体にキズを付け
たり、逆に樹脂体により切断刃が破壊されたりしない様
に、これらは樹脂体から離れた位置となる様に形成され
る。この為に樹脂体の外郭を越えた薄膜が必然的に形成
される。
従来、この様な薄膜は樹脂流出防止板を取り除く際に同
時に切断刃により取り除いていた（前記公報Ｐ５左第１
４行〜２１行）。
時に切断刃により取り除いていた（前記公報Ｐ５左第１
４行〜２１行）。
しかしながら、近年、樹脂の膨張率を小さくする為に樹
脂中に石英粉等硬度の大きい粒子（フィシ）を混入する
様になると、切断刃が蓄しく摩耗する様になった。
脂中に石英粉等硬度の大きい粒子（フィシ）を混入する
様になると、切断刃が蓄しく摩耗する様になった。
この為、まず薄膜を除去してからタイバーや外枠を切断
刃により取り除く様になった。又、リード又はタイバー
に極めて薄い樹脂の膜（以下フラッシュという）が付着
して、後の工程でのメッキ工程で悪影響を及ぼすととも
に、フラッシュによる切断刃の摩耗も無視できない様に
なった。
刃により取り除く様になった。又、リード又はタイバー
に極めて薄い樹脂の膜（以下フラッシュという）が付着
して、後の工程でのメッキ工程で悪影響を及ぼすととも
に、フラッシュによる切断刃の摩耗も無視できない様に
なった。
これら樹脂の薄膜やフラッシュを取り除く為に、従来、
以下の様な方法が採られていた。
以下の様な方法が採られていた。
■乾式方法として研磨材を吹き付ける方法、■湿式方法
として研磨材と水を混合し吹き付ける方法、■化学浴に
浸漬し、薄膜又はフラッシュを膨潤させて乾式又は湿式
で研磨材を吹き付ける方法、・・・等がある。
として研磨材と水を混合し吹き付ける方法、■化学浴に
浸漬し、薄膜又はフラッシュを膨潤させて乾式又は湿式
で研磨材を吹き付ける方法、・・・等がある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前述の方法はいずれも研磨材を使用する
ためにトータルではランニングコストが高く、経済性が
悪いと同時に、水又は空気を媒体にし、研磨材を吹き付
ける方法では次の欠点があった。
ためにトータルではランニングコストが高く、経済性が
悪いと同時に、水又は空気を媒体にし、研磨材を吹き付
ける方法では次の欠点があった。
（ａ） 研磨材の吹付は故にリード表面に機械的破壊
層が出来、この破壊層を化学的に除去しないとリードに
半田が付着しない。
層が出来、この破壊層を化学的に除去しないとリードに
半田が付着しない。
（ｂ） 研磨材としてアルミナ、カープランダム。
グラスチック等を用いるが、アルミナ、カーゴランダム
等無機質の場合は、極低圧吹付でも半導体装置の樹脂体
表面に傷が生ずる。プラスチックの場合でも完全に薄膜
を除去するべく圧力を増すと樹脂体表面に傷が生ずる。
等無機質の場合は、極低圧吹付でも半導体装置の樹脂体
表面に傷が生ずる。プラスチックの場合でも完全に薄膜
を除去するべく圧力を増すと樹脂体表面に傷が生ずる。
（ｃ）研磨材吹き付は装置内を常時研磨材が循環するた
めに装置の自己研磨作用があり、装置自身の摩耗が激し
く、定期的にエルデ等配管部品の交換が必要でアシ、結
果としてコストアップの要因となる。
めに装置の自己研磨作用があり、装置自身の摩耗が激し
く、定期的にエルデ等配管部品の交換が必要でアシ、結
果としてコストアップの要因となる。
（ｄ） 研磨材自身も一粍するために、定期的に補充
が必要であシこの研磨材がコストアップの要因となる。
が必要であシこの研磨材がコストアップの要因となる。
（ｅ） 研磨材を半導体装置に吹き付けるために研磨
材が空中に飛び散り、雰囲気を汚染する。この為、研磨
材吹き付は装置を高度に密閉するか、他の処理を行なう
場所から離す必要が生じ、連続的な工程を行なう上で障
害となる。
材が空中に飛び散り、雰囲気を汚染する。この為、研磨
材吹き付は装置を高度に密閉するか、他の処理を行なう
場所から離す必要が生じ、連続的な工程を行なう上で障
害となる。
又、前述の方法とは別に■ポンチによる薄膜打抜き除去
、■特開昭５８−１４０１３３にある様な化学処理によ
シフラッシュを除去する方法等もある。
、■特開昭５８−１４０１３３にある様な化学処理によ
シフラッシュを除去する方法等もある。
しかしながら、この様な方法にも、以下の様な欠点があ
る。
る。
（ｆ） ポンチによる薄膜打抜き除去方法では、フラ
ッシュまでは除去しきれず、又、前述の様に樹脂にはフ
ィシが含まれているのでポンチが摩耗し、このポンチを
しばしば取り換えなければならない。
ッシュまでは除去しきれず、又、前述の様に樹脂にはフ
ィシが含まれているのでポンチが摩耗し、このポンチを
しばしば取り換えなければならない。
ω 化学処理によるフラッシュ除去では、逆に前述の■
の方法の様に別の工程を必要とする様になるか、■の方
法のポンチにより薄膜を打抜いて除去する方法を併用し
なければならない。
の方法の様に別の工程を必要とする様になるか、■の方
法のポンチにより薄膜を打抜いて除去する方法を併用し
なければならない。
（問題点を解決する為の手段）
本発明は、リードフレームに樹脂体を形成した後、この
リードフレームの樹脂流出防止板と樹脂体との間に形成
された薄膜及びこのリードフレーム表面に形成されたフ
ラッシュに高圧水をスポット状に噴射するものである。
リードフレームの樹脂流出防止板と樹脂体との間に形成
された薄膜及びこのリードフレーム表面に形成されたフ
ラッシュに高圧水をスポット状に噴射するものである。
（作用）
本発明は、以上の様に樹脂体及びフラッシュにスポット
状に高圧水を噴射するので、この高圧水の圧力により、
薄膜及びフラッシュを除去することができるのである。
状に高圧水を噴射するので、この高圧水の圧力により、
薄膜及びフラッシュを除去することができるのである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例をフラットハツケ−ジ半導体
装置を例として説明する為の図である。
装置を例として説明する為の図である。
第１図において、リードフレーム１１は、多数のり−ド
１２及びこれらを相互に連結するタイバー１３を有する
。樹脂体１４は、リードフレーム１１の構成要素のうち
、図示されていないチップ搭載領域に搭載された、同じ
く図示されていない半導体チップを封止している。樹脂
体１４．リード１２及びタイバー１３に囲まれた領域に
は半導体チップを封止する際に同時に形成された薄膜１
５が形成され、リード１２及びタイバー１３の表面には
樹脂封止作業中に封止型のすき間から浸入してきたフラ
ッシュ１６が形成されている。
１２及びこれらを相互に連結するタイバー１３を有する
。樹脂体１４は、リードフレーム１１の構成要素のうち
、図示されていないチップ搭載領域に搭載された、同じ
く図示されていない半導体チップを封止している。樹脂
体１４．リード１２及びタイバー１３に囲まれた領域に
は半導体チップを封止する際に同時に形成された薄膜１
５が形成され、リード１２及びタイバー１３の表面には
樹脂封止作業中に封止型のすき間から浸入してきたフラ
ッシュ１６が形成されている。
これら薄膜１５及びフラッシュ１６に高圧水源からノズ
ル１７へ導かれた高圧水１８を噴射する。
ル１７へ導かれた高圧水１８を噴射する。
この高圧水１８を樹脂体１４の外周に沿って移動させて
、薄膜１５及びフラッシュ１６を除去する。
、薄膜１５及びフラッシュ１６を除去する。
高圧水１８を噴射する際は、リードフレーム１１の主表
面に対してほぼ垂直方向からが好ましい。
面に対してほぼ垂直方向からが好ましい。
垂直方向から傾くに従って、圧力が分散して薄膜１５を
除去する力が減少するからである。
除去する力が減少するからである。
高圧水１８を噴射するに際し、リードフレームは第２図
の様に固定すると良い。
の様に固定すると良い。
リードフレーム１１の横方向及び厚さ方向の位置決めを
行なうには、コの字形状のフレームガイド２１を用いる
。フレームガイド２１はリードフレーム１１の長手方向
に沿ってこれを保持する。
行なうには、コの字形状のフレームガイド２１を用いる
。フレームガイド２１はリードフレーム１１の長手方向
に沿ってこれを保持する。
又、リードフレーム１１の曲りを防止したり、高圧水噴
射の際の振動を除去したりするには、ノズル１７と反対
側に支持体を用いる。この支持体は、樹脂体１４を支え
る樹脂体支持部２２と、リードフレーム１１を支えるリ
ード支え部２３よりなる。
射の際の振動を除去したりするには、ノズル１７と反対
側に支持体を用いる。この支持体は、樹脂体１４を支え
る樹脂体支持部２２と、リードフレーム１１を支えるリ
ード支え部２３よりなる。
樹脂体支持部２２は搬送ベルトを兼ねるとともに水圧に
抗するだけの耐性をもつ必要がある。
抗するだけの耐性をもつ必要がある。
樹脂体支持部２２は、リードフレーム送り装置と同期し
て移動する搬送ベルトを兼ねることにより、キズが付き
やすい樹脂体１４にキズを付けることを防止する。リー
ド支え部２３は、タイバー１３に沿う様に配置する。こ
れを用いて、最も水圧の影響を受けやすい部分を支持す
ることにより、リード曲がりを防止するとともに、リー
ドフレーム１１が振動するのを防止する。
て移動する搬送ベルトを兼ねることにより、キズが付き
やすい樹脂体１４にキズを付けることを防止する。リー
ド支え部２３は、タイバー１３に沿う様に配置する。こ
れを用いて、最も水圧の影響を受けやすい部分を支持す
ることにより、リード曲がりを防止するとともに、リー
ドフレーム１１が振動するのを防止する。
次に、水を噴射するノズル１７の断面積と、水圧の関係
を説明する。ノズル断面積は、０．０３５瓢２〜０．０
１５ｍ２程度が好ましく、それに対応する水圧は、７０
０ ｋｇ７ｃｍ２〜１５００ ｋｇ７ｃｍ”程度が好ま
しい。例えば、ノズル断面積０．０３ｍ”、水圧９００
に！？／譚２を用いる。
を説明する。ノズル断面積は、０．０３５瓢２〜０．０
１５ｍ２程度が好ましく、それに対応する水圧は、７０
０ ｋｇ７ｃｍ２〜１５００ ｋｇ７ｃｍ”程度が好ま
しい。例えば、ノズル断面積０．０３ｍ”、水圧９００
に！？／譚２を用いる。
以上の様にして薄膜１５及びリードフレーム１１の上面
に形成されたフラッシュ１６を除去することができる。
に形成されたフラッシュ１６を除去することができる。
しかしながら、フラッシュ１６は、リードフレーム１１
の上面だけでなく下面にも形成されているので、上面だ
けへの高圧水１８の噴射だけでは、フラッジ−１６を完
全に除去しきれない。その為、再度下面へ高圧水１８を
噴射する。この噴射も上面への噴射と同様に行なう。
の上面だけでなく下面にも形成されているので、上面だ
けへの高圧水１８の噴射だけでは、フラッジ−１６を完
全に除去しきれない。その為、再度下面へ高圧水１８を
噴射する。この噴射も上面への噴射と同様に行なう。
前述した様に、樹脂体１４に沿って高圧水１８を噴射す
るのが好ましいが、第３図の様に噴射すルノが最も簡単
である。図において、ノズル１７はリードフレーム１１
上で軌跡３１が円を描く様に運動する。これにより横方
向への幅の拡張が容易となる。このまま、リードフレー
ム１１を矢印３２方向に移動すれば、高圧水１７の噴射
領域を軌跡３１の径に拡大することができる。
るのが好ましいが、第３図の様に噴射すルノが最も簡単
である。図において、ノズル１７はリードフレーム１１
上で軌跡３１が円を描く様に運動する。これにより横方
向への幅の拡張が容易となる。このまま、リードフレー
ム１１を矢印３２方向に移動すれば、高圧水１７の噴射
領域を軌跡３１の径に拡大することができる。
尚、高圧水の水は半導体装置に悪影響を及ぼさないとと
もに雰囲気を汚染しない様にする為、純水又はそれに近
いものを用いるのが好ましい。
もに雰囲気を汚染しない様にする為、純水又はそれに近
いものを用いるのが好ましい。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明によれば、次の様な効果がある
。
。
（、） リードフレームに機械的破壊層を発生させず
、又、樹脂体に傷を付けることなく薄膜及びフラッシュ
を除去することができる。これは、高圧水に研摩材を含
んでいないので、これによる障害が生じないからである
。
、又、樹脂体に傷を付けることなく薄膜及びフラッシュ
を除去することができる。これは、高圧水に研摩材を含
んでいないので、これによる障害が生じないからである
。
（ｂ） 加工装置のメンテナンスを軽減できる。研摩
材による加工装置自身の摩耗がなくなるとともに、加工
装置への研摩材の充填、研摩材量のチェックが不要とな
るからである。
材による加工装置自身の摩耗がなくなるとともに、加工
装置への研摩材の充填、研摩材量のチェックが不要とな
るからである。
（Ｃ）工程が簡素化される。高圧水を噴射すると−いう
１工程のみで薄膜及びフラッシュを除去することができ
るからである。
１工程のみで薄膜及びフラッシュを除去することができ
るからである。
（ｄ） 前処理工程（ウェハープロセス）を含めた一
貫工程が可能となる。研摩材を含んでいない為、これが
空中に飛散し、雰囲気を汚染することがない為である。
貫工程が可能となる。研摩材を含んでいない為、これが
空中に飛散し、雰囲気を汚染することがない為である。
（、） 製造コストを低下できる。以上（、）〜（Ｃ
）によるコスト低下要因に加え、高価な研摩材を必要と
しない為である。
）によるコスト低下要因に加え、高価な研摩材を必要と
しない為である。
第１図は本発明の一実施例を説明する為の斜視図、第２
図は、同じく本発明の一実施例を説明する為の、第１図
におけるＡ１−Ａ２断面図相当図、第３図は、リードフ
レームへの高圧水の噴射の態様を示す平面図である。 、″ １１・・・リードフレーム、１２・・・リード、
１３；・・タイバー、１４・・・樹脂体、１５・・・薄
膜、１６・・・フラッシュ、１７・・・ノズル、１８・
・・高圧水、２１・・・フレームガイド、２２・・・樹
脂体支持部、２３・・・リード支え部。 第１図
図は、同じく本発明の一実施例を説明する為の、第１図
におけるＡ１−Ａ２断面図相当図、第３図は、リードフ
レームへの高圧水の噴射の態様を示す平面図である。 、″ １１・・・リードフレーム、１２・・・リード、
１３；・・タイバー、１４・・・樹脂体、１５・・・薄
膜、１６・・・フラッシュ、１７・・・ノズル、１８・
・・高圧水、２１・・・フレームガイド、２２・・・樹
脂体支持部、２３・・・リード支え部。 第１図
Claims (1)
- リード相互を連結するとともに該リードのすき間から
樹脂の流出を防止する樹脂流出防止板を備えたリードフ
レームに搭載した半導体チップを樹脂により封止して樹
脂体を形成する工程と、該工程後、前記樹脂流出防止板
と前記樹脂体との間に形成された薄膜及び、前記リード
フレーム表面に形成されたフラッシュに、高圧水をスポ
ット状に噴射して該薄膜及びフラッシュを除去する工程
とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000950A JPS61160944A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000950A JPS61160944A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160944A true JPS61160944A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11487952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60000950A Pending JPS61160944A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190732A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-20 | Hitachi Ltd | 半導体バリ取り装置の搬送レ−ル |
| JPH06140448A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766657A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
| JPS58135646A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP60000950A patent/JPS61160944A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766657A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
| JPS58135646A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH06140448A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
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