JPS62190844A - 低温用プロ−バ - Google Patents
低温用プロ−バInfo
- Publication number
- JPS62190844A JPS62190844A JP61034292A JP3429286A JPS62190844A JP S62190844 A JPS62190844 A JP S62190844A JP 61034292 A JP61034292 A JP 61034292A JP 3429286 A JP3429286 A JP 3429286A JP S62190844 A JPS62190844 A JP S62190844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- low temperature
- low
- stage
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
低温動作測定用のプローバは、低温度で結露しない臨海
温度の低い気体中に、プローブヘッドを配置しておこな
う。
温度の低い気体中に、プローブヘッドを配置しておこな
う。
［産業上の利用分野コ
本発明は低温用プローバ（探針試験装置）に関する。
最近、半導体装置はコンピュータなどの要求から高速動
作素子が要望され、それは常温の動作だけでなく、低温
動作をも積極的に考慮した新素子が開発されている。例
えば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥ Ｍ Ｔ ：
Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒ
。
作素子が要望され、それは常温の動作だけでなく、低温
動作をも積極的に考慮した新素子が開発されている。例
えば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥ Ｍ Ｔ ：
Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒ
。
）がその例である。
このような低温動作させる半導体装置は、低温度におい
てプローブテスト（探針試験）を行なうことが望ましく
、且つ、素子を破壊しないように考慮しなければならな
い。
てプローブテスト（探針試験）を行なうことが望ましく
、且つ、素子を破壊しないように考慮しなければならな
い。
［従来の技術］
従来、ＩＣなどの半導体装置は、ウェハー上に多数の素
子が形成され、これを個々のチップに分割する前に、プ
ローブ（探針）を接触させて、それらの素子の電気的特
性の良否を判別しており、これをウェハーのプローブテ
ストと云い、その測窓装置をブローμと呼んでいる。
子が形成され、これを個々のチップに分割する前に、プ
ローブ（探針）を接触させて、それらの素子の電気的特
性の良否を判別しており、これをウェハーのプローブテ
ストと云い、その測窓装置をブローμと呼んでいる。
それは、ウェハー状態で予めプローブテストを行なって
おけば、不良チップをパッケージに組み込む工数とパッ
ケージ等の材料が節約されるからである。
おけば、不良チップをパッケージに組み込む工数とパッ
ケージ等の材料が節約されるからである。
第２図は従来の低温用ブローμのテストヘッドの概要図
を示しており、１はウェハー、２はステージ、３はプロ
ーブ、４は可視光源、５は顕微鏡６は保温材料からなる
函体である。
を示しており、１はウェハー、２はステージ、３はプロ
ーブ、４は可視光源、５は顕微鏡６は保温材料からなる
函体である。
例えば、７７°Ｋ（液体窒素温度）でプローブテストを
行なう場合には、函体６の内部に液体窒素ＬＮ２を容れ
ておく。そうして、函体の上部に設けた窓７から、顕微
鏡で目視しながらマニピュレータを動かして、プローブ
の位置合わせをおこない、位置調整後、プローブテスト
を行なっている。また、ブローμは上記のテストヘッド
の他、コンピュータを具備しているが、図示していない
。且つ、最近では、複数のプローブをそれぞれ調整する
繁雑さを避けるため、既に位置合わせしたプローブを植
立させたプローブカードを利用することも多い。
行なう場合には、函体６の内部に液体窒素ＬＮ２を容れ
ておく。そうして、函体の上部に設けた窓７から、顕微
鏡で目視しながらマニピュレータを動かして、プローブ
の位置合わせをおこない、位置調整後、プローブテスト
を行なっている。また、ブローμは上記のテストヘッド
の他、コンピュータを具備しているが、図示していない
。且つ、最近では、複数のプローブをそれぞれ調整する
繁雑さを避けるため、既に位置合わせしたプローブを植
立させたプローブカードを利用することも多い。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記のようにして、低温でプローブテストを
行なうと、ウェハー１やプローブ３の近傍で結露すると
云う厄介な問題がある。結露は水分だけでなく、液体窒
素も結露するわけで、その状態で電流を流してテストす
ると、異常な電流バスが生じて、絶縁膜が破壊される等
の問題が起こり、測定素子の動作特性が劣化する。
行なうと、ウェハー１やプローブ３の近傍で結露すると
云う厄介な問題がある。結露は水分だけでなく、液体窒
素も結露するわけで、その状態で電流を流してテストす
ると、異常な電流バスが生じて、絶縁膜が破壊される等
の問題が起こり、測定素子の動作特性が劣化する。
そのため、函体６の内部を真空にしてプローブテストを
行なう方法も考案されているが、真空中は熱伝導が悪（
て、ウェハーが冷却しにくいと云う欠点がある。
行なう方法も考案されているが、真空中は熱伝導が悪（
て、ウェハーが冷却しにくいと云う欠点がある。
一方、プローブテストを行なわずに、チップに分離し組
立して、それを低温度に冷却し、低温動作特性を測定す
る方法も採られているが、この方法は工数が多くかかつ
てコストが高くなる。
立して、それを低温度に冷却し、低温動作特性を測定す
る方法も採られているが、この方法は工数が多くかかつ
てコストが高くなる。
本発明は、このような欠点を解消させて、低温度でのプ
ローブテストが信頼性高くおこなえる低温用ブローμを
提案するものである。
ローブテストが信頼性高くおこなえる低温用ブローμを
提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、プローブヘッドを臨界温度の低い気体、例
えば、ヘリウム（Ｈｅ）の雰囲気中に配置した低温用ブ
ローμによって達成される。
えば、ヘリウム（Ｈｅ）の雰囲気中に配置した低温用ブ
ローμによって達成される。
［作用］
即ち、本発明は、低温度で結露しない臨海温度の低い気
体の雰囲気中で、プローブテストをおこなう。
体の雰囲気中で、プローブテストをおこなう。
［実施例コ
以下、図面を参照して一実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる低温用ブローμのテストヘッド
の概要図を示しており、１１はウェハー。
の概要図を示しており、１１はウェハー。
１２はクライオヘッドからなるステージ、１３はプロー
ブカード、１４は赤外線光源、１５は赤外線顕微鏡。
ブカード、１４は赤外線光源、１５は赤外線顕微鏡。
１６は保温材料からなる函体、１７はヘリウムのコンプ
レッサー、１８は真空ポンプ、１９は透過窓である。
レッサー、１８は真空ポンプ、１９は透過窓である。
クライオヘッドはクライオポンプのヘッド部分 ゛で、
４０°Ｋまで冷却が可能な冷却体であるから、それをス
テージ１３に使用する。そして、赤外線光源１４を利用
して顕微鏡１５で目視しながら、プローブカード１３の
位置合わせをする。この赤外線光は低温動作を害するこ
とがない。次いで、函体１６の中を真空ポンプ１８によ
り真空吸引し、他方のコンプレッサー１７によってリヘ
リウムガスを函体１６内で循環させる。コンプレッサー
１７を使用する理由はヘリウムガスを多量に消費しない
ようにするためである。
４０°Ｋまで冷却が可能な冷却体であるから、それをス
テージ１３に使用する。そして、赤外線光源１４を利用
して顕微鏡１５で目視しながら、プローブカード１３の
位置合わせをする。この赤外線光は低温動作を害するこ
とがない。次いで、函体１６の中を真空ポンプ１８によ
り真空吸引し、他方のコンプレッサー１７によってリヘ
リウムガスを函体１６内で循環させる。コンプレッサー
１７を使用する理由はヘリウムガスを多量に消費しない
ようにするためである。
このように構成してプローブテストすれば、ヘリウムは
結露しないから、測定素子の特性を劣化させることがな
い。更に、室温と低温との切り換えも簡単になる。
結露しないから、測定素子の特性を劣化させることがな
い。更に、室温と低温との切り換えも簡単になる。
且つ、真空中ではないから、マニピュレータの調整も容
易になり、低温ステージにウェハーを吸着させることも
できて、マニピュレータステージやプローブカードステ
ージを自動移動させながら、プローブテストもできる。
易になり、低温ステージにウェハーを吸着させることも
できて、マニピュレータステージやプローブカードステ
ージを自動移動させながら、プローブテストもできる。
即ち、オートプローバに構成することも可能である。
［発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明によれば低温動
作の半導体装置の素子特性を破壊せずに、低温プローブ
テストをおこなうことができ、その半導体装置の高信頼
化が図れるものである。
作の半導体装置の素子特性を破壊せずに、低温プローブ
テストをおこなうことができ、その半導体装置の高信頼
化が図れるものである。
第１図は本発明にかかる低温用ブローμのテストヘッド
の概要図、 第２図は従来の低温用ブローμのテストヘッドの概要図
である。 図において、
の概要図、 第２図は従来の低温用ブローμのテストヘッドの概要図
である。 図において、
Claims (2)
- （１）室温以下の低温度でウェハー上の半導体素子にプ
ローブを接触させて素子特性を測定する低温用プローバ
において、プローブヘッドを臨界温度の低い気体の雰囲
気中に配置したことを特徴とする低温用プローバ。 - （２）上記臨海温度の低い気体がヘリウムであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低温用プローバ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034292A JPS62190844A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 低温用プロ−バ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034292A JPS62190844A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 低温用プロ−バ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190844A true JPS62190844A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12410078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034292A Pending JPS62190844A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 低温用プロ−バ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6505471B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting device used at low temperature without deterioration thereof |
| JP2010060555A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Star Technologies Inc | 低温測定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224873B2 (ja) * | 1971-12-22 | 1977-07-04 | ||
| JPS5740950A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor evaluation device |
| JPS5788344A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Cryostat |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034292A patent/JPS62190844A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224873B2 (ja) * | 1971-12-22 | 1977-07-04 | ||
| JPS5740950A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor evaluation device |
| JPS5788344A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Cryostat |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6505471B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting device used at low temperature without deterioration thereof |
| US6615605B2 (en) | 2001-11-29 | 2003-09-09 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting device used at low temperature without deterioration thereof |
| JP2010060555A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Star Technologies Inc | 低温測定装置 |
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