JPS62191473A - 押出し粉末成形物の焼結法 - Google Patents
押出し粉末成形物の焼結法Info
- Publication number
- JPS62191473A JPS62191473A JP61308065A JP30806586A JPS62191473A JP S62191473 A JPS62191473 A JP S62191473A JP 61308065 A JP61308065 A JP 61308065A JP 30806586 A JP30806586 A JP 30806586A JP S62191473 A JPS62191473 A JP S62191473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- graphite
- furnace
- extruded
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 18
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 title 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 32
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 101100501281 Caenorhabditis elegans emb-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- -1 silicon carbide Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories or equipment specially adapted for furnaces of these types
- F27B5/10—Muffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any of groups F27B1/00 - F27B15/00
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B21/00—Open or uncovered sintering apparatus; Other heat-treatment apparatus of like construction
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0068—Containers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- F27D99/0001—Heating elements or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B7/00—Heating by electric discharge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
- Y10T428/2973—Particular cross section
- Y10T428/2975—Tubular or cellular
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Seal Device For Vehicle (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Press-Shaping Or Shaping Using Conveyers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、押出した粉末物質を乾燥、焼成及び焼結する
ための改良された方法に関する。本方法は高強度の焼結
した材料を与え且つ工程時間と費用を実質的に減する。
ための改良された方法に関する。本方法は高強度の焼結
した材料を与え且つ工程時間と費用を実質的に減する。
従来法においては、押出した成形物(5hape )を
炉又はキルン中で低温下に加熱することによって、一般
に押出した粉末成形物を乾燥し又は焼成する。次いでこ
の成形物を化石燃料の炉又は電気キルン中において高温
で焼結する。空気及び/又は化石燃料の燃焼生成物にさ
らすことのできない炭化物のような物質は一般に眠気炉
で焼結される。
炉又はキルン中で低温下に加熱することによって、一般
に押出した粉末成形物を乾燥し又は焼成する。次いでこ
の成形物を化石燃料の炉又は電気キルン中において高温
で焼結する。空気及び/又は化石燃料の燃焼生成物にさ
らすことのできない炭化物のような物質は一般に眠気炉
で焼結される。
炭化珪素の押出し成形物を従来法で乾燥し且つ焼結する
のは10〜100時間の長い工程時間と高エネルギーの
費用及び使用とを必要とする。
のは10〜100時間の長い工程時間と高エネルギーの
費用及び使用とを必要とする。
押出した管は従来法の場会、通常管状炉で焼結される。
管のそのような炉への押込み(push)速度は普通約
3/16インチ/分である。1つよりも多い管を1度に
焼結するためには、穴は典型的には固体の棒状材料例え
ばグラファイト中にあけられており、管は棒内のこれら
の穴の中に装填される。次いでこの装填された棒の合体
物(a s s emb 1 y )を管状炉中へ押込
む。この方法は低い未処理(green) /炉負荷比
と熱伝導の限界のためにゆっくりした押込み速度とをも
たらす。
3/16インチ/分である。1つよりも多い管を1度に
焼結するためには、穴は典型的には固体の棒状材料例え
ばグラファイト中にあけられており、管は棒内のこれら
の穴の中に装填される。次いでこの装填された棒の合体
物(a s s emb 1 y )を管状炉中へ押込
む。この方法は低い未処理(green) /炉負荷比
と熱伝導の限界のためにゆっくりした押込み速度とをも
たらす。
本発明の方法は、押出した粉末物質の成形物を乾燥し又
は焼成し、そして押出した成形物をプラズマ加熱炉中で
迅速に焼結することを含んでなる。
は焼成し、そして押出した成形物をプラズマ加熱炉中で
迅速に焼結することを含んでなる。
本発明の方法の使用は高強度生成物を与え且つ工程の時
間と費用を減する。
間と費用を減する。
本発明の方法において、押出した金属又は非金属の粉末
成形物を乾燥し又は焼成する。好適な乾燥又は焼成法は
マイクロ波照射の使用である。他にプラズマ加熱炉から
の排ガスを用いて押出した成形物を焼成又は乾燥してよ
い。焼成は乾燥より高温で起こる。斯くして押出した成
形物は焼成が望ましい場合、より高量のマイクロ波に供
さねばならない。マイクロ波照射の使用は乾燥及び焼成
時間とエネルギー必要量を減少させる。
成形物を乾燥し又は焼成する。好適な乾燥又は焼成法は
マイクロ波照射の使用である。他にプラズマ加熱炉から
の排ガスを用いて押出した成形物を焼成又は乾燥してよ
い。焼成は乾燥より高温で起こる。斯くして押出した成
形物は焼成が望ましい場合、より高量のマイクロ波に供
さねばならない。マイクロ波照射の使用は乾燥及び焼成
時間とエネルギー必要量を減少させる。
本発明によれば、乾燥又は焼成後の押出した成形物をプ
ラズマ加熱炉で焼結する。好適な焼結炉は管状炉例えば
耐グラファイト性管状炉である。
ラズマ加熱炉で焼結する。好適な焼結炉は管状炉例えば
耐グラファイト性管状炉である。
焼結法は連続式でも間断式でもよい。プラズマガスの焼
結への使用は従来法で焼結した生成物よりも最終生成物
の強度を増大させる。
結への使用は従来法で焼結した生成物よりも最終生成物
の強度を増大させる。
本発明の方法で用いる好適な粉末物質は炭化珪素である
。炭化珪素は好ましくは酸素のない雰囲気例えばアルゴ
ン、窒素又はヘリウム中で焼結される。炭化珪素の焼結
温度は、窒素雰囲気を用いる場合に1900℃以上、好
ましくは2325℃以上である。炭化珪素を2325℃
で焼結させるための好適な最小焼結時間は15分である
。炭化珪素に対する管状炉の加熱速度は好ましくは20
00℃/時以上であり、押込み速度は好ましくは3イン
チ/分以上である。好適な具体例において押出した成形
物は炭化珪素からなるけれど、他のセラミック物質例え
ばSi、N、又はSiC’−TiB4も同業者に明らか
なように勿論使用することができる。
。炭化珪素は好ましくは酸素のない雰囲気例えばアルゴ
ン、窒素又はヘリウム中で焼結される。炭化珪素の焼結
温度は、窒素雰囲気を用いる場合に1900℃以上、好
ましくは2325℃以上である。炭化珪素を2325℃
で焼結させるための好適な最小焼結時間は15分である
。炭化珪素に対する管状炉の加熱速度は好ましくは20
00℃/時以上であり、押込み速度は好ましくは3イン
チ/分以上である。好適な具体例において押出した成形
物は炭化珪素からなるけれど、他のセラミック物質例え
ばSi、N、又はSiC’−TiB4も同業者に明らか
なように勿論使用することができる。
本発明の方法において好適な押出した成形物は管である
。典型的な管壁の厚さに0.1〜0.5インチである。
。典型的な管壁の厚さに0.1〜0.5インチである。
炭化珪素の各未処理(green)の管を薄壁のグラフ
ァイト管中に封入し、次いで炉中へ押込む。従って炭化
珪素の未処理体の焼結中の分解時に生ずる珪素ガスはグ
ラファイト管内に維持される。この珪素蒸気相の過飽和
は、キム(Kim)らによる表題「炭化珪素製品の焼結
中の分解を防止する系」の関連米国特許願第
号(代理人文4第5CP−107cI号)に開示さ
れている如く炭化珪素の更なる分解を遅らせ又は防止す
る。多数の管を処理する場合でさえ、その束は対応する
薄壁のグラファイト管に封入された個々の未処理の管か
らなる。多数の管は、いくつかの管の各の1端を保持手
段にしっかりと取り付け且つ管の他端を第2の保持手段
にしつかりとJl)付けて合体物を形成させることによ
り、本発明による管状炉中で同時に焼結することができ
る。管は好ましくは容管の囲りに空間を有して互いに平
行に配置される。この管台体物を炉中へ押込んで焼結を
達成する。他の管埋外の押出した成形物も、保持手段に
固定し、管状炉で焼結することができる。
ァイト管中に封入し、次いで炉中へ押込む。従って炭化
珪素の未処理体の焼結中の分解時に生ずる珪素ガスはグ
ラファイト管内に維持される。この珪素蒸気相の過飽和
は、キム(Kim)らによる表題「炭化珪素製品の焼結
中の分解を防止する系」の関連米国特許願第
号(代理人文4第5CP−107cI号)に開示さ
れている如く炭化珪素の更なる分解を遅らせ又は防止す
る。多数の管を処理する場合でさえ、その束は対応する
薄壁のグラファイト管に封入された個々の未処理の管か
らなる。多数の管は、いくつかの管の各の1端を保持手
段にしっかりと取り付け且つ管の他端を第2の保持手段
にしつかりとJl)付けて合体物を形成させることによ
り、本発明による管状炉中で同時に焼結することができ
る。管は好ましくは容管の囲りに空間を有して互いに平
行に配置される。この管台体物を炉中へ押込んで焼結を
達成する。他の管埋外の押出した成形物も、保持手段に
固定し、管状炉で焼結することができる。
従って本発明の目的は、押出した粉末物質の成形物を、
工程時間及びエネルギー必itを減じて、また未処理/
炉負荷比を増加させて乾燥し且つ焼結するだめの迅速、
安価及び柔軟な方法を提供することでるる。
工程時間及びエネルギー必itを減じて、また未処理/
炉負荷比を増加させて乾燥し且つ焼結するだめの迅速、
安価及び柔軟な方法を提供することでるる。
本発明の更なる目的は高強度の焼結した押出し生成物を
製造することである。
製造することである。
本発明の他の目的及び更なる適用範囲は添付する図面と
関連する以下の詳細な記述から明らかになるであろう。
関連する以下の詳細な記述から明らかになるであろう。
図面は円板形の保持手段に固定された押出した管の遠近
図である。
図である。
本発明は押出した成形物をマイクロ波炉中で乾燥又は焼
成し、そして成形物をプラズマ加熱炉中で迅速に焼結す
るだめの改良された方法に関する。
成し、そして成形物をプラズマ加熱炉中で迅速に焼結す
るだめの改良された方法に関する。
本方法を用いれば、工程の時間と費用が実質的に減少し
、そして高強度生成物が生ずる。
、そして高強度生成物が生ずる。
始めに本発明を最も広い全体的な立場から記述し、続い
て更に詳細に記述する。本発明の方法において、押出し
た粉末成形物を乾燥し又は焼成する。好適な粉末物質は
炭化珪素である。好適な乾燥及び焼成法はマイクロ波照
射を用いることである。乾燥又は焼成した成形物をグラ
ファイト・シユラウド(shroud)内に封入し、次
いでプラズマ加熱炉で焼結する。管形の押出した物質に
対して好Aな炉は管状炉である。この管状炉は焼結温度
が達成されるように十分長く及び/又は十分高い加熱速
度でなければならない。窒素雰囲気中で処理される炭化
珪素に最適な焼結温度は約2325℃であゆ、最小焼結
時間は約5分である。炭化珪素の管を焼結する場合、炉
の加熱速度は好ましくは2000℃/時以上であり、押
込み(push)速度は好ましくは3インチ/分以上で
ある。いくつかの管を同時に焼結するために、管の端を
いくつかの保持手段で保持して合体物を形成させる。次
いでこの合体物を管状炉へ押込んで焼結を達成する。最
終の焼結した生成物は筒引張り強反及び密度を有する。
て更に詳細に記述する。本発明の方法において、押出し
た粉末成形物を乾燥し又は焼成する。好適な粉末物質は
炭化珪素である。好適な乾燥及び焼成法はマイクロ波照
射を用いることである。乾燥又は焼成した成形物をグラ
ファイト・シユラウド(shroud)内に封入し、次
いでプラズマ加熱炉で焼結する。管形の押出した物質に
対して好Aな炉は管状炉である。この管状炉は焼結温度
が達成されるように十分長く及び/又は十分高い加熱速
度でなければならない。窒素雰囲気中で処理される炭化
珪素に最適な焼結温度は約2325℃であゆ、最小焼結
時間は約5分である。炭化珪素の管を焼結する場合、炉
の加熱速度は好ましくは2000℃/時以上であり、押
込み(push)速度は好ましくは3インチ/分以上で
ある。いくつかの管を同時に焼結するために、管の端を
いくつかの保持手段で保持して合体物を形成させる。次
いでこの合体物を管状炉へ押込んで焼結を達成する。最
終の焼結した生成物は筒引張り強反及び密度を有する。
本発明の方法は、好ましくは炭化珪素の押出した粉末成
形物に対して使用されるが、焼結を必要とするいずれか
の金属又は非金属の押出した粉末成形物に対しても使用
できる。成形物は技術的に通常のいずれかの手段により
結合剤の有無下に押出すことができる。本発明の方法は
管状炉で焼結することができる長い成形物例えば看に対
して特に有用である。
形物に対して使用されるが、焼結を必要とするいずれか
の金属又は非金属の押出した粉末成形物に対しても使用
できる。成形物は技術的に通常のいずれかの手段により
結合剤の有無下に押出すことができる。本発明の方法は
管状炉で焼結することができる長い成形物例えば看に対
して特に有用である。
未処理の押出した成形物は本発明の方法に従って乾燥又
は焼成される。この工程は水蒸気及び他の揮発物を放出
させるのに役立ち、焼結工程中の過度な収縮を排除して
高密度生成物を生成する。
は焼成される。この工程は水蒸気及び他の揮発物を放出
させるのに役立ち、焼結工程中の過度な収縮を排除して
高密度生成物を生成する。
乾燥は焼成より低温を必要とする。乾燥は未処理の押出
した成形物中に存在する水蒸気を放出させ、一方焼成は
更に化学的に結合した揮発性成分を放出させる。好適な
乾燥又は焼成法は高周波照射を用いるマイクロ波の使用
でろる。この方法によれば、′15場のエネルギーは物
質内の熱に転換され、乾燥される。従来法の赤外照射加
熱法を用いる押出した物質の乾燥又は焼成は、物質層の
外側からの熱伝導に依存するから且つ一般に貧弱な伝導
性の外側層が故に長時間を必要とする。マイクロ波照射
の使用はマイクロ波が物質の内部まで侵入するから乾燥
及び焼成時間を短縮する。更にマイクロ波での乾燥及び
焼成は、未処理の押出した成形物を収縮させないで水及
び揮発性成分を放出させる。マイクロ波照射を用いて押
出した成形物を乾燥又は焼成するためには、成形物を最
大電場を有する領域中へ通過させねばならない。未処理
の押出した成形物をゆっくり乾燥し、明らかに更なる通
過を必要とする焼成を行なうためには、一般に電場中を
数回逍遥させることが必要である。
した成形物中に存在する水蒸気を放出させ、一方焼成は
更に化学的に結合した揮発性成分を放出させる。好適な
乾燥又は焼成法は高周波照射を用いるマイクロ波の使用
でろる。この方法によれば、′15場のエネルギーは物
質内の熱に転換され、乾燥される。従来法の赤外照射加
熱法を用いる押出した物質の乾燥又は焼成は、物質層の
外側からの熱伝導に依存するから且つ一般に貧弱な伝導
性の外側層が故に長時間を必要とする。マイクロ波照射
の使用はマイクロ波が物質の内部まで侵入するから乾燥
及び焼成時間を短縮する。更にマイクロ波での乾燥及び
焼成は、未処理の押出した成形物を収縮させないで水及
び揮発性成分を放出させる。マイクロ波照射を用いて押
出した成形物を乾燥又は焼成するためには、成形物を最
大電場を有する領域中へ通過させねばならない。未処理
の押出した成形物をゆっくり乾燥し、明らかに更なる通
過を必要とする焼成を行なうためには、一般に電場中を
数回逍遥させることが必要である。
乾燥又は焼成後、押出した成形物をグラファイト・シユ
ラウド内に入れ、次いで本発明に従ってプラズマ加熱炉
中で焼結する。プラズマで加熱されたガスと胸連する高
加熱伝導法度は、常法と比較して押出した成形物の焼結
時間を短縮する。プラズマのアークで加熱されたガスは
、1!、荷及び熱を伝播しうる電気的に荷電した粒子を
含有するという点で通常の炉で加熱されたガスと非常に
異なる。ガスはイオン化し又は解離し、そして非常に反
応性となる。プラズマガスのイオン化又は解離は焼結速
度を非常に増大させる。プラズマガスは焼結温度以上の
十分な温度まで「過熱」され、イオン化又は解離するこ
とができる;押出した成形物はプラズマガスによって非
常により低い温度まで直接加熱される。
ラウド内に入れ、次いで本発明に従ってプラズマ加熱炉
中で焼結する。プラズマで加熱されたガスと胸連する高
加熱伝導法度は、常法と比較して押出した成形物の焼結
時間を短縮する。プラズマのアークで加熱されたガスは
、1!、荷及び熱を伝播しうる電気的に荷電した粒子を
含有するという点で通常の炉で加熱されたガスと非常に
異なる。ガスはイオン化し又は解離し、そして非常に反
応性となる。プラズマガスのイオン化又は解離は焼結速
度を非常に増大させる。プラズマガスは焼結温度以上の
十分な温度まで「過熱」され、イオン化又は解離するこ
とができる;押出した成形物はプラズマガスによって非
常により低い温度まで直接加熱される。
炭化物例えば炭化珪素の規矩は、酸素又は含酸素ガス例
えば水及び二酸化炭素の不存在下に行なって、劣った物
理的及び化学的性質をもたらしうる酸化物の生成を防止
しなけれはならない。即ち従来法においては、化石燃料
炉よりもむしろ電気炉が炭化物の焼1晴に利用された。
えば水及び二酸化炭素の不存在下に行なって、劣った物
理的及び化学的性質をもたらしうる酸化物の生成を防止
しなけれはならない。即ち従来法においては、化石燃料
炉よりもむしろ電気炉が炭化物の焼1晴に利用された。
プラズマガスは不活性又は非反応性のガスが容易に利用
できるので炭化物の焼結に有用である。炭化硅素を焼結
させるのに有用なプラズマガスはアルゴン、窒素又はヘ
リウム、或いはこれらの組合せガスである。
できるので炭化物の焼結に有用である。炭化硅素を焼結
させるのに有用なプラズマガスはアルゴン、窒素又はヘ
リウム、或いはこれらの組合せガスである。
窒素ガスはプラズマアークに供した時N2分子、N原子
、N イオン及び電子という非常に反応性の混合物に解
離する。アルゴン及びヘリウムガスはプラズマアークに
供した時、解離よりはむしろイオン化する。炭化珪素の
焼結温度は窒素雰囲気中で焼結した時1900℃以上、
好ましくは2325℃である。炭化珪素に対する最小焼
結時間は2325℃において約15分間でるる。
、N イオン及び電子という非常に反応性の混合物に解
離する。アルゴン及びヘリウムガスはプラズマアークに
供した時、解離よりはむしろイオン化する。炭化珪素の
焼結温度は窒素雰囲気中で焼結した時1900℃以上、
好ましくは2325℃である。炭化珪素に対する最小焼
結時間は2325℃において約15分間でるる。
本発明の方法におけるプラズマガスの使用は、従来法の
生成物よりも最終中fiX、v/Jの強度を増大させる
。密度は従来法の生成物の密度に匹敵する。
生成物よりも最終中fiX、v/Jの強度を増大させる
。密度は従来法の生成物の密度に匹敵する。
本発明の方法に有用である好適なプラズマ加熱炉は、管
状炉例えばグラファイト耐性管状炉である。管状炉にお
いては、押出した成形物を炉の長さ方間へ押込み、そこ
でプラズマガス反応域へ供給する。炉の長さ、加熱速度
及び押込み速度は特別な押出した′+///J質の最小
焼結温度及び時間の必要条件に依存する。例えば壁の厚
さ0.1インチの6フイートの炭化油累管全2325℃
において15分間(好適な加熱及び命留時間)で焼結す
るためKは、加熱速度が9300℃/時及び押込み速度
が約5インチ/分でなければならない。この条件では冷
却ガスを炉の端に導入するために、管状炉の長さが骨の
長さより僅かに長い。2000℃/時の加熱速度及び5
インチ/分の押込み速度を使用したい場合には、押込ん
だ成形物を約45分間焼結しなければならず、また炉の
加熱域は約19フイートの最小長さを有さねばならない
。理解できることであるが、加熱速度、押込み速度及び
炉の長さは、押出した粉末物質と成形物及び所望の工程
条件に依存して非常に変化させることができる。本発明
の方法はこれらの工程条件を決定するのに選択する余地
が大きく残っている。炭化珪素の加熱速度は好ましくは
2000℃/時であり、また押込み速度は3インチ/分
以上である。
状炉例えばグラファイト耐性管状炉である。管状炉にお
いては、押出した成形物を炉の長さ方間へ押込み、そこ
でプラズマガス反応域へ供給する。炉の長さ、加熱速度
及び押込み速度は特別な押出した′+///J質の最小
焼結温度及び時間の必要条件に依存する。例えば壁の厚
さ0.1インチの6フイートの炭化油累管全2325℃
において15分間(好適な加熱及び命留時間)で焼結す
るためKは、加熱速度が9300℃/時及び押込み速度
が約5インチ/分でなければならない。この条件では冷
却ガスを炉の端に導入するために、管状炉の長さが骨の
長さより僅かに長い。2000℃/時の加熱速度及び5
インチ/分の押込み速度を使用したい場合には、押込ん
だ成形物を約45分間焼結しなければならず、また炉の
加熱域は約19フイートの最小長さを有さねばならない
。理解できることであるが、加熱速度、押込み速度及び
炉の長さは、押出した粉末物質と成形物及び所望の工程
条件に依存して非常に変化させることができる。本発明
の方法はこれらの工程条件を決定するのに選択する余地
が大きく残っている。炭化珪素の加熱速度は好ましくは
2000℃/時であり、また押込み速度は3インチ/分
以上である。
管状炉を通す押込み法は、本発明によると連続式、間断
式又はこれらの組合せ方式でろってよい。
式又はこれらの組合せ方式でろってよい。
例えば押出した成形物焼結温度が達成されるまで連続的
に炉へ押込み、次いで焼結を達成するのに十分な時間、
この位置に保持することができる。
に炉へ押込み、次いで焼結を達成するのに十分な時間、
この位置に保持することができる。
プラズマガスの管状炉における対流熱伝導を最適化する
ために、炭化珪素管を封入するグラファイト管は互いに
離れているべきである。管状炉10を用いる本発明の具
体例において、グラファイト管の端はグラファイトのよ
うな材料からできている保持手段I2に固定されて合体
物を形成し、これが焼結に際して管状炉中へ押込まれる
。保持手段はグラファイト管をその場に「保持」シ、グ
ラファイトgが炉壁に接触しないように保ち、そして焼
結中にグラファイト管をプラズマガスに露呈させる。本
発明の方法において好適な保持手段の形は平たい円板1
4である。多くの他の形例えば半球、支柱、四方形及び
六角形のものも保持手段として利用できる。軸面を保持
手段によって互いに平行に合体物中に配置することは好
適であるが、必須ではない。
ために、炭化珪素管を封入するグラファイト管は互いに
離れているべきである。管状炉10を用いる本発明の具
体例において、グラファイト管の端はグラファイトのよ
うな材料からできている保持手段I2に固定されて合体
物を形成し、これが焼結に際して管状炉中へ押込まれる
。保持手段はグラファイト管をその場に「保持」シ、グ
ラファイトgが炉壁に接触しないように保ち、そして焼
結中にグラファイト管をプラズマガスに露呈させる。本
発明の方法において好適な保持手段の形は平たい円板1
4である。多くの他の形例えば半球、支柱、四方形及び
六角形のものも保持手段として利用できる。軸面を保持
手段によって互いに平行に合体物中に配置することは好
適であるが、必須ではない。
本発明の方法に好適な押出した成形物は管16である。
管16に対して典型的な壁の厚さは約0.075インチ
でるる。図面には多数の管を同時に焼結させるだめの合
体物を例示している。図面における円板形の保持手段1
4は管の端が挿入できる孔18を有している。グラファ
イト管16を保持手段にしつかり取9つける他の手段例
えは成形物がはまり込むスロット又は突起も利用するこ
とができる。好ましくは管を互いに平行に且つ保持手段
12に対して垂直に配rtする。そして好ましくは焼結
中にプラズマガスへ露呈させるために管の間に空間を置
く。また図面は3つの円板形の保持手段に固定された管
を含んでなる合体物も例示している。保持手段間に配置
しつる管の数は、管及び管状炉の直径に依存する。管板
外の他の押出した成形物も本発明に従って処理できる。
でるる。図面には多数の管を同時に焼結させるだめの合
体物を例示している。図面における円板形の保持手段1
4は管の端が挿入できる孔18を有している。グラファ
イト管16を保持手段にしつかり取9つける他の手段例
えは成形物がはまり込むスロット又は突起も利用するこ
とができる。好ましくは管を互いに平行に且つ保持手段
12に対して垂直に配rtする。そして好ましくは焼結
中にプラズマガスへ露呈させるために管の間に空間を置
く。また図面は3つの円板形の保持手段に固定された管
を含んでなる合体物も例示している。保持手段間に配置
しつる管の数は、管及び管状炉の直径に依存する。管板
外の他の押出した成形物も本発明に従って処理できる。
本発明は長さと中の比が大きい押出した成形物に対して
特に有用である。また本発明は連続焼絖法が望ましいい
ずれかの成形物に対しても有用である。
特に有用である。また本発明は連続焼絖法が望ましいい
ずれかの成形物に対しても有用である。
この場合にも成形物を独々の保持手段に固定して合体物
となし、これを管状炉中へ押し込むことができ、押出し
た成形物の1端は1つの保持手段にしっかりと取りつけ
られ且つ他端は第2の保持手段にしつかり取り付けられ
ている。そのような保持手段を用いると、高い未処理/
炉負荷比となり、従って工程の時間と費用が減少する。
となし、これを管状炉中へ押し込むことができ、押出し
た成形物の1端は1つの保持手段にしっかりと取りつけ
られ且つ他端は第2の保持手段にしつかり取り付けられ
ている。そのような保持手段を用いると、高い未処理/
炉負荷比となり、従って工程の時間と費用が減少する。
次の限定を意図しない実施例は本発明を更に例示する。
実施例1
長さ6′、外径1“及び内径0.7“を有する押出した
α−炭化珪素の6本の管をマイクロ波炉で乾燥した。管
を平行に位置させ、電力1.5kw及びベルト速度1f
tZ分において12回炉中を通過させた。各通過中の滞
留時間は6分間であった。
α−炭化珪素の6本の管をマイクロ波炉で乾燥した。管
を平行に位置させ、電力1.5kw及びベルト速度1f
tZ分において12回炉中を通過させた。各通過中の滞
留時間は6分間であった。
管はマイクロ波での処理中にその重さを19%減じた。
この乾燥した管の3本を、管を電力2kW及びベルト速
度13tn/分において更に2回通過させることによっ
て焼成した。管の表面で測定した最商温度は470’F
であった。この乾燥し且つ焼成した管を長さ14“に切
断し、プラズマ・バッチ式炉内に青を垂直に配置するこ
とによって加熱した。加熱速度は3200℃/時であり
、管を15分間2325℃に保った。第1表は焼成され
た管の密度及び引張り強度を示す。すべての管はもれ試
験に合格した。管のいくつかの引張り強度は従来法で焼
結した炭化珪素管のそれ(10,000psi)より優
れていた。
度13tn/分において更に2回通過させることによっ
て焼成した。管の表面で測定した最商温度は470’F
であった。この乾燥し且つ焼成した管を長さ14“に切
断し、プラズマ・バッチ式炉内に青を垂直に配置するこ
とによって加熱した。加熱速度は3200℃/時であり
、管を15分間2325℃に保った。第1表は焼成され
た管の密度及び引張り強度を示す。すべての管はもれ試
験に合格した。管のいくつかの引張り強度は従来法で焼
結した炭化珪素管のそれ(10,000psi)より優
れていた。
第1表
焼結した炭化珪素管の性質
乾燥 2.997 合格 14,00
0乾燥 2.984 合格 6.2
00乾燥 2.999 合格 15,
300乾燥 2.992 合格 8
,900乾燥 2.990 合格 1
7,000乾燥 2.992 合格 5
,500焼成 3.025 合格
*焼成 3.036 合格
*焼成 3.031 合格 19,
100焼成 2.914 合格 9
,500焼成 2.924 合格
16.000焼成 2.921 合格
** 試験中に管が破壊 斯くして押出した粉末物質の成形物を乾燥且つ焼結する
ための改良された方法が発見された。本発明の方法は工
程の時間と費用をかなり減じ、高強度の生成物を生成す
る。
0乾燥 2.984 合格 6.2
00乾燥 2.999 合格 15,
300乾燥 2.992 合格 8
,900乾燥 2.990 合格 1
7,000乾燥 2.992 合格 5
,500焼成 3.025 合格
*焼成 3.036 合格
*焼成 3.031 合格 19,
100焼成 2.914 合格 9
,500焼成 2.924 合格
16.000焼成 2.921 合格
** 試験中に管が破壊 斯くして押出した粉末物質の成形物を乾燥且つ焼結する
ための改良された方法が発見された。本発明の方法は工
程の時間と費用をかなり減じ、高強度の生成物を生成す
る。
以上本発明をその好適な具体例を参照にして記述してき
たけれど、他の具体例も同一の結果を達成することがで
きる。本発明の変化及び改変は同業者にとって明白であ
ろうし、すべてのそのような改変及び同等の態様は特許
請求の範囲に包含されることが意図される。
たけれど、他の具体例も同一の結果を達成することがで
きる。本発明の変化及び改変は同業者にとって明白であ
ろうし、すべてのそのような改変及び同等の態様は特許
請求の範囲に包含されることが意図される。
Xiは円板形の保持手段に固定された押出した管の遠近
図である。 特許出願人 ケネコット・コーポレーション C代 ヨ
。弁ヨ± 7]、6島 平 吉(手続補正書(
龍) 昭和62年3月3日 特許庁長官 黒 1) 明 雄 殿 1、事件の表示 昭和61年特許m第308065号 2、発明の名称 押出し粉末成形物の焼結法 3、@正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ケネコット・コーボンーシミン4、代理人 〒
107 5.1正命令の日付 なし 6、@正の対象 図面
図である。 特許出願人 ケネコット・コーポレーション C代 ヨ
。弁ヨ± 7]、6島 平 吉(手続補正書(
龍) 昭和62年3月3日 特許庁長官 黒 1) 明 雄 殿 1、事件の表示 昭和61年特許m第308065号 2、発明の名称 押出し粉末成形物の焼結法 3、@正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ケネコット・コーボンーシミン4、代理人 〒
107 5.1正命令の日付 なし 6、@正の対象 図面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)押出した粉末成形物を乾燥又は焼成し; b)該押出した粉末成形物をグラファイト・シユラウド
(shroud)内に封入し; c)該グラファイト・シユラウドの1端を1つの保持手
段にしつかり取りつけ且つ該グラファイト・シユラウド
の他端を第2の保持手段にしつかり取りつけることによ
つて、該グラファイト・シユラウドの両端を該保持手段
に固定して合体物を形成し;そして d)該グラファイトに封入した押出した成形物をプラズ
マ加熱管状炉中で急速に焼結する、工程を含んでなる押
出した粉末物質の焼結法。 2、該押出した成形物をマイクロ波炉中で乾燥又は焼成
する特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、該押出した成形物をプラズマ加熱炉からの排ガスで
乾燥又は焼成する特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、該保持手段が平たい円板を含んでなる特許請求の範
囲第1項記載の方法。 5、該円板の直径が該管状炉の直径よりも小さい特許請
求の範囲第4項記載の方法。 6、該円板の面が該合体物内において互いに平行に位置
する特許請求の範囲第4項記載の方法。 7、該しつかりした取りつけが該グラファイト・シユラ
ウドの両端を該保持手段中の穴に挿入することを含んで
なる特許請求の範囲第1項記載の方法。 8、該合体物を焼結に際して該管状炉中へ押込む特許請
求の範囲第1項記載の方法。 9、該合体物を連続的な方法で該管状炉中へ押込む特許
請求の範囲第8項記載の方法。 10、該合体物を間断的な方法で該管状炉中へ押込む特
許請求の範囲第8項記載の方法。 11、該押出した成形物が管を含んでなる特許請求の範
囲第1項記載の方法。 12、該管がグラファイト管内に封入される特許請求の
範囲第11項記載の方法。 13、複数の管がプラズマ加熱炉中において同時に焼結
される特許請求の範囲第11項記載の方法。 14、該焼結工程に先立つて、該グラファイト管の各々
の1端を1つの保持手段にしつかり取り付け且つ該グラ
ファイト管の各々の他端を第2の保持手段にしつかり取
り付けることにより、該グラファイト管の両端を保持手
段に固定して合体物を形成する特許請求の範囲第13項
記載の方法。 15、該保持手段が平たい円板を含んでなる特許請求の
範囲第14項記載の方法。 16、該円板の直径が該管状炉の直径より小さい特許請
求の範囲第15項記載の方法。 17、該円板の面が該合体物内において互いに平行に位
置している特許請求の範囲第15項記載の方法。 18、該グラファイト管が該円板の面に直角に位置して
いる特許請求の範囲第17項記載の方法。 19、該しつかりした取り付けが該グラファイト管の両
端を該保持手段中の穴に挿入することを含んでなる特許
請求の範囲第14項記載の方法。 20、該グラファイト管を、それが焼結中互いに或いは
該管状炉の壁に接触しないように位置させる特許請求の
範囲第14項記載の方法。 21、該合体物を焼結に際して該管状炉中へ押込む特許
請求の範囲第14項記載の方法。 22、該合体物を連続的な方法で該管状炉中へ押込む特
許請求の範囲第21項記載の方法。 23、該合体物を間断的な方法で該管状炉中へ押込む特
許請求の範囲第21項記載の方法。 24、該押出した成形物が炭化珪素、窒化珪素又は炭化
珪素−ホウ化チタン複合物からなる群から選択される特
許請求の範囲第1項記載の方法。 25、該押出した成形物が炭化珪素管を含んでなる特許
請求の範囲第24項記載の方法。 26、該押出した炭化珪素管を、2000℃/時より大
きい加熱速度及び3インチ/分より大きい押込み速度で
焼結する特許請求の範囲第25項記載の方法。 27、a)押出した炭化珪素管をマイクロ波炉中で乾燥
又は焼成し; b)該炭化珪素管を薄壁のグラファイト管中に封入し; c)該グラファイト管の各々の1端を1つの保持手段に
しつかり取り付け、そして該グラファイト管の各々の他
端を第2の保持手段にしつかり取りつけることにより、
該グラファイト管の両端を保持手段に固定して合体物を
形成し;そしてd)該合体物を該プラズマ加熱管状炉中
へ3インチ/分より大きい押込み速度で押込むことによ
り、該管を2000℃/時より大きい加熱速度を有する
プラズマ加熱管状炉中で焼結する、工程を含んでなる押
出した炭化珪素管をプラズマ加熱管状炉中で焼結する方
法。 28、a)押出した炭化珪素管をマイクロ波炉中で乾燥
又は焼成し;そして b)該管を該管状炉中へ3インチ/分より大きい押込み
速度で押込むことにより、該管を2000℃/時より大
きい加熱速度を有するプラズマ加熱管状炉中で焼結する
、 工程に従つて製造された炭化珪素管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/815,981 US4666775A (en) | 1985-04-01 | 1986-01-03 | Process for sintering extruded powder shapes |
| US815981 | 1992-01-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62191473A true JPS62191473A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=25219356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308065A Pending JPS62191473A (ja) | 1986-01-03 | 1986-12-25 | 押出し粉末成形物の焼結法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4666775A (ja) |
| EP (1) | EP0228864B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62191473A (ja) |
| AT (1) | ATE61557T1 (ja) |
| AU (1) | AU598781B2 (ja) |
| BR (1) | BR8606487A (ja) |
| DE (1) | DE3678130D1 (ja) |
| DK (1) | DK787A (ja) |
| ES (1) | ES2021281B3 (ja) |
| NO (1) | NO870013L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115175429A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-11 | 福建省万旗科技陶瓷有限公司 | 一种用于工件烧结的等离子发生器及使用方法 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698481A (en) * | 1985-04-01 | 1987-10-06 | Kennecott Corporation | Method for preventing decomposition of silicon carbide articles during high temperature plasma furnace sintering |
| US5422322A (en) * | 1993-02-10 | 1995-06-06 | The Stackpole Corporation | Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same |
| US5580834A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-03 | The Morgan Crucible Company Plc | Self-sintered silicon carbide/carbon graphite composite material having interconnected pores which may be impregnated and raw batch and process for producing same |
| US5397530A (en) * | 1993-04-26 | 1995-03-14 | Hoeganaes Corporation | Methods and apparatus for heating metal powders |
| CA2124093C (en) * | 1994-03-31 | 2001-04-17 | Prasad S. Apte | Microwave sintering process |
| US5968653A (en) * | 1996-01-11 | 1999-10-19 | The Morgan Crucible Company, Plc | Carbon-graphite/silicon carbide composite article |
| EP0842025B1 (en) * | 1996-05-17 | 2002-10-30 | Implico B.V. | Process and installation for making extruded sintered ceramic artifact |
| BR9901512A (pt) * | 1999-05-27 | 2001-01-09 | Lupatech S A | Processo de extração por plasma de ligantes |
| US7108746B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-09-19 | Integrated Materials, Inc. | Silicon fixture with roughened surface supporting wafers in chemical vapor deposition |
| US20020170487A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Raanan Zehavi | Pre-coated silicon fixtures used in a high temperature process |
| EP1361437A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-12 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | A novel biological cancer marker and methods for determining the cancerous or non-cancerous phenotype of cells |
| US7498066B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
| US7494904B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
| US20060237398A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-26 | Dougherty Mike L Sr | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
| US7560657B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-07-14 | Btu International Inc. | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
| US7638727B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
| WO2003096749A1 (en) | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Dana Corporation | Plasma-assisted heat treatment |
| JP4163681B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2008-10-08 | レオナード クルツ シュティフトゥング ウント コンパニー カーゲー | 大型のプラスチック製三次元物体の装飾方法 |
| US7497922B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
| US20060228497A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-12 | Satyendra Kumar | Plasma-assisted coating |
| US20050233091A1 (en) * | 2002-05-08 | 2005-10-20 | Devendra Kumar | Plasma-assisted coating |
| US20060062930A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-23 | Devendra Kumar | Plasma-assisted carburizing |
| US7432470B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-10-07 | Btu International, Inc. | Surface cleaning and sterilization |
| US20060233682A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-19 | Cherian Kuruvilla A | Plasma-assisted engine exhaust treatment |
| US7445817B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
| US7465362B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-12-16 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
| US20060057016A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-16 | Devendra Kumar | Plasma-assisted sintering |
| US7189940B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
| WO2006127037A2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-11-30 | Dana Corporation | Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas |
| US9995417B2 (en) * | 2012-03-22 | 2018-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Extended length tube structures |
| US9290311B2 (en) | 2012-03-22 | 2016-03-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sealed containment tube |
| CN106007727A (zh) * | 2016-05-11 | 2016-10-12 | 合肥工业大学 | 一种快速烧结制备LaB6/ZrB2共晶复合材料的方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US30286A (en) * | 1860-10-09 | Bedstead-fastening | ||
| AU432371B2 (en) * | 1967-07-13 | 1973-02-06 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization | Plasma sintering |
| US3935371A (en) * | 1973-02-16 | 1976-01-27 | Camacho Salvador L | Plasma heated batch-type annealing furnace |
| SE371455B (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-18 | Norrbottens Jaernverk Ab | |
| US4004934A (en) * | 1973-10-24 | 1977-01-25 | General Electric Company | Sintered dense silicon carbide |
| US4190439A (en) * | 1973-12-28 | 1980-02-26 | Union Carbide Corporation | Process for the preparation of fine grain metal carbide powders and sintered articles therefrom |
| US4041117A (en) * | 1975-06-30 | 1977-08-09 | General Electric Company | Silicon carbide sintered body |
| US4056589A (en) * | 1976-02-18 | 1977-11-01 | Ford Motor Company | Method for sintering ceramics |
| USRE30286E (en) | 1976-11-22 | 1980-05-27 | The Carborundum Company | Method of producing high density silicon carbide product |
| US4469002A (en) * | 1977-01-31 | 1984-09-04 | Thayer Orla E | Axial flow valve |
| US4346049A (en) * | 1978-05-01 | 1982-08-24 | Kennecott Corporation | Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure |
| US4179299A (en) * | 1978-05-01 | 1979-12-18 | The Carborundum Company | Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure |
| US4353885A (en) * | 1979-02-12 | 1982-10-12 | Ppg Industries, Inc. | Titanium diboride article and method for preparing same |
| DD147870A1 (de) * | 1979-12-14 | 1981-04-22 | Fred Esser | Metallurgischer plasmaschmelzofen |
| FR2473248A1 (fr) * | 1980-01-07 | 1981-07-10 | Commissariat Energie Atomique | Generateur de gaz ionise a tres haute pression et tres haute temperature |
| DE3040771A1 (de) * | 1980-10-29 | 1982-05-27 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Verfahren zur herstellung von praktisch porenfreien, polykristallinen formkoerpern duch isostatisches heisspressen in glashuellen |
| GB2106142B (en) * | 1981-08-10 | 1985-05-22 | Kennecott Corp | Sintering refractory articles using direct-heated gases |
| FR2512536B1 (fr) * | 1981-09-07 | 1989-09-01 | Siderurgie Fse Inst Rech | Procede pour alimenter en energie un four de rechauffage de produits metallurgiques |
| US4707583A (en) * | 1983-09-19 | 1987-11-17 | Kennecott Corporation | Plasma heated sintering furnace |
| US4559312A (en) * | 1983-09-19 | 1985-12-17 | Kennecott Corporation | Sintering or reaction sintering process for ceramic or refractory materials using plasma arc gases |
| US4490319A (en) * | 1983-10-26 | 1984-12-25 | General Electric Company | Rapid rate sintering of ceramics |
| US4676940A (en) * | 1985-04-01 | 1987-06-30 | Kennecott Corporation | Plasma arc sintering of silicon carbide |
-
1986
- 1986-01-03 US US06/815,981 patent/US4666775A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-12-16 ES ES86309823T patent/ES2021281B3/es not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-16 DE DE8686309823T patent/DE3678130D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-16 AT AT86309823T patent/ATE61557T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-12-16 EP EP86309823A patent/EP0228864B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-25 JP JP61308065A patent/JPS62191473A/ja active Pending
- 1986-12-30 BR BR8606487A patent/BR8606487A/pt unknown
- 1986-12-31 AU AU67095/86A patent/AU598781B2/en not_active Ceased
-
1987
- 1987-01-02 NO NO870013A patent/NO870013L/no unknown
- 1987-01-02 DK DK000787A patent/DK787A/da not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115175429A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-11 | 福建省万旗科技陶瓷有限公司 | 一种用于工件烧结的等离子发生器及使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0228864B1 (en) | 1991-03-13 |
| EP0228864A2 (en) | 1987-07-15 |
| BR8606487A (pt) | 1987-10-20 |
| ATE61557T1 (de) | 1991-03-15 |
| ES2021281B3 (es) | 1991-11-01 |
| US4666775A (en) | 1987-05-19 |
| AU6709586A (en) | 1987-07-09 |
| DK787A (da) | 1987-07-04 |
| NO870013L (no) | 1987-07-06 |
| DE3678130D1 (de) | 1991-04-18 |
| EP0228864A3 (en) | 1988-02-24 |
| DK787D0 (da) | 1987-01-02 |
| AU598781B2 (en) | 1990-07-05 |
| NO870013D0 (no) | 1987-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62191473A (ja) | 押出し粉末成形物の焼結法 | |
| KR20050101328A (ko) | 재료를 균일하게 열처리하는 방법 및 시스템 | |
| KR100979641B1 (ko) | 탄소 발포체의 마이크로파 조력 처리 | |
| US20030160044A1 (en) | High efficiency, oxidation resistant radio frequency susceptor | |
| JPS62158983A (ja) | 連続式マイクロ波加熱炉 | |
| JP2005516883A5 (ja) | ||
| CA3162026A1 (en) | Apparatus and methods for sintering | |
| JPH0569767B2 (ja) | ||
| US20180292133A1 (en) | Heat treating furnace | |
| EP0235570A1 (en) | Susceptor | |
| JPH03267304A (ja) | マイクロ波焼結法 | |
| JP2022101920A (ja) | 縦型ウエハボート | |
| JPS62128974A (ja) | 管状部材の製造方法 | |
| JPH0239473B2 (ja) | Ensekigaisenhoshataioyobisonoseizoho | |
| JP2001072472A (ja) | 炭化珪素焼成用治具 | |
| US4698481A (en) | Method for preventing decomposition of silicon carbide articles during high temperature plasma furnace sintering | |
| JPH0416439B2 (ja) | ||
| JPH0426576A (ja) | 炭化けい素被覆炭素製品及びその製造方法 | |
| EP0432794A1 (en) | Silicon carbide composite structure in use for cooking in a microwave oven | |
| JP2000335989A (ja) | 炭化ホウ素質焼結体およびその製造方法、セラミック焼成用治具並びにそれを用いた窒化物系セラミック部材の製造方法 | |
| JP4128263B2 (ja) | SiC/SiC複合材製品の製造方法 | |
| JPS60131783A (ja) | 炭素発熱体の製造法 | |
| JPS6425509A (en) | Manufacture of ceramic coil | |
| JPH04193705A (ja) | 炭素材の製造方法 | |
| JPS60200895A (ja) | 分子線結晶成長装置の噴出セル構造 |