JPS62196627A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents

エレクトロクロミツク表示素子

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JPS62196627A
JPS62196627A JP61038891A JP3889186A JPS62196627A JP S62196627 A JPS62196627 A JP S62196627A JP 61038891 A JP61038891 A JP 61038891A JP 3889186 A JP3889186 A JP 3889186A JP S62196627 A JPS62196627 A JP S62196627A
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JP
Japan
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film
current density
display
ecd
electrode
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Pending
Application number
JP61038891A
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English (en)
Inventor
Tomoo Kamigaki
友夫 神垣
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、エレクトクロミック表示素子(以下、ECD
と略称する。)に関し、特に応答速度の改善に関する。
「従来技術およびその問題点」 近年、 EC:Dは視角依存性がなく、大面積表示がで
き、表示にメモリ性があるなとの理由から表示素子とし
て注目されるようになってきた。
ECDの表示材料や対向電極材料としては、有機系、無
機系のさまざまな材料が採用されているが、無機系にお
いては従来の酸化タングステンの他に、ヘキサジ7ノ鉄
酸鉄(プルシアンブルー、以下PBと略記する)やその
類似体が色の鮮明さ、反応の可逆性から検討されている
。このPBは、メッキと同様な電解成膜法により定量的
に成膜できるという特徴がある。
しかしながら、ECDが同じ受光型の表示素子である液
晶表示素子(LCD)に比べて実用化が遅れているのは
、応答速度が遅いことと、駆動回路が複雑であること等
のためである。特に、応答速度については、ECDの主
な用途の一つと考えられる時計において秒表示ができな
いという大きな問題点があった。
「発明の目的」 本発明の目的は、応答速度を速くし、例えば時計などに
おいて秒表示が可能となるようにしたgcoを提供する
ことにある。
「発明の構成」 本発明者は、電解成膜が可能であるというPBの特徴を
活し、着消色の応答が速くなるような成膜方法を種々検
討した結果、PB膜を定電流析出法を使用して特定の電
流密度で形成することにより。
上記目的が達成されることを見出し本発明を完成するに
至った。
すなわち、本発明のECDは、表示電極と対向電極との
間に電解質が介在され、前記表示電極の内側にPB膜が
形成されてなり、前記PB膜の少なくとも表層が、定電
流電解析出法を使用して40h A/c+a2以上50
0ルAlc112以下の電流密度で形成された膜で構成
されていることを特徴とする。
このように、PB膜の少なくとも表層を401LA/c
IIz以上50011 A/c+s2以下の電流密度で
析出形成した膜で構成することにより1着消色反応を速
くして応答速度の速いECDとすることができ、例えば
時計に適用した場合に秒表示を可能とすることができる
本発明のECDの構成は、特に限定されないが、例えば
次のような構成とすることができる。すなわち、ガラス
等の透明な絶縁性基板上に、例えば酸化インジウム、酸
化スズ等からなる透明な表示電極を形成する。そして、
表示電極上にEC物質層としてPB膜を後述の特定の条
件の下で電解析出法により形成する。この場合、表示電
極およびPB膜はパターン化してもよい。
電解析出法によるPB膜の形成は、例えば第7図に示す
方法によって行なわれる。すなわち、第二鉄イオンおよ
びフェリジアンイオンを含む析出液1Bを入れたビーカ
ー17中に、PB膜を析出させようとする基板18およ
びPa析出時の対向電極となる白金網19を浸漬し、定
電流電源であるガルバノスタット20に接続する。ガル
バノスタット20は、波形発振器21により制御される
。波形発振器21は必要に応じて矩形波22)階段波2
3、ランプ波24を出力し、ガルバノスタット20の出
力電流値および通電時間を制御して所望のPB膜を基板
上に電解析出せしめる。
一方、別の絶縁性基板上に上記と同様な透明電極あるい
は金属薄膜などからなる対向電極を形成し、さらにこの
対向電極上に酸化還元物質層を形成する。酸化還元物質
層としては、表示極と同様な電解析出法によるPBIl
gを用いてもよいが、その他、酸化タングステンや二酸
化マンガンとカーボンブラックとを結合剤に分散して対
向電極上に塗布したものなど、各種のものが使用できる
そして、表示電極が形成された絶縁性基板と対向電極が
形成された絶縁性基板と大スペーサを介して貼り合せ、
周縁部をエポキシ樹脂等により接着シールする。この場
合、前基板の間にイオン透過性の多孔質白色背景板を介
在させてもよい。
最後に、こうして形成されたセル内部に電解液を注入し
てECDを構成する。電解液としては、塩化カリウム、
硫酸カリウム、塩化ルビジウムなど種々のものが使用で
き、必要に応じてPHを調整してもよい。
本発明において、表示極のPB膜の少なくとも表層は、
特定の析出条件の下で形成される。すなわち、PBII
Iの少なくとも表層は、定電流電解析出法を使用して4
0ルAlC112以上500 ILA/am2以下の電
流密度で形成される0本発明の好ましい態様によれば、
前記PB膜は、表示電極上に直接40 g A/cm2
以上500ルA/am’以下の電流密度で形成された膜
で構成される。また、本発明の別の好ましい態様によれ
ば、前記PB膜は1表示電極に接して1p、 A/c■
2以上40 p、 A/c■2以下の電流密度で形成さ
れた第1のPB膜と、このPB膜に接して40 p、 
A/cta2以上500 g A/cm2以下の電流密
度で形成された第2のPa膜とで構成される。本発明の
さらに別の好ましい態様によれば、前記第1のPa膜と
前記第2のPa膜との境界部分が、低電流密度から高電
流密度に連続的に電流密度を変化させて形成された膜と
なっている。
このように、析出電流密度を変化させることにより、 
Pa膜の物性がとのように変化するかは明らかでないが
、パラメータの一つとして、その結晶性が変化すること
がX線回折法により判明した。
すなわち、定電流電解析出法により析出したPa膜は1
例えば第3図に示すように、X線回折測定時に20= 
17.4°に鋭いピークを示す、このとき、Pa膜のそ
の他のピークは、透明電極のピークと重なり判然としな
い、なお、第3図は、電流密度5wA/cII12で析
出したPa膜で、ターゲットとしてCu Kαを用いた
結果である。そこで、2θ=17.4°のピークの面積
を「結晶化度」とすると、析出電波密度と結晶化度との
関係は、第4図に示すような結果となった。すなわち、
高電流密度になるほどPBの結晶化度が小さくなってい
る。
次に、析出電波密度を変えて形成した名種のPa膜を有
するECUについて、第5図に示すよフな装ごを用いて
電流応答速度を測定した。なお、第5図において、lO
は表示電極部、1は表示電極側の絶縁性基板、2は表示
電極、4はEC物質層としてのPa膜、20は対向電極
部、5は対向電極側の絶縁性基板、6は対向電極、7は
酸化還元物質層としてのPa膜、12は波形発振器、1
3は二電極式のポテンシオスタット、14はトランジェ
ントメモリ、15はX−Yレコーダである。ここで求め
られた電流応答速度は、着色反応時に流れる電流値がそ
のピーク電流値のl/10になるのに要した時間で、通
常の色変化の測定による応答速度に対応している。こう
して測定したPa膜の析出電流密度と応答時間のうち消
色に要する時間(以下、消色応答時間とする)との関係
を第6図に示す。このように、析出電流密度が大きいは
ど消色応答時間は短くなり、特に電流密度40ルA/c
m2以上で析出したPa膜においては良好な結果が得ら
れることが分る。しかしながら、500 μA/am2
を超える電流密度でPa膜を形成した場合には、色むら
が大となり、良好な結果が得られなかった。
また、表示電極上に40 u、 A/cm2未満の低電
流密度で析出させたPa膜を有する場合でも、その上部
に40 jL A/cm2以上の高電流密度で析出させ
たPa膜を積層することにより、上記と同様な結果が得
られることがわかった。ただし、この場合、積層したP
a膜のX線回折像は、2種類の電流密度で析出したPa
膜の中間的なパターンを示した。さらに、表示電極上に
404. A/cm2未満の低電流密度でPa膜を析出
させた後、連続的に電流密度を高めながら40ルA/a
m2以上の高電流密度となるまでPa膜を析出させて形
成した場合にも、上記と同様な結果が得られることがわ
かった。
このように、析出電流密度を変えることによりPa膜の
結晶化度が変化し、それによって応答速度が変化する。
この理由は、明らかではないが、Pa膜の着消色の際の
動作イオンであるカリウムイオンのPa膜内あるいはP
a膜と電解液の界面での動きやすさに関係しているもの
と考えられる。
「発明の実施例」 第2図には、本発明によるECDに採用される表示電極
部10が示されている。すなわち、ガラス等の表示電極
基板lの上にI↑0膜などからなる透明電極2が形成さ
れ、例えば5iQ2のような透明絶縁膜3によりバター
ニングされている。このガラス基板1を、過塩素酸第2
鉄20■に水溶液とフェリシアン化カリウム20mM水
溶液の混合溶液中に、白金網なとの対極と共に浸漬する
0次に、対極を基準にして定電流電源よりカソード電流
を所定の量だけ通電することによりEC物質層としての
Pa膜4が形成される0本発明では、Pa膜4を40 
g A/cm2以上500 ルA/c+s2以下の電流
密度で析出させるようにする。
第1図には、上記表示電極部10を適用した本発明によ
るECDが示されている。すなわち、上記表示電極部1
0に対応して対向電極部20が設けられている。対向電
極部20は、ガラス等の対向電極基板5上に対向電極6
が形成され、この対向電極6J:。
に上記と同様な方法で酸化還元物質層としてのPBB1
0形成されている。そして、表示電極基板1と対向電極
基板5とが、それらの間に白色背景板8を挾んで、スペ
ーサ9を介して貼り合わされ、周縁部をエポキシ樹脂等
によりシールされる。さらに、セル内部に0.5モル硫
酸カリウム水溶液からなる電解液11が注入されてでき
ている。
このECDは、対向電極6を基準として1表示電極2に
+0.2vを印加することにより白色を背景とした青色
が表示され、表示電極2に−o、evを印加することに
より背景の白色のみが見える鮮明な色変化を示す。
上記のECDについて、表示電極2上に形成するPBB
4O析出条件、すなわち電流密度を種々変えて製造した
。そして、各ECDについて着色時および消色時の電流
応答時間を前述した方法により測定した。その結果を次
表に示す。
(以下、余白) この表より、 Pa膜4の少なくとも表層の析出電流密
度を40 g A/C!12以上500 JL A/c
ra2以下の範囲とした本発明によるEC:[]におい
ては、着消色時の応答時間が短くなり、応答速度が改善
されることがわかる。
「発明の効果」 以上説明したように、本発明によれば、表示電極の内側
に設けるPa膜の少なくとも表層を定電流電解析出法に
より特定の電流密度で析出形成することにより、Pa膜
の結晶化度を変化させて、応答速度の速いECDを得る
ことができる。また、Pa膜の析出時の電流密度を特定
の高電流密度に保ったり、低電流密度から高電流密度に
変化させるだけでよいので、製造における操作も簡単で
ある。そして、応答速度が改善されるので、例えば時計
における秒表示なども可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるEGOの実施例を示す断面図、第
2図は同ECI]の表示電極部を示す断面図、第3図は
定電流電解析出法により表示電極上に析出したPa膜の
X線回折パターンを示す図表、第4図はPa膜の析出電
流密度と結晶化度との関係を示す図表、第5図はECD
の電流応答性を測定する際に使用した装置のブロック図
、第6図はPa膜の析出電流密度とECUの消色応答時
間との関係を示す図表、第7図は電解析出法によるPa
膜の形成装置を示すブロック図である。 図中、10は表示電極部、1は表示電極基板、2は表示
電極、3は透明絶縁膜、4はPa膜、20は対向電極部
、5は対向電極基板、Bは対向電極、7はPa膜、8は
白色背景板、3はスペーサ、11は電解液である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表示電極と対向電極との間に電解質が介在され、
    前記表示電極の内側にプルシアンブルー膜が形成されて
    なるエレクトロクロミック表示素子において、前記プル
    シアンブルー膜の少なくとも表層が、定電流電解析出法
    を使用して40μA/cm^2以上500μA/cm^
    2以下の電流密度で形成された膜で構成されていること
    を特徴とするエレクトロクロミック表示素子。
  2. (2)特許請求の範囲第1項において、前記プルシアン
    ブルー膜が、前記表示電極に接して1μA/cm^2以
    上40μA/cm^2未満の電流密度で形成された第1
    のプルシアンブルー膜と、この膜に接して40μA/c
    m^2以上500μA/cm^2以下の電流密度で形成
    された第2のプルシアンブルー膜とで構成されているエ
    レクトロクロミック表示素子。
  3. (3)特許請求の範囲第2項において、前記第1のプル
    シアンブルー膜と前記第2のプルシアンブルー膜との境
    界部分が、低電流密度から高電流密度に連続的に電流密
    度を変化させて形成された膜となっているエレクトロク
    ロミック表示素子。
JP61038891A 1986-02-24 1986-02-24 エレクトロクロミツク表示素子 Pending JPS62196627A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158771A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology シアノ架橋金属錯体抵抗素子および抵抗制御方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158771A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology シアノ架橋金属錯体抵抗素子および抵抗制御方法

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