JPS62196667A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS62196667A JPS62196667A JP3879186A JP3879186A JPS62196667A JP S62196667 A JPS62196667 A JP S62196667A JP 3879186 A JP3879186 A JP 3879186A JP 3879186 A JP3879186 A JP 3879186A JP S62196667 A JPS62196667 A JP S62196667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- light
- pbs
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、光（紫外光、可視光、赤外光、Ｘ線、γ線
、等の電磁波）に対して感度を有する電子写真感光体に
関する。
、等の電磁波）に対して感度を有する電子写真感光体に
関する。
（従来の技術）
電子写真感光体においては、感光体表面にコロナ放電に
より電荷（例えば、正電荷）を付与して帯電させる。次
いで、この感光体表面を所定のパターンで光照射すると
、光導電層における光が照射された領域に電子と正孔と
の対が発生し、表面電荷がこの電子により中和される。
より電荷（例えば、正電荷）を付与して帯電させる。次
いで、この感光体表面を所定のパターンで光照射すると
、光導電層における光が照射された領域に電子と正孔と
の対が発生し、表面電荷がこの電子により中和される。
正孔キャリアは光導電層を走行して導電性支持体に到達
する。
する。
一方、感光体表面の光の照射を受けなかった領域には正
電荷が残存しており、これにより、正電荷による静電潜
像が形成される。この感光体表面に現像器からトナーを
静電気的に吸引させて付着させると、感光体表面の静電
潜像が可視化される。
電荷が残存しており、これにより、正電荷による静電潜
像が形成される。この感光体表面に現像器からトナーを
静電気的に吸引させて付着させると、感光体表面の静電
潜像が可視化される。
この場合に、感光体と現像器との間に現像バイアスをか
けて、電荷による電場と逆方向の電場が生ずるようにし
である。
けて、電荷による電場と逆方向の電場が生ずるようにし
である。
このような電子写真感光体においては、コロナ放電によ
り帯電した電荷が光照射後現像されるまで保持されてｆ
ｆｉ荷保持能が＾いこと、及び光照射により発生したキ
ャリア対が再結合することなく、その一方が表面電荷を
中和し、他方が迅速に導電性支持体まで走行する等、キ
ャリアの寿命が高くその走行性が良好であることが要求
される。
り帯電した電荷が光照射後現像されるまで保持されてｆ
ｆｉ荷保持能が＾いこと、及び光照射により発生したキ
ャリア対が再結合することなく、その一方が表面電荷を
中和し、他方が迅速に導電性支持体まで走行する等、キ
ャリアの寿命が高くその走行性が良好であることが要求
される。
このような電子写実感光体用材料としては、従来、アモ
ルファスカルコゲナイド系材料が使用されている。この
アモルフ？スカルコゲナイドは大面積化が可能であるが
、光の吸収領域の端部が可視光の中でも紫外光寄りにあ
るため、実用上、可視光に対する光感度が低い。また、
硬度が低いため、寿命が短いという欠点がある。
ルファスカルコゲナイド系材料が使用されている。この
アモルフ？スカルコゲナイドは大面積化が可能であるが
、光の吸収領域の端部が可視光の中でも紫外光寄りにあ
るため、実用上、可視光に対する光感度が低い。また、
硬度が低いため、寿命が短いという欠点がある。
一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｔと略す）
は、その吸収波長領域が広いために広い波長領域に亘っ
て高い感度を有し、かつ、硬度が高いために寿命が長い
という利点を有し、更に、製造上人体に有害を及ぼすこ
とがなく安価で大面積のものを得ることができるので、
ａ−３ｉは、近時、電子写真感光体材料として注目され
ている。
は、その吸収波長領域が広いために広い波長領域に亘っ
て高い感度を有し、かつ、硬度が高いために寿命が長い
という利点を有し、更に、製造上人体に有害を及ぼすこ
とがなく安価で大面積のものを得ることができるので、
ａ−３ｉは、近時、電子写真感光体材料として注目され
ている。
しかしながら、このａ−３ｉは暗時の比抵抗（以下、暗
抵抗という）が、通常、１０８乃至１０１０Ωαと低く
、電荷保持能が低いという欠点を有する。
抵抗という）が、通常、１０８乃至１０１０Ωαと低く
、電荷保持能が低いという欠点を有する。
このような欠点を補うため、従来、感光体の導電性支持
体と先導Ｎ層との間に、窒化シリコン及び酸化シリコン
等の絶縁性の層を形成するか、又はｐ型若しくはｎ型の
ａ−８ｉからなるＦａ壁層を配設することにより、導電
性支持体から光導電層へのキャリアの注入を防止するよ
うにしている。
体と先導Ｎ層との間に、窒化シリコン及び酸化シリコン
等の絶縁性の層を形成するか、又はｐ型若しくはｎ型の
ａ−８ｉからなるＦａ壁層を配設することにより、導電
性支持体から光導電層へのキャリアの注入を防止するよ
うにしている。
なお、後者において正帯電の場合には、正孔のみを通過
させるように、障壁層をｐ型にし、負帯電の場合には、
障壁層をｎ型にする。
させるように、障壁層をｐ型にし、負帯電の場合には、
障壁層をｎ型にする。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前者のように絶縁性の層を形成する場合
には、その絶縁層を厚くすると、光導電層から導電性支
持体に流れるキャリアの通過も阻止してしまい、その結
果、残留電位が轟くなるという問題点がある。逆に、絶
縁層を薄くすると、現像バイアスにより、絶縁破壊が発
生しやすい。
には、その絶縁層を厚くすると、光導電層から導電性支
持体に流れるキャリアの通過も阻止してしまい、その結
果、残留電位が轟くなるという問題点がある。逆に、絶
縁層を薄くすると、現像バイアスにより、絶縁破壊が発
生しやすい。
一方、後者のように、ａ−３を層を形成する場合には、
ａ−８ｉをｐ型にするためにａ−８ｉに周期律表の第■
族に属する元素を添加し、ａ−３ｉをｎ型にするために
ａ−８ｌに周期律表の第Ｖ族に属する元素を添加する必
要がある。しかしながら、この不純物元素の添加により
、ａ−８ｉ層中の歪みが大きくなり、このａ−８ｉ層の
上に光導電層を積層形成した場合に、各層の歪み差が大
きくなり、層の剥離が発生するおそれがある。
ａ−８ｉをｐ型にするためにａ−８ｉに周期律表の第■
族に属する元素を添加し、ａ−３ｉをｎ型にするために
ａ−８ｌに周期律表の第Ｖ族に属する元素を添加する必
要がある。しかしながら、この不純物元素の添加により
、ａ−８ｉ層中の歪みが大きくなり、このａ−８ｉ層の
上に光導電層を積層形成した場合に、各層の歪み差が大
きくなり、層の剥離が発生するおそれがある。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能及び電荷保持能が高く、残留電位が低く、絶縁破
壊及び層剥離が防止され、紫外光から近赤外光に至る広
い波長範囲に亘って高感度を有し、長寿命の電子写真感
光体を提供することを目的とする。
帯電能及び電荷保持能が高く、残留電位が低く、絶縁破
壊及び層剥離が防止され、紫外光から近赤外光に至る広
い波長範囲に亘って高感度を有し、長寿命の電子写真感
光体を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、こ
の導電性支持体の上に硫化鉛で形成された障壁層と、こ
の障壁層の上にアモルファスシリコンで形成された光導
電層とを有することを特徴とする。
の導電性支持体の上に硫化鉛で形成された障壁層と、こ
の障壁層の上にアモルファスシリコンで形成された光導
電層とを有することを特徴とする。
（作用）
この発明においては、障Ｍ１層を構成する硫化鉛（以下
、ＰｂＳという）は、その製造条件を適宜選択すること
によって、ｐ型又はｎ型にすることができる。従って、
ＰｂＳ障Ｗ！層をｐ型又はｎ型にするために、この障壁
層に不純物をドーピングする必要はない。また、光導電
層を構成するａ−８ｉは広い波長範囲に亘って高感度で
ある。更に、障壁層のＰｂＳは、このａ−３ｉよりも広
い波長範囲に亘って高い感度を有し、紫外光のような短
波長光から数μｍを超える長波長光をも吸収する。この
ため、先導′ｒｉ層似て吸収されずに透過してきた光も
十分に吸収するので、導電性支持体からの光の反射が抑
制され、干渉縞の発生が防止される。
、ＰｂＳという）は、その製造条件を適宜選択すること
によって、ｐ型又はｎ型にすることができる。従って、
ＰｂＳ障Ｗ！層をｐ型又はｎ型にするために、この障壁
層に不純物をドーピングする必要はない。また、光導電
層を構成するａ−８ｉは広い波長範囲に亘って高感度で
ある。更に、障壁層のＰｂＳは、このａ−３ｉよりも広
い波長範囲に亘って高い感度を有し、紫外光のような短
波長光から数μｍを超える長波長光をも吸収する。この
ため、先導′ｒｉ層似て吸収されずに透過してきた光も
十分に吸収するので、導電性支持体からの光の反射が抑
制され、干渉縞の発生が防止される。
（実施例）
以下、添付の図面を参照してこの発明の実流例について
説明する。第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感
光体の一部断面図である。ドラム状のｌ？を性支持体１
としては、例えば、アルミニウム若しくはステンレス鋼
等の金属、又はガラス若しくは高分子フイイルムの表面
に導電性若しくは半導電性物質をコーティングしたもの
を使用することができる。
説明する。第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感
光体の一部断面図である。ドラム状のｌ？を性支持体１
としては、例えば、アルミニウム若しくはステンレス鋼
等の金属、又はガラス若しくは高分子フイイルムの表面
に導電性若しくは半導電性物質をコーティングしたもの
を使用することができる。
この導電性支持体１の上に障壁層２が配設されている。
この障壁１１２はＰｂＳで形成されており、このような
ｐｂｓｉは真空蒸着又は化学蒸着により形成される。次
に、このＰｂＳの成膜条件の一例について説明する。先
ず、真空蒸着の場合には、ベルジャ内にアルミニウム製
基体（導電性支持体）を加熱蒸着用ボートに平行に設置
し、５ｏ乃至３００℃、好ましくは１０ｏ乃至２５０℃
に加熱する。そして、ベルジャ内を５Ｘ１０−８ トル
以上の真空度に排気した侵、基体を回転させつつ、Ｐｂ
Ｓを含む加熱蒸着用ボートを８００乃至１５００℃に加
熱して蒸着する。これにより、基体上にＰｂＳ層が形成
される。このようにして形成される障壁層２はｎ型のＰ
ｂＳ層である。一方、この蒸着時に、ベルジャ内に酸素
ガスを導入し、１０−６乃至１０−３トルの圧力の酸素
ガス雰囲気下で蒸着すると、酸化鉛（ＰｂＯ）が少量含
有され、障壁層２がｎ型半導体になる。
ｐｂｓｉは真空蒸着又は化学蒸着により形成される。次
に、このＰｂＳの成膜条件の一例について説明する。先
ず、真空蒸着の場合には、ベルジャ内にアルミニウム製
基体（導電性支持体）を加熱蒸着用ボートに平行に設置
し、５ｏ乃至３００℃、好ましくは１０ｏ乃至２５０℃
に加熱する。そして、ベルジャ内を５Ｘ１０−８ トル
以上の真空度に排気した侵、基体を回転させつつ、Ｐｂ
Ｓを含む加熱蒸着用ボートを８００乃至１５００℃に加
熱して蒸着する。これにより、基体上にＰｂＳ層が形成
される。このようにして形成される障壁層２はｎ型のＰ
ｂＳ層である。一方、この蒸着時に、ベルジャ内に酸素
ガスを導入し、１０−６乃至１０−３トルの圧力の酸素
ガス雰囲気下で蒸着すると、酸化鉛（ＰｂＯ）が少量含
有され、障壁層２がｎ型半導体になる。
次に、化学蒸着の場合には、０．５７モルのＮａＯＨ溶
液１．２（＋）に０．１７５モルのＰｂ （ＮＯ３＞２
を０．４（＋）添加する。そして、この溶液を５（１）
の脱イオン水で希釈し、洗浄済みの基体をこの溶液中に
浸漬する。次いで、この溶液を攪拌しつつ、１．０モル
の（ＮＨ２）２Ｃ３を０．４（＋）添加し、室温で３０
分間放置する。これにより、ｎ型半導体の障壁１２が形
成される。
液１．２（＋）に０．１７５モルのＰｂ （ＮＯ３＞２
を０．４（＋）添加する。そして、この溶液を５（１）
の脱イオン水で希釈し、洗浄済みの基体をこの溶液中に
浸漬する。次いで、この溶液を攪拌しつつ、１．０モル
の（ＮＨ２）２Ｃ３を０．４（＋）添加し、室温で３０
分間放置する。これにより、ｎ型半導体の障壁１２が形
成される。
この障壁層２はその製造条件を適宜選択することによっ
て、ｎ型又はｎ型にすることができ、成膜が容易である
。また、ＰｂＳは、広い波長領域に亘って高感度で光を
吸収する。このため、基体における光の反射が少なく、
基体からの反射光と表面にて反射した光との干渉による
干渉縞の発生を抑制することができる。
て、ｎ型又はｎ型にすることができ、成膜が容易である
。また、ＰｂＳは、広い波長領域に亘って高感度で光を
吸収する。このため、基体における光の反射が少なく、
基体からの反射光と表面にて反射した光との干渉による
干渉縞の発生を抑制することができる。
この障壁層２の上には、光導電層３が形成されている。
この光導電層３は以下のようにして形成される。障壁層
２を成膜した基体１をプラズマＣＶＤ装置に設置し、メ
カニカルブースタポンプと油回転ポンプにより１０−３
トルまで排気する。
２を成膜した基体１をプラズマＣＶＤ装置に設置し、メ
カニカルブースタポンプと油回転ポンプにより１０−３
トルまで排気する。
その後、基体を１００乃至４００℃に加熱し、チャンバ
内に３ｉ元素を含有するガス（例えば、ＳｉＨｓ 、５
ｉ２Ｈｓ 、ＳｉＦ＋ガス等）と、必要に応じて周期律
表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有するガス（例
えば、Ｂ２ Ｈｓ 、８Ｆ３、ＰＨ３、ＰＦ３ガス等）
を導入し、排気系の排気速度を調節してチャンバ内の圧
力を０．１乃至１０トルに設定する。定常状態になった
後、チャンバ内の電極間に１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加し、ａ−８ｉ光導電層３を形成する。この実施
例においては、Ｓ ｉ Ｈ４ガスを５００ＳＣＣＭ流し
、１．０トルで３００Ｗの高周波電力を印加して２時間
成膜し、２０μｍの先導ｆｆ１１３を得た。
内に３ｉ元素を含有するガス（例えば、ＳｉＨｓ 、５
ｉ２Ｈｓ 、ＳｉＦ＋ガス等）と、必要に応じて周期律
表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有するガス（例
えば、Ｂ２ Ｈｓ 、８Ｆ３、ＰＨ３、ＰＦ３ガス等）
を導入し、排気系の排気速度を調節してチャンバ内の圧
力を０．１乃至１０トルに設定する。定常状態になった
後、チャンバ内の電極間に１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加し、ａ−８ｉ光導電層３を形成する。この実施
例においては、Ｓ ｉ Ｈ４ガスを５００ＳＣＣＭ流し
、１．０トルで３００Ｗの高周波電力を印加して２時間
成膜し、２０μｍの先導ｆｆ１１３を得た。
先導１１１３の上には、光導１［３の表面を保護する表
面層４が形成されている。この表面層４は、例えば、Ｓ
ｉＣからなり、ｉ ｏｏｏ人の層厚を有する。このＳｉ
Ｃ表面ｌＩ４は、例えば、５ｉｔ−１＋ガスを１１００
５ＣＣとＣＨ４ガスを２００８ＣＣＭ流し、チャンバ内
の圧力を１．０トル、高周波電力を３００Ｗに設定し、
２分間成膜することにより形成する。
面層４が形成されている。この表面層４は、例えば、Ｓ
ｉＣからなり、ｉ ｏｏｏ人の層厚を有する。このＳｉ
Ｃ表面ｌＩ４は、例えば、５ｉｔ−１＋ガスを１１００
５ＣＣとＣＨ４ガスを２００８ＣＣＭ流し、チャンバ内
の圧力を１．０トル、高周波電力を３００Ｗに設定し、
２分間成膜することにより形成する。
上述の各成膜条件で形成された電子写真感光体は、コロ
ナチャージャからアルミニウム基体への流入電流が０．
４μＣ／ＣＩ”である条件下では、５ｏｏｖの表面電位
が得られ、障壁層にａ−８ｔを使用した感光体に比して
、帯電能が２０％以上向上する。また、帯電後、１５秒
経過した後の電荷保持率は８０％であり、表面電位が６
００ｖの半減露光量は０．３ ｌｕｘ・秒である。更
に、現象バイアスに対する耐圧は１５００Ｖ以上になり
、従来のａ−８ｉにおいては約２００Ｖ絶縁破壊が発生
していたのに対して、耐圧が著しく上昇した。
ナチャージャからアルミニウム基体への流入電流が０．
４μＣ／ＣＩ”である条件下では、５ｏｏｖの表面電位
が得られ、障壁層にａ−８ｔを使用した感光体に比して
、帯電能が２０％以上向上する。また、帯電後、１５秒
経過した後の電荷保持率は８０％であり、表面電位が６
００ｖの半減露光量は０．３ ｌｕｘ・秒である。更
に、現象バイアスに対する耐圧は１５００Ｖ以上になり
、従来のａ−８ｉにおいては約２００Ｖ絶縁破壊が発生
していたのに対して、耐圧が著しく上昇した。
更に、２００万枚繰返し使用した後においても、良好な
画像を得ることができ、感光体の寿命が長い。
画像を得ることができ、感光体の寿命が長い。
［発明の効果］
この発明によれば、帯電能及び電荷保持能が高く、残留
電位が低く、絶縁破壊及び層剥離が防止され、紫外光か
ら近赤外光に至る広い波長範囲に亘って高感度を有し、
長寿命の電子写真感光体を得ることができる。
電位が低く、絶縁破壊及び層剥離が防止され、紫外光か
ら近赤外光に至る広い波長範囲に亘って高感度を有し、
長寿命の電子写真感光体を得ることができる。
第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体の一部
断面図である。 １：導電性支持体、２；障壁層、３；光導電層、４：表
面層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
断面図である。 １：導電性支持体、２；障壁層、３；光導電層、４：表
面層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (4)
- （１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に硫化鉛
で形成された障壁層と、この障壁層の上にアモルファス
シリコンで形成された光導電層とを有することを特徴と
する電子写真感光体。 - （２）前記障壁層は真空蒸着により形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （３）前記障壁層は化学蒸着により形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （４）真空度が１０＾−＾５乃至１０＾−＾３トルの酸
素ガス雰囲気下で蒸着することを特徴とする特許請求の
範囲第２項に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3879186A JPS62196667A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3879186A JPS62196667A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196667A true JPS62196667A (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12535126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3879186A Pending JPS62196667A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196667A (ja) |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP3879186A patent/JPS62196667A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61100759A (ja) | 光導電部材 | |
| US4484809A (en) | Glow discharge method and apparatus and photoreceptor devices made therewith | |
| JPS62196667A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6180160A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4729937A (en) | Layered amorphous silicon electrophotographic photosensitive member comprises BN surface layer and BN barrier layer | |
| US4724193A (en) | Photoconductive membrane for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range | |
| US4741801A (en) | Glow discharge method and apparatus and photoreceptor devices made therewith | |
| JPS6194054A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS62196668A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0535425B2 (ja) | ||
| JPH0616178B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPH058420B2 (ja) | ||
| JPS59176750A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2662707B2 (ja) | ドラム形感光体の作製方法 | |
| JPH0760271B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPH01156758A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61126558A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH0588836B2 (ja) | ||
| JP2000214617A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0760272B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPH0554673B2 (ja) | ||
| JPS60128457A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS59185344A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS62151856A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS62106466A (ja) | 光導電体 |