JPS62199030A - 半導体ウエハ−の処理装置 - Google Patents

半導体ウエハ−の処理装置

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JPS62199030A
JPS62199030A JP4312886A JP4312886A JPS62199030A JP S62199030 A JPS62199030 A JP S62199030A JP 4312886 A JP4312886 A JP 4312886A JP 4312886 A JP4312886 A JP 4312886A JP S62199030 A JPS62199030 A JP S62199030A
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JP
Japan
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wafer
base
semiconductor wafer
mounting table
holes
Prior art date
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Application number
JP4312886A
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English (en)
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JPH0553062B2 (ja
Inventor
Shinji Fujiki
藤木 慎二
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェハーのたとえば洗浄や乾燥に8
ける載置台を具備する半導体ウェハーの処理装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
半導体ウェハーの洗浄乾燥は、高速回転をする回転体の
軸に載置台を固定し、その上に半導体ウェハーを真空系
にて、吸着させ、洗浄・乾燥を行っている。
従来、洗浄・乾燥に使用している載置台の表面形状は、
同心円状の溝とそれに直交する数本の溝を設け、その溝
に吸着用小孔を有するものや、載置台の径がウェハー径
に対し、著しく小さいもの、モして載置台表面をポーラ
スにしたものであった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の回転テーブルに8いて、同心円状の溝を
有する載置台は、洗浄時、IR1台に付着した洗浄液と
半導体クエハーが密着し、又は、溝の中に洗浄液が残り
、半導体ウェハーの裏面に付着する欠点があり、半導体
ウェハー径に対し載置台の径が著しく小さいものは、特
に高速回転時に割れを発生させる欠点がある。さらにポ
ーラス状の載置台は、洗浄液がポーラス部に留り半導体
つエバーの裏罫に付着したり、ポーラスそのものの目づ
まりにより、半導体ウエノ・−の吸着力が低下し、回転
時に破損したりする。載置台と半導体ウェハーの間に洗
浄液な含むと、半導体ウエノ・−ヲ、載置台より分離し
、搬送する場合5回転テーブルに密着し、分離できない
場合や、載置台よりエアを吹上げる際に、半導体ウエノ
・−が割れたりする欠点がある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明に2ける載置台は、細い巾を有する放射線状又は
、らせん状の平面に、小孔を配列し、その小孔間に浅い
溝を設け、半導体ウエノ1−と回転テーブルの接触面積
を少なくし、水滴等の付着を減少させ、吸着部以外の水
滴等は、回転による遠心力により除去される。
また、吸着径を半導体ウェハー径に対し、数鵡小さく取
ることで、吸着力も増大し、回転時による割れを減少さ
せ、半導体ウェハーを載置台より分離させる際、載置台
からエア系により吹上げる際低圧にて分離が出きること
を有する載置台を有する処理装置である。
〔実施例〕 以下1本発明の一実施例を第1図、第2図及び第3図を
用いて説明する。第1図、第3図3よび一第3図は、そ
れぞれ本発明による実施列の平面図。
断面図2よび断面拡大図を示す。
図に8いて、1は載置台、2は小孔、3はウェハーを受
け、4は固定ボルト、5は吸着固定溝。
6は載置台受付、7は空間部、8は半導体ウエノ・−1
9は真空穴、10はOリング、11は回転軸。
12は毎−タ、13は洗浄ノズル、14は乾燥ノズルを
それぞれ示す。
本実施例では、載置台1の表面に巾2.5mm、高さ1
簡のウェハー受けl放射線上に長短合せ16本設け、そ
の中央に0.8關の小孔2を数箇所あけその小孔20間
に吸着固定溝5を深さQ、 5 +nにて設けた載置台
を回転軸11に固定された載置台受け6に固定ボルト4
により固定し、QIJング101によりシールし、空間
部7を設ける。そこで、裁置台の上に半導体ウェハー8
ン設置し1回転軸11を通る真空穴9より真空にて固定
し、モータ120回転軸11’a’2000r、Pom
で高速回転させ同時に洗浄ノズル13にて洗浄を行い、
その後乾燥ノズル14にて乾燥を行う。回転中、半導体
ウェハーは、四方真空により載置台1のウェハー受け3
に固定され、空間部7を設は真空を安定させる。
半導体ウェハー8の裏面や載置台1に付着している水滴
は遠心力により除去される。回転軸°11’を停止させ
同時に真空穴9にエアを通す。吸着固定溝5よりエアー
が吹き出し、ウェハー受け3と半導体ウェハー8の接触
面積が少ない為、低圧で半導体ウェハー8は載置台1よ
り分離される。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、半導体ウェハーの洗浄
・乾燥に2いて、載置台に放射線状又はらせん状の平面
を形成させそれに小孔を配列し、小孔と小孔の間に溝を
通し、半導体ウェハーぬ外周付近まで設けることにより
、載置台と半導体ウェハーとの間に存在する水滴を有効
に除去でき、高速回転時の割れを減少させ、ウェハー吸
着固定時の割れや不搬出を大巾に減少することができる
又、半導体ウェハーを載置台より分離するときのエア吹
上圧の調整も低圧により容易に行え、半導体ウェハーの
裏面の水滴残りも減少できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部平面図、第2図は同じ
く要部側面図、第3図は吸fl!拡大断面図である。 l・・・・・・載置台、2・・・・・・小孔、3・・・
・・・ウェハー受け、4・・・・・・固定ボルト、5・
旧・・吸着固定溝、6・・・・・・載置台受げ、7・・
・・・・空間部、8・・・・・・半導体ウェハー、9・
・・・・・真空穴、10・・・・・・0リング、11・
・・・・・回転軸、12・・・・・・モータ、13・・
・・・・洗浄ノズル、14・・・・・・乾燥ノズル。 代理人 弁理士  内 原   晋、’ j+−、−゛
・、1茅 ; 凹 茅 2 凹

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)回転軸を有する装置に取付けられた回転可能な回
    転テーブルであって放射線状、又は、らせん状の平面に
    小孔を配列し、その小孔間に半導体ウェハーを吸着固定
    させる溝を有する半導体ウェハーの載置台を有すること
    を特徴とする半導体ウェハーの処理装置。
  2. (2)半導体ウェハーの洗浄もしくは乾燥工程に用いら
    れる装置であることを特徴とする特許請求の範囲第(1
    )項記載の半導体ウェハーの処理装置。
JP4312886A 1986-02-27 1986-02-27 半導体ウエハ−の処理装置 Granted JPS62199030A (ja)

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JP4312886A JPS62199030A (ja) 1986-02-27 1986-02-27 半導体ウエハ−の処理装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4312886A JPS62199030A (ja) 1986-02-27 1986-02-27 半導体ウエハ−の処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62199030A true JPS62199030A (ja) 1987-09-02
JPH0553062B2 JPH0553062B2 (ja) 1993-08-09

Family

ID=12655203

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JP4312886A Granted JPS62199030A (ja) 1986-02-27 1986-02-27 半導体ウエハ−の処理装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006075356A1 (ja) 2005-01-11 2006-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 半導体製造装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006075356A1 (ja) 2005-01-11 2006-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 半導体製造装置
JPWO2006075356A1 (ja) * 2005-01-11 2008-06-12 三菱電機株式会社 半導体製造装置
JP4611292B2 (ja) * 2005-01-11 2011-01-12 三菱電機株式会社 半導体製造装置
US8696816B2 (en) 2005-01-11 2014-04-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor manufacturing apparatus

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Publication number Publication date
JPH0553062B2 (ja) 1993-08-09

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