JPS62199047A - 多結晶シリコン抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路に関し、特に半導体基板上の多
結晶シリコン抵抗器に関するものである０従来の技術 従来、この種の半導体集積回路にて用いられている多結
晶シリコンから成る抵抗器の一例は、第３図の断面図お
よび第４因子面図に示すように、ハ 半導体基板１を絶縁膜２で覆い、この絶縁膜２上に多結
晶クリコンを抵抗体３として形成していた。

そして多結晶クリコンは、中に特定の不純物を拡散する
ことによって、一定の層抵抗を得るものである。従って
多結晶シリコンからなる抵抗体３の抵抗値は、抵抗体３
の幅Ｗと抵抗体の電極の取り出し口となる２個のコンタ
クト６の間隔りの比Ｌ／Ｗと層抵抗との積で表わされ、
不要な部分を工、チングによって除去し、希望する抵抗
値を有する抵抗体３を作る。次に多結晶シリコンから成
る抵抗体３を絶縁膜４で覆い、抵抗体３の電極の取り出
し口、となるコンタクト６を絶縁膜４に穴をあけて作り
、半導体基板１上の他の素子と抵抗体３とを接続するた
めの金属配叡７を絶縁膜４上に蒸着等の方法で形成して
いた。（例えば特開昭４９−１９７７８号） なお、第４図の平面図においては、便宜上第２の絶縁膜
を取り除いて示している。

しかしながら、この多結晶シリコン抵抗器の層の厚さは
約０．５μ程度と非常に薄いため、抵抗値が比較的大き
く、比較的大きい電流例えば数ｍＡを固有抵抗が数百０
備の多結晶シリコン抵抗器に筒密度に流した場合に、発
生するジュール熱に対して、抵抗体３から絶瞬膜４に伝
導し放出これる熱が小さいために、温度上昇を招くとい
う欠点があった。この欠点を解決するために、従来の多
結晶シリコン抵抗器では、多結晶シリコンの電流密度を
減らし、かつ放熱の面積を太きくし、熱を放出しやすく
する方法が採られていたｏしかし多結晶シリコン抵抗器
の抵抗値は、先に述べた通り抵抗体３０幅Ｗに対する抵
抗体３上のコンタクト６の間隔りの比Ｌ／Ｗに比例する
ので、面積を広くする場合、ＬとＷとの双方を拡大しな
ければならず、半導体集積回路の小型化が図れないとい
う欠点があった。

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、上記の欠点、すなわち抵抗体からの放
熱が小さく温度上昇を招き易いとか、抵抗体の面積が大
きくなりすぎるという問題点を解決した多結晶シリコン
抵抗器を提供することにある０ 問題点を解決するだめの手段 本発明は上述の欠点を解決するために、第１の絶縁膜に
より覆われた半導体基板と、この基板上に形成された多
結晶シリコンからなる抵抗体と、この抵抗体を憶う第２
の絶縁膜と、この抵抗体から電極を取シ出すために抵抗
体を伽っている第２の絶縁膜の一部に穴をあけ、この絶
縁膜の上に形成された２個のコンタクトと、このコンタ
クトを介して抵抗体から他の素子に接続される金属配線
と、第２の絶醸膜上に抵抗体の部分を覆うようにして配
設された金属から成る放熱板とからなる構成を採用する
ものである。

作用 本発明は上述のように構成したので、抵抗体から発生す
る熱は、第２の絶ＡＭを介して金属の放熱板に伝導され
、効率よく大気中に放散される。

その他の作用については従来と変らない。

実施例 矢に本発明の実施例について図面を参照して説明する。

本発明の一実施例を縦断圓図で示す第１図および平面図
で示す第２図を参照すると、本発明の多結晶７リコン抵
抗器は、第１０Ｍ！Ｒ膜２で覆われた半導体基＆１と、
多結晶シリコンから成る抵抗体３と、この抵抗体３を積
う第２の絶縁膜４と、金属からなる放熱板５と、コンタ
クト６と、金属配線７とからなり、第１の絶縁膜２は半
導体基板】と抵抗体３との間を絶縁し、第２の絶縁膜４
は抵抗体３を放熱板５および金属配？＃Ａ７から絶縁し
ている。またコンタクト６は多結晶シリコンから成る低
抗体３と金＠配線７とを電気的に接続する作用をしてい
る。なお第２図の平面図では、便宜上第２の絶縁膜４を
取り除いて示している０いま、抵抗体３に金属配線７か
らコンタクト６を介して’ＫＮｅが流れ込むと、ジェー
ルの法則により抵抗体３は熱を発生し、この発生した熱
は第１の絶縁膜２および第２の絶縁膜４を介して半導体
基板ｌおよび金属から成る放熱板５に伝導される。

金＠はシリコン等と比較して比熱が小さく熱伝導率も良
いので、発生したジュール熱の多くは絶縁膜４を介し金
属から成る放熱板５１Ｃ伝専され、空気対流によシ半導
体集積回路外へ放出される。便って多結晶シリコンから
成る抵抗体３中を比較的大きな電流が流れる場合でも、
温度上昇を抑えることができ、抵抗体３の面積を広くす
る必要がないという利点がある。さらに、これら半導体
基板は非常に小形のものであり、放熱＆５の厚さも金属
配線７の厚さと同じ５〜１０μ程度のものでも十分効果
があるため、放熱板５の金属を釡鵬配緑７の金属と同一
の例えばアルミニウムなどを用いることにより、同一工
程で形成することが可能である０ 発明の効果 以上に説明したように、不発明によれば、絶縁膜で覆わ
れた半導体基板上に形成された多結晶シリコンから成る
抵抗体の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上に金属配
線と同一の金属からなる放熱板を設けることにより、従
来の多結晶シリコン抵抗器の製造工程を変えることなく
、放熱効果の良い多結晶クリコン抵抗器を製造すること
が可能になり、従来の多結晶シリコン抵抗器では欠点と
なっていた小型の抵抗で大電流を扱うことのでさ″る抵
抗器を蘭単に実現できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多結晶シリコン抵抗器の実施例の縦断
面図、第２図は第１図の平面図、第３図は従来の一例の
縦断面図、第４図は第３図の平面図である。 】　・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１の絶縁
膜、３・・・・・抵抗体、４・・・・・・第２の絶縁膜
、５・・・・・放熱板、６・・・・・コンタクト、７・
・・・・全域配線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１の絶縁膜により覆われた半導体基板上に形成された
   多結晶シリコンから成る抵抗体と、この抵抗体上に形成
   された第２の絶縁膜と、前記抵抗体より電極を取り出す
   ために前記第２の絶縁膜の一部に穴をあけることにより
   作られた２個のコンタクトと、これら２個のコンタクト
   を介し前記抵抗体に接続される金属配線とからなる多結
   晶シリコン抵抗器において、前記第２の絶縁膜上に前記
   抵抗体の部分を覆うように配設された放熱板を備えてい
   ることを特徴とする多結晶シリコン抵抗器。