JPS6231149A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6231149A JPS6231149A JP17070285A JP17070285A JPS6231149A JP S6231149 A JPS6231149 A JP S6231149A JP 17070285 A JP17070285 A JP 17070285A JP 17070285 A JP17070285 A JP 17070285A JP S6231149 A JPS6231149 A JP S6231149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- circuit device
- silicon resistor
- contact hole
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 208000014617 hemorrhoid Diseases 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に半導体集積
回路装置（以下ＩＣと略記する）上に形成された多結晶
シリコン抵抗の熱放散性に優れたＩＣに関する。
回路装置（以下ＩＣと略記する）上に形成された多結晶
シリコン抵抗の熱放散性に優れたＩＣに関する。
従来、消費電力の大きいＩＣにおいて熱放散が充分行な
われない場合、熱放散をよくするためＩＣ上の素子の配
置を工夫する方法がとられ、具体的対策としては、発熱
源である抵抗をＩＣ上に分散させていた。
われない場合、熱放散をよくするためＩＣ上の素子の配
置を工夫する方法がとられ、具体的対策としては、発熱
源である抵抗をＩＣ上に分散させていた。
従来のＩＣ上に形成された抵抗のうち、特に多結晶シリ
コン抵抗の場合は、それぞれの多結晶シリコン抵抗をＩ
Ｃ上に分散するよう配置しても、多結晶シリコンが熱伝
導性に劣る絶縁膜にとり囲まれているため、効率よい熱
放散が行なわれないという欠点があった。
コン抵抗の場合は、それぞれの多結晶シリコン抵抗をＩ
Ｃ上に分散するよう配置しても、多結晶シリコンが熱伝
導性に劣る絶縁膜にとり囲まれているため、効率よい熱
放散が行なわれないという欠点があった。
本発明は上記した従来の欠点を除去し、半導体集積回路
装置上に形成した多結晶シリコン抵抗の熱放散を良好に
した半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
装置上に形成した多結晶シリコン抵抗の熱放散を良好に
した半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体集積回路装置は、半導体集積回路装置上
に形成された多結晶シリコン抵抗と、該多結晶シリコン
上に形成された絶縁膜と、前記多結晶シリコン抵抗の両
端電極間の多結晶シリコン抵抗上の絶縁膜に設けられた
コンタクト孔と、該コンタクト孔を介して多結晶シリコ
ン抵抗に接続され電気的に他の領域と独立した配線層と
を有することにより構成される。
に形成された多結晶シリコン抵抗と、該多結晶シリコン
上に形成された絶縁膜と、前記多結晶シリコン抵抗の両
端電極間の多結晶シリコン抵抗上の絶縁膜に設けられた
コンタクト孔と、該コンタクト孔を介して多結晶シリコ
ン抵抗に接続され電気的に他の領域と独立した配線層と
を有することにより構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のＩＣ上に形成された多
結晶シリコン抵抗の平面図であり、第２図は第１図のＡ
−Ａ’線断面図である。
結晶シリコン抵抗の平面図であり、第２図は第１図のＡ
−Ａ’線断面図である。
第１図及び第２図に示すように、Ｓｉ基板１上に配置さ
れた多結晶シリコン抵抗２の両端に電極３があり、電極
間の多結晶シリコン上にコンタクト孔４を有し、配線層
５が前記コンタクト孔３通して多結晶シリコンに接続さ
れ、他には電気的に接続されてな（ＩＣ表面に露出して
いる。Ａ−Ａ’線断面図では、多結晶シリコン抵抗は、
配線層と絶縁膜６に接している。
れた多結晶シリコン抵抗２の両端に電極３があり、電極
間の多結晶シリコン上にコンタクト孔４を有し、配線層
５が前記コンタクト孔３通して多結晶シリコンに接続さ
れ、他には電気的に接続されてな（ＩＣ表面に露出して
いる。Ａ−Ａ’線断面図では、多結晶シリコン抵抗は、
配線層と絶縁膜６に接している。
第３図は、本発明の第２の実施例であり、第１の実施例
のＩＣ表面に露出する配線層の大きさを、前記多結晶シ
リコン抵抗の大きさ以下にしたものである。
のＩＣ表面に露出する配線層の大きさを、前記多結晶シ
リコン抵抗の大きさ以下にしたものである。
第４図は、本発明の第３の実施例であり、第１の実施例
のコンタクトとＩＣ表面に露出する配線層の組を多結晶
シリコン抵抗の両端電極間に２個有するものである。
のコンタクトとＩＣ表面に露出する配線層の組を多結晶
シリコン抵抗の両端電極間に２個有するものである。
し発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ＩＣ上に形成された多結
晶シリコン抵抗の両端電極間の多結晶シリコン上にコン
タクトをおき、前記コンタクトにより一方を多結晶シリ
コンに接続され、他方は電気的に接続されずＩＣ表面に
露出する配線層を配置することにより、多結晶シリコン
抵抗で発生する熱をＩＣ外に放散する効果がある。
晶シリコン抵抗の両端電極間の多結晶シリコン上にコン
タクトをおき、前記コンタクトにより一方を多結晶シリ
コンに接続され、他方は電気的に接続されずＩＣ表面に
露出する配線層を配置することにより、多結晶シリコン
抵抗で発生する熱をＩＣ外に放散する効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図は第１
図のＡ−Ａ”線断面図、第３図、第４図はそれぞれ本発
明の第２及び第３の実施例の平面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・多結晶シリコン抵抗、３・
・・多結晶シリコン抵抗の電極、４・・・コンタクＩ・
孔、５・・・Ｉ Ｃ表面に露出した配線層、６・・・絶
縁膜。 痔／圓 惰２回
図のＡ−Ａ”線断面図、第３図、第４図はそれぞれ本発
明の第２及び第３の実施例の平面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・多結晶シリコン抵抗、３・
・・多結晶シリコン抵抗の電極、４・・・コンタクＩ・
孔、５・・・Ｉ Ｃ表面に露出した配線層、６・・・絶
縁膜。 痔／圓 惰２回
Claims (1)
- 半導体集積回路装置上に形成された多結晶シリコン抵抗
と、該多結晶シリコン抵抗上に形成された絶縁膜と、前
記多結晶シリコン抵抗の両端電極間の多結晶シリコン抵
抗上の絶縁膜に設けられたコンタクト孔と、該コンタク
ト孔を介して多結晶シリコン抵抗に接続され電気的に他
の領域と独立した配線層とを有することを特徴とする半
導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17070285A JPS6231149A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17070285A JPS6231149A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231149A true JPS6231149A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15909810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17070285A Pending JPS6231149A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231149A (ja) |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP17070285A patent/JPS6231149A/ja active Pending
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