JPS62200523A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気的記録装置（磁気ディスク装置。

磁気ドラム嘆倉及び６Ｂ気テープ佛置等）Ｋ中いられろ
磁気記憶体（以下、記憶体と呼ぶ）Ｋ関し。

詳しくは、記憶体の金属磁性薄嘩媒体（以下、金唄Ｕ体
と呼ぶ）上の保護ＨＫ関する。

〔発明の概要〕

本発明は金ｉ媒体上に酸化物々び９化物から選ばれる少
なくとも一種の物質より成る薄ｍｈｓ第１層として被覆
され１次Ｋ　Ａｔ、　Ｃｒ、　Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｎｂか
ら選ばれる少なくとも一種の金禎薄１Ｉａｈ：　／Ｉ　
２層として被覆され、次に炭素′ｌＩ嗅／＋を季３層と
して被覆され、更に少なくとも脂肪酸とＬｉ、　Ｎａ、
　Ｋ、　Ｍｔｌ、　Ｃａから選ばれる金属との塩で融点
６１８０℃以上の物ＬＲｈ：第４層として被覆せしめた
記憶体Ｉ／提供することにより、＃記憶体と記録再生ヘ
ッド（以下、ヘッドと呼ぶ）との間の摩擦係数な著ろし
く低下させ、記憶体の博械的信頼性シ亮め、仙方、水分
等の環境に吋する記憶体の耐食性シ飛躍的に向−ヒさせ
友ものである。

〔従来技術〕

全１媒体な有する２億体に於いては、ヘッドと接触−耐
えるだけの充分な１械的信頼性と金属媒体？腐食環境か
ら守る耐食性を有する保護膜？被覆せしめることが必須
である。

従来より種々の保護膜が提案されている。

８ｉ　ｏｘ　）ポリケイ酸？含む）やＴｊ　Ｎに代表さ
れる化合物被膜は、記憶体に優れ次耐食性能？与える＾
−５潤滑性に劣り、単独での保穫膜では、実用化レベル
に達していない。又、炭素質嘆け、ピンホール１′ＩＳ
多く、その導電性が良好である車から金ｊ嘴媒体の耐食
性を逆に悪くするものである。Ｙ　ＢＮ。

ＭＱ８ｚ等の固体潤滑噂もピンホール１′ＩＳ多いため
防食効果ｈ′−不充分であった。り上述の被曝被覆記憶
体はヘッドと記憶体内；呻触シ繰り返すことにより。

両者間の静摩擦係数＾を増大し、その結果、記憶体回転
用スピンドルモーターｈ″−停止するステイー／−Ｐン
グ現象な起こした。更に２価フェノール等の防錆剤や、
高級アルコール、エステル、詣肪酸等の潤滑剤ｈ−提案
されているものの、効果のあるものが少なく、又効果バ
もりても長期に渡りその効果を維持できえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕従 来の技術では、記憶体とへラドとの呻触による記憶体と
ヘッドの物叩的劣化及びステイー／キング現１！、そし
て記憶体の金線媒体の副食性シ充分に確保で芦ないとい
う問題点シ有してい友。

そこで本発明は上記の問題点な解決するものであり、そ
の目的とするところは、記憶体とへヴト。

との間の摩擦係数を大＠に低減させ、記憶体の機械的信
頼性？高めるとともに、水分等の環境に対する金属媒体
の耐食性を飛躍的に同上させた記憶体？提供するところ
にある。

〔問題点な解決する几めの手段〕

本発明の記憶体は、基体上に金べ媒体ケ形成し７を後、
ｕ、　ａｒ、　Ｔｉ、　Ｔα、　Ｎ６　カラｉｌｆレル
少ｒｔ　＜　トも一種の金属薄膜の有無に於いて、酸化
物及び窒化物から選ばれる少なくとも一種の物質より成
る薄膜を第１屑として被覆され１次にＡｔ、け、Ｔｉ。

Ｔα、　ｙｈから選ばれる少なくとも一種の今Ｆ！を薄
暎が第２Ｉｉｌとして被覆され１次に炭素質膜が第３Ｗ
４として被覆され、Ｗに少なくとも詣肪階とＬｌｏ、Ｎ
ｎ、。

Ｋ　Ｍｑ、―から選ばれる今頃との塩で融点が８０’Ｃ
以上の物ＭＩ／Ｍ４層として被覆せしめたことな特徴と
する。

金唄媒体と酸化物及び窒化物間の金属薄膜は。

密着性？より欅かにする目的で被覆し、その１厚ｔｆ５
０〜２００Ａで充分でちり、必須ではない。

第１１Ｈの酸化物け、５ｉｏｔ　、　　Ｔｉ１ｔ　、　
０ｔｔＯｓ、　ＴｍＯｓ　。

Ｎｈ　Ｏｔ　、　Ａ／ｇｏｓ等、窒化物け５ｉｓｅｒ、
　ＴｉＮ、　Ｔ（１２Ｎ　、　ＭＮ　。

ＯｒＮ等であり、膜厚Ｈ２００〜８００　Ａである。こ
れらはいずれも、繊密性々び絶縁性に優れることから、
金属媒体な水分等の腐食環境から守る特性な有する。

屓２層の金属薄膜け、いずれも金１・域媒体に較らべ卑
な金属である市から、記憶体が腐食環境に放置された時
、金属媒体が腐食するより先に腐食１又、理由は不明で
ある＾ｔ、＠２層の金属薄Ｉ′Ｉが腐食しても、記憶体
の・苗土に腐食後の生成物＾ｓ　Ｉｊｙ長しない特徴シ
有する。今頃薄膜のＩｌｌ　＃イけ５０〜７００Ａ　／
ｌ”−適切である。

第３層の炭素″［ｉｉｌは、ダイヤモンド状、グラファ
イト状、アモルファス状のいずれでも、又混合。

積層で４自〈、嘩厚け１００〜５００λである。

以ヒの被Ｒは、真空蒸１法、スパッタ１１゛／グ法。

イオンブレーティンダ法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法のいぶ
れの方法でも彫ｆ＋ｓｉする事が町節でもる。

演４層の金属塩ケ、＠肪ＰＩｌ＃−１炭素数ｈ：１２〜
ｓ。

が良く、直鎖１ｇ＋枝、飽和、ぺ飽和の制限けｔ「いｈ
１１％に直鎖のものが良好でもった。これらの中カラ融
点ｈｓ　ａ　ｏ℃以との金属塩シ用いるが、単独及び混
合で用いても書い、Ｖこれらは瘉性溶媒に溶解し、スピ
ンコード法、スプレー法１等速引き上げ法等の塗布法で
神覆すもか、′１ｃ空蒸荷法箋の真空成１法で被覆１〜
でも良い。嘩厚け５０〜２００　Ｎである。

金属塩の金属元素が上述以外の場合、摩擦係数低減効果
に乏しく、又融点が　ｓ　ｏ　′ｃ以下の金ｈ４塩は高
温下に記憶体が放装されｆｃ堝合、徐々に気化したり、
下地Ｉｆ４に含浸してその効果ｈｉ失なわれる、〔作用
〕 本発明の上記の構成によれば、金属簿体１７ｆｆ防食効
果に優れた酸化物及び９化物から選ばれる少なくとも一
秤の物質より６ｙる化合物薄Ｉｌｌ　ｌ’ｌｃ被覆され
る／１′−該薄１膚のメ麿欠陥シ皆ｍにすることけ不可
能である。一方、上記の化合物薄嘩上に１６壕、炭素１
８幌？被覆し友場合、化合物薄膜による防食効果ｈＳは
とんど失なｈれる事＾を名〈の実験により確かめられた
。

そこで、化合物薄１と炭素′ｉＲ嗅間に、全セル媒体よ
り卑な金檎薄＋＋１４ｆ−老成せしめる事により、金種
媒体のｆＮ湿性９大幅に向トさせたものである。

炭；１！雪、ａ　ｈｓ優れた潤滑効果な有する事げ公知
であるが、ヘッドとの１触により徐々Ｖｒ摩耗し、炭素
′ｌＩ嘩の表面が平滑化し、一方のへ１ドｖｒｘ、摩耗
１．た炭素質物′１Ｉがｌ′＋を庸し、へヴト°と記憶
体間の静摩擦係数ｈ″−−増大ティヴ千ング現象に至る
稟からスピン闘ルモーターが停止する起動不良ｈｓ近年
大鎗な間鴨点として指摘されてＩ／する。そこで脂肪酸
とＬ仁Ｎｒｔ、　Ｋ、　Ｍｑ、師　から金属との塩な被
覆することにより、ト述の問題ｉ／解決１．た。これら
の金属塩は、ｙｆｉ性変形流動性に優れることｈｉら。

記憶体とヘッド間の摩擦９Ｆ数ヤ著るしく低下せしめる
鳴のであり、記憶体及びヘッドの物−的劣化も著るしく
低下する、 近年、小型ハードディスクドライブがより厳しい環境で
用いられる事が多くなりつつもるｈｓ、該金属塩の融点
が８０℃以上で、ちる事から、その効果は上記の墳境下
でも充分に発揮される。

以上の様にして１機械的信頼性、耐食性ともｆ大＠ｆ向
上せしめ之記憶体シ提供することｈ’−５７能になっ之
。

〔実施例１〕 鏡面仕上げされ之ディスク状アルミニリム合金基板上に
非磁性合金メ１千、Ｎ１−Ｐ合金メタキレ約１５μｍ厚
に被覆後、研摩により１０μｒｎ　ｌｒ１．　、表面粗
さ＆　０．０３　ｕｒｎ　以下に加工し、ＩＰ！Ｙ　Ｃ
ｎ　−ＮイーＰ　合金シ約０．０７　ｕｒｎ庫にメッキ
ケ行なった。

次にマグネトクンスパッタ法で、８１０□シ３００人Ｏ
ｒシ５０λ、炭素質膜（ターゲット：グラファイト）Ｉ
？１５０１に連続成膜した。

更に下記処理液に、と紀ディスク？浸漬の後。

１０〜菊ｉｎで引き上げ、ステアリン酸ナトリウムな約
１００１被覆した。

処理液 〔実施例２〕 実施例１と同様にして金属媒体な有するディスクシ作製
し友。

次にマグネトクンスパッタ法で、Ｔｉ＆５０λ。

Ｔｉｏ、に５０Ｄλ、　　Ｔｉを５０大、炭素質膜ｔ２
００１に連続成膜し友。

更に下記処理液を約２ｍ１（５７ディスク）をディスク
片面ごとに滴下後、　１５００デ声で２０秒回転させて
、オレイン酸リチウムな約５０λ塗布Ｌ７ｔ、処理液 〔実施例３〕 研磨されｆｔ−Ｎｉ　−Ｐ合金メ−１キデイスク基板Ｋ
。

マグネトクンスパッタ法でｃｒを８００＾、ｃｏ−ｙｉ
　−け合金（ｃｏ−３０ａｔ、４　ｗｉ−７，５ａｔ、
ｌｒ　ｃｒ）Ｉｔ　７００Ａ。

ＴｉＮ　＋　４ＱＯａ　、　ｃｒをＩＱＯＡ　、炭素質
膜を２ＱＯＣＡに連続成膜し次。

次ｆＵ／ノセリン酸カリリムとベヘン酸マグネシウムの
混合物（重号比１対１）シ抵抗加熱蒸涜法で約１００Ａ
厚に５！噂し九〇 〔実施例４〕 実施例１と同様にして金属媒体な有するディスクな作製
した。

次に１グネトＣｆｆ７スパ１夕法で、　Ｏｒ、０．４／
２５０　Ａ　。

Ｃｊｒを５ＯＡ、炭素質膜ｆ　１５Ｑ　Ａ　Ｋ連続１ｉ
ｌ！ｌｌｌ１．７’ｅ。

更に下記処理液を用い、実施例１同様に等速引き上げ法
で、ステアリン酸リチウム＋約ｓｏ大成模した。

処理液 〔比較例　１　〕 実施例１に於けるＣｆの成１ｌｌＩ？除き、他は実施例
１に準じてディスクを作製した。

〔比較例２〕 実施例１に於けるステアリン酸ナトリウムの被覆シ除伴
、他は実施例１に準じてディスクシ作製した。

〔比較例３〕 実施例２に於けるＴｉ＋ｓｏＡ及びＴｉ　０２　？　３
０ＯＡの形５ｖ？除き、直接金浅媒体上にＴｉ、炭素質
膜の収１！ＩＩ　′ＲＬびオレ・ｆン酸リチウムの塗布
？実施例２に準じて行っｔ。

〔比較例４〕 実施例２に於けるＴｉ伽上のＴｉ及び炭素質膜の成膜シ
除き、（ｔｌｌは実施例２に準じて１４７７４作製し友
。

以上の実施例及び比較例で述べたディスクの品質評価は
Ｃ８Ｓ試験及び耐湿試験で行った。

ｃｐｓ試験はＣ８Ｓ的後の外観的変化、精摩擦係数と出
力低下率？求めた。

耐湿試験は、８０’Ｃ，８０憾Ｒ，）Ｌの甲境にディス
クシ放−し、放Ｉｔ時間の経過？追って、ミッシングピ
ッ）＃１９ｆ確認し、その増加しり時点シ寿命とした。

尚、実施例１のディスクは、１００℃に１４月間放置し
た後にも、上記同様の品質評価な行った。

又、実施例でけ述べなかっ之が、茎本材料けＡｔ合金に
限定されるものではなく、ブ→スチヴク、ガラス、セラ
ミック等、任意である。

〔発明の効果〕

以上述べ皮様に本発明によれば、より薄嘆で。

！幾械的信幀性と耐食性な充分に催促した高密電記録対
応のディスクの提供が可能になっ７ｔ、。

ヌディスクドライブｈ−より厳しい環境下で用いられた
場合を想定し、１００’Ｃの環境下にディスクを放１＃
させｔ後の品質も評価したが、何等それにより特性ｈｓ
劣化しないものであり、高耐久対応のディスクの提供が
可能になり几。

以　　ト

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性薄膜媒体が被覆され、この金属
   磁性薄膜媒体上に、酸化物及び窒化物から選ばれる少な
   くとも一種の物質より成る薄膜が第１層として被覆され
   、次にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔｎ、Ｎｂから選ばれる少な
   くとも一種の金属薄膜が第２層として被覆され、次に炭
   素質膜が第３層として被覆され、更に、少なくとも脂肪
   酸とＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選ばれる金属との
   塩で融点が８０℃以上の物質が第４層として被覆せしめ
   たことを特徴とする磁気記憶体。
2. （２）金属磁性薄膜媒体と酸化物及び窒化物から選ばれ
   る少なくとも一種の物質より成る薄膜との間にＡｌ、Ｃ
   ｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる少なくとも一種の金
   属薄膜が形成せしめられた事を特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の磁気記憶体。
3. （３）酸化物及び窒化物が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、
   ＮｂＳｉから選ばれる元素の化合物であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。