JPS62200549A - 不揮発性電荷メモリデイスクを用いた記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は不揮発性メモリディスクを用いて情報信号を高
い記録密度で繰返し記録再生することのできる記録再生
装置に関する。

（従来技術） 円盤状の情報記録媒体（ディスク）は他形状の情報記録
媒体、例えばテープ状、シート状の記録媒体に比べて記
録媒体に対する駆ａ機構が簡単になって再生装置の構成
が簡単安価なものになり、また、記録済み記録媒体も簡
単に複製できる他、無溝形式のディスクでは情報の検索
も容易である等の諸利点を有するために、近年になって
フロッピーディスク、光ディスク、静電容量値の変化検
出型のディスク等として多くの分野における多くの用途
に広く実用されるようになっているが、前記した各種の
ディスクとしては、情報信号の記録済みディスク（再生
専用のディスク）、１回だけユーザが追加して記録でき
るディスク（追記型のディスク）、及び書替え可能なデ
ィスク（消去可能で繰返し記録のできるディスク）等が
知られている。

そして、前記した再生専用のディスクとしては、記録の
対象にされている情報信号に対応した凸部または凹部な
どで形成されたピットをディスクのイ、１号面に設けた
形態のものが光ディスクや静電容量値の変化検出型のデ
ィスクとして既に実用化されており、その再生専用のデ
ィスクはディスクの原盤の製作に当って使用される記録
装置として。

高い機械精度の駆動機構や高い機械精度の記録素子の送
り機構を有するものを用いて作られた高密度記録のディ
スクの原盤に基づいて大量に複製されるのであり、ディ
スクの原盤から複製された再生専用のディスクは、再生
時にトラッキング制御により再生素子を記録跡に忠実に
辿らせることによって情報信号の高密度記録再生を実現
させることができる。しかし、再生専用のディスクでは
それに記録されている情報信号を消去して新らしい情報
信号を記録することはできない。

また、前記した各種のディスクの内で情報信号を１回だ
け記録できる追記型のディスクも、前記した再生専用の
ディスクと同様にそれに記録されている情報信号を消去
して新らしい情報信号を記録することはできないのであ
る。

情報信号の記録（書込み）と消去（情報信号の書替え）
及び再生（非破壊読出し）などの可能なディスクとして
は、従来から磁気ディスクが最も一般的に知られており
、各種の機器における記憶装置等に実用されているが、
従来の通常の磁気ディスク装置は磁気ヘッドの送り機構
の機械的精度に依存して、記録時に記録跡を描いたり、
再生時に記録跡を辿ったりするようにしているものであ
ったから、高密度記録再生を行なうことはできなかった
。

そして、近年になってディスクに対する情報信号の高密
度記録の要望が高まるのにつれて、記録跡の狭小化やト
ラッキング制御方式の適用などによって高密度記録の磁
気ディスク装置を得るべく、例えば特開昭５５−９９８
８８号公報に開示されているように、予めトラッキング
参照信号だけが記録されている磁気ディスクを用いて高
密度記録再生を行なうようにするという提案もなされた
が、この既提案のものにおいては記録内容の書替えに際
してトラッキング参照信号だけは消去されないようにす
るために複雑な構成の装置が必要になるという欠点があ
る他、磁気ディスクによって高密度記録を達成するため
には、磁気空隙の寸法が極めて微小な磁気ヘッドが必要
とされるが、そのような１　磁気ヘッドは製作が困難で
ある。

情報信号の記録（Ｖ込み）と消去（情報信号の書替え）
及び再生（非破壊読出し）などの可能性のあるディスク
として、最近になってレーザ光スポットの照射によりデ
ィスクの記録層に相変化を生じさせ、情報信号の記録再
生を繰返して行なえるようにしたディスクも提案される
ようになったが、この種のディスクは今のところ耐候性
に問題があって長期間の保存に適する記ＤＩＸ体が得難
いという欠点が指摘されている。

前述した各種の書替え可能なディスクにおける諸問題点
を良好に解決できるディスクとして、先に特開昭５８−
５６２４５号公報で開示された不揮発性電荷メモリディ
スクがある。すなわち、それは半導体基板上に電荷Ｗ植
機能を有する絶縁膜が設けられているとともに、トラッ
キング参照信号とディスクの基準の回転位相を示す信号
とにそれぞれ対応している如き空乏域と非空乏域との配
列パターンが通常の記録再生消去等の各動作時には消去
されないような状態で半導体基板に予め形成させである
不揮発性電荷メモリディスクであり、この不揮発性電荷
メモリディスクは、それを所定の回転数で回転させ、不
揮発性電荷メモリディスクの表面に摺接する記録再生針
に設けられているｉ１！極を介して記録及び再生ならび
に消去の各動作を行なう際に、記録再生針により不揮発
性電荷メモリディスクに予め記録されているトラッキン
グ参照信号を再生し、それに基づいて記録再生針をトラ
ッキング制御することができるので、極めて狭い記録跡
間隔（トラックピッチ）で情報信号の記録再生ができ、
また、情報信号の記録、再生に際して使用される記録再
生針に設けられている電極は、極めて薄いものとして構
成することができろために、記録波長の極く短い情報信
号の記録再生も良好に行われ、したがって、安定に、か
つ、Ｖ！替え自在な状態で高密度記録再生が可能となさ
れるのである。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、前記のように半導体基板上に電荷蓄積機能を
有する絶縁膜が設けられているとともに。

トラッキング参照信号とディスクのノル準の回転位相を
示す信号とにそれぞれ対応している如き空乏域と非空乏
域との配列パターンが通常の記録再生消去等の各動作時
には消去されないような状態で半導体基板に予め形成さ
れている不揮発性電荷メモリディスクを所定の回転数で
回転させ、前記の不揮発性電荷メモリディスクの表面に
摺接する記録再生針に設けられている電極によって再生
されたトラッキング参照信号に基づいて記録再生針の１
へラッキング制御が行なわれるようにしながら、記録及
び再生動作を行なうようにした従来の記録再生装置では
、記録再生装置の記録モード時におけるトラッキング参
照信号の再生動作と情報信号の記録動作とが時分割的に
行なわれるようにされていたので１例えば記録再生の対
象にされている情報信号が時間軸上で連続していなけれ
ばならないものでは使用することができず、また、記録
再生装置の記録モード時においてトラッキング参照信号
の再生動作と情報信号の記録動作とを時分割的に行なわ
せるための切換え回路として正確に動作するものが必要
とされる他、ディスクに回転むらがあった場合にはトラ
ッキング参照信号の検出が不可能になり、さらに、前記
の切換回路は静電容量値の変化検出回路中の高周波信号
の共振回路に接続されるために、浮遊容量の増加によっ
てトラッキング参照信号の検出動作が不安定になること
もあるなどの欠点が問題になり、それの改善策が求めら
れた。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、半導体基板上に電荷蓄積機能を有する絶ｌａ
膜が設けられているとともに、トラッキング参照信号と
ディスクの基準の回転位相を示す信号とにそれぞれ対応
している如き空乏域と非空乏域との配列パターンが通常
の記録再生消去等の各動作時には消去されないような状
態で半導体基板に多め形成されている不揮発性電荷メモ
リディスクを所定の回転数で回転させ、前記の不揮発性
電荷メモリディスクの表面に摺接する記録再生針に設け
られている電極を介して記録及び再生動作が行なわれる
ようになされている不揮発性電荷メモリディスクを用い
た記録再生装置において、不揮発性電荷メモリディスク
の表面に摺接する記録再生針は、不揮発性電荷メモリデ
ィスクに形成されている記録跡の延在方向について前後
の位置関係にあるとともに互に略々平行な状態となされ
ている各個別の電極を備えているものとされており。

また、前記した２つのＷ１極の内の一方の′Ｒ，極は。

それが記録再生装置に設定された動作モードとは関係な
く少なくともトラッキング参照信号の再生動作を行ない
うるようになされている再生回路に接続されており、さ
らに、前記した２つの１！極の内の他方の電極に供給さ
れた信号に基づく前記した再生回路に接続されている電
極の回路への漏話成分が、前記した再生回路に供給され
ないようにする手段とを備えてなる不揮発性電荷メモリ
ディスクを用いた記録再生装置を提供するものである。

（実施例） 以下、添付図面を参照しながら本発明の不揮発性電荷メ
モリディスクを用いた記録再生装置の具体的な内容につ
いて詳細に説明する。第１図は本発明の不揮発性電荷メ
モリディスクを用いた記録再生装置の一実施例の概略構
成を示すブロック図テアって、第１図においてＤは不揮
発性電荷メモリディスクであり、この不揮発性電荷メモ
リディスクＤは駆動用モータＭによって所定の回転数で
駆動回転される。１２は不揮発性電荷メモリディスクＤ
を駆動用モータＭの回転軸に固着されているターンテー
ブル（図示されていない）に固着するためのクランパで
ある。

前記した不揮発性電荷メモリディスクＤは、第５図に例
示さ九ている断面図のように半導体基板Ｓｉと、前記し
た半導体基板Ｓｉｋに形成された薄い酸化膜よりなる第
１の絶縁ｌｉ！ｉｏと、前記した第１の絶縁膜Ｏ上に形
成された窒化膜よりなる第２の絶縁膜Ｎと、前記した半
導体基板ＳＬの裏面に形成されたアルミニウムの蒸着［
Ａとによって構成されている。

前記した半導体、！！、ＷＳ上は、例えば導電型がｎ型
のシリコンの単結晶の薄板あるいはシリコンのアモルフ
ァスの薄板（導電型がｐ型のシリコンの単結晶の薄板あ
るいはシリコンのアモルファスの薄板が用いられてもよ
い）が用いられる。前記のように半導体基板Ｓｉとして
シリコンの単結晶の薄板あるいはシリコンのアモルファ
スのｕＦ２が用いられた場合には、前記した第１の絶縁
膜０は酸化シリコン膜であり、また、第２の絶縁膜Ｎは
窒。

化シリコン膜である。

第５図中においてＤ／’、、ＤＡ・・・は前記したシリ
コン基板Ｓｉ中に所要の配列パターンとなるように設け
られた空乏域であるが、この空乏域ＤＡ。

ＤＡ・・・は不揮発性メモリディスクＤに予め記録して
おくべきトラッキング参照信号とディスクの基準の回転
位相を示す信号とにそれぞれ対応している如き空乏域と
非空乏域との配列パターンにおける空乏域の部分に対応
しているものであって、前記したシリコン基板Ｓｉとし
てシリコンの単結晶の薄板あるいはシリコンのアモルフ
ァスの薄板が用いられた場合には、前記の空乏域ＤＡ、
ＤＡ・・・は所定のパターンを備えているマスクパター
ンを通して１例えば１０乃至１００　Ｋ　ａ　Ｖに加速
されたｔｉｌｌ素イオンを、シリコン基板Ｓｉ中に数百
ｎｍの深さにまで打込み、後で活性化することによって
容易に形成することができるのである。

第６図は不揮発性メモリディスクＤにおけるシリコン基
板Ｓｉ中に空乏域Ａ、ＤＡ・・・と非空乏域との所定の
配列パターンにより予め記録されているトラッキング参
照信号とディスクの基準の回転位相を示す信号との記録
領域を説明している図であり、この第６図中において実
線で示している曲線は２種類のトラッキング参照信号の
一方のものＦｐｌの記録領域であり、また、１点Ｓ線で
示している曲線は２種類のトラッキング参照信号の他方
のものＦｐ２の記録領域であり、さらに、破線で示して
いる曲線はディスクＤの基準の回転位相を示す（８号Ｆ
ｐ３の記録領域である。

第７図は前記した２種類のトラッキング信号Ｆｐｉ、Ｆ
ｐ２と、ディスクＤの基準の回転位相を示す４８号Ｆｐ
３と、ディスクＤに記録される記録信号ＦＭとの相互の
周波数関係を例示している周波数配置図であり、また、
第８同は前記した２種類のトう・ツキング信号Ｆｐｌ、
Ｆｐ２と、ディスクＤの基準の回転位相を示す信号Ｆｐ
３との相互の配置関係を説明するために、第６図中のＥ
の部分を拡大して示した図である。第８図中において、
２種類のトラッキング信号Ｆｐｌ、Ｆｐ２によるそれぞ
れの記録跡によって挟まれている領域Ｒ，Ｒ・・・は記
録信号が記録されるべき部分であり１図中の点線図示の
枠は、前記した領域Ｒ中に記録された記録信号を示して
おり、また１図中のＳは記録再生針であり、この記録再
生針Ｓは第１図中に示されているように、支持体（カン
チレバー）を介してトラッキング制御系のアクチュ玉−
タＡＣＴにより後述のように駆動変位されることによっ
て、記録再生針Ｓが記録跡に正しく追跡できるようにな
されている。

前記したディスクＤの基準の回転位相を示す信号Ｆｐ３
はディスクＤにおける特定な半径位置に記録されており
、前記の信号Ｆｐ３はトラッキング参照信号に基づいて
作られるトラッキング制御信号の極性切換えのタイミン
グの決定、その他。

記録再生装置の動作のタイミングの決定のためなどに用
いられるのである。

前記した不揮発性メモリディスクＤに対する記録信号の
記録と、不揮発性メモリディスクＤに記録されている信
号の再生とは、不揮発性メモリディスクＤｉに摺接する
記録再生針Ｓに設けられている２つの電極２．３によっ
て行なわれる。第４図の（ｔｌ）は、前記した記録再生
針Ｓの本体１の先端部付近の拡大斜視図であり、また第
４図の（ｂ）は、前記した記録再生針Ｓの先端部の摺依
面４の拡大平面図であって、第４図に示されているよう
に不揮発性電荷メモリディスクの表面に摺接する記録再
生針Ｓは、不揮発性電荷メモリディスクＤに形成されて
いる記録跡の延在方向について前後の位置関係にあると
ともに互に略々平行な状態となされている各個別のＷ１
極２，３を備えているものとされており、また、前記し
た２つのｔｔｔ極２゜３の内の一方のｆｆｉ極３は、そ
れが記録再生装置に設定された動作モードとは関係なく
、少なくともトラッキング参照信号の再生動作を行ない
うるようになされている再生回路に接続されている。

前記した２つの電極２，３の内の他方の電極２はそれに
与えられた記録信号を不揮性メモリディスクＤに記録し
たり、それに供給された消去用信号によって不揮発性メ
モリディスクＤの既記緑信号を消去するのに用いられる
。

第１図中の端子５に供給された記録の対象にされている
情報信号（例えば、映倫信号や音声信号）は１周波数変
調器ＦＭＭによって周波数変調波形態の記録信号は、記
録増幅器ＲＡによって必要な電圧となるように電圧増幅
された後に記録再生針Ｓにおける電極２に供給されるこ
とにより、不揮発性メモリディスクＤに窒化膜Ｎ中には
、記録信号に従って電極２に生じた電界の強弱変化と対
応する蓄積電荷の配列パターンとして記録４８号が記録
される。第９図は不揮発性電荷メモリディスクＤの面上
に記録再生針Ｓがトラッキング制御動作の下に摺接して
いて、それの電極２にｉｒＬ！録信号による電圧が印加
されることによって、不揮発性メモリディスクＤの窒化
膜Ｎ中に記録信号が蓄積電荷として記録されている状態
を示している図である（″ｇ、化膜Ｎ中に点線枠で示し
ている部分が記録信号に応じて窒化膜Ｎ中に生じた蓄積
電荷を示している）。

前記のように不揮発性メモリディスクＤの面上に摺接さ
れる記録再生針Ｓにおける２つの電ｔ４２゜３の内で、
記録＜ｒｔ号の記録のために使用される電極２は、それ
の電極端部の電１４４　ｒｌｊが記録の対象にされてい
る記録信号による記録路中に略々等しくなされており、
また、不揮発性メモリディスクＤに記録されている信号
を再生する電極３は、それの電極ＩＩＩが情報信号によ
る記録跡の両側に設けられているトラッキング参照信号
による記録跡にもかかるように少し広めになされている
（第８図参照）。

一方、不揮発性メモリディスクＤの而」−に摺接される
記録再生針ＳにＪ′９ける２つの電極２．３の内で、デ
ィスクＤに記録されている記録信号を再生するために使
用されるｔｔｆ極３では、不揮発性メモリディスク°Ｄ
の窒化０．ＪＮ中に記録信号に応じた蓄積電荷として記
録されている記録信号及び不揮発性メモリディスクＤに
空乏域と非空乏域との配列パターンとして記録されてい
るトラッキング参照信号とディスクの基準の回転位相を
示す信号などを静電容量値の変化として同時に検出し、
その静電容量値の変化を検出回路ＤＥＴに与える。

第２図は前記した検出回路ＤＥＴの具体的な立体回路の
構成例を示したものであり、また、第３図は第２図示の
立体回路の等価回路図である。第２図及び第３図に示す
検出回路ＤＥＴにおいて、Ｏ２０は発振器、ＣＬは結合
線、ＲＥＳは共振器、ＲＳ　Ｆは共振フィルタ、ＳＤは
検波回路であって、発振器Ｏ８Ｃで発生された約Ｉ　Ｇ
　Ｈｚの高周波の発振波は、インダクタＬ１から結合イ
ンダクタＣＬを介して共振器ＲＥＳのインダクタ■、２
に導かれる。

共振器ＲＥＳの一端の端子Ｔ１には不揮発性メモリディ
スクＤの面上に摺接される記録再生針Ｓにおける２つの
電極２．３の内で、ディスクＤに記録されている記録４
４号を再生するために使用される電圃３が接続されてい
るから、不揮発性メモリディスクＤに記録されている記
録信号及びトラッキング参照信号、ならびにディスクの
基準の回転位相を示す信号などと対応して生じている静
電容量値の変化によって、共振器ＲＥＳの共振周波数が
変化する。

それにより、共振器ＲＥＳに供給された高周波信号は、
前記した静電容量値の変化に伴って変化する共振周波数
の変化に応じて振幅変調される。

そして、前記の振幅変調された状態の高周波信号はイン
ダクタＬ２から共振フィルタＲ５ＦのインダクタＬ３に
導かれるが、前記した共振フィルタＲ８Ｆの共振周波数
は、発振器Ｏ８Ｃに発生する高周波の発振波の周波数と
等しく設定されており。

共振フィルタＲ８Ｆでは共振器ＲＥＳからそれに供給さ
れた信号の内から振幅変調を受けた約ＩＧＨｚの周波数
の高周波成分だけを抽出する。

記録再生装置が記録モードとなされている場合には、記
録再生針Ｓにおける電極２に対して高い電圧の記録信号
が供給されているから、前記したｆｆｉ極２の近傍に設
けられている電極３の回路に対して、前記の記録信号が
漏話することは避けられないが、前記した電極２から電
極３の回路への記録信号の漏話は、前記の共振フィルタ
Ｒ８Ｆによって有効に除去できる。

共振フィルタＲ８Ｆから出力された高周波信号の振幅変
調波は検波回路ＳＤによって振幅復調されて、端子Ｔ２
から前置増幅器ＰＡに供給される。

前記した前置増幅器ＰＡに供給された信号は、前置増幅
器ＰＡによって増幅されてから、帯域濾波器ＢＰＦＩ〜
Ｂ　Ｐ　Ｆ４に供給されろ。

帯域濾波器Ｂ　Ｔ’　Ｆ４によって抽出される信号は。

第７図中にＦＭとして示されている記録信号（周波数変
調波信号）であり、この信号は復調回路ＯＥＭにおいて
所要の信号処理を受けて、出力端子６．７には記録の対
象にされていた情報信号（例えば、映像信号と音声信号
）が出力される。

また、帯域濾波器ＢＰＦＩによって抽出される信号は、
第７図中にＦＰＩとして示されているトラッキング参照
信号Ｆｐｌであり、さらに帯域濾波器ｌ３ＰＦ２によっ
て抽出される信号は、第７図中にＦｐ２として示されて
いるトラッキング参照信号Ｆｐ２であり、さらにまた帯
域濾波ＷＢ　Ｐ　Ｆ３によって抽出される信号は、第７
図中にＦｐ３として示されているのディスクの基準の回
転位相を示す信号Ｆｐ３である。

前記した帯域濾波器ＢＰＦ３によって抽出されたディス
クの基準の回転位相を示す信号Ｆｐ３は、第６図に示さ
れているようにディスクの各１周毎に順次交互に記録さ
れている２種類のトラッキング参照信号ＦＰＩ、Ｆｐ２
の切換わる時点に存在しているから、前記した帯域濾波
器ＢＰＦ３で抽出されたディスクの基準の回転位相を示
す信号Ｆｐ３は、検波回路ＤＥＴ：ｌで整流平滑された
後に切換パルス発生回路ＸＰＧにトリガ信号として供給
されることにより、切換パルス発生回路ＸＰＧからは切
換スイッチＳＷに切換パルスが与えられる。

また、前記した帯域濾波器ＢＰＦＩによって抽出された
トラッキング参照信号Ｆｐｌと、帯域濾波器ＢＰＦ２に
よって抽出されたトラッキング参照信号Ｆｐ２とは、前
記した切換スイッチＳＷの入力端子８，９を介してそれ
ぞれ異なる固定接点に与えられている。

それで、前記した切換スイッチＳＷにおける可動接点が
、前記した切換パルス発生回路ＸＰＧで発生された切換
パルスによってディスクの１回転毎に切換えられるのに
応じて、切換スイッチＳＷの各出力端子１０．１１には
、ディスクの各１回転毎における基準の回転位相の位置
においてトラッキング参照信号Ｆｐｌとトラッキング参
照信号Ｆｐ２とが順次交互に切換え出力されるようにな
される。

それにより第６図に示されているように順次交互に記録
されている２種類のトラッキング参照信号Ｆｐｌ、Ｆｐ
２に基づいて作られる後述のトラッキング制御信号の極
性はディスクの各１周毎に常に正しく保たれるようにさ
れるのである。

前記したトラッキング参照信号Ｆｐｌとトラッキング参
照信号Ｆｐ２とは検波器Ｄ　Ｅ　Ｔ２．　Ｌ）　Ｅ′ｒ
３によって整流濾波されてから差動増幅器１）　Ａに供
給されることにより、差動増幅器ＤＡからはトラッキン
グ制御回路ＴＳＣに出力する。トラッキング制御回路Ｔ
ＳＣではトラッキング誤差信号に位相補償を加えてから
電力増幅してトラッキング制御信号とし、それをトラッ
キング制御系の７クチユエータＡＣＴに与えて記録再生
針Ｓが常に所定の記録跡を正しく辿るようにする。

（効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の不揮発性電荷メモリディスクを用いた記録再生装置
は、半導体基板上にｆｆｌ背蓄積機能を有する絶縁膜が
設けられているとともに、トラッキング参照信号とディ
スクの基準の回転位相を示す信号とにそれぞれ対応して
いる如き空乏域と非空乏域との配列パターンが通常の記
録再生消去等の各動作時には消去されないような状態で
半導体基板に予め形成されている不揮発性電荷メモリデ
ィスクを所定の回転数で回転させ、前記の不揮発性電荷
メモリディスクの表面に摺接する記録再生針に設けられ
ている電極を介して記録及び再生動作が行なわれるよう
になされている不揮発性電荷メモリディスクを用いた記
録再生装置において。

不揮発性電荷メモリディスクの表面に摺接する記録再生
針は、不揮発性電荷メモリディスクに形成されている記
録跡の延在方向について前後の位置関係にあるとともに
互に略々平行な状態となされている各個別の電極を備え
ているものとされており、また、前記した２つの電極の
内の一方の電極は、それが記録再生装置に設定された動
作モードとは関係なく少なくともトラッキング参照信号
の再生動作を行ないうるようになされている再生回路に
接続されており、さらに、前記した２つの電極の内の他
方の電極に供給された信号に基づく前記した再生回路に
接続されている電極の回路への漏話成分が、前記した再
生回路に供給されないようにする手段とを備えてなるも
のであって、この不揮発性電荷メモリディスクを用いた
記録再生装置においては、記録再生針に設けられた２個
の電極の一方のものによって常にトラッキング参照信号
が再生回路に与太らｊしるようになされているとともに
、記録再生針に設けられている２つの電極の内の他方の
電極に供給された信号に基づいて前記した再生回路に接
続されている電極の回路への漏話成分が、前記した再生
回路に供給されないようにされているから、記録再生装
置がどのような動作モードで動作している場合でも、ト
ラッキング参照信号は良好な状態で再生されるために、
前記した記録再生針Ｓに対して行なわれるトラッキング
制御動作は、記録再生装置の動作モードの如何に抱わら
ずに行なわれるのであり、記録信号が時間軸上で連続し
ている状態の信号のものであっても、それの記録再生動
作がトラッキング制御の下に良好に行なうことができ、
また、ディスクに回転むらがあってもトラッキング参照
信号の再生は良好に行なわれる他、トラッキング参照信
号の再生動作と記録信号の記録動作とを時分割式に行な
うようにしたもので必要とされていた切換回路も不要で
あり、簡単な構成で安定な記録再生動作を行なうことの
できる記録再生装置を容易に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の不揮発性電荷メモリディスクを用いた
記録再生袋はの概＋ｑ構成を示すブロック図、第２図及
び第３図は検出回路の回路図、第４図は記録再生針の説
明図、第５図は不揮発性電荷メモリディスクの一部の拡
大断面図、第６図は不揮発性電荷メモリディスクの平面
図、第７図は信号の周波数配置図、第８図は不揮発性電
荷メモリディスクに記録されているトラッキング参照４
８号等の配列パターンを例示し゛た平面図、第９図は不
揮発性電荷メモリディスクと記録再生針とを示す側面図
である。 Ｄ・・・不揮発性電荷メモリディスク、Ｓ・・・記録再
封、Ｍ・・・駆動用モータ、Ｓｉ・・・半導体基板、０
・・・第１の絶縁膜、Ｎ・・・第２の絶縁膜、Ａ・・・
アルミニウムの蒸着膜、ＤＡ・・・空乏域、ＡＣＴ・・
・トラッキング制御系のアクチュエータ、ＦＭＭ・・・
周波数変調器、ＲＡ・・・記録増幅器、ＤＥ′ｒ：・・
検出回路、Ｏ２０・・・高周波発振器、ＣＬ・・・結合
線、ＲＥＳ・・・共振器、Ｒ８Ｆ・・・共振フィルタ、
Ｓ　１）・・・検波回路。 ＰＡ・・・前置増幅器、　Ｂ　Ｐ　Ｆｌ−１１Ｐ　Ｉ”
４・・・帯域濾波器、ＤＥＴＩ〜ＤＥＴ３・・・検波器
、ＴＳＣ・・・トラッキング制御回路、ＳＷ・・・切換
スイッチ、１・・・記録再生針の本体、２，３・・・電
極、４・・・摺接面、特許出願人　　日本ビクター株式
会社 ゛、ｒ−ン） 代　理　人　弁理士　今　間　孝　生　１′・４第　１
− へ　　　　　　　　　　…

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に電荷蓄積機能を有する絶縁膜が設けられ
   ているとともに、トラッキング参照信号とディスクの基
   準の回転位相を示す信号とにそれぞれ対応している如き
   空乏域と非空乏域との配列パターンが通常の記録再生消
   去等の各動作時には消去されないような状態で半導体基
   板に予め形成されている不揮発性電荷メモリディスクを
   所定の回転数で回転させ、前記の不揮発性電荷メモリデ
   ィスクの表面に摺接する記録再生針に設けられている電
   極を介して記録及び再生動作が行なわれるようになされ
   ている不揮発性電荷メモリディスクを用いた記録再生装
   置において、不揮発性電荷メモリディスクの表面に摺接
   する記録再生針は、不揮発性電荷メモリディスクに形成
   されている記録跡の延在方向について前後の位置関係に
   あるとともに互に略々平行な状態となされている各個別
   の電極を備えているものとされており、また、前記した
   ２つの電極の内の一方の電極は、それが記録再生装置に
   設定された動作モードとは関係なく少なくともトラッキ
   ング参照信号の再生動作を行ないうるようになされてい
   る再生回路に接続されており、さらに、前記した２つの
   電極の内の他方の電極に供給された信号に基づく前記し
   た再生回路に接続されている電極の回路への漏話成分が
   、前記した再生回路に供給されないようにする手段とを
   備えてなる不揮発性電荷メモリディスクを用いた記録再
   生装置