JPS62200552A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62200552A JPS62200552A JP4145086A JP4145086A JPS62200552A JP S62200552 A JPS62200552 A JP S62200552A JP 4145086 A JP4145086 A JP 4145086A JP 4145086 A JP4145086 A JP 4145086A JP S62200552 A JPS62200552 A JP S62200552A
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- JP
- Japan
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- additive element
- target
- additive
- substrate
- recording medium
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、情報の消去および再書き込みを繰り返し行う
ことができる光磁気記録媒体の製造方法に関する。
ことができる光磁気記録媒体の製造方法に関する。
磁気テープあるいは磁気ディスクと同様に、情報の消去
・再書き込みが何度でも可能な光磁気ディスクが実用化
されようとしている。このような光磁気ディスクの記録
層に適用される記録材料としては、■スパッタ方または
ｆ着法によって大面積にして均一な記録層を形成するこ
とができる。
・再書き込みが何度でも可能な光磁気ディスクが実用化
されようとしている。このような光磁気ディスクの記録
層に適用される記録材料としては、■スパッタ方または
ｆ着法によって大面積にして均一な記録層を形成するこ
とができる。
０粒界がないため大きなＳ／Ｎが得られる、等の特徴を
有するため、従来より、ガドリニウム、テルビウム、ジ
スプロシウム等の希土類金属と、鉄、コバルト等の遷移
金属との非晶質合金が注目されている。 （日経エレク
トロニクス １９８５．３．２５ １６７頁〜１８８頁
） しかしながら、上記希土類金属と遷移金属の非晶質合金
は、非常に酸化し易い物質であって空気中で容易に腐食
してしまうという欠点があり、これを光磁気記録媒体の
記ｔ３１として適用する場合には何らかの腐食防止手段
を付加しなければ、必要とされる耐用命数を満足するこ
とができない。
有するため、従来より、ガドリニウム、テルビウム、ジ
スプロシウム等の希土類金属と、鉄、コバルト等の遷移
金属との非晶質合金が注目されている。 （日経エレク
トロニクス １９８５．３．２５ １６７頁〜１８８頁
） しかしながら、上記希土類金属と遷移金属の非晶質合金
は、非常に酸化し易い物質であって空気中で容易に腐食
してしまうという欠点があり、これを光磁気記録媒体の
記ｔ３１として適用する場合には何らかの腐食防止手段
を付加しなければ、必要とされる耐用命数を満足するこ
とができない。
従来は、ディスク基板と上記の合金からなる記録層との
間および記録層の表面側に、例えば、５ｉＯ１ＳｉＯｚ
、５ｉｚＮａ等からなる保護層をコーティングすること
によって記録層の耐蝕性を向上させることが行われてい
る。
間および記録層の表面側に、例えば、５ｉＯ１ＳｉＯｚ
、５ｉｚＮａ等からなる保護層をコーティングすること
によって記録層の耐蝕性を向上させることが行われてい
る。
上記のように、記録層の表裏両面を保護膜にてコーティ
ングする方法を採った場合、そのコーティング工程の分
だけ光磁気ディスクの製造工程が長くなり、光磁気記録
媒体の製造コストが高価になる。また、上記の方式では
、保３ｆｆｌ １２の形成に当たって高度の技術と品質
管理が必要となり、その反面記録層の腐食防止手段とし
ての信頼性が低いという問題がある。さらに記録層を構
成する記録材料の組成に適合した種類の保護層を用いな
いと、却って記録層の腐食が促進されてしまうため、最
適な保護層の選択を困難であるという問題がある。
ングする方法を採った場合、そのコーティング工程の分
だけ光磁気ディスクの製造工程が長くなり、光磁気記録
媒体の製造コストが高価になる。また、上記の方式では
、保３ｆｆｌ １２の形成に当たって高度の技術と品質
管理が必要となり、その反面記録層の腐食防止手段とし
ての信頼性が低いという問題がある。さらに記録層を構
成する記録材料の組成に適合した種類の保護層を用いな
いと、却って記録層の腐食が促進されてしまうため、最
適な保護層の選択を困難であるという問題がある。
そこで、希土類金属と、遷移金属と、単体において′に
１腐食性を有する元素の合金からなる記録材料をもって
光磁気記録媒体の記録層を形成したこと、および希土類
金属と、遷移金属と、単体において難腐食性を有する第
１の元素と、合金中の易腐食性元素の腐食を促進し、合
金表石部における上記第１の添加元素の？１縮を促進す
る第２の添加元素（以下、濃縮促進元素という）の合金
からなる記録材料をもって記録層を形成した光磁気記録
媒体を先に出願した（特願昭Ｇｏ−２７２４８８号）。
１腐食性を有する元素の合金からなる記録材料をもって
光磁気記録媒体の記録層を形成したこと、および希土類
金属と、遷移金属と、単体において難腐食性を有する第
１の元素と、合金中の易腐食性元素の腐食を促進し、合
金表石部における上記第１の添加元素の？１縮を促進す
る第２の添加元素（以下、濃縮促進元素という）の合金
からなる記録材料をもって記録層を形成した光磁気記録
媒体を先に出願した（特願昭Ｇｏ−２７２４８８号）。
このような光磁気記録媒体を製造するに際し、希土類金
属と、遷移金属と、難腐食性を有する第１の元素と、合
金層部における第１の添加元素を濃縮する第２の添加元
素からなる合金のターゲットを用い、不活性ガス中でス
パッタリングしターゲット材料の原子を基板に蒸着させ
ることが考えられる。
属と、遷移金属と、難腐食性を有する第１の元素と、合
金層部における第１の添加元素を濃縮する第２の添加元
素からなる合金のターゲットを用い、不活性ガス中でス
パッタリングしターゲット材料の原子を基板に蒸着させ
ることが考えられる。
しかしながら、上記の各元素を含む合金では、これらの
元素が粒界に集まり易いため極めて脆くなり、ターゲッ
トの形状に加工することが困難となる。
元素が粒界に集まり易いため極めて脆くなり、ターゲッ
トの形状に加工することが困難となる。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解消し、
製造工程を簡略化し、記録層の耐蝕性を向上させること
ができ、しかも光磁気記録媒体を製造するに際しても、
ターゲットの加工性が容易で生産性を上げることができ
る光磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
製造工程を簡略化し、記録層の耐蝕性を向上させること
ができ、しかも光磁気記録媒体を製造するに際しても、
ターゲットの加工性が容易で生産性を上げることができ
る光磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は、福土類金属と、
遷移金属と、難腐蝕性を有する第１の元素とからなる合
金によりターゲットを構成し、不活性ガスと、難腐蝕性
の第１の添加元素のｔ；縮を促進しうる第２の元素を含
むガスとの混合ガス中でスパッタリングし、ターゲット
材料の原子とともに上記第２の元素を含むガスから第２
の元素を基板に堆積させて光磁気記録媒体を製造するこ
とを特徴とする。すなわち、本発明はスパッタリング等
の記録膜形成時に使用されるターゲットを、合金層とし
たときに難腐蝕性の第１の添加元素の濃縮を促進しうる
第２の添加元素を除く稀土類金属と、遷移金属と難腐蝕
性を有する第１の添加金属により製造することによって
ターゲットの加工性を向上させ、上記第２の添加元素は
、ターゲットの構成材料とすることなくスパッタリング
時の混合ガスとして用い、基板上に耐蝕性の高い記録層
を形成するものである。
遷移金属と、難腐蝕性を有する第１の元素とからなる合
金によりターゲットを構成し、不活性ガスと、難腐蝕性
の第１の添加元素のｔ；縮を促進しうる第２の元素を含
むガスとの混合ガス中でスパッタリングし、ターゲット
材料の原子とともに上記第２の元素を含むガスから第２
の元素を基板に堆積させて光磁気記録媒体を製造するこ
とを特徴とする。すなわち、本発明はスパッタリング等
の記録膜形成時に使用されるターゲットを、合金層とし
たときに難腐蝕性の第１の添加元素の濃縮を促進しうる
第２の添加元素を除く稀土類金属と、遷移金属と難腐蝕
性を有する第１の添加金属により製造することによって
ターゲットの加工性を向上させ、上記第２の添加元素は
、ターゲットの構成材料とすることなくスパッタリング
時の混合ガスとして用い、基板上に耐蝕性の高い記録層
を形成するものである。
［実施例〕
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体を製造するためのスパ
ッタリング装置の一例を示す概略的構成図である。第１
図において、真空容器１にはガス導入口２と、容器内部
を真空にするための排気口３が設けられている。真空容
器１の内部には基台４が設置され、この基台４にターゲ
ット５が固定される。基台４は真空容器ｌの外部に設け
られた電源６に接続されている。真空容器ｌ内部のター
ゲット５の上方に位置する箇所に記録層が堆積されるべ
き基板７が設置され、この基板７とターゲット５との間
にシャッタ８が配置されている。
ッタリング装置の一例を示す概略的構成図である。第１
図において、真空容器１にはガス導入口２と、容器内部
を真空にするための排気口３が設けられている。真空容
器１の内部には基台４が設置され、この基台４にターゲ
ット５が固定される。基台４は真空容器ｌの外部に設け
られた電源６に接続されている。真空容器ｌ内部のター
ゲット５の上方に位置する箇所に記録層が堆積されるべ
き基板７が設置され、この基板７とターゲット５との間
にシャッタ８が配置されている。
、 このようなスパッタリングＷＺにおいて、ターゲッ
ト５には、稀土類金属と、遷移金属と、単体において無
腐蝕性を有する第１の添加元素からなる合金が用いられ
る。ここで単体において無腐蝕性を有する第１の添加元
素には、チタン、クロム、アルミニウム、白金、ジルコ
ニウム、バナジウム、タンタル、モリブデン、タングス
テン、銅、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、ニオブ
、イリジウム、ハフニウムから選択された少なくとも１
種の元素を用いることができる。
ト５には、稀土類金属と、遷移金属と、単体において無
腐蝕性を有する第１の添加元素からなる合金が用いられ
る。ここで単体において無腐蝕性を有する第１の添加元
素には、チタン、クロム、アルミニウム、白金、ジルコ
ニウム、バナジウム、タンタル、モリブデン、タングス
テン、銅、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、ニオブ
、イリジウム、ハフニウムから選択された少なくとも１
種の元素を用いることができる。
真空容器ｌの内部は、排気口３を介して排気され、予め
１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空状態とされた後、ガス導入
口２から不活性ガスと上記第２の添加元素を含むガスと
の混合ガスが導入され、真空容器１の内部は５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒ程度となる。
１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空状態とされた後、ガス導入
口２から不活性ガスと上記第２の添加元素を含むガスと
の混合ガスが導入され、真空容器１の内部は５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒ程度となる。
そして５分間程度のブリスパッタ後、シャッタ８が開か
れ、基板７に対するスパッタが開始される。
れ、基板７に対するスパッタが開始される。
不活性ガスにはＨｅｓ Ｎｅ、Ａｒ、、Ｋｒ、、Ｘｅ等
の公知のガスが使用される。
の公知のガスが使用される。
上記第２の添加元素にはケイ素、ゲルマニウム、ホウ素
、リン、炭素から選択された少なくとも１種を挙げるこ
とができる。これらの元素を含むガスとして、次のガス
が挙げられる。第２の添加元素がケイ素の場合、５ｉＨ
ａ、５ｉＦａ、５ｉｚＨｉ、第２の添加元素がゲルマニ
ウムの場、ＧｅＨ，、ＧｅＦ４、第２の添加元素がホウ
素の場合、ＢＡＨ，、第２の添加元素がリンの場合、Ｐ
Ｈ２、第２の添加元素が炭素の場合、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ。
、リン、炭素から選択された少なくとも１種を挙げるこ
とができる。これらの元素を含むガスとして、次のガス
が挙げられる。第２の添加元素がケイ素の場合、５ｉＨ
ａ、５ｉＦａ、５ｉｚＨｉ、第２の添加元素がゲルマニ
ウムの場、ＧｅＨ，、ＧｅＦ４、第２の添加元素がホウ
素の場合、ＢＡＨ，、第２の添加元素がリンの場合、Ｐ
Ｈ２、第２の添加元素が炭素の場合、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ。
等をそれぞれ挙げることができる。
不活性ガスと上記体２の元素を含む混合ガスは、真空容
器１の内部に導入され、ここで上記第２の元素を含むガ
スが分解されて基板７上に堆積する。
器１の内部に導入され、ここで上記第２の元素を含むガ
スが分解されて基板７上に堆積する。
同時に不活性ガスはイオン化され、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｔｉ等の合金からなるターゲット５に射突し、スパック
現象により発生したターゲット５材料の原子が基板７上
に堆積する。したがって、基板７の面にはターゲット５
の構成材料である稀土類金属、遷移金属および単体にお
いて無腐蝕性を有する第１の添加元素とともに不活性ガ
スに混合されたガスの分解によって生しる第２の添加元
素を含む蒸着層が形成される。
Ｔｉ等の合金からなるターゲット５に射突し、スパック
現象により発生したターゲット５材料の原子が基板７上
に堆積する。したがって、基板７の面にはターゲット５
の構成材料である稀土類金属、遷移金属および単体にお
いて無腐蝕性を有する第１の添加元素とともに不活性ガ
スに混合されたガスの分解によって生しる第２の添加元
素を含む蒸着層が形成される。
このようなスパッタ操作において、稀土類金属、遷移金
属および無腐蝕性を有する第１の添加元素からなる合金
ターゲットを作製し、Ａｒ等の不活性ガスと第２の添加
元素を含む混合ガス中の第２の添加元素を含むガスの分
圧と基板７に蒸着された蒸＠膜との関係をデータにとり
、上記分圧を制御することによって所定の蒸着膜を得る
ことができる。
属および無腐蝕性を有する第１の添加元素からなる合金
ターゲットを作製し、Ａｒ等の不活性ガスと第２の添加
元素を含む混合ガス中の第２の添加元素を含むガスの分
圧と基板７に蒸着された蒸＠膜との関係をデータにとり
、上記分圧を制御することによって所定の蒸着膜を得る
ことができる。
本発明において、不活性ガスに混合される上記第２の添
加元素を含むガスは、１種類に限らず、２種類以上を混
合することもできる。不活性ガスと第２の添加元素を含
むガスとの混合ガスの特に好適な例として、Ａｒガスと
ｐＨｉおよびＢ ｚ Ｈｂとの混合ガス、ＡｒガスとＰ
Ｈ，およびＣＨ，との混合ガス、Ａ「ガスとＰＨｆｆお
よび５ｉＨｎとの混合ガス、ＡｒガスとＢ ｚ Ｈｂお
よびＣＨ４との混合ガス等を挙げることができる。
加元素を含むガスは、１種類に限らず、２種類以上を混
合することもできる。不活性ガスと第２の添加元素を含
むガスとの混合ガスの特に好適な例として、Ａｒガスと
ｐＨｉおよびＢ ｚ Ｈｂとの混合ガス、ＡｒガスとＰ
Ｈ，およびＣＨ，との混合ガス、Ａ「ガスとＰＨｆｆお
よび５ｉＨｎとの混合ガス、ＡｒガスとＢ ｚ Ｈｂお
よびＣＨ４との混合ガス等を挙げることができる。
また不活性ガスと第２の添加元素を含むガスとの混合ガ
スから、基板面上に第２の添加元素を含む層を形成する
手段として、１）グロー放電、１１）イオンビーム法等
を蒸着法と組み合わせることもできる。
スから、基板面上に第２の添加元素を含む層を形成する
手段として、１）グロー放電、１１）イオンビーム法等
を蒸着法と組み合わせることもできる。
以上のように本発明によれば、光磁気記録媒体を製造す
る際に使用されるターゲットの加工性が向上するので光
磁気記録媒体の生産効率が高くなり、また得られる光磁
気記録媒体の記録層の耐蝕性が改善される。
る際に使用されるターゲットの加工性が向上するので光
磁気記録媒体の生産効率が高くなり、また得られる光磁
気記録媒体の記録層の耐蝕性が改善される。
図は本発明の光磁気記録媒体の製造方法に適用されるス
パッタリング装置の１例を示す概略的構成図である。 ｌ・・・・・・真空容器、 ２・・・・・・ガス導入口
、 ３・・・・・・排気口、 ４・・・・・・基台、
５・・・・・・ターゲット、６・・・・・・電源、 ７
・旧・・基板。
パッタリング装置の１例を示す概略的構成図である。 ｌ・・・・・・真空容器、 ２・・・・・・ガス導入口
、 ３・・・・・・排気口、 ４・・・・・・基台、
５・・・・・・ターゲット、６・・・・・・電源、 ７
・旧・・基板。
Claims (2)
- （１）稀土類金属と、遷移金属と、単体において難腐蝕
性を有する第１の添加元素との合金からなるターゲット
が配置された装置内に、不活性ガスと作製されるべき記
録層の表層部における上記第１の添加元素の濃縮を促進
しうる第２の添加元素を含むガスとの混合ガスを導入し
、この混合ガス中でスパッタリングを行い、基板上に上
記稀土類金属と、上記遷移金属と、上記第１の添加元素
と、上記第２の添加元素を含む記録層を形成することを
特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - （２）単体において難腐蝕性を有する第１の添加元が、
チタン、クロム、アルミニウム、白金、ジルコニウム、
バナジウム、タンタル、モリブテン、タングステン、銅
、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、ニオブ、イリジ
ウム、ハフニウムから選択された少なくとも１種の元素
であり、上記第２の添加元素の群が、ケイ素、ゲルマニ
ウム、ホウ素、炭素、リンであることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の光磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145086A JPS62200552A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145086A JPS62200552A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200552A true JPS62200552A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12608714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4145086A Pending JPS62200552A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62200552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6325857A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Hitachi Ltd | 光磁気デイスクおよびその製造法 |
| US4885134A (en) * | 1988-08-22 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Sputtering target and method of preparing the same |
| DE112021000728B4 (de) | 2020-06-11 | 2026-02-19 | Fujian Golden Dragon Rare-Earth Co., Ltd. | Rohmaterial eines neodym-eisen-bor-dauermagnetmaterials und herstellungsverfahren für ein neodym-eisen-bor-dauermagnetmaterial |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4145086A patent/JPS62200552A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6325857A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Hitachi Ltd | 光磁気デイスクおよびその製造法 |
| US4885134A (en) * | 1988-08-22 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Sputtering target and method of preparing the same |
| DE112021000728B4 (de) | 2020-06-11 | 2026-02-19 | Fujian Golden Dragon Rare-Earth Co., Ltd. | Rohmaterial eines neodym-eisen-bor-dauermagnetmaterials und herstellungsverfahren für ein neodym-eisen-bor-dauermagnetmaterial |
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