JPS6325857A - 光磁気デイスクおよびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザビームなどを用いて情報の書込み（記録
）、再生ならびに消去を行なう光磁気ディスクに係り、
特に高耐食性で優れた磁気および磁気光学特性の磁気記
録膜を有する耐久性ならびに信頼性の高い光磁気ディス
ク、および膜欠陥が少なく、下地層との接着性のよいカ
ー（Ｋ　ｅｒｒ　）エンハンス膜や保護膜などの誘電体
膜を有する耐久性ならびに信頼性の高い光磁気ディスク
の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、高速高密度で、かつ大容量の情報の任意読出し書
換え可能な光磁気ディスクが注目されている。この光磁
気ディスクに用いられる磁気記録材料は、希土類元素お
よび鉄族元素を含む合金からなるものが主流であって、
種々の材料が研究されている。しかし、これらの磁気記
録材料は、使用される環境に対して活性であり、空気中
の水分や酸素と容易に反応して水酸化物や酸化物をその
表面に形成する。この反応は、光磁気ディスクの表面か
らしだいに磁気記録膜の内部へと進行していくために、
磁気記録膜の磁気および磁気光学特性を著しく低下させ
るという問題が生ずる。これは、光磁気ディスクの信頼
性を低下させることになり、実用化に際して大きな障害
となっていた。

現在までに、この磁気記録膜の腐食問題を解決する方法
として、（１）ａ気配８膜自身の耐食性を向上させる方
法、（２）磁気記録膜の表面あるいは界面に保護膜を設
けて外気を遮断する方法などが考えられている６特に、
前者のように磁気記除膜自身の耐食性を向上させること
ができれば。

保護膜を設ける工程が不要となり光磁気ディスクの製造
プロセスの簡略化をはかることが可能である。このため
に、磁気記録膜自身の耐食性を向上させる提案が多くな
されており、その代表例として、特公昭６０−２１２１
７号公報および特公昭６０−２６８２５号公報がある。

しかし、磁気記録膜の耐食性向上と磁気および光磁気特
性とは相反する関係にあり、両者を同時に満足させる磁
気記録膜は未だ存在していない。

他方、光磁気ディスクを製造する場合に、例えば第９図
に示す構造の光磁気ディスクにおいて、基板２６上に、
カーエンハンス膜２７を形成し、その上に光磁気記録膜
２８を製膜し、さらにその上部に保護膜２９を、スパッ
タ法あるいは真空蒸着法によって順次積層させる方法に
よって光磁気ディスクを作製していた。しかし、上記の
誘電体を主体とするエンハンス膜および保護膜を製膜さ
せる場合に、真空蒸着法ではそれらの下地層との接着力
が弱く、またスパッタ法ではそれらの主地層表面近傍を
破壊あるいは損傷させたり、さらには膜形成速度が遅く
、膜形成の制御性が悪いなど多くの問題があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来、磁気記録膜自身の耐食性を向上させるために、磁
気記録材料に耐食性向上に有効な元素を添加することが
行なわれていた。これらの添加元素には磁気および磁気
光学的特性を低下させないで、かつ耐食性を向上させる
という条件が要求される。しかしながら上述したごとく
磁気および磁気光学特性と磁気記録膜の耐食性とは相反
する。

すなわち、添加元素により耐食性は向上するものの磁気
および磁気光学特性は低下してしまい、逆に磁気および
磁気光学特性の低下を抑制すると十分な耐食性が得られ
ないという問題があった。他方、光磁気ディスクを構成
する誘電体を主体とするカーエンハンス膜および保護膜
などの形成において、従来技術で用いられている真空蒸
着法では。

下地層との接着性が弱いなどの問題があり、またスパッ
タ法では、（１）下地層がプラズマにより破壊される、
（２）膜形成速度が遅い、（３）膜形成の制御性が悪い
、などの問題があった。さらに、これら膜形成技術は膜
形成の制御性が悪いので得られた膜の再現性に欠けると
いう欠点を有していた。

本発明の目的は、磁気および磁気光学特性を低下させる
ことなく高耐食性の磁気記録膜を有する耐久性に優れた
信頼性の高い光磁気ディスク、および光磁気ディスクを
構成するカーエンハンス膜あるいは保護膜などの誘電体
膜の製膜において、それぞれの下地層を破壊せず、膜欠
陥が少なく、かつ下地層との接着性が良好で、さらに高
速で制御性よく膜形成を行なうことのできる耐久性に優
れた信頼性の高い光磁気ディスクの製造方法を提供する
ことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記本発明の目的は、希土類光′素および鉄族元素の合
金からなる磁気記録膜、もしくは上記の合金に、原子％
で、Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｎｂ、　Ａ１１．　Ｚｒ、　Ｎｉ
、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄの群より選ばれる少なくとも１種の
元素をＩＯ原子％以下含有する合金からなる磁気記録膜
に、該磁気記録膜の表面部に、大気中の酸素あるいは水
分を遮断するための、安定した不動態を形成させる元素
および磁気記録膜の表面部の酸化を促進させる元素であ
るＰ、Ａｓ、Ｓｅの群より選ばれる少なくとも１種の元
素と、Ｃ，Ｂ、ＳＬ、Ｇｅ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈの群より選
ばれる少なくとも１種の元素、もしくはＰ、Ａｓ、Ｓｅ
の群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｃ，Ｂ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈの群より選ばれる少なくとも
１種の元素と、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕの群より選
ばれる少なくとも１種の元素とを、上記磁気記録膜に対
して、その膜厚の１／２以下の深さに上記の元素をイオ
ン注入させることにより。

達成される。

上記本発明のイオン注入方法は、注入するイオンの元素
からなるターゲットからイオンを放出させ、これを加速
器によって１０〜５０ｋａＶのイオン化エネルギーを印
加し、１×１０１６個／ｃｄ　〜３　Ｘ　１０１７ａ／
ｃＪのイオン打込み量にすることが好ましい。

この場合、イオンの加速電圧を変えることによって磁気
記録膜へのイオン注入深度を自在にコントロールするこ
とができ、かつこのイオン注入プロセスは低温であるた
めに、プラスチックなどの耐熱性の低い基板を用いるこ
とができ、そのうえ打込む元素の純度、制御性ならびに
再現性よくイオン注入を行なうことができる。

また１本発明は希土類元素および鉄族元素の合金からな
る磁気記録膜に、酸素や窒素と反応して安定な酸化物あ
るいは窒化物を形成させる元素であるＴｉ、　Ｔａ、　
Ｎｂ、　Ａ１１．　Ｚｒ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｍｏ。

Ｗの群より選ばれる少なくとも１種の金属元素と、酸素
、窒素またはこれらの混合ガスとを同時に。

磁気記録膜の膜厚の１／２以下の深さにイオン注入する
か、もしくは上記の金属元素をイオン注入した後、酸素
、窒素またはこれらの混合ガスを、磁気記録膜の膜厚の
１／２以下の深さにイオン注入するか、あるいは上記の
安定な酸化物または窒化物の形成元素であるＴｉ、　Ｔ
ａ、　Ｎｂ、　Ａｎ、Ｚｒ、Ｎｉの群より選ばれる少な
くとも１種の金属元素を、あらかじめ磁気記録膜に１０
原子％以下含有させておき、これに酸素、窒素またはこ
れらの混合ガスを、磁気記録膜の膜厚の１／２以下の深
さにイオン注入することにより、本発明の目的を達成す
ることができる。

上記本発明のイオン注入方法は、上述した方法と同様に
、ターゲットから注入イオンを放出させ、加速器によっ
て１０〜５０ｋａ　Ｖ範囲のイオン化エネルギーを印加
し、ｌＸ１０”個／ｄ〜３×１０”個／ｄのイオン打込
み量にすることが好ましい。そして、注入した金属元素
のイオンを酸化または窒化させ、安定した酸化物または
窒化物を形成させるために注入する酸素、窒素またはこ
れらの混合ガスの導入条件は、ガス圧がＩ　Ｘ　１０−
”　〜５　Ｘ　１０−’　Ｔ　ｏｒｒの範囲でイオン打
込みを行なうことが好ましい、そして、これらの酸素、
窒素またはこれらの混合ガスのイオン注入深度のコント
ロールは、イオンの加速電圧を変えることによって自在
に制御することができ、かつ低温でイオン注入が可能な
プロセスであるためプラスチックなどの耐熱性の低い安
価な基板を用いることができ、そのうえ制御性ならびに
再現性よくイオン注入を行なうことができる。

そして、本発明の磁気記録膜に、不動態化元素、酸化物
あるいは窒化物の形成元素をイオン打込み法によって注
入する深さは、ごくわずかのイオン注入深さであっても
耐食性の向上効果が生ずるが。

その深さが磁気記録膜の膜厚の１／２を超えると磁気記
録膜自身の磁気および磁気光学特性が劣化するので、イ
オン注入深さは磁気記録膜の膜厚の１／２以下が好まし
い。

さらに本発明は、希土類元素および鉄族元素の合金から
なる磁気記録膜、もしくは上記の合金に、原子％で、Ｔ
ｉ、　Ｔａ、　Ｎｂ、　ＡＱ、Ｚｒ、　Ｎｉ、　Ｐｔ。

Ｒｈ、Ｐｄの群より選ばれる少なくとも１種の元素を含
む合金からなる磁気記録膜を、酸素、窒素またはこれら
の混合ガスを含む雰囲気中で上記磁気記録膜の熱処理な
どによる表面処理を行ない。

その表面に安定した窒化物層または酸化物層あるいは窒
化物と酸化物の混合層を形成させるか、もしくは上述の
安定した不動態を形成させる元素、表面酸化を促進させ
る元素または安定した窒化物、酸化物を形成させる元素
をイオン注入した後に、その表面を、酸素、窒素または
これらの混合ガスを含む雰囲気中で熱処理などの表面処
理を行ない、より耐食性に優れた窒化物層または酸化物
層あるいは窒化物と酸化物との混合層を形成させること
により２本発明の目的を達成することができる。

さらには、光磁気ディスクを構成するカーエンハンス膜
、保護膜などであるＳｉ３Ｎ４、ＴｉＮ。

５ｉＯ１ＳｉＯ、、Ｔｉｅ、などの誘電体膜を形成させ
る場合において、そのソースガスとして。

５Ｌ３Ｎ、の場合はＳｉＨ，とＮＨ，など、ＴｉＮの場
合はＴｉＣ島、とＮＨ，など、Ｓｉ○の場合はＳｉＨ，
とＨ２、および０２またはＮ２０など、ＳｉＯ、の場合
はＳｉＨ４と０２など、ＴｉＣ２の場合はＴｉＣｌ１４
とＨ，Ｏなどを用いて、低い基板温度（好ましくは９０
℃以下）で１例えばレーザ励起の化学気相成長法（Ｌ−
ＣＶＤ法）によって製膜することにより、本発明の目的
を達成することができる。すなわち、Ｌ−ＣＶＤ法によ
ると、形成される誘電体膜の下地層を破壊あるいは損傷
させず、膜欠陥が少なく。

かつ下地層との接着性が良好で、さらに膜形成が高速で
制御性よく行なうことができ、磁気および磁気光学特性
が良好で、耐食性ならびに耐久性に優れた信頼性の高い
光磁気ディスクを効率よく得ることができる。

〔作用〕

本発明において、磁気記録膜の表面に不動態被膜を形成
させるためにＰ、Ａｓ、Ｓｅなどの元素群、Ｃ，Ｂ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈなどの元素群、Ｍｏ、Ｗ、Ｃ
ｒ、Ｒｅ、Ｒｕなどの元素群のうちより選択される少な
くとも１種の不動態化元素および表面酸化促進元素を、
磁気記録膜の表面層にイオン注入させるか、もしくはあ
らかじめ磁気記録膜にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｚｒ、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄなとの不動態化元素あるいは貴
金属元素を含有させておき、それに表面酸化促進元素を
イオン注入させると、この表面酸化促進元素の作用によ
り不動態化元素が磁気記録膜の表面に濃縮され、これら
の元素は磁気記録膜の表面で酸化物の不動態被膜となる
。この不動態被膜は、磁気記Ｂ膜の表面を緻密に均一に
覆うことになるので。

磁気記録膜は大気から完全に遮断され保護されることに
なる。また、上記の元素を磁気記録膜にイオン注入させ
る場合に、そのイオン注入の深さは、イオン打込みのエ
ネルギーにより自在に制御することが可能であり、磁気
記録膜の記録面側にまで打込み元素が到達しない、また
は磁気記録膜が加熱されないので、磁気および磁気光学
特性を低下させることがなく、耐食性を向上させること
ができるのである。

また、本発明において、磁気記録膜にあらかじめ安定な
酸化物あるいは窒化物を形成する元素、例えばＴｉ、　
Ｔａ、Ｎｂ、　Ａｎ、　Ｚｒ−Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｍｏ。

Ｗなどの金属元素の少なくとも１種を含有させておき、
この磁気記録膜に酸素、窒素の１種以上含むガスをイオ
ン注入するか、あるいは上記の酸化物あるいは窒化物の
形成元素を含まない磁気記録膜に対して、上記の金属元
素と上記のガスとを同時にイオン注入するか、もしくは
上記の金属元素をイオン注入しその後に上記のガスをイ
オン注入させると、磁気記録膜の表面部近傍に安定した
緻密な酸化物層または窒化物層あるいはこれらの混合層
が形成され、これが大気中の酸素、水分などを遮断し磁
気記録膜を保護することになるから耐食性が著しく向上
することになる。他方、上記の金属元素およびガスのイ
オン注入深さは、上述のごとく自在に制御することがで
きるので、イオン注入層の深さは磁気記録膜の膜厚の１
／２以下に厳密に制御することができるので、磁気記録
膜の磁気および磁気光学特性を低下させることがない。

さらに、本発明において、希土類元素と鉄族元素との合
金よりなる磁気記録膜、または上述の不動態化元素、酸
化物あるいは窒化物形成元素を含む磁気記録膜、もしく
は上述のイオン注入処理を行なった磁気記録膜を、酸素
または窒素もしくはこれらの混合ガスを含む雰囲気によ
って熱処理あるいは表面処理を行なうことによっても、
上述と同様のＨｔ密な保護膜を磁気記録膜の表面部に形
成させることができ、これによっても磁気記録膜の磁気
および磁気光学特性を劣化させずに耐食性を一段と向上
させることができる。

また、さらに本発明の光磁気ディスクを作製する場合に
、カーエンハンス膜、保護膜などの製膜において、通常
の化学気相成長法では、基板温度を４００℃以上の高温
に加熱する必要があるが、本発明ではソースガスの励起
エネルギーに、高エネルギーを有するレーザ光を用いる
レーザ励起の化学気相成長法（Ｌ−ＣＶＤ法）を用いる
ことにより、基板温度が９０℃以下で製膜することがで
きるので、基板あるいは媒体構成材料に耐熱性を考慮し
ない安価な高分子材料を用いることが可能になる。さら
に、本発明のＬ−ＣＶＤ法を用いることにより、下地層
あるいは基板表面部を破壊損傷することなく、かつ下地
層あるいは基板との間の接着力を著しく向上させること
ができる。そして、このＬ−ＣＶＤ法を用いると高速で
、制御性よく製膜することができるので、光磁気ディス
クを再現性よく高効率で生産することが可能であり、酎
食性ならびに耐久性に優れた信頼性の高い高性能の光磁
気ディスクを得ることができる。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ、図面を参照しながらさ
らに詳細に説明する。

（実施例　１） 光磁気ディスクの作製は、次のようにして行なった。ま
ず、洗浄した円形ディスク基板上に、Ｔｂ２．　Ｆｅ、
４Ｇｏ、なる組成を有する磁気記録膜を０．１．の膜厚
にスパッタ法により形成した。この時の条件は、放電ガ
スとしてＡｒを用い、放電ガス圧５　Ｘ　１０””　Ｔ
ｏｒｒ、投入ＲＦ（高周波）電力密度１．１Ｗ／ｃＪ、
スパッタ時間は５分であった。引続き、この磁気記録膜
上に、イオン注入法によりＣｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｕ
を打込み、続いて、ＰｌＢあるいはＰ、Ｃ，Ｂを打込ん
だ。この時の打込み深度は１５０人とした。このように
して作製した光磁気ディスクの特性は、カー回転角θｋ
が０．３３度、保持力Ｈｅが４．０ｋＯｅ、キュリー温
度Ｔｃが２００℃であった。また、この光磁気ディスク
の動作特性を測定したところ、Ｃ／Ｎ　（キャリア対ノ
イズ比）が５０ｄＢ（レーザ出カフｍＷ、外部磁場２０
００ｅ）であった。これらの特性は、本発明を用いてい
ないＴｂＦｅＣｏのみの磁気記録膜の場合と比較してな
んら差が見られなかった。

次に、この光磁気ディスクの寿命試験を行なった。寿命
の評価は、８０℃で関係湿度（ＲＨ）が９５％の高温、
高湿度環境にこのディスクを保存したときの飽和磁化の
経時変化および記録面側から測定したカー回転角の経時
変化を測定することにより行なった。その結果を第１図
に示す。図において、横軸に保存時間（時）を、縦軸に
は飽和磁化Ｍｓおよびカー回転角θにの変化率（％）を
初期の値を１００としたときの相対値で示した。まず、
Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏのみの場合、飽和磁化Ｍｓは曲線
１に示すように時間の経過とともに増大してゆき、５０
０時間後で初期の約９０％増加となった。これに対し１
本発明のイオン注入法によりＣｒあるいはＭｏモしてＰ
、ＣあるいはＰ、Ｃ，Ｂを打込んで作製したＴ　ｂ　Ｆ
　ｅ　Ｃｏ膜の場合は、曲線３に示すように飽和磁化Ｍ
ｓの変化は５％程度と著しく小さくなった。また、カー
回転角θにの変化は１本発明を用いない場合が５００時
間後で約２０％増加した。

これに対して１本発明の手法で作製した光磁気ディスク
のθには、まったく変化していなかった。

以上の結果より、本発明の手法を用いて作製した光磁気
ディスク用磁気記録膜の耐食性は、従来の手法により作
製した磁気記録膜と比較して著しく向上させることがで
きた。

（実施例　２） 光磁気ディスクの作製は、実施例１と同様の手法により
行なった。すなわち、洗浄した円形ディスク基板上にＴ
ｂ２．Ｆｅ５．Ｇｏ、Ｘ、　（Ｘ＝Ｔｉ、　Ｔａ。

Ｎｂ、　Ｎｉ）なる組成を有する０、１ｐの磁気記録膜
をスパッタ法により形成した。この時のスパッタ条件は
、実施例１と同様である。引続き、この磁気記８ｍ上に
イオン注入法によりＰ、ＳＬまたはＡｓ、　Ｇｅ、また
はＳｅ、Ｂを打込んだ、この時の打込み深度は、２００
人とした。このようにして作製した光磁気ディスクの特
性は、θに＝０．３０”　。

Ｈｅ　＝３．０ｋＯｅ、　Ｔｃ＝１８０℃であった。ま
た、この光磁気ディスクの動作特性を測定したところ、
Ｃ／Ｎ＝５１ｄＢであった。これらの特性は、本発明を
用いないで作製した磁気記録膜を有する光磁気ディスク
の特性となんら差が見られなかった。

特性測定後、このディスクの寿命試験を実施例１と同様
の手法で行なった。その結果を第２図に示す１図におい
て、横軸に保存時間（時）を、縦軸には飽和磁化Ｍｓの
変化率（％）を初期の値を１００としたときの相対値で
それぞれ示した。まず、本発明のイオン注入法を用いな
いで作製した磁気記録膜の場合において、飽和磁化Ｍｓ
の変化を曲線５．６に示す。曲線５は磁気記録膜にＴ　
ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　Ｎ　ｉを用いた場合で、曲線６はＴ
ｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ）の場合である
。

従来の手法では、耐食性向上のためにＴｉ、　Ｔａ。

Ｎｂ、Ｎｉを加えると飽和磁化の変化率を９２％からＮ
ｉの場合が５７％に、その他の場合が２３％にそれぞれ
抑制される。これに対し、本発明のイオン注入法を用い
て作製した磁気記録膜において、曲線７はＴｂＦｅＣｏ
Ｎｉを用いた場合であり、曲線８はＴｂＦｅＣｏＸ　（
Ｘ＝Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ）の場合であって、飽和磁化の変
化率はそれぞれ１５％、５％と従来法より著しく抑制す
ることができた。

（実施例　３） 実施例１と同様の手法で光磁気ディスクの作製を行なっ
た。すなわち、洗浄した円形ディスク基板上にＴｂ、ａ
Ｆｅ、、Ｇｏ、Ｘ　（Ｘ＝Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ）なる組成
を有する０、１−の磁気記録膜をスパッタ法により形成
した。この時のスパッタ条件は、実施例１と同じである
。引続き、この磁気記録膜上にイオン打込み法によりＰ
、Ｃ，Ｂを注入した。

この時の打込み深度は、１００人となるようにエネルギ
ーを制御した。このようにして作製した光磁気ディスク
の特性はθに＝ｏ、３Ｑ°、Ｈｃ＝５．０ｋＯａ、Ｔｃ
＝１８０℃であフた。また、この光磁気ディスクの動作
特性を測定したところＣ／　Ｎ　＝　５０ｄ　Ｂであっ
た。これらの光磁気ディスクの特性は、本発明の方法を
用いないで作製した磁気記録膜を用いた場合となんら差
がなかった。

磁気特性を測定後、このディスクの寿命試験を実施例１
と同様の手法で行ない、その結果を第３図に示す０図に
おいて、横軸に保存時間（時）を、縦軸には飽和磁化Ｍ
ｓの変化率（％）を初期値を１００としたときの相対値
でそれぞれ示した。まず、本発明のイオン注入法を用い
ないで作製した磁気記録膜の場合の飽和磁化Ｍｓの変化
を曲線９に示す。従来の手法では、耐食性向上のために
Ｒｈ。

Ｐｔ、Ｐｄを添加したときの飽和磁化の変化は、８０℃
、９５％ＲＨ中に５００時間保存すると初期の１．９５
倍に増加した。これに対し、イオン注入法により作製し
た磁気記録膜においては、曲線１０に示すように、　Ｓ
ＯＯ時間後で１．１０倍に増加した。このように、本発
明の磁気記録膜は飽和磁化の変化を著しく抑制できるこ
とがわかった。

（実施例　４） 光磁気ディスクの作製は、実施例１と同様の手法により
行なった。すなわち、洗浄した円形ディスク基板上にＴ
ｂ１．Ｆｅ、、Ｃｏ、Ｘ　（Ｘ＝Ｚｒ、　ＡｆＬ、Ｔｉ
、　Ｔａ）なる組成を有する厚さ０．１陣の磁気記録膜
をスパッタ法により形成した。この時のスパッタ条件は
、実施例１と同じである。引続き、この磁気記録膜上に
イオン打込み法によりＰ、Ｂ、Ｃを注入した。この時の
打込み深度が１５０人となるようにエネルギーを制御し
た。その後、加熱したＮ２または０２もしくはＯａ　／
　Ａ　ｒ　＝　３０　／　７０中で１０分間表面処理を
行なった。このようにして作製した光磁気ディスクの磁
気特性を測定したところ、θに＝０．３０”　、　Ｈｃ
＝５．０ｋＯｅ、　Ｔｃ＝＝１９０℃であった。また、
この光磁気ディスクの動作特性を測定したところ、Ｃ／
Ｎ＝４８ｄＢであった。これらの光磁気ディスクの特性
において、作製方法の違いによる差は見られなかった。

磁気特性を測定した後に、ディスクの寿命試験を実施例
１と同様の手法で行ない、その結果を第４図に示す。図
において、横軸に保存時間（時）を、縦軸には飽和磁化
Ｍｓの変化率（％）を初期値を１００としたときの相対
値でそれぞれ示した。

まず、本発明のイオン注入法を用いないで作製した磁気
記録膜の場合の飽和磁化Ｍｓの変化を曲線１１．１２に
示す。従来の手法を用いて作製したＴｂＦｅＣｏＸ　（
Ｘ＝Ｚｒ、ＡＱ）の飽和磁化の変化は。

曲線１１に示すように５００時間放置後で１．４倍とな
った。また、同様にして作製したＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ
＝Ｔｉ、Ｔａ）の場合は１曲線１２に示すように１．２
倍となった。これに対して５本発明のイオン打込み法を
用いて作製した磁気記録膜の飽和磁化の変化を曲線１３
．１４に示す１曲線１３は、Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　Ｘ
（Ｘ＝Ｚｒ、Ｍ）膜のＭｓの変化を、そして曲線１４は
、ＴｂＦａＣｏＸ　（Ｘ＝Ｔｉ、Ｔａ）膜のＭｓの変化
で、それぞれ、１５％、５％と本発明を用いることによ
り飽和磁化の変化を著しく抑制できることが分かった。

（実施例　５） 光磁気ディスクの作製は、以下に述べる手順ｉて行なっ
た。洗浄したガラスまたは樹脂製の円形ディスク基板上
に、Ｔｂ、、　ＦｅＧ４Ｃｏ、もしくはＴｂ、□Ｆｅ、
、Ｇｏ、。なる組成を有する磁気記録膜を０．１−の膜
厚にスパッタ法により形成した。この時の条件は、Ａｒ
を放電ガスとして用い、放電ガス圧５　Ｘ　１０−’　
Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ電力密度１．ｌＷ／ｃｄ、そしてス
パッタ時間は５分であった。なお、スパッタ中は基板を
水冷した。磁気記録膜上にイオン注入法により、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＮｂあるいはＺｒと酸素とを打込んだ
、この時の打込み深度は１５０人とした。このようにし
て作製した光磁気ディスクの特性は、カー回転角θｋが
０．３５〜０．３８χ 度、保持力Ｈｃが５．０ｋＯｅ、キュリー温度Ｔｃが２
００℃であった。また、この光磁気ディスクの動作特性
を測定したところ、Ｃ／Ｎ　（キャリア対ノイズ比）＝
５０〜５３ｄＢ（レーザ出カフｍＷ、外部磁場２０００
ｅ）であった。これらの特性は、本発明を用いていない
Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏのみの場合となんら差は見られな
かった。

次に、この光磁気ディスクの寿命試験を行なった。ディ
スク寿命の評価は、８０℃の温度で、関係湿度（ＲＨ）
が９５％の高温、高湿度環境に、この作製したディスク
を保存したときの飽和磁化の経時変化を測定することに
より行なった。その結果を第５図に示す。図において、
横軸に高温、高湿度環境でのディスクの保存時間（時）
を、縦軸に飽和磁化Ｍｓの変化率（％）を、初期値を１
００としたときの相対値で示した。まず、ＴｂＦｅＣｏ
のみの場合、飽和磁化の変化は曲線１５に示すように時
間の経過とともに増大してゆき、５００時間後で初期値
の９０％増加となった。これに対して、Ｍｏ、Ｗ、ある
いはＺｒと酸素とをイオン打込みして作製したＴ　ｂ　
Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜の飽和磁化の変化は１曲線１６に示すよ
うに５００時間後で２５％の増加となった。

また、ＣｒあるいはＮｂと酸素とをイオン打込みして作
製した磁気記録膜の飽和磁化の変化は、曲線１７に示す
ように５００時間後でわずか６％の増加であった。

以上の結果より、本発明の手法を用いて作製した光磁気
ディスクの磁気記録膜の耐食性は、従来の手法により作
製した膜と比較して著しく向上させることができ１本発
明は磁気および磁気光学特性を低下させることなく耐食
性を向上させるのに有効であることが分かる。

（実施例　６） 光磁気ディスクの作製法は実施例５と同様である。すな
わち、円形ディスク基板上に、Ｔｂ２゜Ｆ　ｅ　Ｇ　４
　Ｃｏ　＠　ｓもしくはＴｂ、、Ｆｅ、、Ｃｏ１゜なる
組成を有する磁気記録膜を０．１−の膜厚にスパッタ法
により形成した。この時のスパッタ条件は実施例５と同
様である。続いて、磁気記録膜上にイオン注入法により
Ｔｉ、　Ｔａ、あるいはＭと窒素とを打込んだ。この時
の打込み深度は１５０人に制御した。

このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θに
＝０．３５’　〜０．３ｇ’　、　Ｈｃ＝５．０ｋＯｅ
、Ｔｃ＝２００℃、であった。また、このディスクの動
作特性を測定したところ、Ｃ／Ｎ＝５０〜５３ｄ　Ｂで
あった。

これらの特性は、本発明を用いないで作製したＴｂＦｅ
Ｃｏ膜となんら違いはなかった。

次に作製したディスクの寿命試験を行なった。

試験方法は実施例５と同様で、その結果を第６図に示す
。８０℃で９５％ＲＨの環境下に５００時間保存したと
きの飽和磁化の変化率（％）は１本発明を用いないで作
製したＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜の場合（曲線１５）は約
９０％増加した。これに対し９本発明の方法を用いて作
製したＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜にＭと窒素を打込んだ場
合（曲線１８）が約２０％の増加、ＴｉあるいはＴａと
窒素とを打込んだ場合（曲線１９）の両者に差はなく８
％の増加となり、飽和磁化の変化率は著しく小さかった
。

以上の結果から、本発明の方法を用いることにより、磁
気および磁気光学特性を低下させることなく磁気記録膜
の耐食性を著しく向上させることができた。

（実施例　７） 光磁気ディスクの作製法は実施例５と同様である。すな
わち、円形のディスク基板上に、Ｔｂ、。

Ｆｅ５ｓＣｏｓＸｓ　（Ｘ＝Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｎｂ、　
Ａｎ、　Ｚｒ、あるいはＮｉ）なる組成を有する磁気記
録膜を０．１−の膜厚にスパッタ法により形成した。こ
の時のスパッタ条件は実施例５と同様である。続いて、
磁気記録膜上にイオン注入法により窒素あるいは酸素を
打込んだ。この時の打込み深度は２５０人とした。この
ようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θに＝０
．３２’　〜０．３５’　、　Ｈｅ　＝３．０ｋＯｅ、
　Ｔｃができた。

（実施例　８） 光磁気ディスクの作製法は、実施例５と同様である。す
なわち、円形のディスク基板上にＴｂ２ｓＦｅ５．Ｃｏ
、Ｘｓ　（Ｘ＝Ｔｉ、　Ｔａ、　　Ｎｂ、　Ａ（Ｌ、Ｚ
ｒあるいはＮｉ）膜なる組成を有する磁気記録膜を０．
１−の膜厚にスパッタ法により形成した。この時のスパ
ッタ条件は実施例５と同様である。続いて、２００℃に
加熱した１気圧の０□、Ｎ２．または０２／Ａｒ＝４０
／６０中で、１ｏｏｎ＋　Ｑ　／　ｍｉｎの流量で流し
て磁気記録膜表面を約１時間酸化または窒化処理を行な
った。このようにして作製した光磁気ディスクの特性は
、θｂ＝０．３２”　〜０．３５°、　Ｈｃ＝３．０ｋ
ｏｅ、Ｔｃ＝１８０℃であった５また。このディスクの
動作特性を測定したところ、Ｃ／Ｎ＝４９ｄＢであった
。これらの特性は５本発明の方法を用いないで作製した
磁気記録膜のそれとなんら違いはみられなかった。

次に、ディスクの寿命試験を実施例５と同様の手法およ
び条件にて行なった。その結果を第８図【こ示す、８０
℃、９５％ＲＨの環境下に５００時間保存したときの飽
和磁化Ｍｓの変化率（％）は、本発明を用いないで作製
したＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　Ｘ　（Ｘ　＝　Ａ見。

Ｚｒ、またはＮｉ）膜の場合は１曲線２０に示すように
４０％増加した。これに対し本発明の酸素または窒素で
表面処理した磁気記録膜は、曲線２４に示すように１２
％の増加と著しく減少した。また、Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃ
ｏ　Ｘ　（Ｘ　＝　Ｔ　ｉ、　Ｔ　ａ　、　Ｎ　ｂ　）
膜の場合が、曲線２１．２５に示すように、１５％の増
加から５％と大きく減少した。

このように、本発明の方法を用いることにより、磁気お
よび磁気光学特性を低下させることなく磁気記録膜の耐
食性を著しく向上させることができた。

（実施例　９） 作製した本発明の一例である光磁気ディスクの断面構造
の模式図を第９図に示す。光磁気ディ皮りの作製は、イ
ンライン方式のＣＶＤ−真空蒸着−スパッタ装置により
行なった。すなわち、洗浄したディスク基板２６上に、
まず、Ｓ　ｉ　Ｈ４を１％、ＮＨ，を５％、Ａｒ残部を
ソースガスに用い、反応管内圧力５Ｔｏｒｒ、基板温度
８０℃１反応時間２分にてレーザ励起化学気相成長法（
Ｌ−ＣＶＤ法）によりカーエンハンス＄２１の形成を行
なった。膜厚は１２００人とした。その後に、マグネト
ロンスパッタ法により（Ｇｄ１．５Ｔｂａ、４）ａ、２
ｚ　（Ｆｅ、、５Ｃｏｏ、ｌ）。、７．ｌなる組成を有
する磁気記録膜２８を形成した。この時のスパッタ条件
は、Ａｒを放電ガスとし、スパッタガス圧力５　Ｘ　１
０−’　Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ高出力　Ｗ／ａＪ、スパッ
タ時間４分、膜厚は１０００人とした。そして、引続き
、Ｌ−ＣＶＤ法により保護膜２９の形成を行なった。そ
の時のＣＶＤ条件は、先のカーエンハンス膜２７形成の
場合と同様である。

このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、カー
回転角θｋが０．８５度、保磁力Ｈｅが５．０ｋｏｅ、
キュリー温度Ｔｃが２００℃、　Ｃ／Ｎ　（キャリア対
ノイズ比）が５４ｄ　Ｂであった。このディスクの作製
を１０回繰り返して行なったが、各光磁気特性のバラツ
キは、±２％と従来のオールスパッタ法によって製膜し
た場合の±７％に比べると著しく小さいことがわかった
。また、ピンホールなどの膜欠陥の密度を測定してみる
と、Ｌ−ＣＶＤ法により製膜した厚さ１０００人の膜で
１×１０２個／ｄとスパッタ法により形成した場合のｌ
Ｘｌ０’個／ｄと比べると著しく欠陥密度を低下させる
ことができた。また、Ｌ−ＣＶＤ法による膜形成は低置
製膜であるので、従来のスパッタ法や真空蒸着法に比較
して内部応力も１７１０程度と小さく、かつ接着性もテ
ープ試験で膜の剥離はＬ−ＣＶＤ法ではまったくないの
に対し、従来法では一部剥離が起るなどから接着性も著
しく向上したことが分かった。

このようにＬ−ＣＶＤ法を用いることにより。

従来法と比べ安定した膜形成が行なえ、膜欠陥も少なく
、内部応力が低下し、下地層との接着性が向上し、かつ
膜形成速度が向上したことがわかった。

（実施例　１０） 作製した光磁気ディスクの構造は、第９図に示すとおり
で、カーエンハンス膜２７および保護膜２９にＳｉＯを
用いた他は実施例９と同様である。

ＳｉＯ１１％の形成は、ソースガスとしてＳｉＨ４１％
、Ｈ，４％、０２１％、Ｈｅ残部、またはＳｉＨ４１％
３Ｎ４０　１％、Ｈｅ残部を用い１反応管内圧力３Ｔｏ
ｒｒ、基板温度８０℃、反応時間２分にてＬ−ＣＶＤ法
により行なった。形成したＳｉＯ膜の膜厚は、カーエン
ハンス膜２７が１２００人、保護膜２９が１５００人で
あった。

このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θに
＝０．９０’　、　Ｈｃ＝５．０ｋＯｅ、　Ｔｃ＝２０
０℃、Ｃ／Ｎ＝５５ｄＢであった。このディスクの作製
を繰り返し行なったが特性のバラツキは±３％であり、
従来法により作製したディスクのバラツキの±８％と比
較すると著しく小さかった。また、内部応力、下地層と
の接着性については実施例９と同じであった。

（実施例　１１） 作製した光磁気ディスクの構造は第９図に示すとおりで
、カーエンハンス膜２７にＳＬ、Ｎ４を、保護膜２９に
ＳｉＯ２を用いた他は実施例９と同様である。また、Ｓ
ｉ、Ｎ４膜の形成条件は実施例９と同様である。ＳｉＯ
２膵の形成は、ソースガスとしてＳｉＨ４１％、０．２
％、Ａｒ残部を用い、反応圧力５Ｔｏｒｒ、基板温度８
０℃、反応時間２分にてＬ−ＣＶＤ法により行なった。

各層の膜厚は、カーエンハンス膜２７が１２００人、そ
して保護膜２９は１５００人である。

このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θｈ
＝０．８５’　、Ｈｃ＝５ｋＯｅ、Ｔｅ＝２００℃、Ｃ
／Ｎ＝５４ｄＢであった。ディスク特性再現性、内部応
力、接着性は実施例９と同様の結果が得られた。

（実施例　１２） 作製した光磁気ディスクの構造は、第９図に飛すとおり
で、カーエンハンス膜２７および保護膜２９にＴｉＣ２
を用いた他は実施例９と同様にして行なった。Ｔ　ｉ　
Ｏ２膜の形成は、ソースガスとしてＴｉＣ１１４１％、
Ｈ，０１％、Ａｒ残部を用いた。ここで、　Ｔｉｃ：Ｑ
、およびＨ，Ｏは常温で液体であるので、　ＴｉＣ１１
，およびＨ，Ｏ中にＡｒをバブリングさせてＴｉＣＱ、
およびＨ，Ｏを含ませた。また濃度の調整は、Ｔ１Ｃｆ
１４またはＨ２Ｏの温度を変化させ、蒸気圧を変えるこ
とで行なった。Ｌ−ＣＶＤ条件；　　　　　　　は、圧
力５Ｔｏｒｒ、基板温度９０℃、反応時間２分である。

このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θに
＝０．８０’　、Ｈｃ＝５．０ｋＯｅ、　Ｔｃ＝２００
℃、Ｃ／Ｎ＝５３ｄＢであった。ここで、カーエンハン
ス膜２７の膜厚は１２００人、そして保護膜２９の膜厚
は１５００人である６そして繰り返し作製によるディス
ク特性の再現性、内部応力、接着性は、実施例９におけ
る結果とほぼ同じであった。

（実施例　１３） 作製した光磁気ディスクの構造は、第９図に示すとおり
で、カーエンハンス膜２７および保護膜２９にＴｉＮを
用いた他は実施例９と同様である。

ＴｉＮ［の形成は、ソースガスとしてＴｉＣＥＬ、１％
。

ＮＨ，５％、Ａｒ残部を用いた。　ＴｉＣ見、濃度の調
整は、実施例１２と同じ手法によった。Ｌ−ＣＶＤ条件
は実施例１２と同様、圧力５Ｔｏｒｒ、基板温度９０℃
、反応時間２分である。

このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θに
＝０．８７’　、Ｈｅ＝５ｋＯｅ、Ｔｃ＝２００℃、Ｃ
／　Ｎ　＝　５４ｄ　Ｂであった。ここで、各層の膜厚
は。

カーエンハンス膜２７が１２００人、保護膜２９が１５
００人である。そして繰り返し作製によるディスク特性
の再現性、内部応力そして接着性は、実施例９における
結果と同じであった。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく、本発明の光磁気ディスクを
構成する磁気記録膜の表面部に、不動態化元素および酸
化促進元素をイオン注入して不動態化層を形成させた磁
気記録膜、あるいは酸素、窒素またはこれらの混合ガス
をイオン注入するか、もしくは上記のガス雰囲気で表面
処理を行なうことによって安定な酸化物または窒化物の
保護膜を形成させた磁気記録膜は、磁気記録膜の磁気お
よび磁気光学特性を劣化させることなく、耐食性を著し
く向上させることができるので、耐久性ならびに信頼性
の高い優れた性能を有する光磁気ディスクが得られる。

また、この場合において磁気記録膜上に別の保護膜を形
成させる必要がないから、光磁気ディスクの構造が簡略
化でき、製作プロセスも簡易化できる。

そして、光磁気ディスクを構成する各種の膜形成におい
て１本発明のＬ−ＣＶＤ法を用いることによって、低い
温度で製膜が可能であるため、膜の内部応力が低減でき
、かつ高エネルギーを有する粒子が基板または下地層に
衝突することがないので、基板または下地層などを破壊
損傷させることがなく、また低温による製膜にかかわら
ず従来技術による方法よりも基板あるいは下地層との接
着力が大きく、さらにソースガスがレーザ光により十分
に大きな励起エネルギーが供給され、膜形成速度が大き
く、反応の制御性、均一性に優れており、膜形成の再現
性が著しく向上するので、膜欠陥が少なく良質のカーエ
ンハンス膜、保護膜などを有する耐食性ならびに耐久性
が良好で、優れた磁気および磁気光学特性を有する信頼
性の高い光磁気ディスクを２造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における実施例１の磁気記録膜の飽和磁
化およびカー回転角の経時変化率を示すグラフ、第２図
は実施例２の磁気記録膜の飽和磁化の経時変化率を示す
グラフ、第３図は実施例３の磁気記録膜の飽和磁化の経
時変化率を示すグラフ、第４図は実施例４の磁気記録膜
の飽和磁化の経時変化率を示すグラフ、第５図は実施例
５の磁気記録膜の飽和磁化の経時変化率を示すグラフ。 第６図は実施例６の磁気記録膜の飽和磁化の経時変化を
示すグラフ、第７図は実施例７の磁気記録膜の飽和磁化
の経時変化を示すグラフ、第８図は実施例８の磁気記録
膜の飽和磁化の経時変化を示すグラフ、第９図は実施例
９ないし１３において作製した光磁気ディスクの構造を
示す模式図である。 １＝ＴｂＦｅＣｏ膜のＭｓ変化 ２・・・ＴｂＦｅＣｏ膜のθに変化 ３・・・イオン注入したＴｂＦｅＣｏ膜のＭｓ変化４・
・・イオン注入したＴｂＦｅＣｏ膜のθに変化５−Ｔｂ
ＦｅＣ：ｏＮｉ膜 ６−ＴｂＦｅＣｏＸ　　（Ｘ＝Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ）ｔｌ
ｉ７・・・イオン注入したＴｂＦｅＣｏＮｉ膜８・・・
イオン注入したＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝Ｔｉ、Ｔａ、Ｎ
ｂ）膜 ９・・ＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝Ｐｄ、Ｒｈ、　Ｐｔ）膜
１０−・・イオン注入したＴｂＦａＣｏＸ　（Ｘ＝Ｐｄ
、Ｒｈ、Ｐｔ）膜 １ｌ−ＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝　Ｚｒ、　ＡＱ）膜１２
・＝ＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝Ｔｉ、　Ｔａ）膜１３　・
・・イオン注入したＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝Ｚｒ、Ａａ
）股 １４−・・イオン注入したＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝Ｔｉ
、Ｔａ）膜 １５＝ＴｂＦｅＣｏ膜 １６・・・Ｍｏ、ＷまたはＺｒと酸素とをイオン注入し
たＴｂＦｅＣｏ膜 １７・・・ＣｒまたはＮｂと酸素とをイオン注入したＴ
　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜 １８・・・Ａｌｌと窒素をイオン注入したＴｂＦｅＣｏ
膜１９・・・ＴｉまたはＴａと窒素とをイオン注入した
Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜 ２Ｏ−ＴｂＦｅＣｏＸ　（Ｘ＝ＡＱ、ＺｒまたはＮｉ）
　％２１＝４’ｂＦｅＣ：ｏＸ　（Ｘ　＝Ｔｉ、　Ｔａ
またはＮｂ）膜２２・・・酸素または窒素イオンを注入
したＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃ。 Ｘ　（Ｘ＝Ａｕ、　ＺｒまたはＮｉ）膜２３・・・酸素
または窒素イオンを注入したＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃ。 Ｘ　（Ｘ＝Ｔｉ、ＴａまたはＮ　ｂ　）膜２４・・・酸
素または窒素で表面処理したＴｂＦｅＣｏＸ（Ｘ＝舷、
ＺｒまたはＮｉ）膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、希土類元素と鉄族元素との合金、もしくは希土類元
   素と鉄族元素との合金に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｚ
   ｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄの群より選ばれる少なくと
   も１種の元素を１０原子％以下含有する合金よりなる磁
   気記録膜を有する光磁気ディスクにおいて、上記磁気記
   録膜に、該磁気記録膜の膜厚の１／２以下の深さの耐食
   性保護膜を形成させた磁気記録膜を有することを特徴と
   する光磁気ディスク。 ２、磁気記録膜に設ける耐食性保護膜は、Ｐ、Ａｓ、Ｓ
   ｅの群より選ばれる少なくとも１種の元素およびＣ、Ｂ
   、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈの群より選ばれる少なく
   とも１種の元素、もしくはＰ、Ａｓ、Ｓｅの群より選ば
   れる少なくともＨの群より選ばれる少なくとも１種の元
   素およびＭｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕの群より選ばれる
   少なくとも１種の元素を、イオン注入法によって磁気記
   録膜にイオン注入して形成させた耐食性保護膜であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光磁気デ
   ィスク。 ３、磁気記録膜に、イオン注入法により耐食性保護膜を
   形成させる前、もしくは上記の耐食性保護膜を形成させ
   た後に、酸素、窒素のうちの少なくとも１種を含むガス
   、または上記のガスを含む希釈ガス雰囲気中で表面処理
   を行ない、酸化物または窒化物もしくはこれらの混合物
   よりなる耐食性保護膜を形成させた磁気記録膜を有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
   記載の光磁気ディスク。 ４、希土類元素と鉄族元素との合金よりなる磁気記録膜
   に、酸素、窒素のうちの少なくとも１種を含むガスおよ
   びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、
   Ｗの群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を、イオ
   ン注入法によって同時に上記磁気記録膜にイオン注入さ
   せるか、もしくは上記金属元素をイオン注入した後に、
   上記ガスを磁気記録膜にイオン注入して形成させた耐食
   性保護膜を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載の光磁気ディスク。 ５、希土類元素と鉄族元素との合金に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎ
   ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｎｉの群より選ばれる少なくとも１種
   の金属元素を１０原子％以下含有する合金よりなる磁気
   記録膜に、酸素、窒素のうちの少なくとも１種を含むガ
   スを、イオン注入法によって上記磁気記録膜にイオン注
   入して形成させた耐食性保護膜を有することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の光磁気ディスク。 ６、磁気記録膜に、イオン注入法により耐食性保護膜を
   形成させる前、もしくは上記の耐食性保護膜を形成させ
   た後に、酸素、窒素のうちの少なくとも１種を含むガス
   、または上記のガスを含む希釈ガス雰囲気中で表面処理
   を行ない、酸化物または窒化物もしくはこれらの混合物
   よりなる耐食性保護膜を形成させた磁気記録膜を有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第４項または第５項に
   記載の光磁気ディスク。 ７、イオンの注入量は、１×１０＾１＾６〜３×１０＾
   １＾７個／ｃｍ＾２であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の光磁気
   ディスク。 ８、希土類元素と鉄族元素との合金、もしくは希土類元
   素と鉄族元素との合金に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｚ
   ｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄの群より選ばれる少なくと
   も１種の元素を１０原子％以下含有する合金よりなる磁
   気記録膜を有する光磁気ディスクの製造方法において、
   上記光磁気ディスクを構成する各種薄膜層の任意の層間
   に設けられるＳｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＯ、ＳｉＯ＿２、Ｔ
   ｉＯ＿２、ＴｉＮのうちの少なくとも１種からなる誘電
   体膜を、ソースガスの励起エネルギーに、高エネルギー
   を有するレーザ光を用いるレーザ励起の化学気相成長法
   によって形成させることを特徴とする光磁気ディスクの
   製造法。 ９、誘電体膜の形成において、Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜の形成
   にはＳｉＨ＿４とＮＨ＿３を、ＳｉＯ膜の形成にはＳｉ
   Ｈ＿４とＨ＿２、およびＯ＿２またはＮ＿２Ｏを、Ｓｉ
   Ｏ＿２膜の形成にはＳｉＨ＿４とＯ＿２を、ＴｉＯ＿２
   膜の形成にはＴｉＣｌ＿４とＨ＿２Ｏを、ＴｉＮ膜の形
   成にはＴｉＣｌ＿４とＮＨ＿３を、それぞれソースガス
   として用い、９０℃以下の基板温度で、レーザ励起の化
   学気相成長法によって形成させることを特徴とする特許
   請求の範囲第８項に記載の光磁気ディスクの製造法。