JPS6220373A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6220373A JPS6220373A JP60158260A JP15826085A JPS6220373A JP S6220373 A JPS6220373 A JP S6220373A JP 60158260 A JP60158260 A JP 60158260A JP 15826085 A JP15826085 A JP 15826085A JP S6220373 A JPS6220373 A JP S6220373A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明の゛］′導体装置に於いては、−・導電型化合物
半導体ベース層と反対導電型化合物：′１′導体エミッ
タ層の−・部をなす反対導電型化合物半導体グレーデツ
ド層との間にノン・ドープ化合物゛＋′７ｍ体不純物拡
散■止層を介挿するごとに依り、前記ベース層から・ｍ
電型不純物が前記グレーダ・／１・層に拡散されてエネ
ルギ・バンド・ギＦ ’７ブ差がなくなることを防止し
電流増幅率βを向上させる。１ン）にしたものである。
半導体ベース層と反対導電型化合物：′１′導体エミッ
タ層の−・部をなす反対導電型化合物半導体グレーデツ
ド層との間にノン・ドープ化合物゛＋′７ｍ体不純物拡
散■止層を介挿するごとに依り、前記ベース層から・ｍ
電型不純物が前記グレーダ・／１・層に拡散されてエネ
ルギ・バンド・ギＦ ’７ブ差がなくなることを防止し
電流増幅率βを向上させる。１ン）にしたものである。
本発明は、エミッタのエネルギ・ハンド・ギヤツブがべ
〜スのそれに比較して広くなっているヘテロ接合バイポ
ーラ・トランジスタ（ｈ ｅ ｔ ｅ ｒｏ ｊ ｕ
ｎ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｂ ｉ ｐ ｏ Ｉ ａ
ｒ ｔ、 ｒ ａ ｎ５ｉｓｔｏｒ：ＨＢＴ）と呼ば
れる半導体装置の改良に関する。
〜スのそれに比較して広くなっているヘテロ接合バイポ
ーラ・トランジスタ（ｈ ｅ ｔ ｅ ｒｏ ｊ ｕ
ｎ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｂ ｉ ｐ ｏ Ｉ ａ
ｒ ｔ、 ｒ ａ ｎ５ｉｓｔｏｒ：ＨＢＴ）と呼ば
れる半導体装置の改良に関する。
近年、ＨＢ Ｔに於いて、エミッタを構成する半導体と
してＡｎＸＧａ＋□Ａｓを、また、ベースを構成する半
導体としてＧａＡｓをそれぞれ用いることに依り、エミ
ッタをワイド・エネルギ・ハンド・ギャップとし、エミ
ッタからベースへのキャリヤ注入効率を向上し、電流増
幅率βを大きくしたものが知られている。
してＡｎＸＧａ＋□Ａｓを、また、ベースを構成する半
導体としてＧａＡｓをそれぞれ用いることに依り、エミ
ッタをワイド・エネルギ・ハンド・ギャップとし、エミ
ッタからベースへのキャリヤ注入効率を向上し、電流増
幅率βを大きくしたものが知られている。
前記のようなＨＢＴに於いて、Ａｆｆ、Ｇａ、□Ａｓエ
ミッタ層に於けるＸ値は、通常、０．３程度にするので
、このようなＡＩＸ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓエミッタ
層とＧａＡｓベース層との間にＸ値をエミッタ方向に向
けて次第に大きくしたＡ Ｉ ＸＧ ａ ｌ−ＸＡｓグ
レーデツド層を介在させている。
ミッタ層に於けるＸ値は、通常、０．３程度にするので
、このようなＡＩＸ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓエミッタ
層とＧａＡｓベース層との間にＸ値をエミッタ方向に向
けて次第に大きくしたＡ Ｉ ＸＧ ａ ｌ−ＸＡｓグ
レーデツド層を介在させている。
ところで、本発明者等の研究に依ると、良好な性能が得
られるべきｎｐｎ型のＨＢＴに於けるエミッタ接地直流
電流増幅率ｈＦＥが意外に向上しないことが確認された
。
られるべきｎｐｎ型のＨＢＴに於けるエミッタ接地直流
電流増幅率ｈＦＥが意外に向上しないことが確認された
。
その理由は、ベリリウム（Ｂｅ）をドープしてｐ＋型に
なっているＧａＡｓベース層から、そのＢｅがｎ型Ａ
ＡＸＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓグレーデツド層に熱拡散さ
れてｐ型化してしまい、その結果、ｎ型ＡβＸＧａＩ−
ＸＡＳエミッタ層に対しｐ型化されたＡＩ、ｌＧ ａ
ｌ−Ｘ Ａ Ｓグレーデツド層が接することになり、ｐ
ｎ接合面に於けるエネルギ・ハンド・ギャップ差が殆ど
ない状態になるからである。
なっているＧａＡｓベース層から、そのＢｅがｎ型Ａ
ＡＸＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓグレーデツド層に熱拡散さ
れてｐ型化してしまい、その結果、ｎ型ＡβＸＧａＩ−
ＸＡＳエミッタ層に対しｐ型化されたＡＩ、ｌＧ ａ
ｌ−Ｘ Ａ Ｓグレーデツド層が接することになり、ｐ
ｎ接合面に於けるエネルギ・ハンド・ギャップ差が殆ど
ない状態になるからである。
第３図ば熱処理に依る半導体中のＢｅの拡散について説
明する為の線図であり、縦軸には不純物濃度を、横軸に
距離をそれぞれ採っである。尚、この線図はＳ ＩＭＳ
分析を行った結果を纏めたものである。
明する為の線図であり、縦軸には不純物濃度を、横軸に
距離をそれぞれ採っである。尚、この線図はＳ ＩＭＳ
分析を行った結果を纏めたものである。
図に於いて、実線は成長したままの状態で分析した場合
を、破線は９０Ｍ’Ｃ）で５〔秒〕の熱処理を行った状
態で分析した場合を、一点鎖線は１０００（’Ｃ）で５
〔秒〕の熱処理を行った状態で分析した場合をそれぞ
れ示している。
を、破線は９０Ｍ’Ｃ）で５〔秒〕の熱処理を行った状
態で分析した場合を、一点鎖線は１０００（’Ｃ）で５
〔秒〕の熱処理を行った状態で分析した場合をそれぞ
れ示している。
図から明らかなように、ＢｅはＧａＡｓ中で拡散よりも
、Ａ （ｌ Ｘ Ｇ ａ ＋ −Ｘ Ａ ｓ中で拡散す
る方が描かに大きいので、前記したように、ｎ型ＡｅＸ
Ｇ ａ ＋−ＸＡ Ｓグレーデツド層にｐ型ＧａＡｓへ
一ス層からＢｅが拡散されてｐ型化される現象も発生し
易い。
、Ａ （ｌ Ｘ Ｇ ａ ＋ −Ｘ Ａ ｓ中で拡散す
る方が描かに大きいので、前記したように、ｎ型ＡｅＸ
Ｇ ａ ＋−ＸＡ Ｓグレーデツド層にｐ型ＧａＡｓへ
一ス層からＢｅが拡散されてｐ型化される現象も発生し
易い。
本発明は、この種の半導体装置の構成に極めて簡単な改
変を施すことに依り、ベース層からエミッタ層に不純物
が拡散されることを防止し、特性を向上することができ
るようにする。
変を施すことに依り、ベース層からエミッタ層に不純物
が拡散されることを防止し、特性を向上することができ
るようにする。
本発明に依る半導体装置に於いては、−導電型化合物半
導体ベース層（例えばｐ＋型ＧａＡｓベース層４）と、
その−導電型化合物半導体ベース層に積層され同じ化合
物半導体からなりノン・ドープである不純物拡散防止層
（例えばノン・ドープＧａＡｓ不純物拡散防止層５）と
、その不純物拡散防止層に積層され該不純物拡散阻止層
から層厚方向に離れるにつれ前記−導電型化合物半導体
ベース層に比較してエネルギ・バンド・ギャップが大き
くなってエミッタ層の一部をなす反対導電型化合物半導
体グレーデツド層（例えばｎ型ＭらＧａ、−ＸＡｓグレ
ーデツド層６）と、その反対導電型化合物半導体グレー
デツド層に積層され且つその表面に於けるエネルギ・バ
ンド・ギャップと等しいか或いは広いそれを有する反対
導電型化合物半導体エミッタ層（例えばｎ型ＡρＸＧａ
、−８Ａｓ工ミツタ層７）と備えてなる構成になってい
る。
導体ベース層（例えばｐ＋型ＧａＡｓベース層４）と、
その−導電型化合物半導体ベース層に積層され同じ化合
物半導体からなりノン・ドープである不純物拡散防止層
（例えばノン・ドープＧａＡｓ不純物拡散防止層５）と
、その不純物拡散防止層に積層され該不純物拡散阻止層
から層厚方向に離れるにつれ前記−導電型化合物半導体
ベース層に比較してエネルギ・バンド・ギャップが大き
くなってエミッタ層の一部をなす反対導電型化合物半導
体グレーデツド層（例えばｎ型ＭらＧａ、−ＸＡｓグレ
ーデツド層６）と、その反対導電型化合物半導体グレー
デツド層に積層され且つその表面に於けるエネルギ・バ
ンド・ギャップと等しいか或いは広いそれを有する反対
導電型化合物半導体エミッタ層（例えばｎ型ＡρＸＧａ
、−８Ａｓ工ミツタ層７）と備えてなる構成になってい
る。
前記構成に依ると、例えばｎ型であったグレーデツド層
が例えばｐ＋型であるベース層からの不純物拡散でｐ型
化されるようなことはなくなるから、ｐｎ接合面を構成
する二つの層の間に於けるエネルギ・バンド・ギャップ
差が殆どないといった状態は発生せず、従って、エミッ
タ層からベース層へのキャリヤ注入効率は極めて高く、
電流増幅率βは向上する。
が例えばｐ＋型であるベース層からの不純物拡散でｐ型
化されるようなことはなくなるから、ｐｎ接合面を構成
する二つの層の間に於けるエネルギ・バンド・ギャップ
差が殆どないといった状態は発生せず、従って、エミッ
タ層からベース層へのキャリヤ注入効率は極めて高く、
電流増幅率βは向上する。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表している
。
。
図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ”型Ｇ
ａＡｓコレクタ・コンタクト層、３はｎ型ＧａＡｓコレ
クタ層、４はｐ＋型ＧａＡｓベース層、５はベース層の
一部を構成しているノン・ドープ（、＋ ａ Ａ ｓ不
純物拡散阻止層〜層、６ばエミッタ層の一部を構成して
いるｎ型Ａ １ ）（Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ Ｓグレーデ
ツド層、７はｎ型Ａ ｅ Ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ
ｓエミッタ層、８はｎ１型Ｃ”； ａ Ａ ｓエミッタ
・コン々り１・層、９ばゴーミッタ電極、１０はベース
電極、１１（７オコレクタ電極、１２しｌ絶縁用分離溝
１をそれぞれ示している。
ａＡｓコレクタ・コンタクト層、３はｎ型ＧａＡｓコレ
クタ層、４はｐ＋型ＧａＡｓベース層、５はベース層の
一部を構成しているノン・ドープ（、＋ ａ Ａ ｓ不
純物拡散阻止層〜層、６ばエミッタ層の一部を構成して
いるｎ型Ａ １ ）（Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ Ｓグレーデ
ツド層、７はｎ型Ａ ｅ Ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ
ｓエミッタ層、８はｎ１型Ｃ”； ａ Ａ ｓエミッタ
・コン々り１・層、９ばゴーミッタ電極、１０はベース
電極、１１（７オコレクタ電極、１２しｌ絶縁用分離溝
１をそれぞれ示している。
本実施例も＝於ける各部分の諸データを例示すると次の
通りである。
通りである。
（１） ｎ＋型ＧａＡｓ：ｌレクタ・コンタクト層２
について 厚め：５ｏｏｏ ［人〕 不純物２１９度： ３ Ｘ Ｌ ０１８（ｃｍ−’）（
２） ｎ 型Ｇ ａΔＳコレクタ層３について厚め＝
３０００ Ｃ人〕 不純物２ｍ度： ３ Ｘ １０１６（ｃｍ−３）（３）
ｐ＋型（：ｘ ａ Ａ ｓベース層４について厚み：８
００ ｃ人〕 （エミッタ層直下にて）不純物濃度：
５ Ｘ １０” （ｃｍ−３）（４） ノン・ドー
プＧａＡｓ不純物拡１）（防止層５について 厚み：２００Ｃ人〕 （５）ｎ型ΔｐＸ（Ｊ” ｌ−Ｘ Ａ ｓグレーデツト
層６につい”（ 〜みニアＱＯ（人〕 不純物？罷度’ １ ×１０” （ｃｍ−Ｊｘ（ｉ負
：Ｏ〜０．３まで変化 （６）ｎ型Ａ ｎ ＸＧ ａ １−ｘ Ａ ｓエミッタ
層７について 厚Ｌ７ｊ二１０００ 〔八〕 不純物流度−： Ｉ Ｘ １０” （ｃｍ−ＪＸ（直
＝０．３ （７）ｎ″型ＧａＡｓエミッタ・、コンタクト層８につ
いて 厚み：２５００ Ｃ八） 不純物濃度： ３ Ｘ Ｉ Ｑ１０（ｃｍ３）（８）
エミッタ電極９について 材月：金（Ａｕ） ・ゲルマニラ”（Ｇｅ）／Ａｕ／
タンタル・シリザイｌ” （Ｗ Ｓ ｉ ）１４；’ｐ
： ２００ Ｃ人ｌｌ ／１０００ （人） ／３
０００〔人〕 （９） ベース電極１０について 材料： Ａ ｕ ／亜鉛（Ｚｎ）／Ａｕ厚み：１００（
人）／１００（人）／３０００〔人〕 （１０） コレクタ電極１１について月利：Δｕ−Ｇ
ｅ ／Δ１１ 厚み：２００ Ｃ人）／２８００Ｃ人〕このＩＴ Ｂ
Ｔに於いては、ベース層４とグレーデッド層６との間
のエネルギ・バンド・ギャップ１５、［充分な差を有す
るので、エミッタ層の一部を構成するグレーデツド層６
からベース層４に対するキャリヤの注入効率は極めて高
く維持され、有能指数βば３００にも達した。因Ｇこ、
従来技術に依るこの種の半導体装置に於ける電流増幅率
βは３０程度である。
について 厚め：５ｏｏｏ ［人〕 不純物２１９度： ３ Ｘ Ｌ ０１８（ｃｍ−’）（
２） ｎ 型Ｇ ａΔＳコレクタ層３について厚め＝
３０００ Ｃ人〕 不純物２ｍ度： ３ Ｘ １０１６（ｃｍ−３）（３）
ｐ＋型（：ｘ ａ Ａ ｓベース層４について厚み：８
００ ｃ人〕 （エミッタ層直下にて）不純物濃度：
５ Ｘ １０” （ｃｍ−３）（４） ノン・ドー
プＧａＡｓ不純物拡１）（防止層５について 厚み：２００Ｃ人〕 （５）ｎ型ΔｐＸ（Ｊ” ｌ−Ｘ Ａ ｓグレーデツト
層６につい”（ 〜みニアＱＯ（人〕 不純物？罷度’ １ ×１０” （ｃｍ−Ｊｘ（ｉ負
：Ｏ〜０．３まで変化 （６）ｎ型Ａ ｎ ＸＧ ａ １−ｘ Ａ ｓエミッタ
層７について 厚Ｌ７ｊ二１０００ 〔八〕 不純物流度−： Ｉ Ｘ １０” （ｃｍ−ＪＸ（直
＝０．３ （７）ｎ″型ＧａＡｓエミッタ・、コンタクト層８につ
いて 厚み：２５００ Ｃ八） 不純物濃度： ３ Ｘ Ｉ Ｑ１０（ｃｍ３）（８）
エミッタ電極９について 材月：金（Ａｕ） ・ゲルマニラ”（Ｇｅ）／Ａｕ／
タンタル・シリザイｌ” （Ｗ Ｓ ｉ ）１４；’ｐ
： ２００ Ｃ人ｌｌ ／１０００ （人） ／３
０００〔人〕 （９） ベース電極１０について 材料： Ａ ｕ ／亜鉛（Ｚｎ）／Ａｕ厚み：１００（
人）／１００（人）／３０００〔人〕 （１０） コレクタ電極１１について月利：Δｕ−Ｇ
ｅ ／Δ１１ 厚み：２００ Ｃ人）／２８００Ｃ人〕このＩＴ Ｂ
Ｔに於いては、ベース層４とグレーデッド層６との間
のエネルギ・バンド・ギャップ１５、［充分な差を有す
るので、エミッタ層の一部を構成するグレーデツド層６
からベース層４に対するキャリヤの注入効率は極めて高
く維持され、有能指数βば３００にも達した。因Ｇこ、
従来技術に依るこの種の半導体装置に於ける電流増幅率
βは３０程度である。
第２図は本発明−・実施例の１−ネルギ・バンド・ダイ
ヤグラムを表し、ている。
ヤグラムを表し、ている。
図に於いて、Ｉ巴。は伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レ
ベル、Ｅｖは価電子帯の頂、Ｅはエミッタ層、ＣＤはグ
レーデツド層、ＮＤはノン・ドープ不純物拡１１り阻１
Ｌ層、Ｂはベース層をそれぞれ示している。
ベル、Ｅｖは価電子帯の頂、Ｅはエミッタ層、ＣＤはグ
レーデツド層、ＮＤはノン・ドープ不純物拡１１り阻１
Ｌ層、Ｂはベース層をそれぞれ示している。
図から判るよ・うに、ノン・ドープ不純物拡散阻止層Ｎ
Ｄを設けたことに依り、ベース層Ｂからエミッタ層Ｉく
にＢｅが拡散することはなくなるので、ベース層Ｂとエ
ミッタ層Ｅとで番よ充分なエネルギ・バンド・ギャップ
の相違が見られる。
Ｄを設けたことに依り、ベース層Ｂからエミッタ層Ｉく
にＢｅが拡散することはなくなるので、ベース層Ｂとエ
ミッタ層Ｅとで番よ充分なエネルギ・バンド・ギャップ
の相違が見られる。
尚、本実施例ばコレクタ層が基板側に在り、エミッタ層
がその−４−にある形式を採っているが、これは、エミ
ッタ層を基板側とと７１．コレクタ層がその−ににある
形式にしても良い。
がその−４−にある形式を採っているが、これは、エミ
ッタ層を基板側とと７１．コレクタ層がその−ににある
形式にしても良い。
本発明の」′導体装置で１．」２、−導電型化合物半導
体ベース層と、該−導電型化合物半導体ベース層に積層
され同じ化合物半導体からなりノン・１：一部である不
純物拡散阻止層と、該不純物拡散は１１ト層に積層され
該不純物拡＋ｌ＆ ｌ！ｒｉ止層から層厚フＪ向に離れ
るにつれ前記−導電型化合物半導体ベース層に比較して
エネルギ・バンド・ギャップが大きくなってエミッタ層
の一部をなす反対導電型化合物半導体グレーデツド層と
、該反対導電型化合物半導体グレーデツド層に積層され
且つその表面に於けるエネルギ・ハンド・ギャップと等
しいか或いは広いそれを有する反対導電型化合物半導体
エミッタ層と備えた構成になっている。
体ベース層と、該−導電型化合物半導体ベース層に積層
され同じ化合物半導体からなりノン・１：一部である不
純物拡散阻止層と、該不純物拡散は１１ト層に積層され
該不純物拡＋ｌ＆ ｌ！ｒｉ止層から層厚フＪ向に離れ
るにつれ前記−導電型化合物半導体ベース層に比較して
エネルギ・バンド・ギャップが大きくなってエミッタ層
の一部をなす反対導電型化合物半導体グレーデツド層と
、該反対導電型化合物半導体グレーデツド層に積層され
且つその表面に於けるエネルギ・ハンド・ギャップと等
しいか或いは広いそれを有する反対導電型化合物半導体
エミッタ層と備えた構成になっている。
この構成に依ると、−導電型化合物半導体べ一ス層の不
純物が反対導電型化合物半導体グレーデツド層に拡散さ
れ、その導電型を変化させてしまうようなことはなくな
る。従って、エミッタ層に於けるエネルギ・バンド・ギ
ャップはベース層に於けるそれに比較して充分に高く保
持され、従って、エミッタ層は、所謂、ワイド・エネル
ギ・バンド・ギャップ・エミッタとして動作し、ベース
層に対するキャリヤの注入効率は高く、電流増幅率βは
極めて大である。また、ベース層からエミッタ層への不
純物拡散は考慮する必要がないから、ベース層に於ける
不純物濃度は充分に高くすることができ、従って、ベー
ス層に於ける抵抗値を低くすることができる。
純物が反対導電型化合物半導体グレーデツド層に拡散さ
れ、その導電型を変化させてしまうようなことはなくな
る。従って、エミッタ層に於けるエネルギ・バンド・ギ
ャップはベース層に於けるそれに比較して充分に高く保
持され、従って、エミッタ層は、所謂、ワイド・エネル
ギ・バンド・ギャップ・エミッタとして動作し、ベース
層に対するキャリヤの注入効率は高く、電流増幅率βは
極めて大である。また、ベース層からエミッタ層への不
純物拡散は考慮する必要がないから、ベース層に於ける
不純物濃度は充分に高くすることができ、従って、ベー
ス層に於ける抵抗値を低くすることができる。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図はそ
のエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第３図は半導体中
に於けるＢｅの熱拡散を説明する為の線図をそれぞれ表
している。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ＋型Ｇ
ａ Ａ、 ｓコレクタ・コンタクＩ・層、３はｎ型Ｇ
ａＡｓコレクタ層、４はｐ＋型ＧａＡｓへ一ス層、５は
ノン・ドープＧａＡｓ不純物拡散阻止層、６はｎ型Ａ
ＲＸＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ ｓグレーデッド層、７はｎ型
Ａ （！ＸＧ ａ ＋−Ｘ Ａ ｓエミッタ層、８はｎ
＋型ＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、９はエミ・７タ
電極、１０はベース電極、１１はコレクタ電極、１２は
絶縁分離用溝をそれぞれ示している。
のエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第３図は半導体中
に於けるＢｅの熱拡散を説明する為の線図をそれぞれ表
している。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ＋型Ｇ
ａ Ａ、 ｓコレクタ・コンタクＩ・層、３はｎ型Ｇ
ａＡｓコレクタ層、４はｐ＋型ＧａＡｓへ一ス層、５は
ノン・ドープＧａＡｓ不純物拡散阻止層、６はｎ型Ａ
ＲＸＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ ｓグレーデッド層、７はｎ型
Ａ （！ＸＧ ａ ＋−Ｘ Ａ ｓエミッタ層、８はｎ
＋型ＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、９はエミ・７タ
電極、１０はベース電極、１１はコレクタ電極、１２は
絶縁分離用溝をそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型化合物半導体ベース層と、 該一導電型化合物半導体ベース層に積層され同じ化合物
半導体からなりノン・ドープである不純物拡散阻止層と
、 該不純物拡散阻止層に積層され該不純物拡散阻止層から
層厚方向に離れるにつれ前記一導電型化合物半導体ベー
ス層に比較してエネルギ・バンド・ギャップが大きくな
ってエミッタ層の一部をなす反対導電型化合物半導体グ
レーデッド層と、該反対導電型化合物半導体グレーデッ
ド層に積層され且つその表面に於けるエネルギ・バンド
・ギャップと等しいか或いは広いそれを有する反対導電
型化合物半導体エミッタ層と を備えてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158260A JPS6220373A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158260A JPS6220373A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220373A true JPS6220373A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15667730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158260A Pending JPS6220373A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220373A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967254A (en) * | 1987-07-16 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| DE10261238A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Schichtenfolge |
| US6781165B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-08-24 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Hetero-junction bipolar transistor with gold out-diffusion barrier made from InP or InGaP |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60158260A patent/JPS6220373A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967254A (en) * | 1987-07-16 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US6781165B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-08-24 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Hetero-junction bipolar transistor with gold out-diffusion barrier made from InP or InGaP |
| DE10261238A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Schichtenfolge |
| WO2004061990A3 (de) * | 2002-12-20 | 2004-10-14 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Schichtenfolge |
| JP2006511952A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 積層構造 |
| US7326953B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-02-05 | Forschungszentrum Julich Gmbh | Layer sequence for Gunn diode |
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