JPS62204205A - 石英系光フアイバ - Google Patents
石英系光フアイバInfo
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- JPS62204205A JPS62204205A JP61046852A JP4685286A JPS62204205A JP S62204205 A JPS62204205 A JP S62204205A JP 61046852 A JP61046852 A JP 61046852A JP 4685286 A JP4685286 A JP 4685286A JP S62204205 A JPS62204205 A JP S62204205A
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- JP
- Japan
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- core
- rare earth
- optical fiber
- earth element
- quartz glass
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma- or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/34—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with rare earth metals, i.e. with Sc, Y or lanthanides, e.g. for laser-amplifiers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は石英系光ファイバに関する。さらに詳しくは、
光センサーなどに利用しつる石英系ファイバで、従来、
伝送路として適用されていた光ファイバに能動的な機能
を付与した石英系光ファイバに関する。
光センサーなどに利用しつる石英系ファイバで、従来、
伝送路として適用されていた光ファイバに能動的な機能
を付与した石英系光ファイバに関する。
［従来の技術およびその問題点］
従来、光ファイバを用いたセンサーとして種々の形態の
ものが公知であるが、光フアイバ自体の光伝送特性を利
用してセンサーとしたものはない。
ものが公知であるが、光フアイバ自体の光伝送特性を利
用してセンサーとしたものはない。
［発明が解決しようとする問題点］
そこで本発明者らは、上記のような問題点に鑑みて鋭意
研究を重ねた結果、光フアイバ自体がセンサー作用をな
す全く新しい光ファイバを見出し、本発明を完成するに
至った。
研究を重ねた結果、光フアイバ自体がセンサー作用をな
す全く新しい光ファイバを見出し、本発明を完成するに
至った。
［問題点を解決するための手段］
すなわち、石英系ガラスコアの周囲に屈折率が該コアよ
りも小さい石英系ガラスクラッドを設けてなる光ファイ
バにおいて、コアまたはコアの周縁部に希土類元素がド
ープされていることを特徴とする石英系光ファイバおよ
びその製造方法に関する。
りも小さい石英系ガラスクラッドを設けてなる光ファイ
バにおいて、コアまたはコアの周縁部に希土類元素がド
ープされていることを特徴とする石英系光ファイバおよ
びその製造方法に関する。
［作用および実施例コ
本発明の光ファイバは、コアまたはコアの周縁部に希土
類元素がドープされ、該コアの周囲に屈折率が該コアよ
りも小さいクラッドを設けることによりえられる。
類元素がドープされ、該コアの周囲に屈折率が該コアよ
りも小さいクラッドを設けることによりえられる。
本発明の光ファイバを、内材は法によって製造するばあ
い、前記クラッドは、石英ガラス管（サポート）内にク
ラッド形成ガスを送入し、該石英ガラス管外表面を加熱
することによりえられる。
い、前記クラッドは、石英ガラス管（サポート）内にク
ラッド形成ガスを送入し、該石英ガラス管外表面を加熱
することによりえられる。
前記クラッド形成ガスには、ガラス形成ガス、酸素およ
び屈折率をコアよりも小さくするためのドーパントソー
スガスが含有される。
び屈折率をコアよりも小さくするためのドーパントソー
スガスが含有される。
ガラス形成ガスとしては、ＳｉＨ４，８１）１３ｃＩ！
。
。
５ｉＨ２ＣＩＩ２．５ＩＨＣＩ ｓ 、ＳｉＣ＃ ４．
５ＩＨｓ Ｂｒ５ＳｉＨ２Ｂｒ２．５ＩＨＢｒｓ 、５
ＩＢｒ４．５ＩＨ３１。
５ＩＨｓ Ｂｒ５ＳｉＨ２Ｂｒ２．５ＩＨＢｒｓ 、５
ＩＢｒ４．５ＩＨ３１。
５ｉＨ２１２、ＳｉＨＩｇ 、５ｉＨ３（ＯＣＨａ）、
５ＩＨ２（ＯＣＨａ） ２．５ｉＨ（ＯＣＨｘ ）３、
Ｓｉ （ＯＣＩＩａ） ４などのシラン化合物または気
化性のシラン誘導体が用いられる。
５ＩＨ２（ＯＣＨａ） ２．５ｉＨ（ＯＣＨｘ ）３、
Ｓｉ （ＯＣＩＩａ） ４などのシラン化合物または気
化性のシラン誘導体が用いられる。
まだドーパントソースガスとしては、フッ素をドープす
るばあいには、Ｃ（Ａ３Ｐ 、 ＣＣＩ！２Ｆ２、Ｃ
ＣＨ３、ＣＦ４なトノフレオン類、ＣｌＦ５Ｃｌ！Ｆ３
、ＢｒＦ 、 ＢｒＦ＋などのフレオン相互の化合物、
ＳＦ、、Ｆ２ 、Ｆ２０ 、ＳｉＦ４などが用いられる
。ホウ素をドープスルはアイニハ、Ｂ［１３、ＢＮ２
Ｃ１、ＢＨＣＩＩ２、ＢＣ１！３、ＢＮ２ Ｂｒｓ Ｂ
ＨＢｒ２、ＢＢｒ３、ＢＩ２１゜ＢＩ１２ 、ＢＩ３な
どのボランまたは気化性のボラン誘導体が用いられる。
るばあいには、Ｃ（Ａ３Ｐ 、 ＣＣＩ！２Ｆ２、Ｃ
ＣＨ３、ＣＦ４なトノフレオン類、ＣｌＦ５Ｃｌ！Ｆ３
、ＢｒＦ 、 ＢｒＦ＋などのフレオン相互の化合物、
ＳＦ、、Ｆ２ 、Ｆ２０ 、ＳｉＦ４などが用いられる
。ホウ素をドープスルはアイニハ、Ｂ［１３、ＢＮ２
Ｃ１、ＢＨＣＩＩ２、ＢＣ１！３、ＢＮ２ Ｂｒｓ Ｂ
ＨＢｒ２、ＢＢｒ３、ＢＩ２１゜ＢＩ１２ 、ＢＩ３な
どのボランまたは気化性のボラン誘導体が用いられる。
また本発明において、フッ素およびホウ素がドープされ
たクラッドを形成せしめるばあいには、上記のフッ素化
合物ガスおよびホウ素化合物ガスを同時に用いてもよい
が、フッ素とホウ素が同時に石英ガラス中に効率よくド
ープされるためには、ドーパントソースガスとしてＢＦ
３を用いるのが好ましい。
たクラッドを形成せしめるばあいには、上記のフッ素化
合物ガスおよびホウ素化合物ガスを同時に用いてもよい
が、フッ素とホウ素が同時に石英ガラス中に効率よくド
ープされるためには、ドーパントソースガスとしてＢＦ
３を用いるのが好ましい。
また、ドーパントソースガスには、チッ素、アルゴン、
ヘリウムなどの他のガスを混合してもよい。
ヘリウムなどの他のガスを混合してもよい。
ガラス形成ガス、ドーパントソースガスの混合割合（モ
ル比）は通常１ ： ０．１〜１：１、好ましくは、
１〜０．１５〜１： ０．５である。このばあい、
ドーパントソースガスは、予め各ガス−Ａ − を混合し、所望の濃度に調整したものを反応器内に導入
してもよく、また反応器内で混合して用いてもよい。
ル比）は通常１ ： ０．１〜１：１、好ましくは、
１〜０．１５〜１： ０．５である。このばあい、
ドーパントソースガスは、予め各ガス−Ａ − を混合し、所望の濃度に調整したものを反応器内に導入
してもよく、また反応器内で混合して用いてもよい。
前記石英ガラス管内にクラッド形成ガスを送り込みなが
ら、該石英ガラス管外表面を１６００〜２０００℃、好
ましくは１７００〜１８００℃に加熱せしめることによ
り、該石英ガラス管内表面にフッ素および／またはホウ
素がドープされたクラッドが形成されるが、クラッドの
厚さは通常、０．５〜３ｍｍ程度となるように調整して
用いられる。
ら、該石英ガラス管外表面を１６００〜２０００℃、好
ましくは１７００〜１８００℃に加熱せしめることによ
り、該石英ガラス管内表面にフッ素および／またはホウ
素がドープされたクラッドが形成されるが、クラッドの
厚さは通常、０．５〜３ｍｍ程度となるように調整して
用いられる。
上記のようにして石英ガラス管内面にクラッドを形成せ
しめたのち、該石英ガラス管内面に希土類元素塩化物蒸
気およびガラス層形成ガスを送入し、該石英ガラス管外
表面を加熱することにより、希土類元素がドープされた
コアがクラッド上に形成される。
しめたのち、該石英ガラス管内面に希土類元素塩化物蒸
気およびガラス層形成ガスを送入し、該石英ガラス管外
表面を加熱することにより、希土類元素がドープされた
コアがクラッド上に形成される。
前記希土類元素塩化物蒸気は、たとえば第１図に示され
るように、クラッド（１）が形成される石英ガラス管（
２）の一端を、あらかじめ希土類元素塩化物（３）を堆
積せしめたドーパント室房（４）と接続せしめたのち、
該ドーパント室房（４）をバーナ（５）などを用いて加
熱することにより発生される。このばあい、同時にドー
パン室房（４）の開口部（４ａ）より、ガラス層形成ガ
スを導入し、前記石英ガラス管（２）の外表面をバーナ
（６）などを用いて加熱するだけで、希土類元素がドー
プされたコアを容易に作製することができる。
るように、クラッド（１）が形成される石英ガラス管（
２）の一端を、あらかじめ希土類元素塩化物（３）を堆
積せしめたドーパント室房（４）と接続せしめたのち、
該ドーパント室房（４）をバーナ（５）などを用いて加
熱することにより発生される。このばあい、同時にドー
パン室房（４）の開口部（４ａ）より、ガラス層形成ガ
スを導入し、前記石英ガラス管（２）の外表面をバーナ
（６）などを用いて加熱するだけで、希土類元素がドー
プされたコアを容易に作製することができる。
前記希土類元素塩化物としては、Ｌａｓ Ｃｅ５Ｐｒｓ
Ｎｄ、、ＰＩ１１％ ８１１１％ ＥＯ％ Ｇｄｘ Ｔ
ｂｓ Ｄ）１％ １０％ Ｅｒｘ Ｔｌｌ１％ Ｙｂ５
Ｌｕなどのランタノイド系希土類元素の塩化物であれば
いす、れのものをも採用しうるが、これらのなかでもと
くにＮｄあるいはＥｒの塩化物は、センサー動作の点で
好適に使用しうる。かかる希土類元素の塩化物は、単独
で用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。前記
希土類元素は、その含有量が、コア中に２〜ｔｏｏｏｐ
ｐｍ 、なかんづ＜３０〜３００ｐｐｍとなるように調
整して用いられる。含有量が２ｐｐｍ未満のばあい、セ
ンサー動作をさせることが難しくなり、また１１０００
ｐｐをこえるばあい、センサー機能が低下する。
Ｎｄ、、ＰＩ１１％ ８１１１％ ＥＯ％ Ｇｄｘ Ｔ
ｂｓ Ｄ）１％ １０％ Ｅｒｘ Ｔｌｌ１％ Ｙｂ５
Ｌｕなどのランタノイド系希土類元素の塩化物であれば
いす、れのものをも採用しうるが、これらのなかでもと
くにＮｄあるいはＥｒの塩化物は、センサー動作の点で
好適に使用しうる。かかる希土類元素の塩化物は、単独
で用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。前記
希土類元素は、その含有量が、コア中に２〜ｔｏｏｏｐ
ｐｍ 、なかんづ＜３０〜３００ｐｐｍとなるように調
整して用いられる。含有量が２ｐｐｍ未満のばあい、セ
ンサー動作をさせることが難しくなり、また１１０００
ｐｐをこえるばあい、センサー機能が低下する。
前記ガラス層形成ガスとしては、上述のクラッド形成ガ
ス中に使用されたシラン化合物または気化性のシラン誘
導体であればいずれのものをも好適に使用しつる。
ス中に使用されたシラン化合物または気化性のシラン誘
導体であればいずれのものをも好適に使用しつる。
前記クラッドが形成された石英ガラス管内に希土類元素
塩化物蒸気およびガラス層形成ガスを送り込みながら、
該石英ガラス管外表面を１６００〜２１００℃、好まし
くは１８００〜１９００℃に加熱せしめることにより、
該石英ガラス管内に形成されたクラッド上に希土類元素
がドープされたコアが形成される。このばあい、コアの
周縁部のみに希土類元素がドープされたものを形成せし
めてもよく、またコア全体に希土類元素がドープされた
ものを形成せしめてもよい。
塩化物蒸気およびガラス層形成ガスを送り込みながら、
該石英ガラス管外表面を１６００〜２１００℃、好まし
くは１８００〜１９００℃に加熱せしめることにより、
該石英ガラス管内に形成されたクラッド上に希土類元素
がドープされたコアが形成される。このばあい、コアの
周縁部のみに希土類元素がドープされたものを形成せし
めてもよく、またコア全体に希土類元素がドープされた
ものを形成せしめてもよい。
前記コア全体に希土類元素がドープされた光ファイバを
作製するばあい、クラッドが形成された石英ガラス管内
の空隙郡全体に希土類元素がドープされたコアを形成せ
しめたのち、コラプスすればよい。
作製するばあい、クラッドが形成された石英ガラス管内
の空隙郡全体に希土類元素がドープされたコアを形成せ
しめたのち、コラプスすればよい。
前記コアの周縁部のみに希土類元素がドープされた光フ
ァイバを作製するばあい、石英ガラス管内表面上に形成
されたクラッド上に厚さが０．０１〜１ｍｍとなるよう
に希土類元素がドープされたコアを形成せしめたのち、
石英ガラス棒を石英ガラス管内に挿入し、コラプスして
もよく、また希土類元素がドープされたコアを形成せし
めたのち、石英ガラス管内に希土類元素塩化物蒸気を通
さないでさらにガラス層形成ガスを送入して石英ガラス
を形成せしめたのち、コラプスしてもよい。
ァイバを作製するばあい、石英ガラス管内表面上に形成
されたクラッド上に厚さが０．０１〜１ｍｍとなるよう
に希土類元素がドープされたコアを形成せしめたのち、
石英ガラス棒を石英ガラス管内に挿入し、コラプスして
もよく、また希土類元素がドープされたコアを形成せし
めたのち、石英ガラス管内に希土類元素塩化物蒸気を通
さないでさらにガラス層形成ガスを送入して石英ガラス
を形成せしめたのち、コラプスしてもよい。
つぎに本発明の石英系光ファイバを実施例に基づいてさ
らに詳細に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限
定されるものではない。
らに詳細に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限
定されるものではない。
実施例１
第１図に示されるような表面が清浄された石英ガラス管
（内径１７ｍｍ）（２）を回転させながら、外部より酸
水素バーナ（６）で約１８００℃に加熱する一方、石英
ガラス管（２）内に第１表に示すようなりラッド形成ガ
スを通してバーナ（６）を往復移動させ、所定の厚さの
クラッド（１）を形成させた。
（内径１７ｍｍ）（２）を回転させながら、外部より酸
水素バーナ（６）で約１８００℃に加熱する一方、石英
ガラス管（２）内に第１表に示すようなりラッド形成ガ
スを通してバーナ（６）を往復移動させ、所定の厚さの
クラッド（１）を形成させた。
つぎにドーパント室房（４）にあらかじめ堆積せしめた
第１表に示す希土類元素の塩化物（３）をバーナ（５）
を用いて１１００℃に加熱し、希土類元素の塩化物（３
）がドープされたコアを形成させ、ついで塩素ガス雰囲
気中で脱水、コラプスして光フアイバプリフォームを作
製した。
第１表に示す希土類元素の塩化物（３）をバーナ（５）
を用いて１１００℃に加熱し、希土類元素の塩化物（３
）がドープされたコアを形成させ、ついで塩素ガス雰囲
気中で脱水、コラプスして光フアイバプリフォームを作
製した。
えられた光フアイバプリフォームの物性として、希土類
元素含有濃度、コアとクラッドとの屈折率差および光伝
送損失と波長スペクトルとの関係を測定した。これらの
結果を第１表および第２図に示す。
元素含有濃度、コアとクラッドとの屈折率差および光伝
送損失と波長スペクトルとの関係を測定した。これらの
結果を第１表および第２図に示す。
実施例２
実施例１と同様にして石英ガラス管内にクラッドを形成
させ、ついでクラッド上に第１表に示す希土類元素の塩
化物を０．２ｍｍ形成させたのち、純石英棒（直径：１
ｍｍ）を挿入し、塩素ガス雰囲気中で脱水、コラプスし
てコアの周縁部に希土類元素がドープされた光フアイバ
プリフォームを作製した。
させ、ついでクラッド上に第１表に示す希土類元素の塩
化物を０．２ｍｍ形成させたのち、純石英棒（直径：１
ｍｍ）を挿入し、塩素ガス雰囲気中で脱水、コラプスし
てコアの周縁部に希土類元素がドープされた光フアイバ
プリフォームを作製した。
えられた光フアイバプリフォームの物性を実施例１と同
様にして求めた。これらの結果を第１表および第２図に
示す。
様にして求めた。これらの結果を第１表および第２図に
示す。
比較例１
実施例１において、コア形成時に用いた希土類元素塩化
物を使用しなかったほかは実施例１と全く同様にして光
フアイバプリフォームを作製した。
物を使用しなかったほかは実施例１と全く同様にして光
フアイバプリフォームを作製した。
えられた光フアイバプリフォームの物性を実施例１と同
様にして求めた。これらの結果を第１表および第２図に
示す。
様にして求めた。これらの結果を第１表および第２図に
示す。
〔発明の効果〕
本発明の石英系ファイバは第２図からも明らかなとおり
、波長０．５〜１．０ρ付近において、光伝送損失、す
なわち光吸収能が他の波長域に比べて著しく増大するの
で、光に対して敏感なセンサーとなりうるという効果を
奏する。
、波長０．５〜１．０ρ付近において、光伝送損失、す
なわち光吸収能が他の波長域に比べて著しく増大するの
で、光に対して敏感なセンサーとなりうるという効果を
奏する。
第１図は実施例２で用いた光フアイバ製造装置の概略図
、第２図は実施例でえられた光ファイバの波長と光伝送
損失の関係を表わす図を示す。 （図面の符号） （１）：クラッド （２）：石英ガラス管 （３）：希土類元素塩化物 ・ （４）ニド−パント室房 （５）、（６）：バーナ 才１ 図 乙 才２図 波 長 （μｍ）
、第２図は実施例でえられた光ファイバの波長と光伝送
損失の関係を表わす図を示す。 （図面の符号） （１）：クラッド （２）：石英ガラス管 （３）：希土類元素塩化物 ・ （４）ニド−パント室房 （５）、（６）：バーナ 才１ 図 乙 才２図 波 長 （μｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 石英系ガラスコアの周囲に屈折率が該コアよりも小
さい石英系ガラスクラッドを設けてなる光ファイバにお
いて、コアまたはコアの周縁部に希土類元素がドープさ
れていることを特徴とする石英系光ファイバ。 ２ クラッドが、フッ素および／またはホウ素がドープ
された石英ガラスである特許請求の範囲第１項記載の石
英系光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61046852A JPS62204205A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 石英系光フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61046852A JPS62204205A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 石英系光フアイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204205A true JPS62204205A (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=12758871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61046852A Pending JPS62204205A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 石英系光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008138911A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Orion Mach Co Ltd | 可搬型ヒータ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5869738A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐放射線光フアイバ |
| JPS58215509A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-15 | アセア・アクチ−ボラグ | 光フアイバセンサ |
| JPS59136702A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Omron Tateisi Electronics Co | 光学的温度検出装置 |
| JPS60200208A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61046852A patent/JPS62204205A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5869738A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐放射線光フアイバ |
| JPS58215509A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-15 | アセア・アクチ−ボラグ | 光フアイバセンサ |
| JPS59136702A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Omron Tateisi Electronics Co | 光学的温度検出装置 |
| JPS60200208A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008138911A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Orion Mach Co Ltd | 可搬型ヒータ |
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