JPS62204264A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような電磁
波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関する
。

〔従来の技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔光電ｍ（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射す
る電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無公害であるこ
と、等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフィ
スで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用
光受容部材の場合には、ヒ記の使用時における無公害性
は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−Ｓｔと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用光受容部材としての
応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−Ｓｉで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用
環境特性の点、更には経時的安定性および耐久性の点に
おいて、各々、個々には特性の向上が計られているが、
総合的な特性向上を計る上で更に改良される余地が存す
るのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な
点が少なくなかった。

また、Ａ−３ｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子、およ
び電気的伝導型の制御のために硼素原子や燐原子などが
或いはその他の特性改良のために他の原子が、各々構成
原子として光導電層中に含有されるが、これらの構成原
子の含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的あ
るいは光導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があっ
た。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、或いは、転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ
」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思われる
画像欠陥や、クリーニングにブレードを用いると、その
摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云われている
画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰囲気中で使
用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した直後に
使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくな
かった。

従ってＡ−Ｓｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、−ヒ記したような問題の
総てが解決されるように層構成、各層の化学的組成２作
成法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のごときＡ−３ｉで構成された従来の光
受容層を有する電子写真用光受容部材における諸問題を
解決することを目的とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導電
的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的に常
時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際して
も劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位
が全くかまたは殆んど観測されない、Ａ−３ｉ及び多結
晶シリコンで構成された光受容層を有する電子写真用光
受容部材を提供することにある。

未発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層Ｓれる層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、Ａ−
３ｔ及び多結晶シリコンで構成された光受容層を有する
電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、Ａ−３ｔ
及び多結晶シリコンで構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易
にできる、電子写真用のＡ−３ｉ及び多結晶シリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材を提供すること
にある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、Ａ−８ｉ及び多結晶シリコ
ンで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
りに、シリコン原子とゲルマニウム原子を含有する多結
晶材料で構成され、長波長光に感度を有する長波長光感
光層とシリコン原子を母体とし、伝導性を制御する物質
を含有する電荷注入阻止層と、シリコン原子を母体とし
、水素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方
を構成要素として含む非晶質材ネ；（（以後ｒＡ−Ｓ　
ｉ　　（Ｈ、Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性
を示す光導電層と、シリコン原子と炭素原子と水素原子
とを構成要素として含む非晶質材料で構成されている表
面層とから成る光受容層とを有し、前記表面層において
、水素原子が４１％〜７０原子％含有されている事を特
徴としている。

又、前記表面層にはハロゲン原子が含有されていてもよ
く、更に前記光導電層には炭素原子、酸素原子、窒素原
子の中小なくとも１種類の原子を含有してもよい。

支持体からの電荷の注入を阻１卜する電荷注入阻１に層
には層厚方向に均一に又は支持体側に多く分布する分布
状態で構成原子として、伝導性を制御する物質が含有さ
れる。

さらに電荷注入阻止層には層厚方向に均一に又は支持体
側に多く分布する分布状態で構成原子として酸素原子又
は／及び窒素原子を含有してもよい。前記電荷注入阻１
１層中の酸素原子又は／及び窒素原子は支持体側に偏在
させてもよい。

さらに前記長波長光感光層は伝導性を制御する物質、酸
素原子、窒素原子のうち少なぐとも１種を含有してもよ
い。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを解決
し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、＃
工性及び使用環境特性を示す。

すなわち、電子写真用光受容部材として適用させた場合
には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

さらに本発明の電子写真用光受容部材は、全可視光域に
おいて光感度が高く、殊に、半導体レーザーとのマツチ
ングに優れ、かつ光応答が速い。

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材に就
いて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材を説明する為
に模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す電子写真用光受容部材は、光受容層１００
が光受容部材用としての支持体１０１の上に設けられて
おり、該光受容層ｌＯＯは、シリコン原子とゲルマニウ
ム原子を含有する多結晶材料で構成された長波長光感光
層１０６と、電荷注入阻ＩＦ層１０２、Ａ−９ｉ（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を有する光導電層１０３と、シ
リコン原子と、炭素原子と水素原子とを構成要素とする
非晶質材料で構成され、前記水素原子が４１〜７０原子
％含有されている表面層１０４とから成る層構成をし、
表面層１０４は自由表面１０５を有する。

叉−杵−１ 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ、■、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属またはこ
れ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙などが通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｎ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、ｖ、”ｒｔ、
ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ　ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉ　ｎ
２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによっ
て導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｔＣｒ、Ａ文、Ａｇ、Ｐ
ｂ　、　Ｚｎ、　　Ｎｉ　　、　Ａｕ、　　Ｃｒ、　　
Ｍｏ　　、　Ｉｒ　、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形
状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例
えば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚ぎは、所望通りの電
子写真用光受容部材が形成される様に適宜決定されるが
、電子写真用光受容部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が十分発揮される範囲内であ
れば可能な限り薄くされる。しかしながら、この様な場
合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点・
から、通常はＩＯ＃Ｌ以上とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行な
う場合には、可視画像において現われる、所謂、干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面に凹
凸を設けてもよい。

第２１図は凹凸形状を有する支持体１５０１とにその凹
凸の傾斜面に沿って、光受容層１５００を備えた光受容
部材を示している。

このとき、自由表面１５０４並びに光受容層１５００中
に形成される界面における傾斜の程度が異なるため、自
由表面１５０４並びに光受容層１５００中に形成される
界面での反射光の反射角度が各々異なる。

従って、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェ
アリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されると
ころとなる。これによりこうした光受容部材を介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮りに現出され
たとしても、それらは視覚的にはとらえられない程度の
ものとなる。即ち、かくなる表面形状を有する支持体の
使用は、その上に多層構成の光受容層を形成してなる光
受容部材にあって、該光受容層を通過した光が、層界面
及び支持体表面で反射し、それらが干渉することにより
、形成される画像が縞模様となることを効率的に防止す
る。

第２１図に於いて、１５０５は長波長光感光層、１５０
２−１は電荷注入阻ＩＦ層、１５０２−２は光導電層、
１５０３は表面層である。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に従
って設計されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を正
確に切削油Ｔすることで所ψの凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法によって形成される
凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした螺線構造を有する。逆Ｖ字形突起部
のｔｌＩ線構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交
叉螺線構造とされても差支えない。

或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿った千行線構造を
導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第２０図に示される様
に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−３ｉ（Ｈ、’Ｘ）
層は、層形成される表面の状態に構造敏感であって、表
面状態に応じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−Ｓｔ（Ｈ，Ｘ）層の層品質の低下を招来し
ない様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於いてクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

」−記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス」
二の問題点及び、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００１Ｌ
ｍ−０，３４ｍ　、より好ましくは２００ルｍ〜ｌｐＬ
ｍ、最適には５０ｐｍ〜５ｐｍであるのが望ましい。

また、四部の最大の深さは、好ましくはＯ９ｌＢｍ〜５
ＪＬｍ、より好ましくは０．３１Ｌｍ〜３Ｊ’　ｍ　＋
最適には０．６ｇｍ〜２ＩＬｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜ｌＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基づく層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１１Ｌｍ〜２ｇｍ、より好ましくは０．ＩＩＬｍ−１
，５１Ｌｍ、最適には０．２　ｇ　ｍ〜Ｉｇｍとされる
のが望ましい。

又、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉縞
模様による画像不良を解消する別の方法として、支持体
表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよ
い。

即ち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求される
解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状及びその好適な製造例を第２２図及び第２
３図により説明するが、本発明の光受容部材における支
持体の形状及びその製造法は、これによって限定される
ものではない。

第２２図は、本発明の電子写真用光受容部材における支
持体の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部
を部分的に拡大して模式的に示すものである。

第２２図に於いて１６０１は支持体、１６０２は支持体
表面、１６０３は剛体真珠、１６０４は球状痕跡窪みを
示している。

さらに第２２図は、該支持体表面形状を得るのに好まし
い製造方法の１例をも示すものである。即ち、剛体真珠
１６０３を支持体表面１６０２より所定の高さの位置よ
り自然落下させて支持体表面１６０２に衝突させること
により、球状窪み１６０４を形成し得ることを示してい
る。そして、はぼ同一径「の剛体真珠１６０３を複数個
用い、それらを同一の高さｈより、同時あるいは逐時、
落下させることにより、支持体表面１６０２に、はぼ同
一曲線半径Ｒ及び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み
１６０４を形成することができる。

前述の如くして、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状の形成された支持体の典型例を第２３図に示す。第
２３図に於いて、１７０１は支持体、１７０２は凸部の
位置を、１７０３は剛体真球、１７０４は凹部の底面位
置を夫々示す。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒ及び幅りは
、こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を
防１卜する作用効果を効率的に達成するためには重要な
要因である。本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下
のところを究明した。即ち、曲率半径Ｒ及び幅りが次式
： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５木以ｌ二存在する
ことになる。更に次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以］−、存在するこ
ととなる。

こうした事から、光受容部材の全体に発生する干渉縞を
各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材に於ける干
渉縞の発生を防１にする為には、前記Ｔを０．０３５、
好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

又、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００Ｋ
ｍ程度、好ましくは２００用ｍ以下、より好ましくは１
１００ｐＬ以下とするのが好ましい。

Ｌ１夫ヱ差１１ 本発明における長波長光感光層は、シリコン原子とゲル
マニウム原子を含有する多結晶材料で構成され、該層に
含有されるゲルマニウム原子は該層中に万偏無く均一に
分布されても良いし、或いは１層厚方向には万偏無く含
有されてはいるが分布濃度が不均一であっても良い。面
乍ら、いずれの場合にも支持体の表面と平行な面内方向
に於いては、均一な分布で万偏無く含有されることが、
面内方向に於ける特性の均一化を計る点からも必要であ
る。すなわち、長波長光感光層の層厚方向には万偏無く
含有されていて且つ前記支持体の設けられである側とは
反対の側（光受容層の自由表面側）の方に対して前記支
持体側の方に多く分布した状態となる様にするか、或い
は、この逆の分布状態となる様に前記長波長光感光層中
に含有される。

本発明の光受容部材においては、前記した様に長波長光
感光層中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、
層厚方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持
体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされる
のが望ましい。

又、好ましい実施態様例の１つに於いては、長波長光感
光層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は全層領域
にゲルマニウム原子が連続的に万偏無く分布し、ゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より電荷
注入阻止層に向って減少する変化が与えられているので
、長波長光感光層と電荷注入阻止層との間に於ける親和
性に優れ、■、つ後述する様に、支持体側端部に於いて
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすること
により、半導体レーザ等を使用した場合の、光導電層で
は殆ど吸収し切れない長波長側の光を長波長光感光層に
於いて、実質的に完全に吸収することが出来、支持体面
からの反射による干渉を防１１−することが出来る。

第２図乃至第７図には、本発明における光受容部材の長
波長光感光層中に含有されるゲルマニウムの層厚方向の
分布状態が不均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第７図において、横軸はゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃを、縦軸は、長波長光感光層の層厚を示し、
ｔＢは支持体側の長波長光感光層の端面の位置を、ｔＴ
は支持体側とは反対側の長波長光感光層の端面の位置を
示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される長波長光感
光層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、長波長光感光層中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る長波長光感光層が形成される表面と該長波長光感光層
の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を取
り乍らゲルマニウム原子が形成される長波長光感光層に
含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔＴ
においてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３とされ
る。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ７において
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位ＲｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて１分布源度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置を日より位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、□位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１０とされ
る。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されてい
る。

第７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＵより
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

以上、第２図乃至第７図により、長波長光感光層中に含
有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が長波長光感光層に設けられている場
合は、好適な例の１つとして挙げられる。ゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分
布濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して
、好ましくは１０００原子ｐｐｍ以上、より好適には５
０００原子ｐｐｍ以上、最適には１Ｘ１０４原子ｐｐｍ
以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。

本発明において、長波長光感光層中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、シリコ
ン原子との和に対して、好ましくは１〜ｌＯ×１０５原
子ｐｐｍ、好ましくは１００〜９．５Ｘ１０５原子ｐｐ
ｍ、最適には５００〜８Ｘ１０５原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。

前記、長波長光感光層はさらに伝導性を制御する物質、
酸素原子、窒素原子のうち少なくとも１種を含有しても
よい。

また、前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以下「第■族原子」という。）、またはＮ
型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以下
「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族原子として
は、具体的には、Ｂ（硼素）、ＡＭ（アルミニウム）、
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｉ（タリウ
ム）等があり、特にＢ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子
としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。

本発明に於いて、長波長光感光層中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、好ましくは０．０
１〜５Ｘ１０５原子ｐｐｍ、より好ましくは０．５〜ｌ
　Ｘ　Ｉ　Ｏ４原子ｐｐｍ、最適には１〜５Ｘ１０３原
子ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、シリコン原子とゲルマニウム原子を含
有する多結晶材料で構成される長波長光感光層を形成す
るには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、或い
はイオンブレーティング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によって成される。例えば、グロー放電法によっ
て、長波長光感光層を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと
ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原
料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガ
ス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されである所定の支持体表面］−に層を形成す
れば良い。又、ゲルマニウム原子を不均一な分布状態で
含有させるには、ゲルマニウム原子の分布濃度を所望の
変化率曲線に従って制御しながら層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳＩで構成されたターゲット、
或いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲ
ットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈ガ
スで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガ
スのプラズマ雰囲気を形成することによって成される。

ゲルマニウム原子の分布を均一にする場合には、前記Ｇ
ｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従
って制御し乍ら、前記のターゲットをスパッタリングし
てやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボードに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことがで
きる。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓ　ｉ　２Ｈ６、Ｓ　ｉ
　３Ｈ８、ｓ　１４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良ネ等の点で５ｔＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好まし
いものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としてはＧｅＨ４
、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ　、Ｇｅ４Ｈｌｏ、Ｇｅ５Ｈ
１２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６゜ＧｅＢＨＩＢ、Ｇ
ｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲル
マニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢが好ましいも
のとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に於いて
は挙げることが出来る。

本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素。

臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、ＣｌＦ
３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＩＦ３゜ＩＦ７．ＩＣＭ、Ｉ
Ｂｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆる、ハロゲン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばＳｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６゜５ｉＣｕ４．ＳｉＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体−トにハロゲン原子を含む長波長光感光
層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む長波長光感
光層を製造する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして長波長光感
光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に長波長光感光層を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

Ｈｅ文、ＨＢｒ、Ｉ（Ｉ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２
Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ文２゜５ｉＨＣＪＬ３
．Ｓ　１Ｈ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水
素化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＨＣｌ３　、ＧｅＨ３
Ｆ、ＧｅＨＣｌ３　。

ＧｅＨＣｌ３　、ＱｅＨ３ＣＭ　、ＧｅＨＢ　ｒ　３　
。

Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｂ　ｒ　２　、　Ｇ　ｅ、”：、’、Ｈ３
Ｂ　ｒ　、　Ｇ　ｅ　ＨＩ　２　、　　　“゛　７ ＧｅＨＣｌ３．ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマ
ニウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４．ＧｅＣ見４゜ＧｅＢｒ４．Ｇｅ■４．
ＧｅＦ２．ＧｅＣ１２゜ＧｅＢｒ２．ＧｅＩ２等のハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な長波長光感光層形成用の出発物質とし
て挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、長
波長光感光層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明に於いては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を長波長光感光層中に構造的に導入するには、
Ｌ記の他にＩ２．或いはＳ　ｒ　Ｈ４＋５ｉ２Ｈｓ、５
ｉ３Ｈｅ、５ｉ４Ｈｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
ＧｅＨ４゜Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ、Ｇｅ４Ｈ１ｏ、Ｇ
ｅ５Ｈ１２，Ｇｅ４Ｈ１ｏ、Ｇｅ７Ｈｔ６．ＧｅｅＨｔ
ｅ。

Ｇｅ９Ｈ２（１等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給す
る為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例に於いて、形成される光受容部材の
長波長光感光層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０原子％、
より好ましくは０．０５〜３０原子％、最適には０．１
〜２５原子％とされるのが望ましい。

長波長光感光層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、長波長光感光層に窒素原子を含有させ
るには、長波長光感光層の形成の際に窒素原子導入用の
出発物質を前記した長波長光感光層形成用の出発物質と
共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやれば良い。

グロー放電法によって長波長光感光層を形成するには窒
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、窒素原子（
Ｎ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする或い
はＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アン
モニア（ＮＨ３）。

ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の又はガ
ス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を
挙げることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入
に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点
から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）
等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いては、長波長光感光層中には窒素原子及び
／又は酸素原子を含有することが出来る。酸素原子を長
波長光感光層に導入する為の酸素原子導入用の原料ガス
としては、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸
化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素
（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）。

三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｔ）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ３）、）ジシロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２ＯＳｉＨ３）等の低級シロキサン
等を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって長波長光感光層を形成するに
は、長波長光感光層形成の際、単結晶ヌは多結晶のＳｉ
ウェーハー又はＳｉ３Ｎ４ウェーハー、又はＳｉとＳｉ
３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをターゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーをス
パッタリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳ　ｉ　３　Ｎ４の混合した一枚のタ
ーゲットを使用することによって、スパッタ用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。

本発明に於いて、長波長光感光層の形成の際に、該層に
含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向に変
化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　　
ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層を形成するには、グロー放
電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させるべき窒素
原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望の
変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入
することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操作を
行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、窒素原子の層
厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向で変化させて、窒
素原子の層厚方向の所ψの分布状態（ｄｅｐｔｈ　　ｐ
ｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には、グロー放電
法による場合と同様に、窒素原子導入用の出発物質をガ
ス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス
流量を所望に従って適宜変化させることによって成され
る。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｉとＳｉ３Ｎ４との混合されたターゲットを使用するの
であれば、ＳｔとＳｉ３Ｎ４との混合比を、ターゲット
の層厚方向に於いて、予め変化させておくことによって
成される。

長波長光感光層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、又
は酸素原子（０）の量又は窒素原子と酸素原子の量の和
（Ｎ＋Ｏ）は、好ましくは０．０１〜４０原子％、より
好ましくは０．０５〜３０原子％、最適には０．１〜２
５原子％とされるのが望ましい。

長波長光感光層中に、伝導特性を制御する物質、例えば
、第ｍ族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ
族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、長波
長光感光層を形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発物質
として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６゜
Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６）１１０゜Ｂ
６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３　。

ＢＣｌ２．ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる
。この他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣＪ１３゜Ｇａ　（ＣＨ３
）３　、ＩｎｃＪＬ３．ＴｉＣｌ２等も挙げることが出
来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦｓ
　、ＰＣＪ１３　。

ＰＣＪ１５．ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ３等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３゜ＡｓＦ３．Ａｓ
ＣＪ１３．ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５゜ＳｂＨ３、ＳｂＦ３
．５ｂＦｓ、５ｂＣＪ１３　。

５ｂＣＪ１ｓ、ＢｉＩ３．ＢｉＣＪ１３．Ｂ１Ｂｒ３等
も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることが出来る。

長波長光感光層の形成に当って本発明に於ける目的が効
果的に達成される為の支持体温度は、適宜最適範囲を選
枳するが、好ましくは２００℃〜７００℃、より好適に
は２５０°Ｃ〜６００℃とするのが望ましい。

本発明における長波長光感光層の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に
比較して容易であることから、グロー放電法やスパッタ
リング法の採用が望ましいが、これ等の層形成法で長波
長光感光層を形成する場合には、前記の支持体温度と同
様に、層の形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される
長波長光感光層の特性を左右する重要な要因である。

本発明の目的を達成しうる特性を有する長波長光感光層
を生産性良く且つ効率的に作成するに当っては、放電パ
ワー条件については、好ましくは、１００〜５０００Ｗ
、より好適には２００〜２０００Ｗとするのが望ましく
、また、堆積室内のガス圧については、好ましくは１０
−３〜０．８Ｔｏ　ｒ　ｒ、より好適には１０−２〜０
．５Ｔｏｒｒ程度とするのがψましい。

本発明に於いては、長波長光感光層を作成する為の支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは、通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特
性を有する長波長光感光層を形成すべく、相互的且つ有
機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値を
決めるのが望ましい。

本発明において長波長光感光層の層厚は、好ましくは、
３０人〜５０１Ｌｍ、より好ましくは４０人〜４０１Ｌ
ｍ、最適には５０人〜３０ｇｍとされるのが９ましい。

１１１λ■上１ 本発明における電荷注入阻止層層は、Ａ−５ｆ（Ｈ，Ｘ
）で構成され、該層の全層領域に伝導性を制御する物質
を均一に又は好ましくは支持体側に多く分布するように
不均一状態で含有する。さらに必要に応じて電荷注入阻
止層の全層領域又は一部の層領域に酸素原子又は／及び
窒素原子を均一に、又は好ましくは支持体側に多く分布
するように不均一状態で含有させることで、電荷注入阻
止層と支持体との間の密着性の改善や、バンドギャップ
の調整を計ることが出来る。

電荷注入阻止層に含有される前記の伝導性を制御する物
質としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙
げることができ、本発明においては、ｐ型伝導特性を与
える周期律表第■族に属する原子（以下「第■族原子」
という。）、またはＮ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ
族に属する原子（以下「第Ｖ族原子」という。）を用い
る。第ｍ族原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａ
Ｍ（アルミニウム）、Ｇ　ａ（ガリウム）、Ｉ　ｎ　（
インジウム）、ＴＩＣタリウム）等があり、特にＢ、Ｇ
ａが好適である。第Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ
（燐）、Ａ　ｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（
ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。

第８図乃至第１２図には電荷注入阻止層に含有される第
■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の典型的
例が示される。

第２図乃至第６図の例において横軸は第■族原子又は第
Ｖ族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は電荷注入用１１一層の
層厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支
持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入
阻止層はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成がなされる。

第８図には電荷注入阻１１一層中に含有される第ｍ族原
子又は第Ｖ族原子の層厚方向に分布状態の第一の典型例
が示される。

第８図に示される例では界面位置を日よりもｔ４の位置
までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の含有濃度ＣがＣ１
２なる一定の値を取り乍ら含有され、位置ｔ４より分布
濃度Ｃは界面位置ｔＴに至るまで０１３より徐々に連続
的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては分布濃度
ＣはＣ１４とされる。

第９図に示される例においては、含有される第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまでＣ１５から徐々に連統帥に減少して位置ｔＴに
おいてＣ１６となる様な分布状態を形成している。

第１Ｏ図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置を日と位置ｔ５間においては、
Ｃ１７と一定値であり、位置ｔＴにおいてはＣ１Ｂとさ
れる。位置ｔ５と位置ｔＴとの間では、分布Ｓ度Ｃは一
次関数的に位置ｔ５より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１１図に示される例に於いては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ｓより位置ｔ６まではＣ１９の一定値を取り、位置ｔ６
より位置ｔＴまではＣ２０よりＣ２１まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。

第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴまでＣ２２の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が第■族原子又は第Ｖ族
原子を支持体側において多く分布する分布状態で含有す
る場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度値の最大
値が、好ましくは５０原子ｐｐｍ以」−１より好適には
８０原子ｐｐｍ以に、最適には１００原子ｐｐｍ以上と
されるような分布状態となり得る様に層形成されるのが
望ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される第■族原
子又は第Ｖ族原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、
好ましくは３０〜５Ｘ１０４原子ｐｐｍ、より好ましく
は５０〜ｌＸ１０４原子ｐｐｍ、最適には１ｘｌＯ２〜
５Ｘ１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましいものである
。

電荷注入阻止層は前記したように酸素原子又は／及び窒
素原子の含有によって、重点的に支持体と電荷注入阻止
層との間の密着性の向り及び電荷注入阻止層と光導電層
との間の密着性の向上、又は電荷注入阻止層のバンドギ
ャップの調整が図られる。

第１３図乃至第１９図には電荷注入阻止層に含有される
酸素原子又は／及び窒素原子の層厚方向の分布状態の典
型的例が示される。

第１３図乃至第１９図の例において横軸は酸素原子又は
／及び窒素原子の分布濃度Ｃを、縦軸は電荷注入阻止層
の層厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔ４は
支持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、電荷注
入阻止層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる
。

第１３図には電荷注入阻止層層中に含有される酸素原子
又は／及び窒素原子の層厚方向の分布状態の第一の典型
例が示される。

第１３図に示される例では界面位置を日よりもｔ７の位
置までは、酸素原子又は／及び窒素原子の含有濃度Ｃが
Ｃ２３なる一定の値を取り乍ら含有され位置ｔ７より分
布濃度Ｃは界面位置ｔＴに至るまでＣ２４より徐々に連
続的に減少Ｓれている。界面位置ｔＴにおいては分布一
度ＣはＣ２５とされる。

第１４図に示される例においては、含有される酸素原子
又は／及び窒素原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ
Ｔに至るまでＣ２６から徐々に連続的に減少して位置ｔ
７においてＣ２７どなる様な分布状態を形成している。

第１５図の場合には１位置ｔａより位置ｔ８までは酸素
原子又は／及び窒素原子の分布濃度ＣはＣ２Ｂと一定値
とされ、位置ｔ８と位置ｔＴとの間において、徐々に連
続的に減少され、位置ｔＴにおいて、質的に零とされて
いる。

第１６図の場合には、酸素原子又は／及び窒素原子は位
置ｔＢより位ＮｔＴに至るまで、分布濃度ＣはＣ３０よ
り連続的に徐々に減少され、位置ｔ７において実質的に
零とされている。

第１７図に示す例においては、酸素原子又は／及び窒素
原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ９まではＣ３１
の一定値を取り、位置ｔ９より位置ｔＴまではＣ３１よ
りＣ３２まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。

第１８図に示す例においては、酸素原子又は／及び窒素
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢと位Ｗ　ｔ　ｔｏ間にお
いては、Ｃ３３と一定値であり、位置ｔＴにおいてはＣ
３４とされる。位置ｔ　１０と位置ｔＴとの間では、分
布濃度Ｃは一次関数的に位置１１０より位置ｔＴに至る
まで減少されている。

第１９図に示される例に於いては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｓより位置ｔＴまではＣ３６の一定値を取る。

本発明に於いて電荷注入阻止層が酸素原子又は／及び窒
素原子を支持体側において多く分布する分布状態で含有
する場合、酸素原子又は／及び窒素原子の分布濃度値又
は両原子の和の最大値が、好ましくは５００原子ｐｐｍ
以上、より好適には８００原子ｐｐｍ以上、最適には１
０００原子ｐｐｍ以りとされる様な分布状態となり得る
様に層形成されるのが望ましい。

本発明において電荷注入阻止層層中に含有される酸素原
子又は／及び窒素原子の含有量又は両者の和としては、
本発明の目的が効果的に達成される様に所望に従って適
宜法められるが、好ましくはｏ、ｏｏｔ〜５０原子％、
よ原子型しくはＯ，ＯＯ２〜４０原子％、最適には０．
　ＯＯ３〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明において電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真
特性が得られること及び経済的効果等の点から、好まし
く０．０１−１０．、より好ましくは０．０５〜８１Ｌ
、最適には０．１〜５＃Ｌとされるのが望ましい。

本発明における光導電層は、Ａ−Ｓｉ（、Ｈ。

Ｘ）で構成され所望の電子写真特性を満足する光導電特
性を有する。

尚、光導電層の全層領域に伝導性を制御する物質を光導
電層に要求される特性を損なわない範囲に於いて含有し
てもよい。

また、光導電層の全層領域に光導電層に要求される特性
を損なわない範囲に於いて炭素原子、酸素原子及び窒素
原子の少なくとも一方を含有してもよい。

前記の伝導性を制御する物質としては前述の電荷注入阻
止層と同様に、第■族原子や第Ｖ族原子を用いることが
出来る。

本発明における光導電層の全層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を含有する場合は主として伝導型及び／又は伝
導率を制御する効果を奏し、前記第■族原子又は第Ｖ族
原子の含有量は比較的少量であり、好適にはＩ　Ｘ　１
０−３〜３Ｘ１０２原子ｐｐｍ、より好適には５Ｘ１０
−３〜１０２原子ｐｐｍ、最適にはｌＸｌ０−２〜５０
５０原子ｐｐされるのが望ましい。

又、本発明における光導電層の全層領域に酸素原子又は
炭素原子を含有する場合は、主として高暗抵抗化と、電
荷注入阻止層層と光導電層との間の密着性の向上等の効
果を奏するが、殊に該層１０３の光導電特性を劣化させ
ないために酸素原子の含有量は比較的少量とされるのが
望ましい。

窒素原子の場合は、上記の点に加えて、例えば第■族原
子、殊にＢとの共存に於いて光感度の向−トを計ること
が出来る。光導電層中に含有される酸素原子又は窒素原
子の含有量、又は、両者の和は、好適にはｌＸｌ０−３
〜１０３原子ｐｐｍ、より好適には５Ｘ１０−２〜５Ｘ
１０２原子ｐｐｍ、最適にはｌＸｌ０−１〜２Ｘ１０２
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に、支
持体上に形成され、光受容層の一部を構成する光導電層
は下記に示す半導体特性を有し、照射される光に対して
光導電性を示すＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される。

■　ｐ型Ａ−３ｉ　（Ｊ（、Ｘ）　−−−アクセプター
のみを含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの相対的濃度が高いもの。

ｆ’ｇｌ　　ｐ−型Ａ−３ｉ（Ｈ、Ｘ）　−−−■ツタ
イブに於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が低いか、又
はアクセプターの相対的濃度が低いもの。

■　ｎ型Ａ−３ｔ　（）（、Ｘ）　−−−ドナーのみを
含むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を含み、
ドナーの相対的濃度が高いもの。

１４）ｎ−型Ａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　−−−■のタイプ
に於いてドナーの濃度（Ｎ　ｄ）が低いか、又はアクセ
プターの相対的濃度が低いもの。

■　ｉ型Ａ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）−−−ＮａｚＮｂごＯの
もの又は、ＮａｚＮｄのもの。

本発明に於いて、電荷注入阻止層又は／及び光導電層中
に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、
Ｃ１，Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｃｕが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される電荷
注入阻止層又は／及び光導電層を形成するには、例えば
グロー放電法、マイクロ波放電法、スパッタリング法、
或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する
真、空地積法によって成される。例えば、グロー放電法
によってＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、Ａ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｉで構成ｙれたターゲットをスパッタリングする
際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば
良い。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、５ｉＨａ、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
４，５ｉ２Ｔ（６が好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む硅素化合物も有効なものとして本発明に於いては挙げ
ることが出来る。

本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
ガス、ｆ３ｒＦ、ＣＩＦ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７．ＩＣＪｌ、ＩＢｒ等ノハロゲン間化合物を挙げ
る事が出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６，５ｉＣＱ４．ＳｉＢｒ４等のハロ
ゲン化硅素を好ましいものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を構成要素として含むＡ−３ｉ：Ｈから成る層を形
成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む層を製造す
る場合、基本的にはＳｉ供給用の原ネ４ガスであるハロ
ゲン化硅素ガスとＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流部になる
様にして所望の層を形成する堆積室内に導入し、グロー
放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す
る事によって、所定の支持体上に所望の層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガス
に更に水素原子を含む硅素化合物のガスを所定量混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
に依ってＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには
、例えばスパッタリング法の場合にはＳｉから成るター
ゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中
でスパッタリングし、イオンブレーティング法の場合に
は、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ポートに収容し、このシリコン茄発源を抵抗加熱法
、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加
熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲気中を
通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中に／＼ロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

Ｈｅ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ　１Ｈ２
Ｆ２．Ｓ　１Ｈ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ！；Ｌ２゜５ｉＨＣ
ｉ３，５ｉＨ２Ｂｒ２．Ｓ＋ＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水
素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な電
荷注入阻止層及び光導電層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
形成される層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或
いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入さ
れるので、本発明に於いては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。

水素原子を、形成される層中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素のガスをＳｉを供給
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングする事によって、基板上にＡ−
Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ２Ｈ２等のガス
を導入してやることも出来る。

本発明に於いて、形成される電子写真用光受容部材の電
荷注入阻止層層及び光導電層中に含有される水素原子（
Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和は、好ましくは１〜４０原子％、
より好適には５〜３０原子％とされるのが望ましい。

形成ぎれる層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させるために使用される出発物質の体積装
置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

電荷注入阻１ト層や光導電層に、第■族原子又は第Ｖ族
原子、及び炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有させ
るには、グロー放電法や反応スパッタリング法等による
電荷注入阻１ト層や光導電層の形成の際に、第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、及び酸素原子導入用
、窒素導入用、炭素導入用の出発物質をそれぞれ前記し
た電荷注入阻１１層や光導電層形成用の出発物質と共に
使用して、形成される層中にその量を制御しながら含有
してやることによって成される。

その様な炭素原子導入用の、酸素原子導入用の又は／及
び窒素原子導入用の出発物質、又は第ｍ族原子又は第Ｖ
族原子導入用の出発物質としては、少なくとも炭素原子
、酸素原子及び窒素原子のいずれか、或いは第■族原子
又は第Ｖ族原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

例えば酸素原子を含有させるものであればシリコン原子
（Ｓｆ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）
を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（
Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料
ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又は、シ
リコン原子（Ｓｊ）を構成原子とする原料ガスと、酸素
原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するか、或いは、
シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シ
リコン原子（Ｓ　ｉ）　、酸素原子（０）及び水素原子
（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（）（）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子導入用のおよび窒素原子導入用の出発物質とな
るものとして具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン
（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）
、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ　２０３
）　。

四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）
、三酸化窒素（ＮＯ３）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、アジ化水素（ＨＮ３）。

ヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２）、シリコン原子（Ｓｔ）と
酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、
例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯＳｉ）１３）、）リシ
ｏ＄＋ｌ−ン（）Ｉ　３　Ｓ　ｉ　ＯＳ！Ｈ２Ｏ５ｉＨ
３）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

炭素原子導入用の原料となる炭素原子含有化合物として
は、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈｅ　）　＊　
ｎ−ブタ７（ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）。

ブテン−１（Ｃ４Ｈｅ）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチＬ／７（Ｃ４Ｈ８）、ペンテ７（ＣｓＨｔｏ）
。

アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）。

ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈ４）４等のケイ化アルキ
ルを挙げる事が出来る。

第■族原子又は第Ｖ族原子の含有される電荷注入ｍ＋）
層及び光導電層を形成するのにグロー放電法を用いる場
合、該層形成用の原料ガスとなる出発物質は、前記した
Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入用１（一層及
び光導電層形成用の出発物質の中から適宜遭択したもの
に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質が加え
られたものである。そのような第■族原子又は第Ｖ族原
子導入用の出発物質としては第■族原子又は第Ｖ族原子
を構成原子とするガス状態の物質又はガス化しうる物質
をガス化したものであれば、いずれのものであってもよ
い。

本発明において第■族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるものとしては、具体的には硼素原子導入用
として、Ｂ２Ｈ２゜Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１
，Ｂ６Ｈ１０゜Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素
、ＢＦ３　。

ＢＣｌ３．ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等を挙げること
ができるが、この他、ＡｌＣｌ３゜ＧａＣｕ３．Ｔ　ｎ
ｃ１３．ＴＩＣＩＬ３等も挙げる事ができる。

本発明において第Ｖ族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原化燐、ＰＨ４Ｉ　、
ＰＦ３　、ＰＦｓ　、ＰＣＣ２０ＰＣｌ３．ＰＢｒ３　
、ＰＢｒ３．ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。こ
の他、ＡｓＨ３゜ＡｓＦ３　、ＡｓＣＪ１３　、ＡｓＢ
ｒ３　、ＡｓＦ５゜ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５，５
ｂＣｕ３゜５ｂＣｕ５．ＢｉＨ３，ＢｉＣＪＪ３．Ｂ１
Ｂｒ３等も挙げることができる。

第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する電荷注入用１に層
及び光導電層中に導入される第■族原子又は第Ｖ族原子
の含有量は、堆積室中に導入される第■族原子又は第Ｖ
族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電
パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等を制御すること
によって任意に制御されうる。

本発明における目的が効果的に達成される為の支持体温
度は、適宜最適範囲を選釈するが、好ましくは５０℃〜
３５０℃、より好適には１００°Ｃ〜３００℃とするの
が望ましい。

本発明における電荷注入阻ＩＦ層及び光導電層の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制
御が他の方法に比較して容易であることから、グロー放
電法やスパッタリング法の採用が望ましいが、これ等の
層形成法で電荷注入用１］一層及び光導電層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に、層の形成の際の
放電パワー、ガス圧が作成される電荷注入阻１Ｆ層や光
導電層の特性を左右する重要な要因である。

本発明の目的を達成しうる特性を有する電荷注入用Ｉ（
一層及び光導電層を生産性良く且つ効率的に作成するに
当っては、放電パワー条件については、好ましくはｌＯ
〜１００ＯＷ、より好適には２０〜５００Ｗとするのが
望ましく、また、堆積室内のガス圧については、好まし
くは０．０１〜ＩＴｏｒｒ、より好適には０．１〜０．
５Ｔｏｒｒ程度とするのが望ましい。

本発明においては、電荷注入用１１一層及び光導電層を
作成するための支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作
成ファクターは、通常は独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望の特性を有する電荷注入阻１Ｌ層及び光
導電層を形成すべく、相写的且つ有機的Ｍ速性に基づい
て、各層作成ファクターの最適値を決めるのがψましい
。

本発明に於いて、形成される光導電層中に含有される炭
素原子、酸素原子または窒素原子の量及び、これ等の中
の少なくとも２種の量の和は、形成される電子写真用光
受容部材の特性を大きく左右するものであって、所望に
応じて適宜決定されねばならないが、好ましくは０゜０
００５〜３０原子％、より好適にはｏ、ｏｏｔ〜２０原
子％、最適には０．００２〜１５原子％とさるのが望ま
しい。

光導電層の層厚は、所望のスペクトル特性を有する光の
照射によって発生されるフォトキャリアが効率良く輸送
される様に所望に従って適宜法められ、好ましくはｌ−
１００＃１．、より好適には２〜５０ルとされるのが望
ましい。

表ｊＥ層 光導電層上に形成される表面層は、自由表面を有し、主
に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性使用環境
特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に設け
られる。

又、本発明に於いては、光受容層を構成する光導電層と
表面層とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子と
いう共通の構成要素を有しているので、積層界面に於い
て化学的な安定性の確保が充分酸されている。

表面層は、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成
される非結晶材料（Ａ−（ＳｉＸＣ１−ｘ）ｙｌ（ｔ−
ｙ、但しＯ＜ｘ、ｙ＜１）で形成される。

Ａ−（Ｓ　１ｘｃｚ−ｘ）Ｙ）（ｔ−Ｙで構成される表
面層の形成はグロー放電法、スパッタリング法、イオン
インプランテーション法、イオンブレーティング法、エ
レクトロンビーム法等によって成される。これ等の製造
法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、
作製される電子写真用光受容部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する電子写真用光受容部材を製造する為の作成条
件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子を作製する表面層中に導入するのが容
易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッタリ
ング法が好適に採用される。

更に本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリング
法とを同一装置系内で併用して表面層を形成しても良い
。

グロー放電法によって表面層を形成するには、Ａ−（Ｓ
ｉｘＣ１−ｘ）ｙＨｔ−ｙ形成用の原料ガスを、必要に
応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支持体の
設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入された
ガスをグロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て前記支持体１０１上に既に形成されである光導電層上
にＡ　−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙＨｔ−ｙを堆積させれば
良い。

本発明に於いてＡ　−（Ｓ　＋＞（ｃ　ｔ　−ｘ）　ｙ
Ｈｌ−Ｙ形成用の原料ガスとしては、Ｓｉ。

Ｃ，Ｈの中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈの中の１つとしてＳｔを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、Ｓｔを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ　、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、ＳｆとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、表面層形成用の原料ガスとして有効に
使用されるのは、ＳｔとＨとを構成原子とする５ｆＨ４
，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ３゜Ｓｉ４Ｈ１０等のシラン（
Ｓｆｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成
原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素
数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチ
レン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈｓ）、プロパン（Ｃ３Ｈ９，ｎ−ブタ
ン（ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プ
ロピレン（Ｃ３Ｈ６）。

ブテン−１（Ｃ４）１ｓ）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ）、
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６
）等が挙げられる。

ＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２１（５）　４等のケイ化ア
ルキルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有効なものとし
て使用される。

スパッタリング法によって表面層を形成するには、単結
晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハー又はＳ
ｔとＣが混合されて含有されているウェーハーをターゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハー
をスパッタリングすれば良い。

又、別にはＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又は
ＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用することに
よって、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって成される。

Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスが、スパッタリングの場合にも
有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、表面層をグロー放電法又はスパッタリ
ング法で形成する際に使用ξれる稀釈ガスとしては、所
謂・希ガス、例えばＨｅ。

Ｎｅ、Ａｒ等を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける表面層は、その要求される特性が所望通
りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ，及びＨを構成原子とする物質はその作
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を各々示すので、本発明に於いては、
目的に応じた所ψの特性を有するＡ−（ＳｉＸＣ１−Ｘ
）ＹＨＩ−Ｙが形成される様に、所望に従ってその作成
条件の選択が厳密に成される。

例えば、表面層を耐圧性の向上を主な目的として設ける
には、Ａ　−（Ｓ　ｉｘｃ　１−ｘ）　ｙＨｌ−Ｙは使
用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料と
して作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層が設けられる場合には、上記の電気絶
縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対しで
ある程度の感度を有する非晶質材料としてＡ　−（Ｓ　
ｉＸｃ　１−ｘ）ｙ）（ｔ−ｙが作成される。

光導電層の表面にＡ　　（ＳｉｘＣｔ−ｘ）ｙＨｌ−’
／から成る表面層を形成する際、層形成中の支持体温度
は、形成される層の構造及び特性を左右する重要な因子
であって、本発明に於いては、目的とする特性を有する
Ａ−（ＳｉＸＣ１−ｘ）ｙＨｔ−ｙが所ψ通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の表面層を
形成する際の支持体温度としては表面層の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、表面層の形成が実行され
るが、好ましくは、５０℃〜３５０℃、より好適には１
００℃〜３００℃とされるのが望ましいものである。

表面層の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な
制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事などの為に、グロー放電法やスパッタリング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成法で表面層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワー、ガス圧が作成されるＡ−（Ｓｉ）（Ｃ１−Ｘ）
ＹＨＩ−Ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するＡ−
（Ｓ　１ｘｃｘ−ｘ）ｙＨｔ−ｙが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、好ましくは、
ｌＯ〜ｔ　ｏ　ｏ　ｏｗ、より好適には２０〜５００Ｗ
とされるのが望ましい。堆積室内のガス圧は、好ましく
は０．Ｏ１〜１Ｔｏｒｒ、好適には０．１〜０．５Ｔｏ
ｒｒ程度とされるのが望ましい。

本発明に於いては、表面層を作成する為の支持体温度、
放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲の値
が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは、独立的
に別々に決められるものではなく、所望特性のＡ−（Ｓ
ｉＸＣ１−ｘ）ｙ）Ｉｔ　−ｙから成る表面層が形成さ
れる様に相互的有機的関連性に基づいて、各層形成ファ
クターの最適値が決められるのがψましい。

本発明の電子写真用光受容部材に於ける表面層に含有さ
れる炭素原子及び水素原子の量は、表面層の作成条件と
同様１本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表
面層が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層に含有される炭素原子の量はシリ
コン原子と炭素原子の総量に対して好ましくは、ｌＸｌ
０−３〜９０原子％、より好ましくは１〜９０原子％、
最適にはｌＯ〜８５原子％とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、構成原子の総量に対
して通常の場合４１〜７０原子％、好適には４１〜６５
原子％、最適には４５〜６０原子％とされるのが望まし
く、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される
光受容部材は、実際面に於いて従来にない格段に優れた
ものとして充分適用させ得るものである。

すなわち、Ａ−（ＳｉｘＣｘ−ｘ）ｙＨｉ　−ｙで構成
される表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭
素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部材
としての特性に悪影響を及ぼすことが知られ、例えば自
由表面からの電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環
境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することに
よる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に
光導電層により表面層に電荷が注入し、前記表面層内の
欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使用時
の残像現象等があげられる。

しかしながら表面層中の水素含有量を４１原子％以上に
制御することで表面層中の欠陥が大巾に減少し、その結
果、前記の問題点は全て解消し、殊に従来のに較べて電
気的特性面及び高速連続使用性に於いて飛躍的な向上を
計ることが出来る。

一方、前記表面層中の水素含有量が７１原子％以上にな
ると表面層の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐
えられない。従って、表面層中の水素含有量を前記の範
囲内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性
を得る」二で非常に重要な因子の１つである。表面層中
の水素含有量は、Ｈ２ガスの流量、支持体温度、放電パ
ワー、ガス圧等によって制御し得る。

即ち、先のＡ−（ＳｉｘＣｔ−ｘ）ｙＨｔ−ｙの表示で
行えばＸが、好ましくは０．１〜０．９９９９９、より
好適には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９
、ｙが通常０．３〜０．５９、好適には０．３５〜０．
５９、最適には０．４〜０．５５であるのが望ましい。

又、更に表面層中にはハロゲン原子を含有させてもよい
。表面層中にハロゲン原子を含有させる方法として、例
えば原料ガスにＳｉＦ４゜５ｉＦＨ３，Ｓｉ２Ｆ６，５
ｉＦ３ＳｉＨ３゜５ｉＣｕ４等のハロゲン化シリコンガ
スヲ混合させるか、又は／及びＣＦ４　、ＣＣ文４゜Ｃ
Ｈ３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを混合させてグロー
放電分解法またはスパッタリング法で形成すればよい。

本発明に於ける層厚の数値範囲は、本発明の目的を効果
的に達成する為の重要な因子の１つである。

本発明に於ける表面層の層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する様に所期の目的に応じて適宜所望
に従って決められる。

又、表面層の層厚は、光導電層の層厚との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。更
に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点に
於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層の層厚としては、好ましくは０．
００３〜３０１Ｌ、より好適には０、００４〜２０＃Ｌ
、最適には０．００５〜ｌ０ＪＬとされるのが望ましい
ものである。

本発明に於ける電子写真用光受容部材の光受容層の層厚
としては、目的に適合させて所望に従って適宜決定され
る。

本発明に於いては、光受容層の層厚としては、光受容層
を構成する光導電層と表面層に付与される特性が各々有
効に活されて本発明の目的が効果的に達成される様に光
導電層と表面層との層厚関係に於いて適宜所望に従って
決められるものであり、好ましくは、表面層の層厚に対
して光導電層の層厚が数百〜数千倍以上となる様にされ
るのが好ましいものである。

具体的な値としては、好ましくは３〜１００Ｗ、より好
適には５〜７０ＩＬ、最適には５〜５０ＩＬの範囲とさ
れるのがψましい。

本発明の電子写真用光受容部材に於いては、支持体と光
導電層との間に密着性の一層の向」−を計る目的で、例
えば、Ｓｉ３Ｎ４，５ｉ０２、Ｓｉｎ、水素原子及びハ
ロゲン原子の少なくとも一方と、窒素原子、酸素原子の
少なくとも一方と、シリコン原子とを含む非晶質材料等
で構成される密着層を設けても良い。

次に本発明の光受容部材の製造方法の概略について説明
する。

第１５図に電子写真用光受容部材の製造装置の一例を示
す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
夫々の層を形成するための原料ガスが密封されており、
その−例として例えば１１０２は、５ｉＨ４（純度９９
．９９９％）ボンベ、１１０３はＨ２で稀釈されたＢ２
Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以下８２　Ｈ６／　Ｈ
ｅと略す。）、１１０４はＧｅＨ４ガス（純度９９、９
９９９９％）ボンベ、１１０５はＮｏガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、１１０６はＣＨ４ガス（純度９９．
９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６．
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６．流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して先づメインバルブ１１３４を開い
て反応室ｔｔｏｉ、ガス配管内を排気する０次に真空計
１１３６の読みが約５Ｘ１０−Ｇｔｏｒｒになった時点
で補助バルブ１１３２．１１３３．流出バルブ１１１７
〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第１図に示す層構成
の電子写真用光受容部材を形成する場合の一例をあげる
と、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ４ガス、ガスポンベ
１１０４よりＧｅＨ４ガスを、ガスボンベ１１０３より
Ｂ２Ｈ６ガス（２ガスを、ガスポンベ１１０５よりＮｏ
ガスを夫々バルブ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ゲ
ージ１１２７〜１１３０の圧を夫々１Ｋｇ／ＣｒｒＩ″
に調整し、流入バルブ１１１２〜１１１５を夫々徐々に
開けて、マスフロコントローラ１１０７〜１１１０内に
夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７〜１１
２０補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反
応室１　ｌｏｔに流入させる。このときのＳｉＨ４ガス
流量とＧｅＨ４ガス流量、Ｂ２Ｈｅ／Ｈ２ガス流量、Ｎ
ｏガス流量との比が所望の値になるように流出バルブ１
１１７〜１１２０を調整し、又、反応室内の圧力が所望
の値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ１１３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター１
１３８により所望の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室ｔ
ｔｏｔ内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設
計された変化率曲線に従ってＧｅＨ４ガス又は／及びＢ
２Ｈ６／Ｈ２ガス又は／及びＮｏガスの流量を手動ある
いは外部駆動モータ等の方法によってバルブ１１１８又
は／及び１１１９又は／及び１１２０を漸次変化させる
操作を行なって形成される層中に含有されるゲルマニウ
ム原子又は／及び硼素原子又は／及び酸素原子の層厚方
向の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望層厚にゲルマニウム原子と硼素原
子と酸素原子の含有された長波長光感光層が形成された
時点で、流出バルブ１１１９を閉じ、反応室１１０１内
へのＧｅＨ４ガスの流入を遮断し同時に流出バルブ１１
１７゜１１１８及び１１２０を調整してＳｉＨ４ガス及
びＢ２Ｈ６／）（２ガフ又は／及びＮＯガスの流量を制
御し、引き続き層形成を行うことによって、ゲルマニウ
ム原子を含有しない電荷注入用１！二層を長波長光感光
層上に所望の層厚に形成する。

電荷注入阻止層及び長波長光感光層中にハロゲン原子を
含有させる場合には上記のガスにたとえばＳｉＦ４ガス
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。

上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原子の含有
された電荷注入阻止層が形成された時点で、流出バルブ
１１２０及び１１１８を閉じ、反応室１１０１内へｃ７
）　Ｂ　２　Ｈ６／　Ｈｅガス及びＮＯガスの流入を遮
断し同時に流出バルブ１１１７を調整してＳｉＨ４ガス
の流量を制御し、引続き層形成を行なうことによって、
酸素原子及び硼素原子を含有しない光導電層を電荷注入
阻止層層上に所望の層厚に形成する。

又、酸素原子又は／及び硼素原子を含有する光導電層を
形成する場合には流出バルブ１１１８又は／及び１１２
０を閉じるかわりに所望の流量に調整すればよい。

光導電層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記の
ガスに例えばＳｉＦ４ガスを、更に付加して反応室ｔ　
ｔｏｉ内に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えばＳｉＨ４ガスのかわ
りにＳｉ２Ｈ６ガスを用いて層形成を行なえば、数倍高
めることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された光導電層上に表面層を形成す
るには、光導電層の形成の際と同様なバルブ操作によっ
て例えば、ＳｉＨ４ガス。

ＣＨ４ガス及び、必要に応じてＨ２等の稀釈ガスを、所
望の流量比で反応室１１０１中に流し、所望の条件に従
って、グロー放電を生起させることによって成される。

表面層中に含有される炭素原子の量は例えば、ＳｉＨ４
ガスと、ＣＨ４ガスの反応室１１０１内に導入される流
量比を所望に従って任意に変えることによって、所望に
応じて制御することが出来る。

又、表面層中に含有される水素原子の量は例えば、Ｈ２
ガスの反応室ｔｔｏｔ内に導入される流量を所望に従っ
て任意に変えることによって、所望に応じて制御するこ
とが出来る。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室１ｌＯ１内
、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室１１０１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開い
てメインバルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体シリンダー１１３７は、モータ１１３９によって所
望される速度で一定に回転させる。

〈実施例１〉 第２４図の製造装置を用い、第１表の作製条件に従って
鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い、
同一仕様のシリンダー上に長波長光感光層のみを形成し
たものを分析用サンプルとして別個に用意した。光受容
部材（以後ドラムと表現）の方は、７８０ｎｍの波長を
有する半導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の
電子写真装置にセットして、種々の条件のもとに、初期
の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェ
ックし、又、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下、感度
劣化１画像欠陥の増加を調べた。更に、３５℃、８５％
の高温・高湿雰囲気中でのドラムの画像波れについても
評価した。そして、評価の終了したドラムは、画像部の
上・中・下に相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳを利用
して表面層中に含まれる水素の定量分析に供した。又、
長波長光感光層のみのサンプルの方は、サンプルの母線
方向の上・中・下に相当する部分を切り出し後、Ｘ線回
折装置にて回折角２７″付近の５ｔ（ｌｉｔ）に対応す
る回折パターンを求め、結晶性の有無を調べた。−■二
記の評価結果及び表面層中の水素含有量、さらに長波長
光感光層の結晶性の有無を総合して第２表に示す。第２
表に見られる様に、特に初期帯電能９画像流れ、残留電
位、ゴースト、画像欠陥の増加の各項目について著しい
優位性が認められた。

く比較例１〉 作製条件を第３表のように変えた以外は、実施例１と同
様の装置、方法でドラムおよびサンプルを作成し、同様
の評価・分析に供した。その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と比べて諸々の項目に
ついて劣ることが認められた。

〈実施例２〉 第２４図の製造装置を用い、第５表の作製条件に従って
鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材を形成した。又、第２４図と同型の装置を用い、
同一仕様のシリンダー上に長波長光感光層のみを形成し
たものを分析用サンプルとして別個に用意した。光受容
部材（以後ドラムと表現）の方は、７８０ｎｍの波長を
有する半導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の
電子写真装置にセットして、種々の条件のもとに、初期
の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェ
ックし、又、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下、感度
劣化１画像欠陥の増加を調べた。更に、３５℃、８５％
の高温・高湿雰囲気中でのドラムの画像流れについても
評価した。そして、評価の終了したドラムは、画像部の
上・中・下に相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳを利用
して表面層中に含まれる水素の定量分析に供し、又、電
荷注入阻＋ｌ一層に於ける層厚方向でのホウ素（Ｂ）、
酸素（０）の成分プロファイル及び長波長光感光層に於
ける層厚方向でのゲルマニウム（Ｇｅ）の成分プロファ
イルを調べた。一方、長波長光感光層のみのサンプルの
方は、サンプルの母線方向の上・中・下に相当する部分
を切り出し後、Ｘ線回折装置にて回折角２７゜付近の５
ｉ（１１１）に対応する回折パターンを求め、結晶性の
有無を調べた。上記の評価結果及び表面層中の水素含有
量、さらに長波長光感光層の結晶性の有無を総合して第
６表に示す。又、上記長波長光感光層中の当該元素の成
分プロファイル及び上記電荷注入阻Ｉヒ層中の当該元素
の成分プロファイルを第２７図に示す。

＄６表に見られる様に、特に初期帯電能、残留電位、ゴ
ースト、画像流れ９画像欠陥９画像欠陥の増加及び干渉
縞の多項目にわたって著しい優位性が認められた。

〈実施例３（比較例２）〉 表面層の作製条件を第７表に示す数種の条件に変え、そ
れ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムを用意
し、同様の評価に供した。

そして評価の終了したドラムは、画像部の上・中拳下に
相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳを利用して表面層中
に含まれる水素の定量分析に供した。上記の評価結果及
び表面層中の水素含有量を第８表に示す。

〈実施例４〉 光導電層の作製条件を第９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムを用
意した。これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけ
た結果、第１０表に示すような結果を得た。

〈実施例５〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例１と同様の評
価にかけた結果、第１２表に示すような結果を得た。

〈実施例６〉 電荷注入阻止層層の作製条件を第１３表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数の
ドラムを用意した。これらのドラムを実施例１と同様の
評価にかけた結果、第１４表に示すような結果を得た。

〈実施例７〉 長波長光感光層の作製条件を第１５表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラム及び長波長光感光層のみを形成させた分析用サンプ
ルを用意した。

ドラムの方は、実施例１と同様の評価にかけ、又、サン
プルの方は、一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角
２７°付近の５ｉ（１１１）９５　　　　　。

に対応する回折パターンを求め結晶性の有無を調べた。

以上の結果を第１６表に示す。

〈実施例８〉 長波長光感光層の作製条件を第１７表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラム及び長波長光感光層のみを形成させた分析用サンプ
ルを用意した。ドラムの方は実施例１と同様の評価にか
け、又、サンプルの方は、一部を切り出し、Ｘ線回折装
置にて回折角２７°付近の５ｉ（Ｉｌｌ）に対応する回
折パターンを求め結晶性の有無を調べた。以りの結果を
第１８表に示す。

〈実施例９〉 基体シリンダー上に第１９表に示す数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、さらにその上に実施例１と同様
の作製条件のもとで光受容部材を形成した。これと別に
密着層のみを形成させたサンプルを用意した。光受容部
材の方は、実施例１と同様の評価にかけ、又、サンプル
の方は、一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角２７
°付近の５ｉ（１１１）に対応する回折パターンを求め
結晶性の有無を調べた０以上の結果を第２０表に示す。

〈実施例１０＞ 基体シリンダー−Ｌに第２１表に示す数種の作製条件の
もとで、密着層を形成し、さらにその上に実施例１と同
様の作製条件のもとで光受容部材を形成した。これと別
に密着層のみを形成させたサンプルを用意した。光受容
部材の方は、実施例１と同様の評価にかけ、又、サンプ
ルの方は、一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角２
７°付近の５ｔ（１１１）に対応する回折パターンを求
め結晶性の有無を調べた。

以上の結果を第２２表に示す。

〈実施例１１＞ 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第２５図のような断面形
状で第２３表のような種々の断面パターンを持つシリン
ダーを複数本用意した。該シリンダーを順次第２４図の
製造装置にセットし、実施例１と同様の作製条件の基に
ドラム作製に供した０作製されたドラムは７８０　ｎｍ
の波長を有する半導体レーザーを光源としたデジタル露
光機能の電子写真装置により、種々の評価を行い、第２
４表の結果を得た。

〈実施例１２＞ 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用法の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生ぜしめる、所謂表面ディンプル化処理を施
し、第２６図のような断面形状で第２５表のような種々
の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。該
シリンダーを順次第２４図の製造装置にセットし、実施
例１と同様の作製条件の基にドラム作製に供した。作製
されたドラムは７８０ｎｍの波長を有する半導体レーザ
ーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置により
、種々の評価を行い、第２６表の結果を得た。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は、Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を有する電子写真用光受容部材の層構成を前
述のごとき特定の層構成としたことにより、Ａ−Ｓｉ（
Ｈ，Ｘ）で構成された従来の電子写真用光受容部材にお
ける諸問題を全て解決することができ、特に極めて優れ
た耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性および耐久性等を有するものである。又、残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており、
それを用いて得られる画像は、濃度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出る等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明における電子写真用光受容部材において、電
荷注入阻止層を設けたことにより、比較的広範囲の波長
の光に感度を有する、比較的低抵抗な光導電層を用いる
ことが可能になった。しかも前述のごとき特定の層構成
としたことにより光照射及び熱的に励起された多数の電
荷が光導電層だけでなく電荷注入阻止層や表面層中にお
いても充分に速く掃き出されるため、いかなる露光条件
のもとでも残留電位やゴーストが全く生じない、且つ解
像度の高い高品質な画像を安定して繰り返し得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第７図は各々、長
波長光感光層に含有されるゲルマニウム原子の分布状態
を説明する説明図、第８図乃至第１２図は、電荷注入用
１ト層を構成する第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態
を説明するための説明図、第１３図乃至第１９図は各々
電荷注入用１ト層を構成する酸素原子又は／及び窒素原
子の分布状態を説明するための説明図、第２０図乃至第
２３図は支持体表面の凹凸形状及び該凹凸形状を作製す
る方法を説明するための模式図、第２４図は本発明の電
子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置の
一例でグロー放電法による製造装置の模式的説明図であ
る。第２５図、第２６図は支持体の形状を示す模式図、
第２７図は層中に含有される各原子の分布を示す分布図
である。 第１図について １００−−−−−−−−−−一光受容層、１０１−−−
−−−−−−ｍ−支持体、１０２−−−−−−−−−−
一電荷注入阻１］一層、１０３−−−−−−−−−−一
光導電層、１０４−−−−−−−−−−一表面層、１０
５−−−−−−−−−−一自由表面、１０６−−−−−
−−−−−−長波長光感光層、第２１図について １５００−−−−−−−−一光受容層。 １５０１−−−−−−−−一支持体、 １５０２−１−−−−一電荷注入阻Ｗ層、１５０２−２
−−−−一光導電層、 １５０３−−−−−−−−一表面層、 １５０４−−−−−−−−一自由表面、１５０５−−−
−−−−−一長波長光感光層、第２２図、第２３図につ
いて １６０１　、　ｌ　７０１−−−−−一支持体。 １６０２．１７０２−−−−−一支持体表面、１６０３
．１７０３−−−−−一剛体真珠、１６０４．１７０４
−−−−−一球状痕跡窪み、第２４図について ｔ　ｔ　ｏ　ｔ−−−一−−−−−−−−−−−反応室
、１１０２〜１１０６−−−−−刀スボンベ、１１０７
〜ｌ　ｌ　１１−−−−−マスフロコントローラ １１１２〜１１１６−−−−−流入バルブ、１１１７〜
１１２１−−−−一流出バルブ、１１２２〜１１２６−
−−−−バルブ。 １１２７〜１１３１−−−−一圧力調整器、１１３２．
１１３３−−−−一補助ノ（ルブ、１１３４−−−−−
−−−−−−−−−−メインバルブ、１１３５−−−−
−−−−−−−−−−−リーク／＜ルブ、１１３６−−
−−−−−−−−−−−−−真空計、１１３７−−−−
−−−−−−−−−−−基体シリンダー１１３８−一−
−−−−−−−−−−−−加熱ヒーター、１１３９−−
−−−−−−−−−−−−−モーター、１１４０−−−
−−−一−−−−−−−−高周波電源。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と該支持体上にシリコン原子とゲルマニウ
   ム原子を含有する多結晶材料で構成され、長波長光に感
   度を有する長波長光感光層とシリコン原子を母体とし、
   伝導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層と、シ
   リコン原子を母体とし、水素原子およびハロゲン原子の
   少なくともいずれか一方を構成要素として含む非晶質材
   料で構成され、光導電性を示す光導電層と、シリコン原
   子と炭素原子と水素原子とを構成要素として含む非晶質
   材料で構成されている表面層と、を有する光受容層とを
   有し、前記表面層において水素原子が４１〜７０原子％
   含有されている事を特徴とする電子写真用光受容部材。
2. （２）前記表面層にハロゲン原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。
3. （３）前記光導電層に、炭素原子、酸素原子、窒素原子
   の中の少なくとも１種類を含有する特許請求の範囲第１
   項および第２項に記載の電子写真用光受容部材。
4. （４）電荷注入阻止層が酸素原子又は／及び窒素原子を
   含有している特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
   光受容部材。
5. （５）電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分布状
   態で伝導性を制御する物質を含有している特許請求の範
   囲第１項及び第４項に記載の電子写真用光受容部材。
6. （６）電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分布状
   態で酸素原子又は／及び窒素原子を含有している特許請
   求の範囲第４項及び第５項に記載の電子写真用光受容部
   材。
7. （７）電荷注入阻止層に含有される酸素原子又は／及び
   窒素原子が支持体側に内在している特許請求の範囲第４
   項乃至第６項に記載の電子写真用光受容部材。
8. （８）長波長光感光層が伝導性を制御する物質、酸素原
   子、窒素原子のうち少なくとも１種を含有している特許
   請求の範囲第１項乃至第３項に記載の電子写真用光受容
   部材。