JPS63201663A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線７可視
光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関
する。

〔従来技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を構成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔光電流（Ｉｐ）　／暗電流（Ｉｄ））が高（、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を
有すること、使用時において人体に対して無公害である
こと、等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフ
ィスで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真
用−光受容部材の場合には、上記の使用時における無公
害性は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ　−Ｓ　ｉと表記す）
があり、たとえば、独国公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報等には電子写真用光受容部材
としての応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−３ｉで構成された光受用層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値。

光感度、光応答性などの電気的、光学的、光導電的特性
および使用環境特性の点、更には経時的安定性および耐
久性の点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが、総合的な特性向上を計る上で更に改良される
余地が存するのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来に
おいてはその使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになる等の不都
合な点が少くなかった。

また、Ａ−３ｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素、原
子（Ｈ）あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原
子（Ｘ）、および電気的伝導型の制御のために硼素原子
や燐原子などが、あるいはその他の特性改良のために他
の原子が各々構成原子として光導電層中に含有されるが
、これらの構成原子の含有の仕方如何によっては、形成
した層の電気的あるいは光導電的特性や電気的耐圧性に
問題が生ずる場合があった。

すなわち、たとえば、形成した光導電層中に光照射によ
って発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分で
ないことや、あるいは転写紙に転写された画像に俗に「
白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思
われる画像欠陥や、クリーニング手段にブレードを用い
ると、その摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云
われている画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰
囲気中で使用したり、あるいは多湿雰囲気中に長時間放
置した直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場
合が少なくなかった。

従ってＡ−３ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したような問題の総
てが解決されるように層構成、各層の科学的組成１作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きシリコン原子を母体とする材料で
構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部
材における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することな（実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず、耐久性、耐湿性に優れ、残
留電位が全（か、または殆んど観測されないシリコン原
子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高いシリコ
ン原子を母体とする材料で構成された光受容層を有する
電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、シリコン
原子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電
子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高（、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易
にできる、シリコン原子を母体とする材料で構成された
光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供すること
にある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性お
よび高電気的耐圧性を有する、シリコン原子を母体とす
る材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容
部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
上に前記支持体側より順に電荷注入阻止層と電荷輸送層
（以後ｒＣＴＩ、」と略記する）と電荷発生層（以後ｒ
ｃＧＬＪと略記する）および表面層とが接層された層構
成を有する光受容層を有し、前記ＣＧＬと前記ＣＴＬと
がシリコン原子を母体とし、少なくとも水素原子および
ハロゲン原子のいずれか一方を含有する非単結晶材料（
以後「Ｎ０ｎ−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ　）　Ｊと略記する）
で構成され、且つ前記ＣＴＬが炭素原子、窒素原子およ
び酸素原子の中の少なくとも一種を含有すると共に、伝
導性を制御する物質として周期律表第■族原子を層厚方
向に不均一な分布状態で含有している部分を少くとも有
する事を特徴としている。

〔作　用〕

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的。

光学的、光導電的特性、耐久性および使用環境特性を示
す。

又、支持体とＣＴＬとの間に電荷注入阻止層が設けられ
である為に、帯電処理を受けた際に、前記支持体側から
ＣＴＬ中に電荷が注入されるのを効果的に阻止すること
が出来、帯電能が飛躍的に向上する。

殊に、画像形成への残留電位の影響が実用的には実質上
なく、その電気的特性が安定しており、高感度、高ＳＮ
比を有するものであって、耐光疲労。

繰返し使用特性、耐湿性、電気的耐圧性に長ける為に、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の
高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる
。

更に、本発明の電子写真用光受容部材は、全可視光域に
おいて光感度が高（、且つ光応答が速い。その為に、高
解像度で高品質の画像を安定した状態で高速で繰返し多
数枚得ることが出来るように、デジタル信号に基づ（画
像の形成に適している。加えて、光受容層としてＣＴＬ
とＣＧＬを用いた機能分離型の構成とすることにより、
フォトキャリアの発生と該発生したフォトキャリアの輸
送という電子写真用光受容部材にとっての重要な機能を
各々別々の層に持たせることによって、一つの層で両方
の機能をもたせるより層設計の自由度が大きく、特性の
優れたものが出来る。また、ＣＴＬに炭素原子、窒素原
子および酸素原子の中少な（とも一種が含有されている
ことによりＣＴＬの比誘電率を小さくすることが出来る
ために、層厚当りの容量を減少させることが出来、帯電
能や感度の向上を計ることが出来、さらに高電圧に対す
る耐圧性も向上し、耐久性も向上する。加えてＣＴＬに
は伝導性を制御する物質として周期律表第■族原子を層
厚方向に不均一な分布状態で含有させることにより、所
望に従って最適な電荷輸送能力を有するＣＴＬを設計出
来る。

更に、ＣＴＬとＣＧＬの界面における電荷の注入性も改
善されるため、帯電能、感度、残留電位。

ゴースト、感度ムラ、耐久性、解像度等を飛躍的に向上
させることが出来る。

加えて、表面に表面層が設けられているので、機械強度
や電気的強度が飛躍的に向上し、また帯電処理を受けた
際に表面より層内部に電荷が注入されるのを効果的に阻
止でき、帯電能、使用環境特性、耐久性および電気的耐
久性が飛躍的に向上する。

〔発明の詳細な説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用゛光受容部材に
就で具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した模式的構成図である
。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としての支持体ｉｏｉの上に光受容層１
０２を有し、該光受容層１０２は、伝導性を制御する物
質（ＭＯ）を全層領域に均−又は不均一に含有するＮｏ
ｎ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）（以後１’−Ｎｏｎ−３ｉＭ、）（
Ｔ（、Ｘ）Ｊと略記する）で構成される電荷注入阻止層
１０３、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されると共に
、炭素原子、窒素原子および酸素原子の中の少な（とも
一種を含有し、且つ伝導性を制御する物質として周期律
表第Ｖ族原子（Ｍ）を層厚方向に不均一な分布状態で含
有している部分を少くとも有しているＣＴＬ１０４とＮ
ｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬ１０５と表
面層１０６とから成る層構成を有する。

表面層１０６は自由表面１０７を有する。

支」１体一 本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、たとえば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

ＡＡ、　Ｃｒ、　Ｍ（１，Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｂ等の金属またはこれらの合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック、
紙等が挙げられる。これらの電気絶縁性支持体は、好適
には少なくともその一方の表面を導電処理し、該導電処
理された表面側に光受容層を設けるのが望ましい。

たとえばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ｋｌ、　Ｃｒ、　Ｍ、）、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ、　Ｐｄ、　ＩｎＯ３，ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋Ｓｎ
）等から成る薄膜を設けることによって導電性を付与し
、あるいはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であれば、ＮｉＣｒ、　Ａｆ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ
、　Ｎｉ。

Ａｕ、　　Ｃｒ、　　Ｍ　　ｏ、　　Ｉｒ、　　Ｎｂ、
　　Ｔａ、　　Ｖ、　　Ｔｌ、　　Ｐｔ等の金属の薄膜
を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、または前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の板
状無端ベルト状または円筒状等であることができ、その
厚さは所望通りの電子写真用光受容部材を形成しつるよ
うに適宜決定するが、電子写真用光受容部材としての可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内で可能な限り薄くすることができる。

しかしながら、支持体の製造上および取り扱い上、機械
的強度等の点から、通常は１０μ以上とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う
場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面に凹
凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、たとえば円筒状支持体をあらかじめ所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す逆■字形線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺線構造を有する。

逆■字形突起部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構
造、または交叉螺線構造とされても差支えない。

あるいは、螺線構造に加えて中心軸に沿った平行線構造
を導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内における層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間に良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第２図に（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）で示されるように実質的に二等辺三角形、直
角三角形あるいは不等辺三角形とされるのが望ましい。

これらの形状の中、殊に二等辺三角形、直角三角形が望
ましい。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来るように設定さ
れる。

すなわち、第１は電荷注入阻止層、電荷輸送層。

電荷発生層を構成するＮｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）層は、
層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。従って、Ｎｏｎ−３
ｉ　（Ｈ，Ｘ）層の層品質の低下を招来しないように支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニング処理においてクリーニングを完
全に行うことが出来なくなるという場合もある。

又、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのいた
みが早くなる場合もあるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点、および干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ、より好ましくは２００　μｍ−１μｍ、最
適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また四部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μ
ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．
６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（または線上突起部）の傾斜面の傾きは、
好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

また、このような支持体上に堆積される各層の層厚の不
均一に基（層厚差の最大は、同一ピッチ内で、好ましく
は０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１　μｍ−
１，５μｍ、最適には０．２　μｍ−１μｍとされるの
が望ましい。

また、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支持
体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けても
よい。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求さ
れる解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、
複数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に本発明の電子写真用光受容部材における支持体の
表面の形状およびその好適な製造例を、第３図および第
４図により説明するが、本発明の光受容部材における支
持体の形状およびその製造法は、これによって限定され
るものではない。

第３図は本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部
分的に拡大して模式的に示すものである。

第３図において３０１は支持体、３０２は支持体表面、
３０３は剛体真球、３０４は球状痕跡窪みを示している
。

さらに第３図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。すなわち、剛体真
球３０３を支持体表面３０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面３０２に衝突させることにより
、球状窪み３０４を形成しうろことを示している。そし
て、はぼ同一径Ｒ８の剛体真球３０３を複数個用い、そ
れらを略々同一の高さｈより、同時にあるいは逐時的に
落下させることにより、支持体表面３０２に、はぼ同一
曲率半径Ｒおよび同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み
３０４を形成することができる。

前述のごと（して、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第４図に示す。

第４図において、４０１は支持体、４０２は凹凸部の凸
部位置、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを表
わす。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率１享Ｒおよび幅り
は−こう（７た本発明の電子写真用光受容部材における
干渉縞の発生を防止する作用効果を効率的に達成するた
めには重要な要因である。本発明者らは、各種実験を重
ねた結果、以下のところを究明した。すなわち、曲率半
径Ｒおよび幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、電子写真用光受容部材の全体に発生
する干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、電子写
真用光受容部材における干渉縞の発生を防止するために
は、前記−を０．０３５Ｒ 以上、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい
。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下。

より好ましくは１００μｍ以下とするのが望ましい。

第４図の例においては、略々同一半径Ｒ６の剛体真球を
使用した例を示しであるが、本発明における支持体とし
ては、これに限定されることはなく、本発明の目的を達
成する範囲において個数と種類が管理された状態で、半
径Ｒ８の異なる複数種の剛体真球を使用しても良い。

第５図は、上記方法で作成した支持体５０１上に、電荷
注入阻止層５０２．　ＣＴＬ５０３．　　ＣＧＬ５０４
゜表面層５０５からなる光受容層５００を形成した例が
示される。表面層５０５は自由表面５０６を有する。

爪１０［入１０Ｌ層 電荷注入阻止層（１０３，５０２）は、前記したように
Ｎ　ｏ　ｎ　−Ｓ　ｉ　Ｍ　Ｏ（Ｈ、Ｘ　）で構成され
る。本発明における電荷注入阻止層は、ある一方極性の
帯電処理を光受容層の表面に受けた際、支持体側よりＣ
ＴＬ中に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、他
方の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発
揮されない、所謂整流性を有している。そのような機能
を付与するために、電荷注入阻止層には一方の伝導型を
与える伝導性を制御する物質（ＭＯ）を比較的子（含有
させる。

電導性を制御する物質（Ｍ　Ｏ）は、電荷注入阻止層の
層界面方向には万偏無く均一に含有されるが、層厚方向
には、その分布濃度Ｃ（ＭＯ）は均一であっても不均一
であっても良い。しかしながら、いずれにしても電荷注
入阻止層の全層領域に含有される。

分布濃度Ｃ（Ｍｏ）が不均一な場合には、支持体側に多
く分布するように含有させるのが好適である。

電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する物質（
Ｍｏ）は、後述されるＣＴＬ中に含有される伝導性を制
御する物質として周期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）と
同一極性であっても良（、また異なる極性であっても良
く、更には同一物質であっても異なる物質であっても良
い。

これらのことは、光受容層の層設計の際に目的に合せて
充分考慮されて適宜決定される。電荷注入阻止層中に含
有される伝導性を制御する物質（ＭＯ）としては、半導
体分野における、所謂不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｎ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以下「第■族原子」という。）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以下「
第Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族原子としては
、具体的には、Ｂ（硼素）、ＡＩ’Ｃアルミニウム）、
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）。

Ｔｆ　（タリウム）等があり、特にＢ、Ｇａが好適であ
る。第Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）。

Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）
等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。

第６図乃至第１θ図には電荷注入阻止層に層厚方向には
不均一な分布濃度で含有される場合の伝導性を制御する
物質（ＭＯ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示され
る。

第６図乃至第１Ｏ図の例において、横軸は物質（Ｍ　ｏ
　）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）を、縦軸は電荷注入阻止層の
層厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支
持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入
阻止層はｔＢ側よりｔｒ側に向って層形成がなされる。

第６図には電荷注入阻止層中に含有される物質（ＭＯ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第６図に示される例では界面位置ｔＢ側よりＩ４の位置
までは、物質（Ｍ　ｏ　）の含有濃度Ｃ（Ｍｏ）がＣＩ
２なる一定の値を取りながら含有され位置ｔ４より分布
濃度Ｃ（ＭＯ）は界面位置ｔ−ｒに至るまでＣＩ３より
徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ−ｒにおい
ては分布濃度ＣはＣＩ４とされる。

第７図に示される例においては、含有される物質（Ｍ　
Ｏ）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）は位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまでＣＩ５から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いてＣＩ６となるような分布状態を形成している。

第８図に示す例においては、物質（ＭＯ）の分布濃度Ｃ
（ＭＯ）は、位置ｔＢと位置ｔ５間においてはＣＩ７と
一定値であり、位１ｉｌＴにおいてはＣＩｌ＋とされる
。位置ｔ５と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃ（ＭＯ）
は−次間数的に位置ｔ５より位置ｔＴに至るまで減少さ
れている。

第９図に示される例においては、分布濃度Ｃ（ＭＯ）は
位置ｔＢより位置ｔ６まではＣＩ９の一定値を取り、位
置ｔ６より位置ｔＴまではＣ２０よりＣ２１まで一次関
数的に減少する分布状態とされている。

第１Ｏ図に示される例においては、分布濃度Ｃ（Ｍ　Ｏ
）は位置ｔｏより位置ｔＴまでＣ２２の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が伝導性を制御する物質
（ＭＯ）を支持体側において多（分布する分布状態で含
有する場合、物質（Ｍｏ）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）の最大
値が好ましくは５０原子ｐｐｍ以上、より好適には８０
原子ｐｐｍ以上、最適には１００原子ｐｐｍ以上とされ
るような分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される物質（ｙ
ｒ　ｏ　）の含有１としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは３０〜５ＸｌＯ’原子ｐｐｍ。

より好ましくは５０〜ｌＸｌ０’原子ｐｐｍ、最適には
ｌＸＩＯ２〜５Ｘ１０３原子ｐｐｍとされるのが望まし
いものである。

電荷注入阻止層は炭素原子および／または窒素原子およ
び／または酸素原子の含有によって、重点的に支持体と
電荷注入阻止層との間の密着性の向上および電荷注入阻
止層とＣＴＬとの間の密着性の向上が図られる。

第１１図乃至第１７図には電荷注入阻止層に含有される
炭素原子または／および酸素原子または／および窒素原
子（これらを総称して「原子（Ｚ）」と記す）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１７図の例において横軸は原子（Ｚ）の
分布濃度Ｃｚを、縦軸は電荷注入阻止層の層厚ｔを示し
、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支持体側とは反
対側の界面の位置を示す。すなわち、電荷注入阻止層は
ｔＢ側よりｔＴに向って層形成がなされる。

第１１図には電荷注入阻止層中に含着される原子（Ｚ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１１図に示される例では界面位置ｔＢよりｔ７の位置
までは原子（Ｚ）の分布濃度ＣｚがＣ２３なる一定の値
を取りながら含有され、位置ｔ７より分布濃度Ｃは界面
位置ｔＴに至るまでＣ２４より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔＴにおいては分布濃度ＣはＣ２５と
される。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｚ
）の分布濃度Ｃｚは位置ｔＢより位ｆｆｔＴに至るまで
Ｃ，、から徐々に連続的に減少して位置ｔｒにおいてＣ
２７となるような分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位ｆａ　ｔ８までは
原子（Ｚ）の分布濃度ＣｚはＣ２ｓと一定値とされ、位
置ｔ８と位置ｔＴとの間において徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第１４図の場合には原子（Ｚ）は位置ｔＢより位置ｔＴ
に至るまで、分布濃度ＣｚはＣ３ｏより連続的に徐々に
減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第１５図に示す例においては、原子（Ｚ）の分布濃度Ｃ
ｚは、位置ｔｏと位置ｔ３間においてはＣ３１と一定値
であり、位置ｔＴにおいてはＣ３２とされる。

位置ｔ、と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃｚは一次関
数的に位置ｔ、より位１ｔＴに至るまで減少されている
。

第１６図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃｚは位置ｔＢより位置ｔ、。まではＣ３３の一定値
を取り、位置ｔ　１０より位置ｔＴまではＣ３４よりＣ
３５まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃｚは位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ３Ｂの一定値を取
る。

本発明において電荷注入阻止層が原子（Ｚ）を支持体側
において多（分布する分布状態で含有する場合、原子（
Ｚ）の分布濃度Ｃｚの最大値が好ましくは５００原子ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００原子ｐｐｍ以上、最適に
は１０００原子ｐｐｍ以上とされるような分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。

本発明において、電荷注入阻止層中に含有される原子（
Ｚ）の含有量としては本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．
００１〜５０原子％、より好ましくは０．００２〜４０
原子％、最適には０．００３〜３０原子％とされるのが
望ましい。

本発明における電荷注入阻止層に含有する水素原子また
は／およびハロゲン原子は、Ｎｏｎ−３Ｎｏｎ−３ｉ、
Ｘ）内に存在する未結合手を補償し、層品質の向上を計
ることが出来る。

水素原子またはハロゲン原子、または水素原子とハロゲ
ン原子の和の含有量は、好適には１〜５０原子％、より
好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％で
ある。

本発明において電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真
特性が得られること、および経済的効果等の点から、好
ましくは０．０１−１０７１．より好ましくは０．０５
〜８μ、最適には０．１〜５μとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層は、後述されるＣＧＬ、ＣＴＬと同様の
真空堆積膜形成法によって、所望特性が得られるように
適宜成膜パラメータの数値条件が設定されて作成される
。

ＣＧＬ 本発明におけるＣＧＬ　（１０５，５０４）は、Ｎｏｎ
−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、所望の光導電特性、特に
電荷発生特性を有する。

本発明におけるＣＧＬ中には、後述されるＣＴＬの場合
のように、伝導性を制御する物質として周期律表第Ｖ族
原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸
素原子（０）のいずれも実質的には含有されない。

また、本発明におけるＣ　Ｇ　’Ｌに含有される水素原
子または／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合
手を補償し、層品質の向上、特に光導電特性の向上に効
果を奏する。

ＣＧＬ中の水素原子またはハロゲン原子または水素原子
とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜４０原子
％、より好適には５〜３０原子％。

最適には１０〜２０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、ＣＧＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果、特に充分な電荷発生
能が得られるように電子写真画像形成装置に使用する光
源の光の吸収係数に応じて適宜所望に従って決められ、
好適には０．０１〜３０μｍ、より好適には０．１〜２
０μｍ、最適には１〜１０μｍとされるのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
るＣＧＬを形成するには、たとえばグロー放電法（低周
波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤ等の交
流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶＤ等）。

ＥＣＲ−ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法。

イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の
種々の薄膜堆積法によって形成することが出来る。

これらの他に、非単結晶材料形成用の原料ガスを分解す
ることにより生成される活性種（Ａ＞と、該活性種（Ａ
）と化学的相互作用をする成膜用の化学物質より生成さ
れる活性種（Ｂ）とを各々別々に堆積膜を形成するため
の成膜空間内に導入し、これらを化学反応させることに
よって非単結晶材料を形成する方法（以下ｒＨＲＣＶＤ
法」と略記す）、非単結晶材料形成用の原料ガスと、該
原料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン系の酸
化剤ガスを各々別々に堆積膜を形成するための成膜空間
内に導入し、これらを化学反応させることによって非単
結晶材料を形成する方法（以下ｒＦＯｃＶＤ法」と略記
す）などの薄膜堆積法を挙げることが出来る。これらの
薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製
造規模、作成される光受容部材に所望される特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を
有する電子写真用の光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共にハロ
ゲン原子および水素原子の導入を容易に行い得る等のこ
とからして、グロー放電法。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＥＣＲ−ＣＶＤ法、　ＨＲＣＶ　Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法が
好適である。場合によっては、これらの方法を同一装置
系内で併用して形成してもよい。たとえば、グロー放電
法によってＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧ
Ｌを形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと水素原子（Ｈ）導入
用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、あらかじめ所定位置に設置されである所定の支持体
表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成す
れば良い。また、スパッタリング法で形成する場合には
、たとえばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットを使用して、必要に応じて、水素原子（Ｈ
）または／およびハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによって成される。

イオンブレーティング法の場合には、たとえば多結晶シ
リコンまたは単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボード
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいは、エレク
トロンビーム法（ＥＩ３法）等によって加熱蒸発させ、
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行う
ことができる。ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形成するには、たとえば
Ｓｉ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
の前段に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入し
て、該活性化空間内にグロー放電を生起させたり、また
は過熱したりすることにより活性種（Ａ）を生成し、水
素原子（Ｈ）導入用の原料ガスおよび／またはハロゲン
原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、同様に別の活性化空間
に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活性
種（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入して、あらか
じめ所定位置に設置されである所定の支持体表面上にＮ
ｏｎ−８ｉ（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成すれば良い。ＦＯＣＶＤ法によっ
て、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形
成するには、たとえばＳｉ供給用の原料ガスを内部が減
圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、さら
にハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガスとは別に前記堆積室内
に所望のガス圧状態で導入し、堆積室内でこれらのガス
を化学反応させて、あらかじめ所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成すれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２　Ｈ６、５ｉ３１
−１８．　Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態のまたはガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好まし
いものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態のまたはガス化し得るハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も、有効なものとして本発明に
おいては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、　　ＢｒＦ、　ＣＩ　Ｆ、　　
ＣＩ　Ｆ　３＋ＢｒＦ５．　ＢｒＦ３．　ＩＦ３．　Ｉ
Ｆ７．　ＩＣｊ’、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙
げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たと
えばＳｉＦ４　、　Ｓｉ２　Ｈ６、５ｉＣ１４。

ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙
げることができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受容
部材を形成する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から
成るＣＧＬを形成する事ができる。

グロー放電法にしたがって、ハロゲン原子を含むＣＧＬ
を製造する場合、基本的には、たとえばＳｉ供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅素を所定のガス流量になるよ
うにしてＣＧＬを形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上にＣＧＬを形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
ように図る為に、これ等のガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成
して良い。

また、各ガスは単独様のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＨＲＣＶ　Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法の何れの場合にも、形成
される層中にハロゲン原子を導入するには前記のハロゲ
ン化合物または前記のハロゲン原子を含む硅素化合物の
ガスを堆積室中に導入して、該ガスのプラズマ雰囲気を
形成してやれば良いものである。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
原料ガス、たとえばＨ２あるいは前記したシラン類のガ
ス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、ＨＣＩ！。

ＨＢｒ、　　ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ　２
　。

５ｉＨ２１２，５ｉＨ２Ｃ／！２．５ｉＨＣ１２，Ｓｉ
Ｈ２Ｂｒ２゜Ｓ　ｉ　ＨＢ　ｒ　２等のハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質
も有効なＣＧＬ形成用の出発物質として挙げる事ができ
る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、Ｃ
ＧＬ形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入
用の原料として使用される。

水素原子をＣＧＬ中に構造的に導入するには、上記の他
にＨ２或はＳｉＨ４、Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓｉ３　ＨＢ　。

５ｉ４Ｈ□。等の水素化硅素とＳｉを供給するためのシ
リコンまたはシリコン化合物とを堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行うことができる。

ＣＧＬ中に含有される水素原子（Ｈ）または／およびハ
ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、たとえば支持体
温度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。

ＣＴＬ 本発明におけるＣＴＬ　（１０４，５０３）は、構成要
素として、シリコン原子と炭素原子、窒素原子および酸
素原子のうち少な（とも一種と、伝導性を制御する物質
として周期律表第■族原子（Ｍ）とを含有するＮｏｎ−
３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　（以後１”ＮｏｎＮｏｎ−５ｉ、Ｎ
、０）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、所望の
電子写真特性を満足する電荷輸送特性を有する。該ＣＴ
Ｌ１０４に含有される炭素原子、窒素原子または酸素原
子は該ＣＴＬ１０４中に万偏無く均一に分布した状態で
含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分
布状態で含有している部分があっても良いように含有さ
れても良い。伝導性を制御する物質として周期律表第■
族原子（Ｍ）は層厚方向には不均一に分布する状態で含
有される。

いずれにしても、伝導性を制御する物質として周期律表
第Ｖ族原子（Ｍ）、炭素原子、窒素原子および酸素原子
のいずれも含有される場合には、ＣＴＬ１０４の全層領
域に含有される。伝導性を制御する物質として周期律表
第Ｖ族原子（Ｍ）のＣＴＬ１０４の層厚方向の分布濃度
がＣＴＬ１０４の少な（とも一部の層領域において、不
均一になるように、原子（Ｍ）はＣＴＬ中に含有される
。

炭素原子、窒素原子および酸素原子のＣＴＬ１０４にお
ける層厚方向の分布濃度は均一であっても良く、あるい
は伝導性を制御する物質として周期律表第Ｖ族原子（Ｍ
）と同様にＣＴＬ１０４の少なくとも一部の層領域で不
均一となるように含有されても良い。

第１８図乃至第３３図にはＣＴＬに含有される伝導性を
制御する物質として周期律表第Ｖ族原子（Ｍ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示されている。

以後の説明においては、便宜上、原子（Ｍ）、炭素原子
（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（０）を総称し
て「原子（Ｙ）」と記す。

第１８図乃至第３３図において、横軸は含有する原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＴＬの層厚を示し、ｔＢ
は支持体側のＣＴＬの端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側のＣＴＬの端面の位置を示す。すなわち、原子
（Ｙ）の含有されるＣＴＬはｔＢ側よりｔｒ側に向って
層形成がなされる。

第１８図には、ＣＴＬ中に含有される原子（Ｙ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１８図に示される例では、界面性１１ｊｔａよりｔ＋
ｓの位置までは、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが値Ｃ５７な
る一定の値を取り乍ら原子（Ｙ）が形成される層領域（
Ｙ）に含有され、位置ｔ＋６よりは分布濃度値Ｃｓａよ
り界面性ｆｉｌｒに至るまで徐々に連続的に減少されて
いる。界面性ｊｌｔｒにおいては原子（Ｙ）の分布濃度
Ｃは値Ｃ５９とされる。

第１９図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで分布
濃度値Ｃ６ｏから徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いて分布濃度値Ｃｓ＋となる様な分布状態を形成してい
る。

第２０図の場合には、位置ｔＢより位置ｔｔｙまでは原
子（Ｙ）の分布濃度Ｃは分布濃度値Ｃ６２と一定値とさ
れ、位置１．と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である、以後の「実質的に零」の意味も同様である
。） 第２１図の場合には、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置１ｒに至るまで濃度値Ｃ６４より連続的に徐
々に減少され、位置ｔ７において実質的に零とされてい
る。

第２２図に示す例においては、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置ｔ　１１１間においては、分布濃度
値Ｃｓｓと一定値であり、位置ｔＴにおいては分布濃度
値Ｃ６６とされる。位置ｔ　＋ｓと位置ｔＴとの間では
、分布濃度Ｃは一次関数的に位置ｔ　１８より位置ｔｒ
に至るまで減少されている。

第２３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ↑に
至るまで原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは、分布濃度値０４７
より実質的に零に至るように一次関数的に減少している
。

第２４図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで値Ｃ
６８から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて値Ｃ
６９となる様な分布状態を形成している。

第２５図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　１９までは値Ｃ７０の一定
値を取り、位置ｔ　１９より位置ｔＴまでは値Ｃ７１よ
り値Ｃ７２まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。

第２６図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ２０に至るまでは値Ｃｙｓか
らＣ７４まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ２Ｇより位
ＷＣ７３の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分布状
態を形成している。

第２７図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ７７からＣ７
６まで徐々に連続的に増加するような分布状態を形成し
ている。

第２８図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位ｉｔＢより位置ｔ　２１に至るまで実質的に零
からＣ７９まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ　２１よ
りはＣ７８の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分布
状態を形成している。

第２９図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置１Ｂより位ｆｉｔＴに至るまで実質的に零か
らＣａｏまで徐々に連続的に増加するような分布状態を
形成している。

第３０図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ、に至るまでＣ８２からＣｓ
＋まで一次関数的に増加し、位置ｔ　Ｉ７よりはＣｓ＋
の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分布状態を形成
している。

第３１図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、実質的に零か
らＣＯまで一次関数的に増加するような分布状態を形成
している。

第３２図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置１Ｂより位置ｔＴに至るまでＣｓｓからＣ８
４まで徐々に連続的に増加するような分布状態を形成し
ている。

第３３図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位ｆｉｌｆｔＢより位置ｔ２３に至るまでＣ８８
からＣ８７まで一次関数的に増加し、位置ｔｉよりはＣ
８６の一定値を取り、位置ｔＴに至るような分布状態を
形成している。

第３４図乃至第４３図にはＣＴＬに含有される炭素原子
または／および窒素原子または／および酸素原子（以後
、これ等を総称して「原子（Ｙ）」と略記する）の層厚
方向の分布状態の典型的例が示されている。

第３４図乃至第４３図において、横軸は含有する原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＴＬの層厚を示し、ＴＢ
は支持体側のＣＴＬの端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側のＣＴＬの端面の位置を示す。

すなわち、原子（Ｙ）の含有されるＣＴＬはｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第３４図には、ＣＴＬ中に含有される原子（Ｙ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第３４図に示される例では、電荷注入阻止層とＣＴＬと
が接する界面位置ｔＢよりｔ２４の位置までは、原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃが０８９なる一定の値を取り乍ら原子
（Ｙ）が形成されるＣＴＬに含有され、位置ｔ　２４よ
りは濃度Ｃ９０より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては原子（Ｙ
）の分布濃度ＣはＣ９１とされる。

第３５図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ９２から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃
度Ｃ９３となる様な分布状態を形成している。

第３６図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ３までは原子
（Ｙ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ９４と一定値とされ、位置
ｔ２５と位置ｔＴとの間において、Ｃ９５から徐々に連
続的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質
的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量
未満の場合である）。

第３７図の場合には、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ９６より連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第３８図に示す例において、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは
、位置ｔＢと位置ｔ、間においては、濃度Ｃ９７と一定
値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ９８とされる。位
置ｔ２６と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ　２＋１より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第３９図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔｒに
至るまで、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ９９より実
質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第４０図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位ｆｉｔｔＢより位置ｔＴに至るまで
Ｃ＋ｏｏから徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
Ｃ＋ｏ＋となる様な分布状態を形成している。

第４１図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　２７まではＣＩ０２の一定
値を取り、位置ｔ２７より位置ｔＴまではＣｌＯａより
ＣＩ０４まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。

第４２図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔまでＣｏｏｓの一定値を取る
。

第３４図乃至第４１図において示した例は、いずれもｔ
Ｔ側よりｔＢ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多い
例を示したがｔＴ側とｔＢ側をまりだ（逆にしても、ｔ
Ｂ側よりｔＴ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多く
てもよく、例えば第４３図に示される例では第４４図に
おいて、ｔＴ側とｔｏ側を逆にした場合で、界面位置ｔ
ｓより位置ｔ２８に至るまで原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは
Ｃｏｏｓから徐々に連続的に増加して、位置ｔ２８でＣ
Ｉ０７となり位置ｔ２８から界面位置ｔＴまでＣｔｏｅ
なる一定の値となる。

前記の周期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）（以下「第Ｖ
族原子Ｊという。）は、半導体分野における、いわゆる
ｎ型伝導特性を与える不純物のことである。

第Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、　Ａｓ（
砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があ
り、特にＰ、Ａｓが好適である。

本発明においては、ＣＴＬ１０４の全層領域に伝導性を
制御する物質として第Ｖ族原子（Ｍ）を含有させること
によって、主として伝導型および／または伝導率を制御
する効果および／またはＣＧＬとＣＴＬとの間の電荷注
入性を向上させる効果を得ることが出来るが、その含有
量は比較的少量とされる。原子（Ｍ）の含有量としては
好適にはｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−”〜ｌ×１０３原子ｐｐｍ、
より好適には５Ｘ１０−”　〜ｌＸｌ０”原子１９ｍ％
最適にはｌＸｌ０−”　〜５０原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬの全層領域には炭素原子ま
たは／および酸素原子または／および窒素原子が含有さ
れ、主として高暗抵抗化や分光感度の制御と、ＣＧＬと
ＣＴＬとの間の密着性の向上を計ることが出来る。炭素
原子、酸素原子、または窒素原子の含有量は、あるいは
これ等の中小なくとも二種を含有させる場合にはそれ等
の総合有量としては、好適にはＩ　Ｘ　Ｉ　Ｆ”〜５Ｘ
、１．０原子％、より好適には５　Ｘ　１０−２〜４ｘ
ｔｏ原子％、最適にはＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’〜３×ＩＯ原
子％とされるのが望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬに含有する水素原子または
／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上を計ることが出来る。

ＣＴＬ中に含有される水素原子またはハロゲン原子、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適゛
には１〜７０原子％、より好適には５〜５０原子％、最
適には１０〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の観点から、好まし
くは５〜５０μ、より好ましくはｌＯ〜４０μ、最適に
は２０〜３０μとされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬ中に原子（Ｙ）を導入するには
、ＣＴＬ形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成するには、窒素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または、およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、窒素原料（Ｎ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
窒素原子（Ｎ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする、たとえば窒素（Ｎ２
）、アンモニア（Ｎ　Ｈｓ　）　、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ
ＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム
（Ｎ）１４Ｎｓ）等のガス状のまたはガス化し得る窒素
、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げることが
できる。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えてハロ
ゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒
素（Ｆｓ　Ｎ）。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法ニヨッてＣ
ＴＬを形成するには、炭素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子
（Ｈ）を構成とする原料ガスとを、これもまた所望の混
合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素
原子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る、たとえば炭素数ｌ〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜
４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２）１６）、プロパン（Ｃａ　Ｈａ）。

ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ，。）、ペンタン（Ｃ５，ＨＩ
２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（０２Ｈ
ａ　）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈｌｌ　）
。

ブテン−”　（０４Ｈ８）、イソブチレン（０４Ｈａ　
）。

ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（ｃ　２　Ｈ２）、メチルアセチレン（
Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈａ）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨ３）４＋　　Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ
化アルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４゜ＣＣｌ４
．ＣＨ３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
出来る。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成する場合の酸素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（０）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
酸素原子（０）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、たとえば酸素（０２）、
オゾン（０３）、−酸化窒素（ＮＯ）　。

二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）。

三二酸化窒素（Ｎ２０３　）＋四三酸化窒素（Ｎ２０４
）＋三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎｏ□）
、シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素原子（０）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする、たとえばジシロキサン（Ｈ
３ＳｉＯ５ｉＨ３）、）ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉ
Ｈ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることが
できる。

スパッタリング法によってＣＴＬを形成するには、ＣＴ
Ｌ形成の際、単結晶または多結晶のＳｉウェハーまたは
Ｓｉ３　Ｎ４ウエーハー、またはＳｉとＳｉ３　Ｎ４が
混合されて含有されているウェーハーおよび／またはＳ
ｉＯ２ウェーハー、またはＳｉとＳｉＯ３が混合されて
含有されているウェーハーおよび／またはＳｉＣウェー
ハー、またはＳｉとＳｉＣが混合されて含有されている
ウェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって行えば良い。

たとえば、窒素原子を含有させるにはＳｉウェーハーを
ターゲットとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて
水素原子または／およびハロゲン原子を導入するための
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈してスパッタ
用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマを
形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。

また、別には、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４とは別々のター
ゲットとして、またはＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４の混合し
た一枚のターゲットを使用することによって、スパッタ
用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくと
も水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパッタリング
することによって成される。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中の
窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスがスパ
ッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明において、ＣＴＬの形成の際に、該層に含有され
る原子（Ｙ）の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向に変化さ
せて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　　ｐｒ
ｏｆｉｌｅ）を有する層を形成するには、グロー放電法
、Ｉ−ＩＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の場合には、分布濃
度ｃ　（ｙ）を変化させるべき原子（Ｙ）導入用の出発
物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にした
がって適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによ
って成される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操
作を行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（Ｙ）の
層厚方向の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向で変化させて
、原子（Ｙ）の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には、グロ
ー放電法による場合と同様に、原子（Ｙ）導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入する
際のガス流量を所望に従って適宜変化させることによっ
て成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、たとえば
ＳｉとＳｉ３　Ｎ４との混合されたターゲットを使用す
るのであれば、ＳｉとＳｉ３　Ｎ４との混合比を、ター
ゲットの層厚方向において、あらかじめ変化させてお（
ことによって成される。

５ｉＣＪＰＳｉ０２を用いる場合も、Ｓｉ３　Ｎ４と同
様に行えばよい。

ＣＴＬ中に、第Ｖ族原子（Ｍ）を構造的に導入するには
、層形成の際に第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中にＣＴＬを形成するための他の出発物質と共
に導入してやれば良い。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４１゜Ｐ　Ｆ　３　＋　Ｐ
　Ｆ　１５　＋　Ｐ　Ｃｊ！　３　ｒ　Ｐ　ＣＩ！５　
＋　Ｐ　Ｂ　ｒ　３＋　ＰＢｒ　ｓ　＊Ｐ■３等のハロ
ゲン比隣が挙げられる。このほか、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３
．ＡｓＣｊ’３．ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５゜ＳｂＨ３，Ｓ
ｂＦ３．ＳｂＦ５，５ｂＣ１３，５ｂＣ１Ｂ。

ＢｉＨ３，ＢｉＣｌ３．　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる
。

本発明の目的を達成し得る特性を有するＣＧＬ。

ＣＴＬをＮｏｎ−Ｓｉ　（Ｘ、Ｙ）として水素原子また
は／およびハロゲン原子を含有するＡ−５ｉ　（以後、
ｒＡ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと称する）を選択して構成
するには、支持体の温度、ガス圧を所望に従って適宜設
定する必要がある。

支持体温度（Ｔｓ）は、層設計に従って適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、５０℃〜４００°Ｃ９好適
には１００°Ｃ〜３００℃とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も、同様に層設計に従って適宜最適範
囲が選択されるが、通常の場合Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ−’〜１
ＯＴｏｒｒ、好ましくはＩ　Ｘ　１０”　〜３Ｔｏｒｒ
、最適にはｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−２〜ＩＴｏｒｒとするのが
望ましい。

本発明においては、前記各層を作成するための支持体温
度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙
げられるが、これらの層作成ファクターは、通常は独立
的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有す
る各層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性に基づい
て、各層作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい
。

ＣＧＬ、ＣＴＬを構成するＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）と
して、水素原子または／およびハロゲン原子を含有する
多結晶シリコン（以後ｒｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊ
と呼称する。）を選択して構成する場合、その層を形成
するについては種々の方法があり、たとえば次のような
方法があげられる。

その１つの方法は、支持体温度を高温、具体的には４０
０°Ｃ〜６００°Ｃに設定し、該支持体上にプラズマＣ
ＶＤ法により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち、支持体温度をたとえば約２５０℃にした
支持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモ
ルファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏ
ｌｙ化する方法である。該アニーリング処理は、支持体
を４００８Ｃ〜６００°Ｃに約５〜３０分間加熱するか
、あるいは、レーザー光を約５〜３０分間照射すること
により行われる。

一表一面一層一 本発明における表面層は、構成要素としてシリコン原子
と、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうちの少なく
とも一種と、水素原子およびハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方とを含有するＮｏｎ−３ｉ　（Ｃ，Ｎ、０
）　（Ｈ，Ｘ）で構成される。表面層には、ＣＴＬ中に
含有されるような伝導性を制御する物質は全（含有され
ないかまたは実質的には含有されない。

該層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素原
子は該層中に万偏無く均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏無（含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があっても良い。

しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面
内方向においては、均一な分布で万偏無（含有されるこ
とが面内方向における特性の均一化を計る点からも必要
である。

第４４図乃至第５３図には表面層に含有される炭素原子
または／および窒素原子または／および酸素原子（以後
、これ等を総称して「原子（Ｙ）」と記す）の層厚方向
の分布状態の典型的例が示されている。

第４４図乃至第５３図において、横軸は含有する原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸は表面層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の表面層の端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側の表面層の端面の位置を示す。すなわち、原子
（Ｙ）の含有される表面層はｔＢ側よりｔＴ側に向って
層形成がなされる。

第４４図には、表面層中に含有される原子（Ｙ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第４４図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｓより位置ｔ　２９に至るまでＣ１，、か
らＣ１□。まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ２９より
はＣｌ０９の一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態
を形成している。

第４５図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ３１３からＣ
Ｉ□２まで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成
している。

第４６図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ、ｌｏに至るまで実質的に零
からＣ０，５まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ　３０
よりはＣ５１４の一定値を取り位ｆｉｔＴに至る様な分
布状態を形成している。

第４７図に示される例においては、原子（′ｆ）の分布
濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで実質的に零か
らＣ２，６まで徐々に連続的に増加する様な分布状態を
形成している。

第４８図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　３１に至るまでＣＩ＋８か
らＣ３１７まで一次関数的に増加し、位置ｔ　３１より
はＣ１１７の一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態
を形成している。

第３９図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔａより位置ｔＴに至るまで、実質的に零か
らＣ５１，まで−次間数的に増加する様な分布状態を形
成している。

第５０図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ１□５からＣ
１□０まで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成
している。

第５１図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位ｆａ　ｔ　３□に至るまで、Ｃ１
２４からＣ１２３まで一次関数的に増加し、位Ｅ　ｔ　
３２よりはＣ１２２の一定値を取り位置ｔＴに至る様な
分布状態を形成している。

第５２図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位５ｉｔｒまでＣ１゜５の一定値を
取る。

第５３図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢよりｔ　３３に至るまで　ＣＩ２８の一
定値を取り、位置ｔ３３より位置ｔ　３４に至るまでＣ
Ｉ２７の一定値を取り、位置ｔ　３４よりは０１２６の
一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態を形成してい
る。

本発明における表面層の全層領域に含有される炭素原子
または／および窒素原子または／および酸素原子は、主
に高暗抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。表面層中に
含有される原子（Ｙ）の含有量は、好適にはｌ　Ｘ　１
０−３〜９０原子％、より好適にはｌＸｌ０−’　〜８
５原子％、最適にはｌＯ〜８０原子９６とされるのが望
ましい。

また、本発明における表面層に含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子はＮｏｎ−３ｉ（Ｃ，Ｎ、Ｏ）
　（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し膜質の向上
に効果を奏する。

表面層中の水素原子またはハロゲン原子または水素原子
とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜７０原子
％、より好適には５〜５０原子％、最適には１０〜３０
原子％である。

本発明において、表面層の層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の点から好ましくは
０．００３〜３０μ、より好ましくは０．０１〜２０μ
、最適には０．１〜１０μとされるのが望ましい。

本発明においてＮｏｎ−３ｉ　（Ｃ，Ｎ、Ｏ）　（Ｈ，
Ｘ）で構成される表面層を形成するには、前述のＣＴＬ
を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。

本発明の目的を達成しうる特性を有する表面層を形成す
る場合には、支持体１０１の温度、カス圧が前記各層の
特性を左右する重要な要因である。

支持体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは
５０°Ｃ〜４００°Ｃ１より好適には１００〜３００℃
とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も適宜最適範囲が選択されるが、好ま
しくはＩ　Ｘ　ｔｏ−４〜１ＯＴｏｒｒ、より好ましく
はＩ　Ｘ　１０−３〜３Ｔｏｒｒ、最適にはＩ　Ｘ　１
０２〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。

本発明においては、表面層を作製するための支持体温度
、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げ
られるが、これらの層作製ファクターは、通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて
、各層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

表面層はＮｏｎ−５ｉ　（Ｃ，Ｎ、　Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）
を母体とする材料で構成されるが、その中で多結晶性の
Ｓｉ　（Ｃ，Ｎ、Ｏ）　０（、Ｘ）　（以後ｒｐｏｌｙ
−８ｉ　（Ｃ。

Ｎ、Ｏ）（［１，Ｘ）Ｊと呼称する）で構成される層を
形成するについては種々の方法があり、例えば次のよう
な方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜６００°Ｃに設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法に
より膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、すなわち基体温度をたとえば約２５０°Ｃにした基体
上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファ
ス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏｌｙ化
する方法である。該アニーリング処理は、基体を４００
〜６００℃で約５〜３０分間加熱するか、あるいはレー
ザー光を約５〜３０分間照射することにより行われる。

次に高周波（以下ＲＦと略す）グロー放電分解法によっ
て形成される本発明の電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する。

第５４図にＲＦグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の１０１１．　１０１２．　１０１３．１０１４．
　１０１５゜１０１６．１０１７のガスボンベには、本
発明の夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されてお
り、その−例として、たとえば１０１１にはＳｉＨ４ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１２にはＨ２ガ
ス（純度９９，９９９％）ボンベ、１０１３にはＨ２ガ
スで希釈されたＰＨ３ガス（純度９９，９９９％−以下
「ＰＨ３／Ｈ２」と略す）ボンベ、１０１４はＮｏガス
（純度９９．５％）ボンベ、１０１５にはＦ■２ガスで
希釈されたＢ２Ｉ］６ガス（純度９９　、９９９９６、
以下ｒＢ２Ｈ６／Ｈ２Ｊと略す）ボンベ、１０１６はＮ
Ｈ３ガス（純度９９，９９９％）ボンベ、１０１７はＣ
Ｈ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

基体シリンダー上に本発明の層構成を持つ電子写真用光
受容部材の作成法を具体例に基づいて述べる。

すなわち電子写真用光受容部材を形成する場合の一例と
して、電荷注入阻止層形成用ガスにＳｉＨ４ガス、Ｈ２
ガス、ＰＨ３７Ｈ２ガス、Ｎｏガスを、ＣＧＬ形成用ガ
スとしてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、！−１２ガスを、ＣＴＬ形
成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ
２ガスを、表面層形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、ＣＨ
４ガスを用いる場合をとりあげる。

これらのガスを反応室１００１に流入させるにはガスボ
ンベ１０１１〜１０１７のバルブ１０５１〜１０５７、
反応室１００１のリークバルブ１００３が閉じられてい
る事を確認し、また、流入バルブ１０３１−１０３７、
流出バルブ１０４１〜１０４７、補助バルブｌ　０７０
が開かれている事を確認して、先ずメインバルブ１００
２を開いて反応室１００１およびガス配管内を排気する
。

次に真空計１００４の読みが約５Ｘ１０＝Ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ１０７０、流出バルブ１０４１〜
１０４７を閉じる。

その後、ガスボンベ１０１１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ１０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ１０１３よりＰ
Ｈ３／Ｈ２ガス、ガスボンベ１０１４より　Ｎｏガス、
ガスボンベ１０１６よりＮＨ３ガス、ガスボンベ１０１
７よりＣＨ４ガスを、バルブ１０５１−１０５４゜１０
５６、　１０５７を開いて導入し、圧力調節器１０６１
〜１０６４，１０６６．１０６７により各ガス圧力を２
　Ｋ　ｇ／Ｃイに調節する。

次に流入バルブ１０３１〜１０３４．　１０３６．　１
０３７を徐々に開けて、以上の各ガスをマスフローコン
トローラー１０２１Ｎ１０２４，１０２６．１０２７内
に導入する。

また、反応室１００１内に設置された基体シリンダー１
００７の温度は加熱ヒーター１００８により５０〜３５
０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上に電荷注入阻止層、ＣＴＬ。

ＣＧＬ、表面層の各層の成膜を行う。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ１０４１．
１０４２，１０４３．１０４４および補助バルブ１０７
０を徐々に開いて、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｈ２ガス。

ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガスを反応室１００１内に流入
させる。このとき、ＳｉＨ４ガス流ｆｌｌＨ２ガス流量
。

ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、Ｎｏガス流量が所望の値になる
ように流出バルブ１０４１，１０４２，１０４３゜１０
４４を調節し、また反応室内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２の
開口を調節する。その後、電源１０１０を所望の電力に
設定して反応室１００１内にＲＦグロー放電を生起させ
、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開始する
。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦグロー放電を止
め、また、流出バルブ１０４１．１０４２，１０４３．
１０４４を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、電荷
注入阻止層の形成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にＣＴＬ
を形成する。

ＣＴＬを形成するには、流出バルブ１０４１．　１０４
３゜１０４７および補助バルブ１０７０を徐々に開いて
、ＳｉＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、ＣＨ４ガスを反応
室１００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量
。

ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所望の値にな
るように流出バルブ１０４１，１０４３．１０４７を調
節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真
空計１００４を見ながらメインバルブ１００２の開口を
調節する。その後、電源１ＯＩＯを所望の電力に設定し
て反応室内にＲ，Ｆグロー放電を生起させ、基体シリン
ダー上にＣＴＬの形成を開始する。

所望の膜厚の形成が行われた後、Ｒ，Ｆグロー放電を止
め、また流出バルブ１０４１．　１０４３．１０４７を
閉じて反応室内へのガスの流入を止め、ＣＴＬの形成を
終える。

上記のようにして形成されたＣ　Ｔ　Ｌ上にＣＧＬを形
成する。ＣＧＬを形成するには、流出バルブ１０４１゜
１０４２および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、Ｓ
　ｉ　Ｈ４ガス、Ｈ２ガスを反応室１００１内に流入さ
せる。この時、ＳｉＨ４ガス流量、トＩ２ガス流量が所
望の値になるように流出バルブ１０４１．　１０４２を
調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように
真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２の開口
を調節する。その後、電源１０１０を所望の電力に設定
して反応室内にＲＦグロー放電を生起させ、基体シリン
ダー上にＣＧＬの形成を開始する。所望の膜厚の形成が
行われた後、Ｒ，Ｆグロー放電を止め、流出バルブ１０
４１．１０４２を閉じて反応室内へのガスの流入を止め
、ＣＧＬの形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＧＬ上に表面層を形成す
る。表面層を形成するには、流出バルブ１０４１゜１０
４７および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、ＳｉＨ
４ガス、ＣＨ４ガスを反応室１００１内に流入させる。

この時、ＳｉＨ４ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所望の値
になるように流出バルブ１０４１．　１０４７を調節し
、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計
１００４を見ながらメインバルブ１００２の開口を調節
する。その後、電源１０１０を所望の電力に設定して反
応室内にＲＦグロー放電を生起させ、基体シリンダー上
に表面層の形成を開始する。

所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦグロー放電を止め
、流出バルブ１０４１．　１０４７を閉じて反応室内へ
のガスの流入を止め、表面層の形成を終える。

夫々の層を形成する際に、必要なガス以外の流出バルブ
は全て閉じられている事は言うまでもな（、また、夫々
のガスが反応室１００１内、流出バルブ１０４１−１０
４７から反応室１００１に至る配管内に残留する事を避
ける為に、流出バルブ１０４１〜１０４７を閉じ、補助
バルブ１０７０を開き、さらにメインバルブ１００２を
全開にして、系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
、基体シリンダー１００７は、モーター１００９によっ
て所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にマイクロ波（以下μＷと略す）グロー放電分解法に
よって形成される電子写真用光受容部材の製造方法につ
いて説明する。

第５５図にμＷグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の２０１１．２０１２，２０１３，２０１４，２０
１５゜２０１６、２０１７のガスボンベには、本発明の
夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として、例えば２０１１にはＳ　ｉ　Ｈ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、２０１２には■２ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、２０１３にはＨ２ガスで
稀釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下ｒＰ
Ｈ３／［Ｉ２」と略す）ボンベ、２０１４はＮｏガス（
純度９９゜５％）ボンベ、２０１５にはＨ２ガスで稀釈
されたＢ１１−Ｉ６ガス（純度９９．９９９％、以下「
Ｂ２■Ｉ６／■］２」と略す）ボンベ、２０１６はＮＨ
３ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、２０１７はＣＨ
４ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

第５５図に示す装置で電子写真用光受容部材を形成する
場合に使用するガスの一例として、電荷注入阻止層形成
用カスにＳ　ｉ　Ｈ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガ
スを、ＣＧＬ形成用ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｉ］
２Ｉ２ガスＣＴＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、ＣＨ
４ガス、ＰＨ３／１１２カスを、表面層形成用ガスとし
てＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｃ［Ｉ４ガスを用いる場合をとり
あげる。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２０１１〜２０１７のバルブ２０５１〜２０５７、
反応室２００１のリークバルブ２００３が閉じられてい
る事を確認し、また、流入バルブ２０３１〜２０３７、
流出バルブ２０４１〜２０４７、補助バルブ２０７０が
開かれている事を確認して、先ずメインバルブ２００２
を開いて反応室２００１およびガス配管内を排気する。

次に真空計２００４の読みが約５Ｘ１０〜’Ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ２０７０、流出バルブ２０４１
〜２０４７を閉じる。

その後、ガスボンベ２０１１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ２０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ２０１３よりＰ
ＦＩ３／ｌＩ２ガス、ガスボンベ２０１４よりＮ。

ガス、ガスボンベ２０１５よりＢ２Ｈ６／ｌ−１２ガス
。

ガスボンベ２０１６よりＮＨ３ガス、ガスボンベ２０１
７よりＣＨ４ガスを、バルブ２０５１〜２０５７を開い
て導入し、圧力調節器２０６１〜２０６７により各ガス
圧力を２Ｋｇ／ｃｒｄに調節する。

次に流入バルブ２０３１〜２０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー２０２１〜２０
２７内に導入する。

また、反応室２００１内に設置された基体シリンダー２
００６の温度は加熱ヒーター２００５により５０〜３５
０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上に電荷注入阻止層、ＣＴＬ。

ＣＧ　Ｌ　、表面層の各層の成膜を行う。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ２０４１　
。

２０４２、２０４３．２０４４および補助バルブ２０７
０を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、ＰＨ３／Ｈ
２ガス、Ｎｏガスを反応室２００１内に流入させる。こ
の時、ＳｉＨ４ガス流量、Ｈ２ガス流量、ＰＨ３／Ｈ２
ガス流量、Ｎｏガス流量が所望の値になるように流出バ
ルブ２０４１．　２０４２．２０４３．２０４４を調節
し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空
計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を調
節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電力
に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１０を通
して反応室２００１内にμＷグロー放電を生起させ、基
体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開始する。所
望の膜厚の形成が行われた後、／ｌＷグロー放電を止め
、また、流出バルブ２０４１゜２０４２、　２０４３．
　２０４４を閉じて反応室２００１内へのガスの流入を
止め、電荷注入阻止層の形成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にＣＴＬ
を形成する。

ＣＴＬを形成するには流出バルブ２０４１，２０４３゜
２０４７、および補助バルブ２０７０を徐々に開いてＳ
　ｉ　ｔ−１４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、ＣＩ■４ガス
を反応室２００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガ
ス流量、ＰＨ３／Ｉ（２ガス流量、ＣＨ４ガス流量が所
望の値になるように、流出バルブ２０４１．２０４３．
２０４７を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値に
なるように真空計２００４を見ながらメインバルブ２０
０２の開口を調節する。その後、マイクロ波電源２０ｏ
８を所望の電力に設定し、導波管２００９および誘電体
窓２０１Ｏを通して反応室内にμＷグロー放電を生起さ
せ、基体シリンダー上にＣＴＬの形成を開始する。所望
の膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、流
出バルブ２０４１．２０４３．２０４７を閉じて反応室
内へのガスの流入を止め、ＣＴ　１．、の形成を終える
。

上記のようにして形成されたＣＴＬ上にＣＧＬを形成す
る。

ＣＧＬを形成するには、流出バルブ２０４１．２０４２
および補助バルブ２０７０を徐々に開いてＳｉＨ４ガス
、トＩ２ガスを反応室２００１内に流入させる。

この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量、Ｈ２ガス流世が所望の
値になるように、流出バルブ２０４１．２０４２を調節
し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空
計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を調
節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電力
に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１０を通
して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリン
ダー上にＣＧＬの形成を開始する。所望の膜厚の形成が
行われた後、μＷグロー放電を止め、流出バルブ２０４
１．　２０４２を閉じて反応室内へのガスの流入を止め
、ＣＧＬの形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＧＬ上に表面層を形成す
る。

表面層を形成するには流出バルブ２０４１．２０４７お
よび補助バルブ２０７０を徐々に開いてＳ　ｉ　Ｈ４カ
ス、Ｃ１（４カスを反応室２００１内に流入させる。

この時、ＳｉＨ４ガス流ｉ、ＣＨ４ガス流亀が所望の値
になるように流出バルブ２０４１．２０４７を調節し、
また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計２
００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を調節す
る。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電力に設
定し、導波管２００９および誘電体窓２０１０を通して
反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリンダー
上に表面層の形成を開始する。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、μＷグロー放電を止め、流出バルブ２０４１．
２０４７を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、表面
層の形成を終える。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じられている事は云うまでもなく、また、夫々の
ガスが反応室２００１内、流出バルブ２０４１〜２０４
７から反応室２００１に至る配管内に残留する事を避け
る為に、流出バルブ２０４１〜２０４７を閉じ、補助バ
ルブ２０７０を開き、さらにメインバルブ２００２を全
開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
基体シリンダー２００６は、モーター２００７によって
所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にＨＲＣＶ　Ｄ法によって形成される電子写真用光受
容部材の製造方法について説明する。

第５６図にＨＲＣＶ　Ｄ法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

第５６図において、３００１は成膜室、３００２は活性
化室（Ａ）、３００３．３０１８はマイクロ波プラズマ
発生装置、３００４は活性種（Ａ）の原料ガス導入管、
３００５は活性種（Ａ）導入管、３００６はモーター、
３００７はシリンダー状の基体を加熱するヒーター、３
００８．３００９は吹き出し管、３０１Ｏはシリンダー
状の基体、３０１１はメイン排気バルブを示している。

また３０１２ないし３０１６は原料ガス供給用ボンベで
あり、３０１７は活性化室（Ｂ）、３０１９は原料ガス
導入管、３０２０は活性室（Ｂ）より生じる活性種導入
管である。本装置を用いてシリンダー状の基体に本発明
になる層構成を持つ電子写真用光受容部材の作成方法を
具体的に述べる。

−例を挙げると、シリンダー状の基体としてはＡｊｌ’
を使用し、電荷注入阻止層形成用ガスとしては５ｉ）Ｉ
４．ＰＨ３／Ｈ３，Ｎｏ、Ｉ２を、ＣＧＬ形成用ガスと
してはＳｉＨ４，Ｉ２を、ＣＴＬ形成用ガスとしてはＳ
ｉＨ４、ＳｉＦ４　、　ＣＨ４、Ｉ２　、　　ＰＨ３／
　）−１□を表面層形成用ガスとしてはＳｉＨ４，ＣＨ
４，１１２用いた。

まずＡＩ！シリンダー状基体３０１０を成膜室３００１
につり下げ、その内側に加熱ヒーター３００７を備え、
モーター３００６により回転出来るようにし、成膜室を
５Ｘ１０＝Ｔｏｒｒまで排気した。

電荷注入阻止層を形成するには、ボンベ３０１２からＩ
２ガスを導入管３００４を通して活性化室（Ａ）に導き
、マイクロ波プラズマ発生装置３００３により活性化処
理をし、活性水素を導入管３００５を通して吹き出し管
３００８より成膜室３００１に導いた。一方、ボンベ３
０１３よりＳｉ■■４ガス、３０１４よりＰＨ３／Ｈ２
ガス、３０１５よりＮｏガスを導入管３０１９より活性
化室（Ｂ）３０１７に導入し、マイクロ波プラズマ発生
装置３０１８により活性化処理をした後導入管３０２０
を通して吹き出し管３００９より成膜室３００１に導い
た。この時、ガスの流量、内圧、およびマイクロ波電力
は所望の数値に設定される。

へｌシリンダー状基体３０１Ｏはヒーター３００７によ
り所望の温度に加熱保持され、排ガスはメイン排気バル
ブ３０１１の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして電荷注入阻止層を形成させた。上記の電荷注入
阻止層上に同様にして、ボンベ３０１２よりｌ−Ｉ２ガ
ス、３０１３よりＳｉＨ４ガス、３０１４よりＰ　Ｈ３
／　Ｈ２ガス、３０１６よりＣＨ４ガス、不図示のボン
ベよりＳｉＦ４を供給しＣＴＬを、ＣＴＬの上にボンベ
３０１２よりＦ２ガス、３０１３よりＳｉＨ４ガスを供
給しＣＧＬを、該ＣＧＬ上にボンベ３０１２よりＦ２ガ
ス、ボンベ３０１３よりＳｉＨ４ガス、ボンベ３０１６
よりＣＨ４ガスを供給して表面層をそれぞれ順次形成し
、電子写真用光受容部材を形成した。

次にＦＯＣＶＤ法によって形成される電子写真用光受容
部材の製造方法について説明する。

第５７図にＦＯＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造装置を示す。

図中の４０１１．４０１２．４０１３．４０１４．４０
１５゜４０１６、４０１７のガスボンベには、本発明の
夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として、たとえば４０１１にはＳ　ｉ　Ｈ４ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、４０１２にはＦ２ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、４０１３にはＨ２で希
釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下「ＰＨ
３／ＦＩ２」と略す）ボンベ、４０１４にはＮｏガス（
純度９９．５％）ボンベ、４０１５には■１□で稀釈さ
れたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以下［Ｂ２Ｈ
８／Ｈ２Ｊと略す）ボンベ、４０１６にはＣＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、４０１７はＦ２ガス（１
０％Ｈｅ稀釈、純度９９．９９．％）である。

基体シリンダー上に本発明の層構成を持つ電子写真用光
受容部材の作成法を、具体例に基づいて述べる。

電子写真用光受容部材を形成する場合の一例として、電
荷注入阻止層形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス＋　　Ｆ２
ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス、Ｆ２ガスを、ＣＧ
Ｌ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス＋Ｆ２ガス
を、ＣＴＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス
、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｆ２ガスを、表面層形成用ガスと
して、ＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス。

Ｆ２ガスを用いる場合をとりあげる。

４０１１〜４０１６のボンベに充填されている原料ガス
は、４０３１〜４０３６の夫々のバルブ、４０５３〜４
０５８のマス７０−コントローラーを通り、４０２０か
ら４００１の真空チャンバーへ導入する。

４０１７のボンベに充填されているＦ２ガスは前記と同
様にして４０２１を通して４００１の真空チャンバーへ
導入する。

真空チャンバー４００１はメイン真空バルブ４００２を
介して、不図示の真空排気装置により排気される。

４０６１は基体シリンダー４０６０を成膜時に適当な温
度に加熱したり、あるいは成膜前に基体シリンダー４０
６０を予備加熱したり、更には成膜後、膜をアニールす
る為に加熱する基体加熱用ヒーターである。

基体加熱ヒーターは不図示の導線を介して、不図示の電
源より電力が供給される。

また、基体シリンダー４０６０は均一な膜を形成する為
に４０６２の回転機構により回転している。

４０１１〜４０１７のガスを４００１に導入するには、
４００１のチャンバー内が約５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒにな
った時点で種々のバルブ操作により、ゆっくりと導入し
なければならない。

また、チャンバー４００１内に設置された基体シリンダ
ー４０６０の温度は、前記ヒーター４０６１により５０
〜３５０℃の間の所望の温度迄加熱すればよい。

以上のようにして成膜準備が完了した後、基体シリンダ
ー４０６０上に電荷注入阻止層、ＣＴＬ、ＣＧＬの順で
成膜を行う。

電荷注入阻止層を形成するには、バルブ４０４６〜４０
４９を開け、流出バルブ４０３１．４０３２．４０３３
゜４０３４及び補助バルブ４０６０を徐々に開いてＳｉ
Ｈ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス＋Ｈ２ガスを反
応室４００１内に流入させる。この時、５ｉ）１４ガス
流量。

ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、ＮＯガス流量＋　Ｈ２ガス流量
が所望の値になるように流出バルブ４０３１．４０３２
゜４０３３、４０３４を調節し、また、反応室内の圧力
が所望の値になる不図示の真空計を見ながらメイ、ンバ
ルブ４００２の開口を調節する。

次に４０５２を開け、マスフローメータ４０５９を見な
がら、所望の流量まで４０３７のバルブを徐々に開けて
行き、流量の設定が終わり、所望の膜厚に電荷注入阻止
層を形成される時間がたてば電荷注入阻止層の形成を終
える。

上記のようにして作成された電荷注入阻止層上に、上記
と同様な操作によってＣＴＬ、ＣＧＬ表面層をそれぞれ
形成する。

それぞれの層については、それぞれ必要なガスを流し、
前記電荷注入阻止層と同様にバルブ操作をすればよい。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 第５４図の製造装置を用い、Ｒ，Ｆグロー放電により第
１表、第２表、第３表、第４表の作成条件に従って鏡面
加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容部
材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置に夫々セッ
トして、種々の条件Ωもとに、初期帯電能、感度、残留
電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また、
２００万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低
下９表面削れ。

画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けてドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第５表に示す。

第５表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著しい
優位性が認められた。

〈実施例２〉 第６４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１．　
２．６．７表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラ
ムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８表に示す。

第８表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。

〈実施例３〉 第６４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１．２
．９．１０表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラ
ムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１１表に示す。

第１１表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例４〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１．２
．　１２．１３表に示す作成条件で、実施例１と同様に
ドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１４表に示す。

第１４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例５〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１．２
．　１５．　１６表に示す作製条件で実施例１と同様に
ドラムを作製し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例６〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１．２
．　１８．　１９表に示す作製条件で実施例１と同様に
ドラムを作製し、同様の評価を行った。

その結果を第２０表に示す。

第２０表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例７〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２１表、第２２表に示す作製条件で実施例１
と同様にドラムを作製し、同様の評価を行った。

その結果を第２３表に示す。

第２３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例８〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２４表、第２５表に示す作成条件で実施例Ｉ
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２６表に示す。

第２６表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例９〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２７表、第２８表に示す作製条件で実施例１
と同様にドラムを作製し、同様の評価を行った。

その結果を第２９表に示す。

第２９表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１０＞ 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３０表、第３１表に示す作製条件で実施例１
と同様にドラムを作製し、同様の評価を行った。

その結果を第３２表に示す。

第３２表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１１＞ 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３３表、第３４表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第３５表に示す。

第３５表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１２＞ 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３６表、第３７表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第３８表に示す。

第３８表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１３＞ 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第３９表、第４０表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４１表に示す。

第４１表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１４〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第４２表、第４３表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４４表に示す。

第４４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１５〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第４５表、第４６表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第４７表に示す。

第４７表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１６＞ 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第４８表、第４９表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５０表に示す。

第５０表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１７〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第５１表、第５２表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５３表に示す。

第５３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１８＞ 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第５４表、第５５表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５６表に示す。

第５６表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例１９〉 第５４図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第５７表、第５８表に示す作成条件で実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第５９表に示す。

第５９表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例２０〉 第５５図の製造装置を用い、マイクロ波ＣＶＤ法にて第
６０表、第６１表、第６２表、第６３表の作製条件に従
って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用
光受容部材を形成した。

作製された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置に夫々セッ
トして、種々の条件のもとに初期帯電能、感度、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また２０
０万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下１
表面削れ。

画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第６４表に示す。

第６４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例２１＞ 第５６図の製造装置を用い、ＨＲＣＶ　Ｄ法にて第６５
表〜第６８表の作製条件に従って鏡面加工を施したアル
ミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。作
製した電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを光源
とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半
導体レーザーを光源とした電子写真装置にセットして、
種々の条件のもとに、初期帯電能、感度、残留電位、ゴ
ースト等の電子写真特性をチェックし、また２００万枚
相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下９表面削
れ１画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。更に、先端が球形の針に一定の荷重をかけ
て、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を調
べた。上記の総合的な評価結果を第６９表に示す。

第６９表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例２２〉 第５７図の製造装置を用い、ＦＯＣＶＤ法により第７０
表〜第７３表の作製条件に従って鏡面加工を施したアル
ミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。

作製された電子写真用光受容部材をハロゲンランプを光
源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する
半導体レーザーを光源とした電子写真装置にセットして
、種々の条件のもとに初期帯電能、感度、残留電位、ゴ
ースト等の電子写真特性をチェックし、また２００万枚
相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下２表面削
れ２画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧ＦＳ圧を加えることにより絶縁
耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重を
かけて、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性
を調べた。上記の総合的な評価結果を第７４表に示す。

第７４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例２３〉 鏡面加工を施したシリンダーを、更に様々な角度を持つ
剣バイトによる旋盤加工に供し、第４２図のような断面
形状で第７５表のような種々の断面パターンを持つシリ
ンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次第４２図
の製造装置にセットし、第７６表に示す作製条件のもと
にドラム作製に供した。作製されたドラムは、ハロゲン
ランプを光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波
長を有する半導体レーザーを光源とした電子写真装置に
より種々の評価を行い、第１７表の結果を得た。

〈実施例２４〉。

鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング粗球の落下のもとにさらして、シリンダー表面
に無数の打痕を生ぜしめる、いわゆる表面ディンプル化
処理を施し、第７８図のような断面形状で第７９表のよ
うな種々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意
した。該シリンダーを、順次第４２図の製造装置にセッ
トし、第２０表に示す作成条件のもとにドラム作成に供
した。

作成されたドラムは、ハロゲンランプを光源とした電子
写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半導体レーザ
ーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置により
種々の評価を行い、第８０表の結果を得た。

〈実施例２５〉 第３６図の製造装置を用い、第８１．　８２．　８３゜
８４表の作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し同
様の評価を行った。

その結果を第８５表に示す。

第８５表に見られるように全項目について良好な結果が
得られた。

第１表　ＣＴＬ成膜条件 第２表　ＣＧＬ成膜条件 第　　３　　表 第　　４　　表 第　　５　　表 Δ：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
５表の続き ◎　非常に良好　　　　　　　Ｏ：良　好△　実用上さ
しつかえない　　×・実用的に問題あり第５表の続き ◎・非常に良好　　　　　　○：良　好△　実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　６　　表 第　　７　　表 第　　８　　表 Δ・実用上さしつかえない　　×・実用的に問題あり第
８表の続き ◎　非常に良好　　　　　　　Ｏ良　好△　実用−ヒさ
しつかえない　　×　実用的に問題あり第８表の続き ◎　非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　９　　表 第　　１０　　表 第　　１１　　表 第１１表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○　良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　×　実用的に問題あり第１１表の続き ◎　非常に良好　　　　　　○・良　好△　実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　１２　　表 第　　１３　　表 第　　１４　　表 ◎　非常に良好　　　　　　　○：良　好△　実用上さ
しつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第１４表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○　良　好△　実用上さ
しつかえない　　Ｘ　実用的に問題あり第１４表の続き ◎　非常に良好　　　　　　Ｏ・良　好Δ　実用上さし
つかえない　Ｘ　実用的に問題あり第　　１５　　表 第　　１６　　表 第　　１７　　表 第１７表の続き ◎・非常に良好　　　　　　　○　良　好△　実用上さ
しつかえない　　×　実用的に問題あり第１７表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　１８　　表 第　　１９　　表 第　　２０　　表 第２０表の続き ◎・非常に良好　　　　　　　○：良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　×・実用的に問題あり第２０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　２１　　表 第　　２２　　表 第　　２３　　表 第２３表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○、良　好△、実用上さ
しつかえない　　×、実用的に問題あり第２３表の続き ◎、非常に良好　　　　　　○：良　好△、実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　２４　　表 第　　２５　　表 第　　２６　　表 第２６表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　Ｏ良　好Δ：実用上さし
つかえない　　×　実用的に間層あり第２６表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　２７　　表 第　　２８　　表 第　　２９　　表 第２９表の続き ◎、非常に良好　　　　　　　○：良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　Ｘ、実用的に問題あり第２９表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　　３０　　　
表 第　　３１　　表 第　　３２　　表 △　実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第
３２表の続き ◎　非常に良好　　　　　　　Ｏ１良　好Δ。実用上さ
しつかえない　　×、実用的に問題あり第３２表の続き ◎：非常に良好　　　　　Ｏ：良　好 Δ：実用上さしつかえない　×：実用的に問題あり第　
　　３３　　　表 第　　３４　　表 第　　３５　　表 第３５表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ＝良　好△　実用上さし
つかえない　　×・実用的に問題あり第３５表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良　好△：実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第　　　３６　
　　表 第　　３７　　表 第　　３８　　表 ◎：非常に良好　　　　　　　０：良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　×・実用的に問題あり第３８表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○：良　好Δ・実用上さ
しつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第３８表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○、良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第　　　３９　
　　表 第　　４０　　表 第　　４１　　表 ◎、非常に良好　　　　　　　○・良　好△　実用上さ
しつかえない　　×、実用的に問題あり第４１表の続き ◎・非常に良好　　　　　　○　良　好Δ　実用上さし
つかえない　　×・実用的に問題あり第４１表の続き ◎：非常に良好　　　　　Ｏ：良　好 △・実用上さしつかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　
　　４２　　　表 第　　４３　　表 第　　４４　　表 第４４表続き ◎：非常に良好　　　　　　　Ｏ９良　好△　実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第４４表続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好　　　〜へ：実
用上さしつかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　　４
５　　　表 第　　４６　　表 第　　４７　　表 Δ・実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第
４７表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　○、良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　×・実用的に間層あり第４７表の続き ◎、非常に良好　　　　　　○：良　好Δ：実用上さし
つかえない　×・実用的に問題あり第　　　４８　　　
表 １１４９表 第　　５０　　表 第５０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　０：良　好Δ：実用上さ
しつかえない　　Ｘ　実用的に問題あり第５０表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　　５１　　　
表 第　　５２　　表 第５３表 Δ・実用上さしつかえない　　×　実用的に問題あり第
５３表の続き ◎・非常に良好　　　　　　Ｏ・良　好Δ：実用上さし
つかえない　　×８実用的に問題あり第５３表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好Δ：実用上さし
つかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第　　　５４　　
　表 第　　５５　　表 第　　５６　　表 Δ、実用上さしつかえない　　×、実用的に問題あり第
５６表の続き ◎　非常に良好　　　　　　　Ｏ：良　好Δ　実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第５６表の続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△：実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　　５７　　　
表 第　　５８　　表 第　　５９　　表 ◎、非常に良好　　　　　　　Ｏ０良　好△、実用上さ
しつかえない　　×　実用的に問題あり第５９表の続き ◎：非常に良好　　　　　　　０・良　好Δ・実用上さ
しつかえない　　Ｘ−実用的に問題あり第５９表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　　６０　　　
表 第　　６１　　表 第６２表　ＣＧＬ成膜条件 第６３表　ＣＴＬ成嘆成性 条件　６４　　表 Δ　実用上さしつかえない　　×、実用的に間層あり第
６４表の続き ◎・非常に良好　　　　　　　○、良　好△　実用上さ
しつかえない　　Ｘ：実用的に問題あり第６４表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ：良　好△：実用上さし
つかえない　Ｘ：実用的に問題あり第　　　６５　　　
表 第　　６６　　表 第６７表　ＣＧＬ成膜条件 第６８表　ＣＴＬ成膜条件 第　　６９　　表 第６９表続き ◎＝非常に良好　　　　　　　○：良　好Δ　実用上さ
しつかえない　　×。実用的に問題あり第６９表続き ◎：非常に良好　　　　　　○：良　好△、実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　　７０　　　
表 第　　７１　　表 第７２表　ＣＧＬ成膜条件 第７３表　ＣＴＬ成膜条件 第　　７４　　表 ◎：非常に良好　　　　　　　Ｏ・良　好△・実用上さ
しつかえない　　×；実用的に問題あり第７４表の続き ◎　非常に良好　　　　　　　○：良　好Δ・実用上さ
しつかえない　　×：実用的に問題あり第７４表の続き ◎：非常に良好　　　　　　Ｏ：良　好Δ・実用上さし
つかえない　×：実用的に問題あり第　　７６　　表 第　　　７５　　　表 第　　　７７　　　表 ◎□非常に良好 ○□良好 △□実用上さしつかえない ×□実用的に問題あり 第　　７９　　表 第　　　７８　　　表 第　　　８０　　　表 ◎□非常に良好 ○□良好 △□実用上さしつかえない Ｘ□実用的に問題あり 第　　　８１　　　表 第　　８２　　表 第８３表　ＣＧＬ成膜条件 第８４表　ＣＴＬ成膜条件 第　　８５　　表 第８５表の続き ◎、非常に良好　　　　　　　０−良　好Δ・実用上さ
しつかえない　　×、実用的に問題あり第８５表の続き ◎・非常に良好　　　　　○：良　好 △：実用上さしつかえない　×・実用的に問題あり〔発
明の効果の概略〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−３ｉで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に、極めて優れた初期帯電能、連続繰返し使
用特性、電気的耐圧性。

使用環境特性および耐久性等を有するものである。

また、その電気的特性が安定しており、それを用いて得
られる画像は、濃度が高（、ハーフトーンが鮮明に出る
等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明においては、ＣＴＬとＣＧＬを用いた機能分
離型の構成とし、ＣＴＬに伝導性を制御する物質として
周期律表第Ｖ族原子（Ｍ）を層厚方向に不均一または部
分的に不均一に分布する状態で含有させると共に、炭素
原子、窒素原子、酸素原子の中、少なくとも一種を含有
させたことにより、夫々の層の特性に合わせた自由な設
計が可能となり、電荷の発生とＣＧＬからＣＴＬへの注
入と輸送がすみやかに行われ、特に、優れた帯電能、感
度を持ち、残留電位、ゴーストが少な（、また、画像に
おいても解像度が高く、且つ高品質な画像を安定し繰り
返し得る事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、 第２図乃至第５図は各々支持体表面の凹凸形状および該
凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図、 第６図乃至第１１図は、各々電荷注入阻止層に含有され
る伝導性を制御する物質（ＭＯ）の分布状態を説明する
ための説明図、 第１２図乃至第１７図は、夫々電荷注入阻止層中に含有
される炭素原子または／および酸素原子または／および
窒素原子の分布状態を説明するための説明図、 第１８図乃至第５３図は、夫々ＣＴＬに含有される原子
（Ｙ）の分布状態の説明図、 第５４図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＲＦを用いたグロー放電
法による製造装置の模式的説明図、第５５図は本発明の
電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置
の一例で、マイクロ波を用いたグロー放電法による製造
装置の模式的説明図、 第５６図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＨＲＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第５７図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＦＯＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第５８図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲ
１Ｆグロー放電を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第５９図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをマ
イクロ波グロー放電を用いて形成する場合の不純物ガス
およびドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示
す図、 第６０図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＨ
、Ｒ、ＣＶ　Ｄ法を用いて形成する場合の不純物ガスお
よびドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す
図、 第６１図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＦ
、０．ＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第６２図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の断面形状がＶ字形である場合のシリ
ンダー断面の拡大図、 第６３図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の表面がいわゆるディンプル化処理さ
れた場合のシリンダー断面の拡大図、第６４図は本発明
の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲＦグロー放電を用
いて形成する実施例の場合の不純物ガスおよびドーピン
グガスの成膜時における流量変化を示す図である。 第１図について、 １００・・・・・・・・・・・・・・・・・・−・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・光受容部材１０１・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・支持体１０２・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容層１０
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電荷注
入阻止層１０４　　・・・・・・・・・・・・・・・・
川・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　ＣＴ
Ｌ１０５　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　ＣＧＬ１
０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・表面層１０７・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・自由表面第３図、第４図について、 ３０１、４０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・支持体３０２、４０２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・支持体表面３０３．４０３・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・剛体真球３０４．
４０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・球状痕跡窪み第５図
について、 ５００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・光受容層５０１・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・支持体５０２・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・電荷注入阻止層５０３・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ＣＴＬ５０４　　・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
川・・・・　ＣＧＬ５０５・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
表面層５０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・自由表面第５４図にお
いて、 １００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・反応室１００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・メイン排気バルブ１００３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・反応室リーク・バルブ１００４・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・真空計１００７・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・シリンダー基体１００８・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体
加熱用ヒーター１００９・・・・・・・・・・・・・・
シリンダー基体回転用モーター１０１０・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｒ，
Ｆ電源ｔｏｌｌ−１０１７・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・原料ガス・ボンベ１０２１−１０
２７　　・・・・・マス・フロｍ−コントローラー１０
３１−１０３７　・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ガス流入バルブ１０４１−１０４
７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ガス流出バルブ１０５１−１０５７　・・・・・
・・原料ガス争ボンベのバルブ１０６１−１０６７　・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・圧力調節器第５５図について、 ２００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・反応室２００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・メイン排気バルブ２００３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・反応室リーク用バルブ２００４・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・真空計２００５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体加熱用ヒ
ーター２００６・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シリンダ
ー状基体２００７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体回転用モー
ター２００８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・マ
イクロ波電源２００９・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導波管２０
１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・誘電体窓２０１１〜２０１７　・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・原料ガス・
ボンベ２０２１〜２０２７　・・・・・・・マス・フロ
ー・コントローラー２０３１〜２０３７・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ガス流入バ
ルブ２０４１〜２０４７・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ガス流出バルブ２０５１〜
２０５７・・・・・・・原料ガス・ボンベのバルブ２０
６１〜１２６７・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・圧力調節器第５
６図について、 ３００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・成膜室３００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・活性化室（Ａ）３０
０３．３０１８・・・・・・・・マイクロ波プラズマ発
生装置３００４、３０１９・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・原料ガス導入管３００５
、３０２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・活性種導入管３００６・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・モーター３００７・・・・・・・・・・・・・・
シリンダー基体加熱用ヒーター３００８、３００９・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・吹き出し管３０１Ｏ・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・シリンダー状の基体３０１１　・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・メイン排気バルブ３０１２〜３０１６　・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・原料ガ
ス・ボンベ３０１７・・・・・−・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・活性化室（Ｂ）第５７図について、 ４００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・反応室４００２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・メイン排気バルブ４０１１〜４０
１７　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・原料ガスボンベ４０２０、４０２１・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・原料
ガス導入管４０３１〜４０３７　・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・流出バルブ４０４６〜４０５２・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・流入バルブ４０５３〜４０５９　・・・・・・・・マ
ス・フロー・コントローラー４０６０・・・・・−・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・シリンダー状基体４０６１　・・・・・・
・・・・・・・・　シリンダー状基体加熱用ヒーター４
０６２・・・・・・・・・・・・・・・・　シリンダー
基体回転用モーターｃ　　　　　　　　　　　　−一一
争ＣＣ−Ｑ （−Ｃ Ｃ□Ｇ 第２６図　　　第２８図 躬ｚ７０　　　策２灯図 ＣＣ −ｃ　　　　　　　　　　　　　−Ｑ 第３Ｂ曹　　　第４θ凶 第３７図　　端４７２ ０　　　　ＧＮ　　、　　　　’１ｃｙｕ　Ｃｙｅｓ　
　　、　Ｃｙａｚ□ＣＣ 第５５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、電荷注入阻止層、電荷
   輸送層、電荷発生層及び表面層とをこの順で積層した層
   構成の光受容層を有し、前記電荷輸送層と前記出電荷発
   生層とがシリコン原子を母体とし、水素原子およびハロ
   ゲン原子の中の少なくともいずれか一方を含有する非単
   結晶材料で構成され、且つ前記電荷輸送層が、炭素原子
   、窒素原子および酸素原子の中の少なくとも一種を含有
   すると共に、伝導性を制御する物質として周期律表第Ｖ
   族に属する原子を、層厚方向に不均一な分布状態で含有
   する部分を少くとも有する事を特徴とする電子写真用光
   受容部材。