JPS62205361A

JPS62205361A - 電子写真用光受容部材及びその製造方法

Info

Publication number: JPS62205361A
Application number: JP61048018A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井; Keishi Saito; 恵志斉藤; Takashi Arai; 新井　孝至; Minoru Kato; 実加藤; Yasushi Fujioka; 靖藤岡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-03-05
Filing date: 1986-03-05
Publication date: 1987-09-09
Also published as: US4940642A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する分野の説明〕本発明は光（ここでは広義の光であって紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、γ線なとを意味する。）のような電
磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材及びそ
の製造方法に関する。

〔従来の技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、５Ｎ
１ｔ（光電流（Ｉ　ｐ）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、
照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペク
トル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗
値を有すること、使用時において人体に対して無公害で
あること、等の特性が要求される。殊に、事務機として
オフィスで使用される電子写真装置に組込まれる電子写
真用光受容部材の場合Ｕ゛は、上記の使用時における無
公害性は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）があ
り、たとえば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報にｔｉ電Ｙ−写真用光受容部材と
しての応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−３ｉで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用
環境特性の点、更には経時的安定性および耐久性の点に
おいて、各々、個々には特性の向りが計られているが、
総合的な特性向上を計る−１−で更に改良、される余地
が存するのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に旧ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な
点が少なくなかった。

又、Ａ−３ｔ材料で光受容層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子あ
るいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子、および
電気的伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或い
はその他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子
として光導電層中に含有されるが、これらの構成原子の
含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは
光導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、或いは、転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ
」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思われる
画像欠陥や、クリーニングにブレードを用いると、その
摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云われている
画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰囲気中で使
用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した直後に
使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくな
かった。

従って、Ａ−Ｓｉ材料そのものの特性改良が計られる一
方で光受容部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決されるように層構成、各層の化学的組成２作成
法などが工夫される必要がある。

中でも、電荷注入阻止層の形成においてこれを多結晶質
化することにより、ドーピング特性が向上し電荷移送度
が早くなり整流性が増す為従来よりも電荷注入阻止層の
薄膜化が可能となる。更には、形成した多結晶性の電荷
注入阻止層は密着性が良く画像画節の要因となるハガレ
等を生じ難く、劣化も少なくなることが期待される。

しかし、従来の薄膜形成法で多結晶質膜を形成するため
には、たとえばプラズマＣＶＤ法では強い放電電力及び
高い基板温度等を必要とするので膜のダメージも大きく
安定して良品質の多結晶質膜を得ることが困難であり量
産化には至っておらず新規な形成法の開発が切望されて
いる。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きＡ−Ｓｉで構成された光受容層を
有する従来の電子写真用光受容部材及びその製造方法に
おける諸問題を解決することを目的とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導電
的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的に常
時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際して
も劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位
が全くかまたは殆んど観測されない、Ａ−３ｔ及び多結
晶シリコンで構成された光受容層を有する電子写真用光
受容部材及びその製造方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、Ａ−
３ｉ及び多結晶シリコンで構成された光受容層を有する
電子写真用光受容部材及びその製造方法を提供すること
にある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、Ａ−３ｉ
及び多結晶シリコンで構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材及びその製造方法を提供することにあ
る。

本発明の別の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易
にできる、電子写真用のＡ−Ｓｉ及び多結晶シリコンで
構成された光受容層をイ１する電子写真用光受容部材及
びその製造方法を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性お
よび高電気的耐圧性を有する、Ａ−Ｓｔ及び多結晶シリ
コンで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部
材及びその製造方法を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
上に、シリコン原子を母体とした多結晶質材料で構成さ
れ、伝導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層一
層と、シリコン原子を母体とし、水素原子及びハロゲン
原子の少なくともいずれか一方を構成要素として含む非
晶質材料（以後ｒＡ−ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記す
る）で構成され、光導電性を示す光導電層と、シリコン
原子と炭素原子と水素原子とを構成要素として含む非晶
質材料で構成されている表面層とから成る光受容層とを
有する電子写真用光受容部材に於いて、前記電荷注入阻
止層が電荷注入阻１１層の形成に利用される前駆体と該
前駆体と化学的相互作用をする活性種とを夫々側々に成
膜空間内に導入して化学反応させることによって形成さ
れた多結晶質材料により構成；されていることを特徴と
している。

又、前記表面層にはハロゲン原子が含有されていてもよ
く、更に前記光導電層には炭素原子、酸素原子、窒素原
子の中小なくとも１種類の原子を含有してもよい。

前記電荷注入用１Ｆ一層には層厚方向に均一に又は支持
体側に多く分布する分４ｊ状態で構成原子として、伝導
性を制御する物質が含有されていても良い。

電荷注入用１１一層にはさらに層厚方向に均一・に又は
支持体側に多く分布する分布状態で構成原子として酸素
原子又は／及び窒素原子を含有してもよい。又、前記電
荷注入ｔｉ１１．　ｔｔ：層中の酸素原子又は／及び窒
素原子は支持体側に内在してもよい。

又、前記光導電層は構成原子として酸素側子、窒素原子
及び伝導性を制御する物質の少なくとも一方を含有して
もよい。

伝導性を制御する物質としては周期律表第■族もしくは
第Ｖ族に属する原子を用いることができる。

又、前記電荷注入阻止層と支持体の間に、シリコン原子
とゲルマニウム原子を含有し、長波長光に感度を有する
非晶質材料で構成された艮波長光感光層を設けても良い
。

さらに前記電荷注入阻止層層及び前記長波長光感光層中
に含有される炭素原子、酸素原子、窒素原子及び伝導性
を制御する物質の少なくともいずれか１つと長波長光感
光層中に含有されるゲルマニウム原子は必要に応じて層
厚方向に均一に分布しても良いし、又不拘−に分布して
も良い。

本発明の電子写真用光受容部材の製造方法は、主として
シリコン原子を母体とした多結晶質材料で構成され伝導
性を制御する物質を含有する電荷注入阻１．ｆ一層を電
荷注入阻［１；層の形成に利用される前駆体と該前駆体
と化学重相！ｆ作用をする活性種とを夫々側々に成膜空
間内に導入して化学反応させることによて形成すること
を特徴どしている。

又、前記前駆体はケイ素とハロゲンとを含む化合物を活
性化するこ、とにより生成される前駆体であり、更に前
記活性種は水素を含む化合物を活性化することにより生
成される活性種であることを特徴としている。そして、
前記水素を含む化合物としては水素ガスであっても良い
し、あるいは水素原子を構成成分として含むガスであっ
ても良い。

さらに、前記前駆体又は／及び活性種は酸素又は／及び
窒素を含む化合物を活性化することにより生成された前
駆体又は／及び活性種を含んでも良い。

加えて、前記前駆体の伝導性を制御する物質とｌ、て周
期律表第■族に属する原子を含む化合　。

物を活性化することにより生成される前駆体を含んでも
良く、また伝導性を制御する物質として周期律表第Ｖ族
に属する原子を含む化合物を活性化することにより生成
される前駆体を含んでも良い。

又、本発明の電子写真用光受容部材の製造法は、非晶質
材料で構成されている光導電層又は／及び表面層を、光
導電層又は／及び表面層の形成に利用される前駆体と該
前駆体と化学的相互作用をする活性種とを夫々別々に成
膜空間内に導入して化学反°応させることによって形成
しても良いし、あるいは他の真空堆積法たとえばグロー
放電法、マイクロ波放電法、スパッタリング法、或いは
イオンブレーティング法等の放電現象を利用する方法に
より形成しても良い。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを解決
し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電
気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

すなわち、電子写真用光受容部材として適用させた場合
には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材及び
その製造法に就いて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材を説明する為
に示した模式的構成図である。

第１図に示す電子写真用光受容部材は、光受容層１００
が光受容部材用としてのは支持体１０１の上に設けられ
ており、該光受容層１００は、多結晶シリコンで構成さ
れている電荷注入阻止層１０２、Ａ　−Ｓ　＊　（Ｈ、
Ｘ）　カラ成り、光導電性を有する光導電層１０３と、
シリコン原子と、炭素原子と水素原子とを構成要素とす
る非晶質材料で構成されている表面層１０４とから成る
層構成をし、表面層１０４は自由表面１０５を有する。

以下、本発明の電子写真用光受容部材を構成する各層に
ついて記載する。

え−葺一遺本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎ　ｉＣｒ　＋ステンレス、ＡＪＩ、Ｃｒ、Ｍｏ
　、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属またはこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙などが通常使用
される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＭ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２　
、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ
、ＡＭ。

Ａｇ　、Ｐｂ　、Ｚｎ　、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ　、Ｍｏ
　。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望
によって、その形状は決定されるが、例えば、連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの電子写真用光受容
部材が形成される様に適宜決定されるが、電子写真用光
受容部材として可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。しかしながら１、′５゛の様な場合、支持
体の製造上及び取扱い上５機械的強度等の点から、通常
はＬＯＩｔ以上とされる。。

特にレーザー光などの可干渉性光を用い−Ｃ像記録を行
なう場合には、可視画像において現われる、所謂、−Ｉ
−渉縞模様による画像不良を解消するために、支持体表
面に凹凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に従
って設剖されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を正
確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削却下法によって形成される
凹凸が作り出す逆ｖ字彫線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした螺線描造を有する。逆■字形突起部
の螺線描造は、二重、三重の多重螺線描造、又は交叉螺
線構造とされ壬も差や牙ない。

或いは、螺線ｍ造に加メ−て中心軸に沿った−・１・行
構造を導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
：される各層の微小カンム内ｉｓ″於ける層厚の管理き
れた不均一化と、！、７持休と体支ね体上に直接設けら
れる層との間に良好な密着性や所望の電気的接触を確保
する為に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第１４図にイ
、される様に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは
不等辺ニー；角形とされるのが望ましいにれ′すの形状
の中殊に二等辺三角形、直角五角形が望」：１．い。

本発明に於ては、ｆ６即された状Ｎｇ　ｆ支持体表面に
設けＩうれる凹凸の名デイメンジ１ンは、以下の点を考
慮１．た＋で、本発明のＬ１的を結果的に達成出来る様
に設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−３ｉ（Ｈ、Ｘ）層
は、層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面
状態に応じて層品質１！大きく変化する。

従って、Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）層の層品質の低ｔを招来し
ない様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があるど、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

又、ブｊ／−ドクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積−にの問題点、電子写真法のプロセス七
の問題点及び、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００　ｇ　
ｍ　〜０．３　ｌｂ　ｍ、より好ましくは２００７ｔｍ
　〜１　ｇｍ、　＠適には５０ｇｍ〜５　ｊｒ、　ｍで
あるのが望ましい。

また、四部の最大の深さは、好ましくは０．１ｐ、　ｍ
　〜５　ｐＬｍ、より好ましくは０．３　ｐ、　ｍ　〜
３ｇｍ、最適には０−６４．ｍ〜２１Ｌｍとされるのが
望ましい。支持体表面の四部のピッチと最大深さが−［
−記の範囲にある場合、四部（又は線上突起部）の傾斜
面の傾きは、好ましくは１１ＪＪ〜２０度、より好まし
くは３度−１５１ｍ、＆適（、こｒ−Ａ４　＋ｗ〜・１
０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体−にに堆積きれる各層の層圧の不均
一・に基く層厚差の最大は１回−ピッチ内で好ましくは
０．１ｇｍ〜２メＬｍ、より好ま１゜くは０．１　メＬ
ｍ　〜１．５　ｐ−ｍ、最適には０．２　ＩＩ、ｍ　−
１μｍとされるのが望ましい。

又、し・−チー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方ｊすとして、支
持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けて
もよい。

即ち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求される
解像力よりも微小な凹凸を有１〜、ｌ／かも該凹凸は、
複数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、未発明の′市−ｆ写真用光受容部材における支
持体の表面の形状及びその好適な製造例を第１６図及び
第１７図により説明するが、本発明の光受容部Ｈにおけ
る支持体の形状及びその！ＩＪ造法は、これによって限
定、されるものではない。

第１６図は、本発明の電子写真用光受容部材における支
持体の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部
を部分的に拡大して模式的に示すものである。

第１６図に於て１６０１は支持体、１６０２は支持体表
面、１６０３は剛体真珠、１６０４は球状痕跡窪みを示
している。

更に第１６図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。

即ち、剛体真珠１６０３を支持体表面１６０２より所定
高さの位置より自然落下させて支持体表面１６０２に衝
突させることにより、球状窪み１６０４を形成し得るこ
とを示している。そして、はぼ同一径Ｒ′の剛体真珠１
６０３を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同時
あるいは逐時、落下させることにより、支持体表面１６
０２に、はぼ同一曲率半径Ｒ及び同一幅りを有する複数
の球状痕跡窪み１６０４を形成することができる。

前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第１７図に示す。

図に於いて、１７０１は支持体、１７０２の点線は凹凸
部の凸部の位置を、１７０３は剛体真球を、１７０４は
凹部表面を示している。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒ及び幅りは
、こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を
防１トする作用効果を効率的に達成するためには重要な
要因である。本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下
のところを究明した。即ち、曲率半径Ｒ及び幅りが次式
：％式％を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
とになる。更に次式：％式％を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうした事から、光受容部材の全体に発生する干渉縞を
各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材に於ける干
渉縞の発生を防止するためには、前記旦を０．０３５．
好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

又、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００　
ｌＬｍ程度、好ましくは２００７ｉｍ以下、より好まし
くは１１００ＪＬ以下とするのが望ましい。

第１５図は、」二記方法によって形成された凹凸形状を
有する支持体１５０１上にその凹凸の傾斜面に沿って、
光受容層１５００を備えた光受容部材を示している。こ
のとき、自由表面１５０４並びに光受容層１５００中に
形成される界面における傾斜の程度が異なるため、自由
表面１５０４並びに光受容層１５００中に形成される界
面での反射光の反射角度が各々異なる。

従って、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェ
アリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されると
ころとなる。これによりこうした光受容部材を介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮りに現出され
たとしても、それらは視覚的にはとらえられない程度の
ものとなる。即ち、かくなる表面形状を有する支持体１
５０１の使用は、その上に多層構成の光受容層１５００
を形成してなる光受容部材にあって、該光受容層１５０
０を通過した光が、層界面及び支持体表面で反射し、そ
れらが干渉することにより、形成される画像が縞模様と
なることを効率的に防止する。

第１５図に於いて、１５０２−１は電荷注入阻止層、１
５０２−２は光導電層、１５０３は表面層である。

１１１λ皿上上本発明の方法では、多結晶質材料で構成される電荷注入
阻止層一層としての堆積膜を形成する成膜空間でプラズ
マを使用しないので、堆積膜の形成パラメーターが導入
する前駆体皮び活性種の導入量、支持体及び成膜空間内
の温度、成膜空間内の内圧となり、したがって堆積膜形
成の条件設定が容易になり、再現性、量産化のある堆積
膜を形成させることができる。

尚、未発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の原
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆んど出来ないものを云う。

「活性種」とは、前記前駆体と化学的相圧作用を起して
例えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的
に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出
来る状態にする役目を荷うものを云う。従って、活性種
としては、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る
構成要素を含んでいても良く、或いはその様な構成要素
を含んでいなくとも良い。

本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの前駆体は、生産生及び取り扱い易さなどの点から、
その寿命が好ましくは０．１秒置上１、より好ましくは
１秒置ｌ−１、最適には５秒置Ｉ−，あるものが、所望
に従って選択されて使用され、この前駆体の構成要素が
Ｉ＆成膜空間形成させる堆積膜を構成する１−２成分を
構成するものとなる。又、活性化空間（Ｂ）から導入さ
れる活性種は、その寿命が好まり、＜は１０秒以下、よ
り好ましくは８秒以下、最適には５秒以下のものである
。この活性種は成膜空間で１１１積膜を形成する際、同
時に活性化空間（Ａ）から成膜空間に導入され、形成さ
れる堆積膜のに構成成分となる構成要素を含む前記前駆
体と化学的に相１ｊ作用を行ない、更に支持体から熱エ
ネルギーを供給され、その結果、所望の支持体−１に多
結晶質の堆積膜が容易に形成される。

本発明の方法によれば、成膜空間内でプラズマを生起、
させないで形成される堆積膜は、エツチング作用、或い
はその他の例えば異常放電作用等による悪影響を受ける
ことは、実質的にない。又、本発明によれば成膜空間の
雰囲気温度、支持体温度を所望に従って任意に制御する
ことにより、より安定したＣＶＤ法どすることができる
。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間に於いて活性化された活
性種を使うことである。このことにより、従来のＣＶＤ
法より堆積速度を早めることが出来、加えて多結晶質の
堆積膜形成の際の支持体温度も−・層の低温化を図るこ
とが可能になり、膜品質の安定した多結晶質の堆積膜を
工業的に量産化でき、しかも低コストで提供出来る。

本発明に於て、活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素と
ハロゲンを含む化合物どしては、例えば鎖状又は環状水
素化り・イ素化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲ
ン原子で置換した化合物が用いられ、具体的には、例え
ば、５ｉｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、Ｃ
ｆｌ。

Ｂｒ及びＩより選択される少なくとも一種の元素である
。、）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖＹ２ｖ
（Ｖは３以」二の整数、Ｙは前述の意味をイ１する。）
で示される環状ハロゲン化ケイ素５ｉｕＨＸＹｙ（ｕ及
びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ−２ｕ又は２　ｕ　
−１−２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。

具体的には例えばＳｉＦ４、（ＳｉＦ２）５、（ＳｉＦ
２）６、（ＳｉＦ２）４．５ｔ２ＦＢ、５ｉ３ＦＢ、Ｓ
　１４Ｆ１０．Ｓ　１ＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ３
Ｆ、ＳｉＣ文４．（ＳｔＣΩ、２）５、ＳｉＢｒ４、（
ＳｉＢｒ２）５．５ｉ２ＣＪ１ｓ、Ｓ　ｉ　３Ｃｕ８．
５ｉ２Ｂｒ６．５ｉ３Ｂｒｅ、５ｉＨＣ，Ｑ３．５ｉＨ
２Ｃｆ１２．５ｉＨＢｒ３．５ｉＨ２Ｂｒ２、Ｓ　ｉ　
ＨＩ　３．５ｉＨ２Ｉ２、Ｓ　ｉ　２Ｈ３Ｆ３．５ｉｚ
Ｃ文３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し得るも
のが挙げられる。

これらのケイ素化合物は、１種用いても２種以上を併用
してもよい。

前記ケイ素とハロゲンを含む化合物から堆積１１２形成
川の前駆体を生成さゼる場合には、この化合物に加えて
、必要に応じてケイ素単体等他のケイ素化合物、水素、
ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス、Ｃ交２ガス、ガス化
したＢｒ２、Ｉ２等）なとを併用することができ、又、
稀釈ガスとしてヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性
ガスを用いることもできる。

本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で前駆体
及び活性種を夫々生成させる方法としては各々の条件、
装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電
気エネルギー、ヒーター加熱、赤外線加熱等による熱エ
ネルギー、光エネルギーなどの励起エネルギーが使用さ
れるが、所望により上記励起エネルギーに加えて触媒と
の接触又は添加を行っても良い。

前述したシリコンとハロゲンを含む化合物に、活性化空
間（Ａ）で電気、熱、光などの励起エネルギーを加える
ことにより、又、所望により触媒の作用下で前駆体が生
成される。

本発明の方法で用いられる、活性化空間（Ｂ）に於いて
活性種を生成させる水素を含む化合物としては、水素ガ
ス又はハロゲン化水素化合物（例えばＨＦガス、ＨＣＭ
ガス、ガス化したＨＢｒ、ＨＩ等）等の水素を構成成分
として含むガスが有利に用いられる。また、これらの水
素を含む化合物に加えて、例えばヘリウム、アルゴン、
ネオン等の不活性ガスを希釈ガスとして用いることもで
きる。これらの水素を含む化合物の複数を用いる場合に
は、予め混合して活性化空間（Ｂ）内に導入することも
できるし、あるいはこれらの水素を含む化合物を夫々独
立した供給系から各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）に
導入することもできるし、又夫々独立の活性化空間に導
入して、夫々個別に活性化することもできる。

本発明において、ｆ＆成膜空間導入される前記前駆体と
前記活性種との量の割合は、成膜条件、活性種の種類な
どで適宜所望に従って決められるが、好ましくは２０：
１−１：２０（導入流量比）が適当であり、より好まし
くは１０：ｌ〜１：１０とされるのが望ましい。

また、本発明の方法により形成される電荷注入阻止層は
成膜中又は成膜後に半導体分野における、いわゆる不純
物原子でドーピングされる。使用する不純物原子として
は、ｐ型体導性を与える不純物として、周期律表第■族
の原子、例えばＢ、ＡＭ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｕ等が好適な
ものとして挙げられ、ｎ型伝導性を与える不純物として
は、周期律表第Ｖ族の原子、例えばＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
Ｅ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ、Ｇａ、
Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的φ光学的特性に応じて適宜決定さ
れる。

かかる不純物原子を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体になり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい。

この様な化合物としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３　
。

ＰＦ５．ＰＣＪＬ３．ＡｓＨ３，ＡｓＦ３．ＡｓＦ５　
　、ＡｓＣｌ３　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ５　　、Ｓ　　ｉ
Ｈ３、ＢＦ３　　、ＢＣｌ２　、ＢＢｒ３　　、Ｂ２Ｈ
６。

Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０゜Ｂ６
Ｈ１２，ＡｌＣｌ３等を挙げることができる。不純物元
素を含む化合物は、１種用いても２種以上併用してもよ
い。

不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間（Ｂ）に、前駆体及び活性種の夫々を生成する各
物質と共に導入されて活性化しても良いし、或いは、活
性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは別の第３の活
性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良い。

不純物導入用物質と前述の励起エネルギーを適宜選択し
て採用することが出来る６不純物導入用物質を活性化し
て生成される前駆体（ＰＮＡ）は、前記前駆体又は／及
び活性種と予め混合されて、又は独立に成膜空間に導入
される。

また、本発明の方法により形成される電荷注入阻止層：
層は酸素原子又は／及び窒素原子を含有させることがで
きる。かかる酸素原ｒ９は／′及び窒素原子は、酸素原
子又は７／及び窒素ノヴ子を含む化合物を活性化するこ
７）二により生成される前駆体を用いて該層中に含有さ
せることが好ましい。

酸素原子又は／及び窒素原子を含む化合物は、活性化空
間（Ａ）又は／及び活性化空間（Ｂ）に、前駆体及び活
性種の夫々を生成する名物質と共に導入されて活に１化
しても良いＦ２、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化
空間（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（Ｄ）に於いて活
性化されても良い。

酸素原子又は／及び窒素原子を含む化合物と前述の励起
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される前駆体（ＰＮ日）
は、前記前駆体又は／及び活性種と予め混合されて、又
は独立に成膜空間に導入される。

酸素原看又は／及び窒素原子を含む化合物は、活＋１化
空間（Ａ）又は／及び（Ｂ）に導入される以ｉｔＩに既
に気体状態となっ−Ｃいるか、あるいは気体状態とされ
て導入されることがｌＩｒまＩ７い。例ス−ば液体及び
固体の化合物を・用いる場合、化合物供給源に適宜の気
化装置を接続し−ｒ化合物を気化Ｉ、２てから活性化空
間（Ａ）又は／及び（Ｉ３）に導入することができる。

窒素原子を含む化合物と１２では、窒素単体（Ｎ２）、
並びに窒素と窒素以外の原子の１種又は２挿具−１、と
を構成原子とする化合物が挙げられる。前記窒素以外の
原子ど１〜では、水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ＝Ｆ、ＣＭ
、Ｂｒまだｔ」工）、イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ）、酸素
（０）、ケイ素（Ｓ　ｉ）　、ゲルマニウム（Ｇｅ）、
等があり、この他に周期律表６族に属する元素の原子の
うち窒素と化合しイ■（る原子であって、本発明の目的
を達成り、得る化合物の構成原子となる原子であるなら
ば大概の原子を使用１−ることがＣきる。

因みに、例えばＮどＩ（を含む化合物としては、ＨＮ３
　、ＮＨ４Ｎ３　、ＮＨ５、Ｈ２ＮＮＨ２、第１乃至第
３アミン、このアミンのハロゲン化物、ヒドロキシルア
ミン等、ＮとＸを含む化合物としては、ＮＸ３　、Ｎ５
Ｘ１　、Ｎ２Ｘ２　。

Ｎ　ＯＸ　、　Ｎ　Ｏ２Ｘ　、　Ｎ　Ｏ３Ｘ　４等、Ｎ
どＳを含む化合物としては、Ｎ４Ｓ４．Ｎ２５５等、Ｎ
とＣを含む化合物としては、Ｎ　（ＣＨ３）３　。

ＨＣＮ及びシアン化物、ＨＯＣＮ　、ＨＳＣＮ、ＮとＯ
を含む化合物としては、Ｎ２０　、ＮＯ。

Ｎｏ　２　、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５。

ＮＯ３等が挙げられる。この他に、シラザン及び５ｔ−
Ｎ結合をもつ有機ケイ素化合物、例えばオルガノシラザ
ン、オルガノシリコンイソシアナート、オルガノシリコ
ンイソチオシアナート等を挙げることも出来る。具体的
にはシラザンとしては、ジシラザン、トリシラザン、オ
ルガノシラザンとしてはトリエチルシラザン（Ｃ２Ｈ５）　３　Ｓ　ｉ　Ｎ　Ｈ２ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ３）３　Ｓ　１）２ＮＨヘキサエチルジシラザン（（Ｃ２Ｈ５）　３Ｓｉ）２ＮＨオルガノシリコンイソシアナートとしてはトリメチルシ
リコンイソシアナート（ＣＨ３）３　Ｓ　ｉＮｃ。

ジメチルシリコンジイソシアナート（ＣＨ３）２　Ｓ　ｉ　　（ＮＧＯ）２オルガノシリコ
ンインチオシアナ−１・とじてはトリメチルシリコンイ
ンチオシアナ−１・（ＣＨ３）３　Ｓ　１Ｎｃｓ等を挙げることが出来る。

これらの窒素含有化合物は、１種を使用しても、あるい
は２挿具−トを細円してもよい。

また、酸素原子を含む化合物としては、酸素（０２）、
オゾン（０３）等の酸素単体成分の化合物、並びに酸素
と酸素以外の原子の１種または２種以上とを構成原子と
する化合物が挙げられる。前記酸素以外の原子としては
、水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ＝Ｆ、Ｃ９，、Ｂｒまたは
■）、イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓ　ｉ）　
、ゲルマニウム（Ｇｅ）等があり、この他周期律表各族
に属する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であっ
て１本発明の目的を達成し得る化合物を構成する原子で
あるならば大概のものを使用することができる。

因みに、例えば０とＨを含む化合物としては、Ｈ２Ｏ，
Ｈ２Ｏ２等、０とＳを含む化合物としては、３０２　、
ＳＯ３等の酸化物類、ＯとＣを含む化合物としては、Ｈ
２ＣＯ３等の酸およびｃｏ　、ｃｏ２等の酸化物等、０
とＳｉを含む化合物としては、ジシロキサン（Ｈ３Ｓｉ
Ｏ３ｉＨ３）、）ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ２０
Ｓ　１Ｈ３）等ノシロキサン類（ＣＨ３）２５　ｉ　　
（ＯＣＯＣＨ３）２、ＣＨ３Ｓ　ｉ　　（ＯＣＯＣＨ３
）３等のオルガノアセトキシシラン、（ＣＨ３）　３ｓ
ｉｏｃＨ３、（ＣＨ３）２５ｉ（ＯＣＨ３）２、ＣＨ３
５ｉ　（ｏｃＨａ）３等のアルキルアルコキシシラン、
（ＣＨ３）３ＳｉＯＨ１（ＣＨ３）２　（ＣｓＨｓ）Ｓ
　１ＯＨ１（Ｃ２Ｈ５）２５　ｉ　（ＯＨ）２等のオル
ガノシラノール等、０とＧｅを含む化合物としては、Ｇ
ｅの酸化物類、水酸化物類、ゲルマニウム酸類、Ｈ３Ｇ
ｅＯＧｅＨ３、Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ２０−ＧｅＨ３等の有
機ゲルマニウム化合物、等が挙げられる。

これらの酸素含有化合物は、１種を使用しても、あるい
は２挿具」−を併用してもよい。

本発明における電荷注入阻止層は、多結晶シリコンで構
成され、該層の全層領域に伝導性を制御する物質を均一
に又は好ましくは支持体側に多く分布するように不均一
状態で含有する。

さらに必要に応じて該層の全層領域又は一部の層領域に
酸素原子又は／及び窒素原子を均一に、又は好ましくは
支持体側に多く分布するように不均一状態で含有させる
ことで、該層と支持体との間の密着性の改善や、バンド
ギャップの調整を計ることが出来る。

第２図乃至第６図には電荷注入阻止層に含有される第ｍ
族原子又は第Ｖ前原子の層厚方向の分布状態の典型的例
が示される。第２図乃至第６図の例において横軸は第■
族原子又は第Ｖ前原子の分布濃度Ｃを、縦軸は電荷注入
阻止層の層厚ｔを示し、を日は支持体側の界面位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、
電荷注入阻止層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がな
される。

第２図には電荷注入阻止層中に含有される第■族原子又
は第Ｖ前原子の層厚方向に分布状態の第一の典型例が示
される。

第２図に示される例では界面位置ｔＢよりもｔｌの位置
までは、第■族原子又は第Ｖ前原子の含有濃度Ｃが０１
なる一定の値を取り乍ら含有され、位置ｔ１より分布濃
度Ｃは界面位置ｔＴに至るまでＣ２より徐々に連続的に
減少されている。界面位置ｔＴにおいては分布濃度Ｃは
Ｃ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される第■族原子
又は第Ｖ前原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまでＣ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いてＣ５となる様な分布状態を形成している。

第４図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ前原子
の分布濃度Ｃは、位置を日と位置ｔ２間においては、Ｃ
６と一定値であり、位置ｔＴにおいてはＣ７とされる。

位置ｔ２と位置ｔ７との間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ２より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第５図に示される例に於ては、分布濃度Ｃは位１ｆｉｔ
ｓより位置ｔ３まではＣ８の一定値を取り、位置ｔ３よ
り位置ｔＴまではＣ９よりＣ１０まで一次関数的に減少
する分布状態とされている。

第６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置を日
より位置ｔＴまではＣ１１の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が第ｍ族原子又は第Ｖ前
原子を支持体側において多く分布する分布状態で含有す
る場合、第■族原子又は第Ｖ前原子の分布濃度値の最大
値が通常は５０原子ｐｐｍ以」−１好適には８０原子ｐ
ｐｔｎ以−［５、最適には１００原子ｐｐｍ以１−とさ
れるような分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される第■族原
子又は第Ｖ族原子の含有ψとしては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜状められるが、
好ましくは３０〜５Ｘ１０４原子ｐｐｍ、より好ましく
は５０〜ｌＸ１０４原子ｐｐｍ、最適にはｌＸ１０２〜
５Ｘ１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましいものである
。

電荷注入阻止層層は前記したように酸素原子又は／及び
窒素原子の含有によって、重点的に支持体と電荷注入阻
止層との間の密着性の向上及び電荷注入阻止層と光導電
層との間の密着性の向上又は、該層のバンドギャップの
調整が図られる。

第７図乃至第１３図には電荷注入阻止層に含有される酸
素原子又は／及び窒素原子の層厚方向の分布状態の典型
的例がポされる。第７図乃至第１３図の例において横軸
は酸素原子又ｔ、ｉ／及び窒素原Ｙ−の分布濃度Ｃを、
縦軸は電荷注入用＋Ｌ層の層厚ｔを）ｌｅ；　ｌ／、ｔ
Ｂは支持体側の界面位置を、ｔ７は支持体側とは反対側
の界面の位置を示す。即ぢ、電荷注入阻止層はｔＢ側よ
りｔ７側に向って層形成がなされる。

第７図には電荷注入阻止層中に含有される酸素原子又は
／及び窒素原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例が
示される。

第７図に示される例では界面位置を日よりもｔ４の位置
までは、酸素側−ｆ又は／及び窒素原子の含有濃度Ｃが
Ｃ１２なる−・定の値を取り乍ら含イ’４８れ位置ｔ４
より分布濃度Ｃは界面位置を丁に至るまでＣ１３より徐
々に連続的に減少されている。界面位置ｔ７においては
分布濃度ＣはＣ１４とされる。

第８図に示される例においては、含有される酸素原子又
は／及び窒素原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７
に至るまでＣ１５から徐々に連続的に減少して位置ｔＴ
においてＣ１６となる様な分布状態を形成している。

第９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ５までは酸素原
子又は／及び窒素原子の分布濃度ＣはＣ１７と一定値と
され、位Ｉｔｓと位置ｔ、　Ｔとの間において、徐々に
連続的に減少され１位凹ｔＴにおいて、質的に零とされ
ている。

第１０図の場合には、酸素原子又は／及び窒素原子は位
置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、分布濃度ＣはＣ１９よ
り連続的に徐々に減少Ｓれ、位置ｔＴにおいて実質的に
零とされている。

第１１図に示す例においては、酸素原子又は／及び窒素
原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７まではＣ２２
の一定値を取り、位置ｔ７より位置ｔＴまではＣ２３よ
りＣ２４まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。

第１２図に示す例においては、酸素原子又は／及び窒素
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては
、Ｃ２０と一定値であり、位置ｔ７においてはＣ２１と
される。位Ｍｔ６と位置ｔ４との間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置ｔ６より位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第１３図に示される例に於ては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ７まではＣ２５の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層１０２が酸素原子又は／
及び窒素原子を支持体１０１側において多く分布する分
布状態で含有する場合、酸素原子又は／及び窒素原子の
分布濃ＩＷ値又は両原子の和の最大値が、好ましくは５
００原子ｐｐｍ以上、より好ましくは８００原子ｐｐｍ
以１−１最適にはｔｏｏｏ原子ｐｐｍ以上とされるよう
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される酸素原子
又は／及び窒素原子の含有量又は両者の和としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従って適宜
状められるが好ましくは０．００１〜５０原子％、より
好ましくは０、００２〜４０原子％、最適にはＯ，ＯＯ
３〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明において電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真
特性が得られること及び経済的効果等の点から、好まし
くは０．０１〜１０μ１、より好ましくは０．０５〜８
川、最適には０．１〜５川とされるのが望ましい。

本発明においては、前記電荷注入阻止層と前記支持体と
の間に、シリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、長
波長光に感度を有する非晶質材料又は多結晶質材料で構
成された長波長光感光層を設けてもよい。

さらに前記長波長光感光層中に層厚方向に均一に又は不
均一な分布状態で炭素原子、酸素原子、窒素原子及び伝
導性を制御する物質の少なくともいずれか１つを含有し
てもよい。

該長波長光感光層を設けたことにより、本発明の電子写
真用光受容部材は全可視域において光感度が高く、殊に
半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答性が向
上した。

又、該長波長光感光層中に炭素原子、酸素原子、窒素原
子のいずれか１つを含有させることにより該長波長光感
光層と支持体又は／及び該長波長光感光層と電荷注入阻
止層との密着性及び該長波長光感光層のバンドギャップ
の調整が図られる。

さらに、該長波長光感光層中に伝導性を制御する物質を
含有させることにより、支持体からの電荷注入の阻止、
もしくは光励起された電荷の輸送効率の向上が図られる
。

グロー放電法によってシリコン原子とゲルマニウム原子
を含有する非晶質材料で構成される長波長光感光層を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、ゲルマニウム原子（
Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応
じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである所定の支持体表面上に該層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成さ
れたターゲット、或いは、該ターゲットとＧｅで構成さ
れたターゲットの二枚を使用して、又は、Ｓｉ＆Ｇｅの
混合されたターゲットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ
。

Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを
、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って成される。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で５ｔＨ
４、Ｓ　ｔ　２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
ａ　、Ｇｅ２Ｈｅ　、Ｇｅ３Ｈ８。

Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ
１６，Ｇｅ８Ｈｘｅ、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６，
Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのノ＼ロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、長波長光感光層を形成する場合には、／＼ロゲン原
子導入用の原料ガスとして／＼ロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用されるも
のであるが、七の他に、ＧｅＨＦ３　、ＧｅＨＢｒ３．
ＧｅＨ３Ｆ　。

ＧｅＨＣ９，３、ＧｅＨ２Ｃ１２，ＧｅＨＢｒ３゜Ｇｅ
ＨＢｒ３　、ＧｅＨ２Ｃ１２，ＧｅＨＢｒ３ＧｅＨＩ　
３　、ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＨ３Ｉｃの水素化ハロゲン
化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとする
ｌ＼ロゲン化物、ＧｅＦ４゜ＧｅＣｌ４．ＧｅＢｒ４．
ＧｅＩ４等ノ／＼ロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な長波長光感光層形
成用の出発物質として挙げる事が出来る。

本発明において、長波長光感光層中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜決められるが、シリコ
ン原子との和に対して、好ましくは１〜１０Ｘ１０５原
了ｐｐｍ、より好ましくは１００〜９．５Ｘ１０５原子
ｐｐｍ、最適には５００〜８Ｘ１０５原ｒｐｐｍとされ
るのが望ましい。

前記、長波長光式：光肘４こ伝′−９性を制御λ４１す
る物質、炭素原子、酸素原子、窒素原子゛−のうち少な
くともＪ・′）を含有さぜ゛る番こは、後述する光・り
市。

層の形成の場合と同じ原料物質及び方法を用いて行うこ
とができる。

本発明に於いて、Ｌ、波長光感光層中に含イｊされる伝
導特性を制御する物質の含有ｈ；としては、好ましくは
、Ｏ，Ｏｌへ□５Ｘ　１０５原子ｐｐｍ、より好ましく
は０．５〜１　＞＜　１０４原子ｐｐｍ、最適には１−
５Ｘ１０３原了ｐｐｍとされるのが望ましいものである
。

長波長光感光層中に含有される炭素原子（Ｃ）の硅、窒
素原子（Ｎ）の量、又は酸素原子（０）の量又は戻入原
子と窒ふ原子と酸素原子の中の少なくとも２種の原子の
量の和は好ましくは０．０１〜４０原了％、より好まし
くは０．０５〜・３０原子％、最適にはＯ０１〜２５原
子％とＮれるのが９１ましい。

未発明における目的が効果的に達成される為の支持体温
度は、適宜最適範囲を逍択するが１＋品質材料で構成さ
れる長波長光感光層を形成する場合、好ましくは５０℃
〜３５０°Ｃ１より好ましくは１００℃〜３００℃とす
るのが望ましい。本発明における長波長光感光層の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の
制御が他の方法に比較して容易であることから、グロー
放電法やスパッタリング法の採用が望ましいが、これ等
の層形成法で長波長光感光層を形成する場合には、前記
の支持体温度と同様に、層の形成の際の放電パワー、ガ
ス圧が作成される長波長光感光層の特性を左右する重要
な要国である。

本発明の目的を達成しうる特性を有する長波長光感光層
を生産性良く且つ効率的に作成するに当っては、放電パ
ワー条件については、非晶質材料で構成される長波長光
感光層を形成する場合、好ましくは１０〜１００ＯＷ、
より好ましくは２０〜５００Ｗとするのが望ましく、ま
た、堆積室内のガス圧については、非晶質材料で構成さ
れる長波長光感光層を形成する場合、通常０．０Ｌ　〜
ＩＴｏｒｒ、好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とす
るのが望ましい。

本発明においては、長波長光感光層を作成するための支
持体温度、放電パワ・−の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
、通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望
の特性を有する長波長光感光層を形成すべく、相互的［
［つ有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最
適値を決めるのが望ましい。

本発明のおいて長波長光感光層の層厚は、好才り、　＜
は、３０人−５０ｇｍ、より好ましくは４０人−４０Ｉ
Ｌｍ、最適には５０人〜３０ＪＬｍどされるのが望まし
い。

本発明の電イ写真用光受容部材に於いては、支持体と長
波長光感光層又は電荷注入用ｌ一層との間に密着性の一
層の向上を計る目的で、例えば、Ｓｉ３Ｎ４．５ｉ０２
．ＳｔＣ，ＳｉＯ。

水素原子及びハロゲン原子の少なくとも一方と、窒素原
子、酸素原子、炭素原子の少なくとも一方と、シリコン
原子とを含む非晶質材料又は多結晶質材料で構成される
密着層を設けても良い。

前記長波長光感光層及び前記密着層は、長波長光感光層
及び密着層の形成に利用される前駆体と該前駆体と化学
的相互作用をする活性種とを、夫々別々に成膜空間内に
導入して化学反応させることによって形成されても良い
。

１導１１本発明における光導電層は、Ａ−３ｔ（Ｈ。

Ｘ）で構成され所望の電子写真特性を満足する光導電特
性を有する。

尚、光導電層の全層領域に伝導性を制御する物質を光導
電層に要求される特性を損なわない範囲に於いて含有し
てもよい。

また、光導電層の全層領域に光導電層に要求される特性
を損なわない範囲に於いて炭素原子、酸素原子及び窒素
原子の中の少なくとも一種を含有してもよい。

前記の伝導性を制御する物質としては前述の電荷注入阻
止層と同様に、第■族原子や第Ｖ族原子を用いることが
出来る。

本発明に於る光導電層の全層領域に第■族原子又は第Ｖ
族原子を含有する場合は主として伝導型及び／又は伝導
率を制御する効果を奏し、前記第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的少量であり、好ましくはＩ　Ｘ　１
０−３〜３×１０２原子ｐｐｍ、より好ましくは５　Ｘ
　１０−３〜１０２原子ｐｐｍ、最適にはｌＸｌ０−２
〜５０［子ｐｐｍとさされるのが望ましい。

又、本発明における光導電層の全層領域に酸素原子又は
炭素原子を含有する場合は、主として高暗抵抗化と、電
荷注入阻止層と光導電層との間の密着性の向上等の効果
を奏するが、殊に光導電層の光導電特性を劣化させない
ために酸素原子及び炭素原子の含有量は比較的少量とさ
れるのが望ましい。

窒素原子の場合は、上記の点に加えて、例えば第■族原
子、殊にＢとの共存に於いて光感度の向上を計る事が出
来る。光導電層中に含有される酸素原子又は窒素原子の
含有量、又は、両者の和は、好ましくはｌＸｌ０−３〜
ｌＸ１０３原子ｐｐｍ、より好ましくは５　Ｘ　１０−
２〜５×１０２原子ｐｐｍ、最適には１Ｘ１０−１〜２
×１０２原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に、支
持体上に形成され、光受容層の一部を構成する光導電層
は下記に示す半導体特性を有し、照射される光に対して
光導電性を示すＡ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される。

■　ｐ型Ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　−−一一アクセブタ−
のみを含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの相対的濃度が高いもの。

■　ｐ−型Ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ）　−−−一■のタ
イプに於いてアクセプターの濃度（Ｎ　ａ）が低いか、
又はアクセプターの相対的濃度が低いもの。

■　ｎ型Ａ−Ｓ　ｉ　　（Ｈ、Ｘ）　−−−−ドナーの
みを含むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナーの相対的濃度が高いもの。

（■　ｎ−型Ａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　−−−一■のタイ
プに於いてドナーの濃度（Ｎ　ｄ）が低いか、又はアク
セプターの相対的濃度が低いもの。

■　１ｌＡ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）−−−−ＮａｚＮｂｚｏ
のもの又は、Ｎ　ａ　：Ｎ　ｄのもの。

本発明に於いて、光導電層中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）として好適なのはＦ、ＣＭ。

Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｃ１が望ましいものである。

本発明に於いて、非晶質材料で構成される光導電層を形
成するにｌよ１例えばグロー放電法。

マイクロ波放電法、スパッタリング法、或いはイオンブ
レーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
って形成されても良いし、あるいは光導電層の形成に利
用される前駆体と該前駆体と化学的相互作用をする活性
種とを夫々別々に成膜空間内に導入して化学反応させる
ことによって形成されても良い。

例えば、グロー放電法によって光導電層を形成するには
、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支
持体上にＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層の一部を
構成する光導電層を形成さぜれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合カスの雰囲
気中でＳｔで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれ
ば良い。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、５ｉ４Ｈ１ｏ
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱１ハ易さ、Ｓｉ供給効率の劇さ等の点でＳｉ
Ｈ４゜Ｓ　ｉ　２　Ｈ６が好ましいものとして挙げられ
る。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スと１７．てイｌ効なのは、多くのハロゲン化合物が挙
げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、へロク′
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状、９の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原ｒを含
む硅素化合物も有効なものとして本発明に於いては挙げ
る１ｔが出来る。

本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、９−素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＣｕＦ。

ＣｕＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＩＦ３゜ＩＦ７．ＩＣ
文、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げる事が出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えば
ＳｉＦ４，５ｉ２Ｆｓ。

５ｉＣ９，４，ＳｉＢｒ４等（７）　ハロゲン化硅素が
好ましいものとして挙げる東が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を構成要素として含むＡ−３ｉ＋Ｈから成る光導電
層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む層を製造す
る場合、基本的にはＳｉ供給用の原料ガスであるハロゲ
ン化硅素ガスとＡｒ、Ｈ２゜Ｈｅ等のガス等を所定の混
合比とガス流量になる様にして所望の層を形成する堆積
室内に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成する事によって、所定の支持体上に
所望の層を形成し得るものであるが、水素原子の導入を
計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物
のガスを所定紗況合１゜て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種程
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る光導電層を形成する
には、例えばスパッタリング法の場合にはＳｉから成る
ターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲
気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の場
合には、多結晶シリコンヌは中結晶シリコンを蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加
熱法、或いは工１／クトロンビ−ｌ、法（ＥＢ法）等に
よって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰
囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング？去、イオンブレ−ティング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

Ｈｅ見、Ｉ（Ｂｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２
Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃｕ２゜５ｉＨＣｕ３，
５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化
硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な光導電層
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
形成される層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或
いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入さ
れるので、本発明に於いては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。

水素原子を形成される光導電層中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２、或はＳ　ｉＨ４＋５ｉ２Ｈｅ、Ｓ
ｉ３Ｈ８，５ｉ４Ｈｔｏ等の水素化硅素のガスをＳｔを
供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｔケタ−
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｔケタ
−ットをスパッタリングすることによって、Ａ−Ｓｉ（
Ｈ、Ｘ）から成る光導電層が形成される。

あるいは、光導電層の形成に利用される前駆体と該前駆
体と化学的相互作用をする活性種とを夫々別々に成膜空
間内に導入して化学反応させることによって形成する場
合には、基本的原理及び方法は前述した電荷注入阻止層
の形成の方法に準するが、多結晶シリコンではなくＡ−
Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を形成するには当然のことながら前記前
駆体と前記活性種との成膜空間への導入比もしくは支持
体温度等の成膜条件が多結晶シリコン形成の場合とは変
えて設定される。たとえば、電荷注入阻止層の形成に続
けて同一成膜装置内で光導電層が形成される場合には支
持体の温度は、電荷注入阻止層層の形成の場合の支持体
温度よりも好ましくは３００℃〜１００℃、より好まし
くは４００℃〜２００℃低く設定されるのが望ましい。

前記前駆体と前記活性種との成膜空間への導入比は所望
する光導電層の特性及び支持体温度等との関係において
適宜設定される。前記前駆体及び前記活性種生成の為の
原料ガス及び活性化方法は前述した電荷注入阻止層の形
成の場合と同様であり適宜選択される。

本発明に於いて、形成される電子写真用光受容部材の光
導電層中に含有される水素原子（’Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
は好ましくは１〜４０原子％、より好適には５〜３０原
子％とされるのが望ましい。

形成される光導電層中に含有される水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。

光導電層に、第■族原子又は第Ｖ族原子、及び炭素原子
、酸素原子又は窒素原子を含有させるには、グロー放電
法や反応スパッタリング法等による光導電層の形成の際
に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質、及び
酸素原子導入用、窒素導入用、炭素導入用の出発物質を
夫々前記した光導電層形成用の出発物質と共に使用して
、形成される層中にその量を制御し乍ら含有してやる事
によって成される５その様な炭素原子導入用の、酸素原子導入用の又は／及
び窒素原子導入用の出発物質、又は第■族原子又は第■
族原子導入用の出発物質としては、少なくとも炭素原子
、酸素原子及び窒素原子のいずれか、或いは第■族原子
又は第Ｖ族原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

例えば酸素原子を含有させるのであればシリコン原子（
Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を
構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ
）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガ
スとを所望の混合比で混合して使用するか、または、シ
リコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、酸素
原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガ
スとを、これもまた所望の混合比で混合するか、或いは
、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、
シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（０）及び水素原子（
ｔｉ　）の３つをＷｊ成原原子する原料ガスとを混合し
て使用するこきが出来る１、又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（■（）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子導入用の及び窒素原子導入用の出発物質となる
ものどして具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（
０３）、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、
−＝酸化窒素（Ｎ２０）、Ｅ−１酪化窒素（Ｎ２０３）
、四−酸化窒素（Ｎ２０４）。

ｆｉ　、−１酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、Ｅ酸化窒素（ＮＯ
３）。

窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＨＮ３）、アジ化水素（Ｈ
Ｎ３）、ヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
　１Ｏ３ｉＨ３）、ｌ−リシロキサン（Ｈ３ＳｉＯＳｉ
Ｈ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることが
出来る。

炭素原子導入用の原料となる炭素原子含有化合物として
は、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈｓ）　　、プロパン（Ｃ３Ｈｓ）、ｎ
−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈｘｏ）’。

ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては
、エチ１／ン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、
ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イ
ソブチレン（Ｃ４Ｈ８）。

ペンテン（Ｃ５Ｈ１０）アセチ１／ン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセチレン（Ｃ
３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
　ｉ　（ＣＨ３）ａ　、Ｓｔ　（０２Ｈ４）４等のケイ
化アルキルを挙げる事が出来る。

第■族原子又は第Ｖ族原子の含有される光導電層を形成
するのにグロー放電法を用いる場合、該層形成用の原料
ガスとなる出発物質は、前記したＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で
構成される光導電層形成用の出発物質の中から適宜選択
したものに、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質が加えられたものである。そのような第■族原子又は
第Ｖ族原子導入用の出発物質としては第■族原子又は第
Ｖ族原子を構成原子とするガス状態の物質又はガス化し
うる物質をガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。

本発明に於て第■族原子導入用の出発物質として有効に
使用されるものとしては、具体的には硼素原子導入用と
して、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０゜Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１，
Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２゜Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、
ＢＦ３，８０文３゜ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等を挙
げることができるが、コ（７）他、ＡＭＣ立３　、Ｇａ
０文３　。

ＩｎＣｕ、３．Ｔ文Ｃ文３等も挙げる事ができる。

本発明において第Ｖ族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原子導入用としては、
Ｐ）１３　、Ｐ２Ｈ４、等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、Ｐ
Ｆ３　、ＰＦｓ　、ＰＣ文３゜ＰＣｕｓ、ＰＢｒ３．Ｐ
Ｂｒｓ、ＰＩ３等ノハロゲン化燐が挙げられる。この他
、ＡｓＨ３゜ＡｓＦ３　、ＡｓＣｕ３　、ＡｓＢｒ３．
ＡｓＦ５　。

ＳｂＨ３，ＳｂＦ３，５ｂＦｓ、５ｂＣＪ１３゜５ｂＣ
ｕ５．ＢｉＨ３，Ｂ１Ｃｕ３．ＢｉＢ’ｒ３等も挙げる
ことができる。

光導電層中の第■族原子又は第Ｖ族原子の含有量は、堆
積室中に導入される第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支持体
温度、堆積室内の圧力等を制御することによって任意に
制御されうる。

本発明における目的が効果的に達成されるための支持体
温度は、適宜最適範囲を選択するがＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）
で構成される光導電層の場合、好ましくは５０°Ｃ〜３
５０’０、より好ましくは１００℃〜３００℃とするの
が望ましい。

本発明における光導電層の形成には、該層を構成する原
子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比較
して容易であることから、グロー放電法やスパッタリン
グ法の採用が望ましいが、これ等の層形成法で光導電層
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に、層の
形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される光導電層の
特性を左右する重要な要因である。

本発明の目的を達成しうる特性を有する光導電層を生産
性良く且つ効率的に作成するに当っては、放電パワー条
件については、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電
層を形成する場合、好ましくはｉｏ−ｔｏｏｏｗ、より
好ましくは２０〜５００Ｗとするのが望ましく、また、
堆積室内のガス圧については、好ましくは０．０１〜１
Ｔｏｒｒ、より好ましくは０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度
とするのが望ましい。

本発明においては、光導電層を作成するための支持体温
度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲
が挙げられるが、これらの層作成ファクターは、通常は
独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を
有する光導電層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性
に基づいて、層作成ファクターの最適値を決めるのが望
ましい。

本発明に於いて、形成される光導電層中に含有される炭
素、酸素または窒素の量は、形成される電子写真用光受
容部材の特性を大きく左右するものであって、所望に応
じて適宜決定されねばならないが、好ましくは０．００
０５〜３０原子％、より好ましくはＯ，ＯＯ１〜２０原
子％、最適には０．００２〜１５原子％とされるのが望
ましい。

光導電層の層厚は、所望のスペクトル特性を有する光の
照射によって発生されるフォトキャリアが効率良く輸送
される様に所望に従って適宜法められ、好ましくは１〜
１００ル、より好適には２〜５０１１．とされるのが望
ましい。

表」「居光導電層上に形成される表面層は、自由表面を有し、主
に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性使用環境
特性、耐久性に於て本発明の目的を達成する為に設けら
れる。

又、本発明に於ては、光受容層を構成する光導電層と表
面層とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子とい
う共通の構成要素を有しているので、積層界面に於て化
学的な安定性の確保が充分酸されている。

表面層は、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成
される非晶質材料（Ａ−（ＳｉｘＣｘ−ｘ）ｙ：Ｈｔ−
ｙ、但しＯ＜ｘ　、ｙ＜　１）で形成される。

Ａ−（Ｓ　１ｘｃｘ−ｘ）ｙ：Ｈｔ−ｙで構成される表
面層の形成はグロー放電法、スパッタリング法、イオン
インプランテーション法、イオンブレーティング法、エ
レクトオンビーム法等あるいは表面層の形成に利用され
る前駆体と該前駆体と化学的相互作用をする活性種とを
夫々別々に成膜空間内に導入して化学反応さ姓ることに
よって、行われる。これ等の！ＪＪ：ｆｆｉ法は、製造
条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される
電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有する
電子写真用光受容部材を製造する為の作成条件の制御が
比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原子及び水
素原子を作成する表面層中への導入が容易である等の利
点からグロー放電法又はスパッタリング法あるいは表面
層の形成に利用される前駆体と該前駆体と化学的相互作
用をする活性種とを夫々別々に性膜空間内に導入して化
学反応させることによって形成する方法が好適に採用さ
れる。

更に、本発明に於ては、グロー放電法とスパッタリング
法とを同一装置系内で併用して表面層を形成しても良い
。

グロー放電法によって表面層を形成するには、Ａ−（Ｓ
ｉｘＣｉ−ｘ）ｙ：Ｈｌ−ｙ形成用の原本゛１ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支
持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入
されたガスにグロー放電を生起さぜる４）でカスプラズ
マ化して前記支持体−Ｌに既に形成されである光導電層
上にＡ−（ＳｉｘＣｉ−ｘ）ｙ：Ｈｌ−ｙを堆積させれ
ば良い。

本発明に於いてＡ−（Ｓ　ｉｘＣ１−ｘ）　ｙ　：Ｈｌ
−￥形成用の原ネ゛１ガスとしてｔｊ、ケイ素。

炭素、水素の中の少なくとも１つを構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

ケイ素、炭素、水素の中の１つとしてＳｉをＳ成原子と
する原料カスを使用する場合は、例えばケイ素を構成原
子とする原料カスと、炭素を構成原子とする原料ガスと
、水素を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、又は、ケイ素を構成原子とする原料
ガスと、炭素及び水素を構成原子とする原料ガスとを、
これも又所望の混合比で混合するか、或はケイ素を構成
原子とする原料ガスと、ケイ素、炭素、及び水素の３つ
を構成原子とする原料ガスとを混合して使用することが
出来る。

又、別にはケイ素と水素とを構成原子とする原料ガスに
炭素を構成原子とする原料ガスを混合して使用しも良い
。

本発明に於いて、表面層形成用の原料ガスとして有効に
使用されるのは、ケイ素と水素とを構成原子とするＳｉ
Ｈ４，５ｉ２Ｈｓ、５ｉ３Ｈ３，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス
状態の又はガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）、炭
素と水素とを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）　　、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ
−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ）　　。

ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としでは
、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈｓ）　　
、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、
イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５Ｈ１０）、
アセチｌ／７系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ
２）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈｓ）等
が挙げられる。

ケイ素と炭素と水素とを構成原子とする原料ガスとして
は、ＳｉＨ（ＣＨ３）３，５ｉＨ２（ＣＨ３）２　、Ｓ
　ｉＨ３（ＣＨ３）、Ｓ　１（ＣＨ３）４　、Ｓ　ｉ　
　（Ｃ２Ｈ５）　４等の有機ケイ素化合物を挙げること
が出来る。これ等の原料ガスの他、水素導入用の原料ガ
スとしては勿論Ｈ２ガスも有効なものとして使用される
。

スパッタリング法によって表面層を形成するには、単結
晶又は多結晶のＳｔウェーハー又はグラファイトウェー
ハー又はケイ素と炭素が混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパッタリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素を水素を導入する為の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハーをスパッタリングすれば良い。

又、別にはケイ素と炭素とは別々のターゲットとして、
又はケイ素と炭素の混合した一枚のターゲットを使用す
ることによって、少なくとも水素原子を含有するガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって成される。

炭素又は水素導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスが、スパッタリングの場合
にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、表面層をグロー放電法又はスパッタリ
ング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、所
謂不活性ガス、例えばＨｅ　、Ｎｅ　、Ａｒ等が好適な
ものとして挙げることが出来る。

表面層の形成に利用される前駆体と該前駆体と化学的相
互作用をする活性種とを夫々別々に成膜空間内に導入し
て化学反応させることによって形成する場合には、基本
的原理及び方法は前述した電荷注入防止層層の形成の方
法に準するが、多結晶シリコンではなくＡ−（ＳｉｘＣ
１−Ｘ）Ｙ：Ｈｌ−Ｙを形成するには当然のことながら
前記前駆体と前記活性種との成膜空間への導入比もしく
は支持体温度等の成膜条件が多結晶シリコン形成の場合
とは変えて設定される。たとえば光導電層の形成に続け
て同一成膜装置内で表面層が形成される場合には支持体
の温度は、光導電層の形成の場合とほぼ同じであり電荷
注入用１＃−，層の形成の場合の支持体温度よりも好ま
しくは３００℃〜１００　’Ｏ、より好ましくは４００
℃〜２００℃低く設定されるのが望ましい。

前記前駆体と前記活性種との成膜空間への導入比は所望
する光導電層の特性及び支持体温度等との関係において
適宜設定される。前記前駆体及び前記活性種生成の為の
原料ガス及び活性化方法は前述した電荷注入防止層の形
成の場合と同様であり、適宜選択される。

本発明に於る表面層は、その要求される特性が所望通り
に与えられる様に注意深く形成される。

即ち、ケイ素、炭素及び水素を構成原子とする物質はそ
の作成条件によって構造的には結晶からアモルファスま
での状態となり、電気物性的には導電性から半導体性、
絶縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するＡ−（Ｓ　１ｘｃ
ｔ−ｘ）ｙ：Ｈｔ−ｙが成される様に、所望に従ってそ
の作成条件の選択が厳密に成される。

例えば、表面層を耐圧性の向上を主な目的として設ける
には、Ａ　−（Ｓ　ｉｘｃ　１−Ｘ）　Ｙ　：Ｈｌ−’
＋’は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶
質材料として形成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層が設けられる場合には、上記の電気絶
縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対しで
ある程度の感度を有する非晶質材料としてＡ−（Ｓｔｘ
Ｃｌ−ｘ）ｙ：Ｈｔ−ｙが作成される。

光導電層の表面にＡ　−（Ｓ　ｉｘＣ１−Ｘ）　Ｙ：Ｈ
ｌ−Ｙから成る表面層を形成する際、層形成中の支持体
温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要な
因子であって、本発明に於いては、目的とする特性を有
するＡ−（Ｓｔｘｃｌ−ｘ）ｙ：Ｈｔ−ｙが所望通りに
作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。

本発明に於る目的が効果的に達成される為の表面層を形
成する際の支持体温度としては表面層の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、表面層の形成が実行される
が、好ましくは５０℃〜３５０℃、より好ましくは１０
０’Ｃ！〜３００℃とされるのが望ましい。表面層の形
成には、該層をＳ膚１する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他のＪＪ法に較べて比較的容易である事な
どの為に、グｌ’ｊ−放電法やスパッタリング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成法で表面層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワー、ガス圧が作成されるＡ　−（Ｓ　ｉｘｃ　１−
ｘ）　ｙ　：Ｈｌ−’）’の特性を左右する重要な因子
の１つである。

本発明に於る目的が達成、される為の特性を有するＡ−
（Ｓ　１ｘｃｔ−ｘ）ｙ＋Ｈｔ−ｙが生産性良く効果的
に作成される為の放電パワー条件としては、好ましくは
ｉｏ−ｉｏｏｏｗ、より好ましくは２０〜５００Ｗとさ
れるのが望ましい。堆積室内のガス圧は好ましくは０．
０１〜ＩＴｏｒｒ、より好ましくは０．１〜０．５Ｔｏ
ｒｒ！１瓜とされるのが望ましい。

本発明に於いては、表面層を作成する為の支持体温度、
放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲の値
が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは、独立的
（、；−別々番、決めしれるものではなく、所望特性の
Ａ−（ＳｉｘＣｔ−ｘ）ｙ：Ｈｔ−ｙから成る表面層が
形成される様に相ｔノ、的有機的関連性に基いて、該層
形成ファクターの最適値が決められるのが望ましい。

本発明の電子写真用光受容部材に於る表面層に含有され
る炭素原子及び水素原ｒの量は、表面層の作成条件と同
様、本発明の［］的を連球：する所望の特性が得られる
表面層が形成される重要な因子である。

本発明に於る表面層に含有される１Ｍ素原子の量はシリ
コン原子ど炭素原子の総星に対して好ましくはｌ　Ｘ　
１０−３〜・９０原子％、より好まＬ２くは１０−８０
原子％どされるのが望ましい。

水素原子の含有量としては、構成原子の総是に対して好
ましくはｌＸｌ０−３〜・４０原子％、より好ましくは
５Ｘ１０−３〜・３５原子％、最適にはＩ　Ｘ　１０−
２〜３０原子％とされるのが望ましく、これ等の範囲Ｌ
′水素含有品−がある場合に形成される光受容部材は、
実際面に於いて従来にない格段に優れたものとして充分
適用させ得るものである。

表面層中の水素含有量はガスの流量、支持体温度、放電
パワー、ガス圧等によって制御し得る。

即ち、先のＡ　　（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ＋Ｈ１−ｙの表
示で行えばＸが好ましくはＯ，１〜０、９９９９９、よ
り好ましくは０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０
．９、ｙが好ましくは０．６〜０、９９９、より好まし
くは０．６５〜０．９９５、最適には０．７〜０．９９
であるのが望ましい。

又、更に表面層中にはハロゲン原子を含有させてもよい
。表面層中にノ＼ロゲン原子を含有させる方法として、
例えば原料ガスにＳｉＦ４゜５ｉＦＨ３、Ｓｉ２Ｆ６，
５ｉＦ３ＳｉＨ３。

Ｓ　ｉ　Ｃ１４等のハロゲン化ケイ素ガスを混合させる
か、又は／及びＣＦ４．ＣＣｌ４　、ＣＨ３ＣＦ３等の
ハロゲン化炭素ガスを混合させてグロー放電分解法また
はスパッタリング法で形成すればよい。

本発明に於る層厚の数値範囲は、本発明の目的を効果的
に達成する為の重要な因子の１つである。

本発明に於る表面層の層厚の数値範囲は、本発明の目的
を効果的に達成する様に所期の目的に応じて適宜所望に
従って決められる。

又、表面層の層厚は、光導電層の層厚との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性のドに所望に従って適宜決定される必要がある。更
に加元得るに、生産性や品−産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層の層厚としては、好ましくは０．
００３〜３０μ１、より好ましくは０、００４へ・２０
角、最適には０．００５〜１０ｐ。

とされるのが望ましい。

本発明に於ける電子写真用光受容部材の光受容層の層厚
としては、目的に適合させて所望番こ従って適宜決定さ
れる。

本発明に於いては、光受容層の層厚としては、光受容層
を構成する光導電層と表面層に付与される特性が各々有
効に活されて本発明の目的が効果的に達成される様に光
導電層と表面層との層厚関係に於いて適宜所望に従って
決められるものであり、表面層の層厚に対して光導電層
の層厚が数百〜数千倍以上となる様にされるのが望まし
い。

具体的な値としては、好ましくは３〜１００用、より好
ましくは５〜７０ル、最適には５〜５０用の範囲とされ
るのが望ましい。

次に本発明の光導電部材の製造方法の概略について説明
する。

第１８−１図、第１８−２図に電子写真用光受容部材の
製造装置の一例を示す。

まず、第１８−１図により本発明の電荷注入阻止層の形
成法について説明する。

第１８−１図において、１は成膜空間、２は活性化空間
Ａ、３は活性化空間Ｂ、４は電気炉、５は固体Ｓｉ粒、
６は前駆体の原料物質導入管、７は前駆体導入管、８は
マイクロ波発生器、９は活性種の原料物質導入管、１０
は活性種導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター
、１３は吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＡｎ製
シリンダー状基体、１６は排気バルブを示している。

成膜空間ｌ内にＡ文型シリンダー状基体１５をつり下げ
、その内側に加熱ヒーターエ２を備え、モーター１１に
より回転できるようにする。活性化空間Ａ２からの前駆
体は導入管７を経て、吹き出し管１３より、活性化空間
Ｂ３からの活性種は導入管１０を経て、吹き出し管１４
より成膜空間内へ導入される。

活性化空間Ａ２に固体Ｓｉ粒５を詰めて、電気炉４によ
り加熱し、１１５０℃に保ち、Ｓｉを赤熱状態とし、そ
こへ不図示のボンベからＳｉＦ４を導入管６により吹き
込むことにより、前駆体となるＳｉＦ２ラジカルを生成
させ、導入管７を経て、成膜空間１の吹き出し管１３へ
導入する。一方、活性化空間Ｂ３に導入管９からＨ２を
導入し、マイクロ波発生器８により活性化空間（Ｂ）内
にプラズマを生起させ、Ｈラジカルなどの活性種を生成
させ、導入管１０を経て吹き出し管１４へ導入する。こ
の際、必要に応じてＰＦ５．ＢＦ３等の不純物ガス、又
ＮＯ２，Ｃｏ等の酸素又は／及び窒素原子を含む化合物
も活性化空間（Ｂ）３内に導入されて活性化された。こ
のとき、導入管ｌＯの長さは、装置上、可能な限り短縮
し、その活性種の有効効率を落さないようにする。成膜
空間１内のＡＭ製シリンダー状基体はヒーター１２によ
り加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気バルブ１６
を通じて排気される。導入された前駆体及び活性種は化
学的に相互作用を行い、更に支持体から熱エネルギーを
供給され多結晶質の電荷注入阻止層１０２が形成される
が、同様に光導電層１０３１表面層１０４も形成するこ
とが出来る。

電荷注入阻止層又は光導電層中に含有される不純物原子
、酸素又は／及び窒素原子の層厚方向の分布濃度は不純
物ガス、酸素原子を含む化合物の活性化空間（Ｂ）内へ
の導入量を変えることによって制御される。

本発明の電荷注入阻止層以外の光受容層の形成は、一般
的なプラズマＣＶＤ装置により行われても良い。第１８
−２図に示した製造装置の模式的概略図により光導電層
の形成法について説明する。

第１８−２図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには
、本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封さ
れており、その−例としてたとえば１１０２は、５ｉＨ
４（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０３はＨ２で稀
釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％。

以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す、）、１１０４はＨ２ガス（
純度９９．９９９９９％）ボンベ、１１０５はＮｏガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＣＨ４ガス
（純度９９．９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６．
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して先づメインバルブエ１３４を開い
て反応室１１０１、ガス配管内を排気する。次に真空計
１１３６の読みが約５×ｌＯ〜６ｔｏｒｒになった時点
で補助バルブ１１３２．１１３３、流出バルブ１１１７
〜１１２１を閉じる。

次にガスボンベ１１０２よＩＪＳｉＨ４ガス、ガスボン
ベ１１０４よりＨ２ガスを、ガスボンベ１１０３よりＢ
　２　Ｈ６／　Ｈ２ガスを、ガスボンベ１１０５よりＮ
ｏガスを夫々バルブ１１２２〜１１２５を聞いて出口圧
ゲージ１１２７〜１１３０（７）圧を夫／／　Ｉ　Ｋ　
ｇ　／　ｃ　ｒｙｆに調整し、流入バルブ１１１２〜１
１１５を夫々徐々に開けて、マスフロコントローラ１１
０７〜１１１０内に夫々流入さ七る。引き続いて流出バ
ルブ１１１７〜１１２０、補助バルブ１１３２を徐々に
開いて夫々のカスを反応室１１０１に流入させる。この
ときのＳｉＨ４ガス流最とＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス流に、Ｎ
Ｏガス論、醗との比が所望の値になるようにマスフロコ
ントロー・ラー１１０７〜１１１１を調整し、又、反応
室内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口Ｉｆを調整す
る。そしてＡ文型シリンダー状基体１１３７の温度が加
熱ヒーター１１３８により所望の温度に設定されている
ことを確認した後、高周波電源１１４０からのｌｉｊ力
を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電
を生起させ、同崎にあらかじめ設計された変化率曲線に
従ってＢ　２　Ｈ６／　Ｈ２ガス又は／及びＮｏガスの
流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバ
ルブ１１．　Ｊ８又は／及び１１２０を漸次変化させる
操作を行って形成される層中に含有される硼素原子又は
／及び酸素原子の層厚方向の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原子の含有
された光導電層が形成される。

光導電層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記の
ガスにたとえばＳｉＦ４ガスを、更に付加して反応室１
１０１内に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えばＳｉＨ４ガスのかわ
りにＳｉ２Ｈ６ガスを用いて層形成を行えば、数倍高め
ることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された光導電層上に表面層を形成す
るには、光導電層の形成の際と同様なバルブ操作によっ
て例えば、ＳｉＨ４ガス。

ＣＨ４ガス及び、必要に応じてＨ２等の稀釈ガスを所望
の流量比で反応室１１０１中に流し、所望の条件に従っ
て、グロー放電を生起させることによって成される。

表面層中に含有される炭素原子の昂は例えば、ＳｉＨ４
ガスと、ＣＨ４ガスの反応室１ｉｏｉ内に導入される流
量比を所望に従って任意に変えることによって、所望に
応じて制御することが出来る。

又、表面層中に含有される水素原子の酸は例えば、Ｈ２
ガスの反応室ｔｉｏｉ内に導入される流量を所望に従っ
て任意に変えることによって、所望に応じて制御するこ
とが出来る。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室１１０１内
、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室１１ｏ１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ１ｌ１７〜１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開い
てメインバルブ１１３４を全開して系内を一担高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体シリンダー１１３７は、モータ１１３９によって所
望される速度で一定に回転させる。

本発明において、光受容層のすべてを第１８−１図の装
置により形成することが出来るが、多結晶質材料で構成
される電荷注入阻止層のみを第１８−１図の装置により
形成し、他の層を第１８−２図の装置により形成するこ
とも出来る。後者の場合においては、第１８−１図の装
置により支持体の上に電荷注入阻止層を形成した後、該
支持体を一担真空搬送装置内へ取り出し、真空を保持し
たまま続いて第１８−２図の装置内へ搬入して光導電層
等の形成を行うか、あるいは再装置をゲートバルブを隔
てて接続させ、電荷注入阻止層を形成した支持体を直接
次の製造装置内へ搬送して光導電層等の形成を続けるこ
とが出来る。もしくは、第１８−１図及び第１８−２図
に示された成膜を同一の装置内に設置した製造装置によ
り、夫々の層を夫々の成膜手段を用いて形成することも
出来る。

〈実施例１〉第１８−１図の製造装置を用い、第１表の作製条件に従
って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用
光受容部材を形成した。

又、第１８−１図と同型の装置を用い、同一仕様のシリ
ンダー上に電荷注入阻止層のみを形成したものを分析用
サンプルとして別個に用意した。電子写真用光受容部材
（以後ドラムと表現）の方は、電子写真装置にセットし
て、種々の条件のもとに、初期の帯電能、残留電位、ゴ
ースト等の電子写真特性をチェックし、又、１５０万枚
実機酎久後の帯電能低下、感度劣化９画像欠陥の増加を
調べた。更に、３５℃。

８５％の高温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れにつ
いても評価した。そして、評価の終了したドラムは、画
像部の上Φ中・下に相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳ
を利用して表面層中に含まれる水素の定量分析に供した
。又、電荷注入１！ｆｌ　ｌｈ層のみのサンプルの方は
、サンプルの母線方向の上・中・下に相当する部分を切
り出し後、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付近の５ｉ（
１１１）に対応する回折パターンを求め、結晶性の有無
を調べた。上記の評価結果及び表面層中の水素含有量、
さらに電荷注入阻止層＝層の結晶性の有無を総合して第
２表に示す。

第２表に見られる様に、特に初期帯電能９画像流れ、残
留電位、ゴースト、及び画像欠陥の増加の各項目につい
て著しい優位性が認められた。

く比較例１〉作製条件を第３表のように変えた以外は、実施例１と同
様の装置、方法でドラムおよびサンプルを作成し、同様
の評価・分析に供した。

その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と比べて諸々の項目に
ついて劣ることが認められた。

〈実施例２〉第１８−１図の製造装置を用い、第５表の作製条件に従
って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用
光受容部材を形成した。

又、第１８−１図と同型の装置を用い同一仕様のシリン
ダー上に電荷注入阻止層のみを形成したものを分析用サ
ンプルとして別個に用意した。ドラムの方は、電子写真
装置にセットして、種々の条件のもとに、初期の帯電能
、残留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、
また、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下、感度劣化９
画像欠陥の増加を調べた。さらに、３５℃、８５％の高
温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れについても評価
した。そして、評価の終了したドラムは、画像部の上・
中・下に相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳを利用して
表面層中に含まれる水素の定量分析に供し、又、電荷注
入阻止層における層厚方向でのホウ素（Ｂ）、酸素（０
）の成分プロファイルを調べた。一方、電荷注入阻止層
層のみのサンプルの方は、サンプルの母線方向の上・中
−下に相当する部分を切り出し後、Ｘ線回折装置にて回
折角２７°付近の５ｉ（１１１）に対応する回折パター
ンを求め、結晶性の有無を調べた。上記の評価結果及び
表面層中の水素含有量さらに電荷注入用１１一層の結晶
性のイｊ無を総会して第６表に示す。また、−ヒ記電荷
注入阻１１一層中の当該元素の成分プロファイルを第２
１図に示す。第６表に見られる様に、特に、初期帯電能
、残留電位、ゴースト、画像流れ９画像欠陥および画像
欠陥の増加の各項目についで著しい優位性が認められた
。

〈実施例３〉第１８−１図及び第１８−２図の製造装置を用い、第７
表の作製条ヂトに従って鏡面加−Ｆを施したアルミシリ
ンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。この際、
電荷注入阻ＩＬ層の形成は第１８−１図の装置にて行な
い、該層の形成後アルミシリンターを真空搬送器により
第１８−２図の装置内に搬送して光導電層以降の形成を
行なった。又、第１８−１図と同型の装置を用い、同一
仕様のシリンダー−ヒに電荷注入阻１１層のみを形成さ
せたものを夫々分析用サンプルとして別個に用意した。

トラムの方は、電子写真装置にセットして、種々の条件
のもどに、初期の帯電イＩ！；、、残留電位、ゴースト
等の′電子′４′真特性をチェック（７、又、１５０万
枚−（椴耐久後の帯電能低下、感度劣化９画像欠陥の増
加を調べた。更に、３５°Ｃ９８５％の高温、高湿の雰
囲気中でのドラムの画像流れについても評価した。評価
の終ｒしたドラムは、画像部の＋・中・ドに相当する部
分を切り出し、ＳＩＭＳを利用Ｌ２て表面層中に含まれ
る水素の定罎分析に供した。又、゛市荷注入阻１１一層
のみのサンプルの方は、サンプルの母線方向の−［、−
中・下に相当する部分を切り出し後、Ｘ線回折装置にて
回折角２７°イ・ｊ近の５ｉ（１１１）に対応する解析
バタ・−ンを求め、結晶性のイ１無を調べた。［−記の
評価結果及び水素の分析値を及び結晶性の有無を総合し
て第２表に示す。第８表に見られる様に、！ｔキに初期
帯電能９画像部れ、夕（留電位。

ゴースト、画像欠陥の増加各項目について著しい優位性
が認められた。

〈実施例４〉光導電層の作製条件を第９表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムを用
意した。これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけ
た結果、第１０表に示すような結果を得た。

〈実施例５〉電荷注入ｆｉ１１．　＋１１層の作製条件を第１１表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例１と同様の条
件にて複数のドラム及び電荷注入阻１に層のみを形成さ
せたサンプルを別個に用意した。これらのドラム及びサ
ンプルを実施例１と同様の評価１分析にかけた結果、第
１２表に示すような結果を得た。

〈実施例６〉電荷注入ｔｉ１１．　＋）、層の作製条件を第１３表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例１と同様の条
件にて複数のドラム及び電荷注入阻ＩＩ一層のみを形成
させたサンプルを別個に用意した。これらのドラム及び
サンプルを実施例１と同様の評価・分析にかけた結果、
第１４表に示すような結果を得た。

〈実施例７〉長波長光感光層を第１５表に示す作製条件にて形成し、
それ以外は実施例１と同様の条件及び作製方法にてドラ
ムを用意した。このドラムを実施例１と同様の評価にか
けた結果、第１６表に示すような結果を得た。

〈実施例８〉長波長光感光層の作製条件を第１７表に示す数種の条件
に変え、それ以外は、実施例１及び実施例７と同様の条
件にて複数のドラムを用意した。これらのドラムを実施
例１と同様の評価にかけた結果、第１８表に示すような
結果を得た。そして、評価の終了したＮｏ、８０２のド
ラムを画像部の上争中・Ｆに相当する部分を切り出し、
ＳＩＭＳを利用して、長波長光感光層における層厚方向
でのゲルマニウム（Ｇｅ）の成分プロファイルを調べた
。その結果を第２２図に示す。

〈実施例９〉第１８−２図の製造装置を用い基体シリングー上に第１
９表に示すブラブマＣＶＤ法による数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、続いて、真空搬送器により該シ
リンダーを第１８−　図の製造装置内に搬送しさらにそ
の上に実施例１と同様の作製条件のものとで光受容部材
を形成した。これらの光受容部材を実施例１と同様の評
価にかけた結果、第２０表に示すような結果を得た。

〈実施例１０＞鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第１９図のような断面形
状で第２１表のような種々の断面パターンを持つシリン
ダーを複数本用意した。該シリンダーを順次第１８−１
図の製造装置にセットし、実施例工と同様の作製条件の
もとてドラム作製を行った。作製されたドラムは、７８
０ｎｍの波長を有する半導体レーザーを光源としたデジ
タル露光機能の電子写真装置により、種々の評価を行な
い、第２２表の結果を得た。

〈実施例１１〉鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング剛球の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生ぜしめる、所謂表面ディンプル化処理を施
し、第２０図のような断面形状で、第２３表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第１８−１図の製造装置にセットし
、実施例１と同様の作製条件のもとてドラム作製を行っ
た。作製されたドラムは、７８０ｎｍの波長を有する半
導体レーザーを光源としたデジタル露光機能の電子写真
装置により種々の評価を行ない、第２４表の結果を得た
。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は、Ａ−３＋、　（Ｈ、Ｘ）で構成
された光導電層を有する電子写真用光受容部材の層構成
を前述のごとき特定の層構成及び層製造方法を採用した
ことにより、Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ、）で構成された従来の
電子写真用光受容部材における諸問題を全て解決するこ
とができ、特に極めて優れた耐湿性、連続繰返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性および耐久性等を有す
るものである。又、残留電位の影響が全くなく、モの電
気的特性が安定しており、それを用いて得られる画像は
、濃度が高く、ハーフト−ンが鮮明に出る等、極めて秀
でたものとなる。

特に本発明における電子写真用光受容部材において、多
結晶シリコンからなる電荷注入阻止層を設けたことによ
り、比較的広範囲の波長の光に感度を有する、比較的低
抵抗な光導電層を用いることが可能になった。しかも前
述のごとき特定の層構成としたことにより光照射及び熱
的に励起された多数の電荷が光導電層だけでなく電荷ｔ
■込阻止層や表面層中においても充分に速く掃きＬｌｌ
されるため、いかなる露光条ヂ１のもとでも残留゛電位
やゴーストが仝く生じない、［１つ解像度の高い高品質
な画像を安定して繰り返し得ることができる。

更には、多結晶シリコンからなる電荷注入ｊｌＪ止層の
形成に於いて、本発明の製造方法を採用したことにより
従来よりも高品質の該層を有する光受容部材の安定した
星：産化が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第６図は各々、電荷注入阻止層を構成する第
■族原子又１：ｌ第■族原イの分布状＝ｉを説明するた
めの説明図、第７図乃至第１３図は各々電荷注入用１１一層を構成す
る酸素原子の分布状態を説明するための説明図、第１４図乃至第１７図は支持体表面の凹凸形状及び該凹
凸形状を作製する方法を説明するための模式図、第１８−１図及び第１８−２図は本発明の電子写真用光
受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で第１
８−１図は、堆積層の形成に利用される前駆体と該前駆
体と化学的相互作用をする活性種とを用いて堆積層を形
成する方法による、第１８−２図はグロー放電法による
製造装置の模式的説明図である。第１９図、第２０図は支持体の形状を示す模式図、第２１図は、ホウ素と酸素の層中の分布を示す分布図で
ある。第２２図はゲルマニウムの層中の分布を示す分布図であ
る。第１図について１００−一−−−−−−−−−光受容層、ｉ　ｏ　１−
−−−−−−−−−一支持体、１、０２−−−−−−−
〜−−−電荷注入１１ＦＩ止層、１０３−−−−−−−
−−一光導電層、１０４−−−−−−−−−一〜表面層
、１０５−−−−−−−−−−−一自由表面、第１５図
について１５００−−−−−−−−一光受容層、１５０１−−−
−−−−−一支持体、１５０２−１−−−−一電荷注入阻１〜層、１５０２−
２−−−−一光導電層、１５０３−−−−−−−一表面層、１５０４−−−−−−一〜−白山表面、第１６図、第１
７図について１６０１　、１７０１−−−−−一支持体、１６０２．
１７０２−−−−−一支持体表面、１６０３．１７０３
−−−−−一剛体真珠、１６０４．１７０４−−−−−
一球状痕跡窪み、第１８−１図、第１８−２図について１−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一成膜空
間、２−−−−−−−−−−−−−−一一−−−−−活
性化空間（Ａ）、３−−−−−−、−−−、、−−−一
〜−−−−−−−−活性化空間（Ｂ）、４−−−−−−
−一一一一−−−−−−−−−−，−′電気炉、５−−
−−−−−−−一−−−−−−−−−−固体Ｓｉ粒、６
　、７　、９　、１０−−−−−−一導入管、５−−−
−−＝−−−−−−−−−−−−−−一マイクロ波発生
器、１１−−−−−−−−−−−−−−−−−−−モー
ター、１２−−−−−−−−−−−−−−−−−ｍ−加
熱ヒーター、１３　、１４−−−−−−−−−−−−一
吹き出し管、１５−−−−−−−一−−−−−−−−−
−−Ａ文型シリンダー状基体、１６−−−−−−−−−−−−−−−−−−−排気バル
ブ、１１０１−−−−−−−一−−−−−−−反応室、
１１０２〜１１０６−−−−−ガスボンベ、１１０７〜
１１１１−−−−−マスフロコントローラ、１１１２〜１１１６−−−−−流人パルプ、１１１７〜
１１２１−−−ｍ−流出バルブ、１１２２〜１１２６−
−−−−バルブ、１１２７〜１１３１−−−−一圧力調
整器、１１３２　、１１３３−−−−一補助バルブ、１
１３４−−−−−−−−−−−−−−−メインバルブ、
１１３５−−−一−−−−−−−−−−〜リークバルブ
、１１３６−−−−−−−−−−−−−−−真空計、１
１３７−−−−−−−−−−−−−−−基体シリンダー
、１１３８−−−−−−−−−−−−−−一加熱ヒータ
ー、１１３９−一−−−−−−−−−−−−−モーター
、１１４０−−−−−−”−−−一−−−−高周波電源
。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と該支持体上にシリコン原子を母体とした
多結晶質材料で構成され、伝導性を制御する物質を含有
する電荷注入阻止層と、シリコン原子を母体とし、水素
原子、およびハロゲン原子の少なくともいずれか一方を
構成要素として含む非晶質材料で構成され、光導電性を
示す光導電層、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを
構成要素として含む非晶質材料で構成されている表面層
とを有する光受容層とを有する電子写真用光受容部材に
於いて、前記電荷注入阻止層が電荷注入阻止層の形成に
利用される前駆体と該前駆体と化学的相互作用をする活
性種とを夫々別々に成膜空間内に導入して化学反応させ
ることによって形成された多結晶質材料により構成され
ていることを特徴とする電子写真用光受容部材。
（２）前記表面層にハロゲン原子が含有されている特許
請求の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。
（３）前記光導電層に、炭素原子、酸素原子、窒素原子
の中の少なくとも１種類を含有する特許請求の範囲第１
項および第２項に記載の電子写真用光受容部材。
（４）電荷注入阻止層が酸素原子又は／及び窒素原子を
含有している特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
光受容部材。
（５）電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分布状
態で伝導性を制御する物質を含有している特許請求の範
囲第１項及び第４項に記載の電子写真用光受容部材。
（６）電荷注入阻止層が支持体側に多く分布する分布状
態で酸素原子又は／及び窒素原子を含有している特許請
求の範囲第４項及び第５項に記載の電子写真用光受容部
材。
（７）電荷注入阻止層に含有される酸素原子又は／及び
窒素原子支持体側に内在している特許請求の範囲第４項
乃至第６項に記載の電子写真用光受容部材。
（８）前記伝導性を制御する物質が周期律表第III族に
属する原子である特許請求の範囲第１項に記載の電子写
真用光受容部材。
（９）前記伝導性を制御する物質が周期律表第Ｖ族に属
する原子である特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用光受容部材。
（１０）シリコン原子を母体とした多結晶材料で構成さ
れ、伝導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層を
、電荷注入阻止層の形成に利用される前駆体と該前駆体
と化学的相互作用をする活性種とを夫々別々に成膜空間
内に導入して化学反応させることによって形成すること
を特徴とする電子写真用光受容部材の製造方法。
（１１）前記前駆体はケイ素とハロゲンとを含む化合物
を活性化することにより生成される前駆体である特許請
求の範囲第１０項に記載の電子写真用光受容部材の製造
方法。
（１２）前記活性種は水素を含む化合物を活性化するこ
とにより生成される活性種である特許請求の範囲第１０
項、第１１項に記載の電子写真用光受容部材の製造方法
。
（１３）前記水素を含む化合物は水素ガスである特許請
求の範囲第１２項に記載の電子写真用光受容部材の製造
方法。
（１４）前記水素を含む化合物は水素原子を構成成分と
して含むガスである特許請求の範囲第１２項に記載の電
子写真用光受容部材の製造方法。
（１５）前記前駆体は酸素又は／及び窒素を含む化合物
を活性化することにより生成される前駆体を含む特許請
求の範囲第１０項乃至第１２項に記載の電子写真用光受
容部材の製造方法。
（１６）前記前駆体は伝導性を制御する物質として周期
律表第III族に属する原子を含む化合物を活性化するこ
とにより生成される前駆体を含む特許請求の範囲第１０
項乃至第１３項に記載の電子写真用光受容部材の製造方
法。
（１７）前記前駆体は伝導性を制御する物質として周期
律表第Ｖ族に属する原子を含む化合物を活性化すること
により生成される前駆体を含む特許請求の範囲第１０項
乃至第１３項に記載の電子写真用光受容部材の製造方法
。