JPH1197577A - 半導体装置用ステムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用ステムの製造方法Info
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- JPH1197577A JPH1197577A JP9256337A JP25633797A JPH1197577A JP H1197577 A JPH1197577 A JP H1197577A JP 9256337 A JP9256337 A JP 9256337A JP 25633797 A JP25633797 A JP 25633797A JP H1197577 A JPH1197577 A JP H1197577A
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- iron
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成して
も耐食性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性
およびはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供
することを目的とする。 【解決手段】 鉄または鉄系素材からなるベースおよび
リードの表面に、あらかじめ電解銅または銅合金めっき
皮膜を形成し、その上に電解ニッケルめっき皮膜を形成
した後、前記ベースおよびリードをガラスによって封着
し半導体装置用ステムを組み立て、次いで前記半導体装
置用ステムの金属部表面に無電解ニッケル−リンめっき
皮膜を形成し、さらに無電解パラジウムまたはパラジウ
ム合金めっき皮膜を形成するものである。無電解パラジ
ウムめっき皮膜の上に、さらにごく薄い金めっき皮膜を
形成してもよい。
も耐食性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性
およびはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供
することを目的とする。 【解決手段】 鉄または鉄系素材からなるベースおよび
リードの表面に、あらかじめ電解銅または銅合金めっき
皮膜を形成し、その上に電解ニッケルめっき皮膜を形成
した後、前記ベースおよびリードをガラスによって封着
し半導体装置用ステムを組み立て、次いで前記半導体装
置用ステムの金属部表面に無電解ニッケル−リンめっき
皮膜を形成し、さらに無電解パラジウムまたはパラジウ
ム合金めっき皮膜を形成するものである。無電解パラジ
ウムめっき皮膜の上に、さらにごく薄い金めっき皮膜を
形成してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉄または鉄系合金
を素材金属とする半導体装置用ステムの製造方法に関す
る。
を素材金属とする半導体装置用ステムの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は一般的な半導体装置用ステムの断
面図である。鉄からなるベース１に形成された貫通孔
（図示せず）にガラス３を介して鉄−ニッケル合金から
なるリード２、２が気密絶縁的に封着された構成となっ
ている。封着方法としては、ベースに形成された貫通孔
にガラスとリードを組み立て、ガラス溶融点まで加熱
後、冷却すると、熱膨張係数の差から金属がガラスを締
め付けることによりリードを機械的に封着する。封着時
の高温度領域での金属の安定性を得るため、ベースおよ
びリードにはあらかじめニッケルめっき皮膜が形成され
ている。この後、半導体装置用ステムには、耐食性、半
導体チップとのダイボンディング性、ワイヤボンディン
グ性、あるいはプリント基板へのはんだ付け性などの特
性を満足させるため様々な表面処理が施される。
面図である。鉄からなるベース１に形成された貫通孔
（図示せず）にガラス３を介して鉄−ニッケル合金から
なるリード２、２が気密絶縁的に封着された構成となっ
ている。封着方法としては、ベースに形成された貫通孔
にガラスとリードを組み立て、ガラス溶融点まで加熱
後、冷却すると、熱膨張係数の差から金属がガラスを締
め付けることによりリードを機械的に封着する。封着時
の高温度領域での金属の安定性を得るため、ベースおよ
びリードにはあらかじめニッケルめっき皮膜が形成され
ている。この後、半導体装置用ステムには、耐食性、半
導体チップとのダイボンディング性、ワイヤボンディン
グ性、あるいはプリント基板へのはんだ付け性などの特
性を満足させるため様々な表面処理が施される。
【０００３】従来の表面処理として、下地ニッケルめっ
き皮膜を介してアウターリード上にはんだめっき皮膜を
形成したもの、あるいは下地ニッケルめっき皮膜を介し
て全面に金、銀の貴金属めっき皮膜を形成したものなど
が用いられる。前者においては、アウターリードへのは
んだめっき工程を別工程で行う必要があるため作業性が
悪いという問題がある。また、環境保護における鉛使用
削減の観点からその見直しが迫られている。後者におい
ては、金、銀などの貴金属はプリント基板実装時に使用
するはんだと極めて易溶性であり、はんだ付け中に基体
金属が露出して接着性を著しく阻害するため、コスト的
にはできるだけ薄いめっきが望まれながら、実際上には
０．１〜２．０μｍという厚めっきを行う必要があり、
コストが高くなるという問題がある。
き皮膜を介してアウターリード上にはんだめっき皮膜を
形成したもの、あるいは下地ニッケルめっき皮膜を介し
て全面に金、銀の貴金属めっき皮膜を形成したものなど
が用いられる。前者においては、アウターリードへのは
んだめっき工程を別工程で行う必要があるため作業性が
悪いという問題がある。また、環境保護における鉛使用
削減の観点からその見直しが迫られている。後者におい
ては、金、銀などの貴金属はプリント基板実装時に使用
するはんだと極めて易溶性であり、はんだ付け中に基体
金属が露出して接着性を著しく阻害するため、コスト的
にはできるだけ薄いめっきが望まれながら、実際上には
０．１〜２．０μｍという厚めっきを行う必要があり、
コストが高くなるという問題がある。
【０００４】近年、これらに代わって比較的安価なパラ
ジウムめっきが注目されている。パラジウムはダイボン
ディング性、ワイヤボンディング性、およびはんだ付け
性などにも優れた特性を持っており、リードフレームで
はすでに実用化されている。
ジウムめっきが注目されている。パラジウムはダイボン
ディング性、ワイヤボンディング性、およびはんだ付け
性などにも優れた特性を持っており、リードフレームで
はすでに実用化されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ラジウムめっきは素材が銅系金属のものに限定されてお
り、鉄または鉄系合金の素材に対してはめっきが困難と
されている。この理由を以下に説明する。
ラジウムめっきは素材が銅系金属のものに限定されてお
り、鉄または鉄系合金の素材に対してはめっきが困難と
されている。この理由を以下に説明する。
【０００６】（１）パラジウムは鉄または鉄−ニッケル
合金と高い電位差を有しているため、塩水噴霧試験によ
って素材に腐食が生ずる。
合金と高い電位差を有しているため、塩水噴霧試験によ
って素材に腐食が生ずる。
【０００７】（２）下地ニッケルめっき皮膜上にパラジ
ウムめっき皮膜を形成した場合においても、ニッケルめ
っき皮膜のピンホールを消滅させるためには少なくとも
５〜１０μｍのニッケルめっき皮膜が必要となるため、
リード折り曲げ強度が弱くなる。逆に２〜５μｍ程度の
ニッケルめっき厚では、パラジウムとの電位差によりニ
ッケルめっき皮膜のピンホールを介して腐食が生ずる。
また、ボンディングなどの加熱処理工程で素材の鉄分が
パラジウム表面に拡散表出しはんだ付け性を低下させ
る。
ウムめっき皮膜を形成した場合においても、ニッケルめ
っき皮膜のピンホールを消滅させるためには少なくとも
５〜１０μｍのニッケルめっき皮膜が必要となるため、
リード折り曲げ強度が弱くなる。逆に２〜５μｍ程度の
ニッケルめっき厚では、パラジウムとの電位差によりニ
ッケルめっき皮膜のピンホールを介して腐食が生ずる。
また、ボンディングなどの加熱処理工程で素材の鉄分が
パラジウム表面に拡散表出しはんだ付け性を低下させ
る。
【０００８】（３）下地ニッケルめっきの上にパラジウ
ムめっきを施し、さらにその表面にごく薄い金めっきを
施す方法も見いだされているが、この方法によってもボ
ンディング性、はんだ付け性は向上するが、塩水噴霧試
験において上記（１）（２）の問題を完全に解消するこ
とはできない。
ムめっきを施し、さらにその表面にごく薄い金めっきを
施す方法も見いだされているが、この方法によってもボ
ンディング性、はんだ付け性は向上するが、塩水噴霧試
験において上記（１）（２）の問題を完全に解消するこ
とはできない。
【０００９】（４）封着工程において、ベース素材であ
る鉄がニッケルめっき皮膜に拡散し合金化する。この
後、この上にパラジウムめっき皮膜を形成すると、ガラ
スとベース、またはガラスとリードとの境界面に極薄い
隙間ができ、素材の鉄成分とパラジウムが水分または電
解液で接続状態となり両者の電位差の違いから腐食がお
こる。
る鉄がニッケルめっき皮膜に拡散し合金化する。この
後、この上にパラジウムめっき皮膜を形成すると、ガラ
スとベース、またはガラスとリードとの境界面に極薄い
隙間ができ、素材の鉄成分とパラジウムが水分または電
解液で接続状態となり両者の電位差の違いから腐食がお
こる。
【００１０】以上説明した鉄系素材へのパラジウムめっ
きに対する問題点は、たとえば「表面技術 Ｖｏｌ．４
４ Ｎｏ．１２，１９９３ Ｐ１１３〜１１９ パラジ
ウムめっきリードフレームの熱処理後の特性」にも記載
があり、現状技術では鉄系素材へのパラジウムめっきは
困難であるため、これら素材へのパラジウムめっき方法
の改善が強く要望されている。
きに対する問題点は、たとえば「表面技術 Ｖｏｌ．４
４ Ｎｏ．１２，１９９３ Ｐ１１３〜１１９ パラジ
ウムめっきリードフレームの熱処理後の特性」にも記載
があり、現状技術では鉄系素材へのパラジウムめっきは
困難であるため、これら素材へのパラジウムめっき方法
の改善が強く要望されている。
【００１１】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても耐食
性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性、およ
びはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供する
ことを目的とする。
り、鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても耐食
性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性、およ
びはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、鉄または鉄系素材からなるベースおよびリ
ードの表面に、あらかじめ銅または銅合金めっき皮膜を
形成した後、前記ベースおよびリードをガラスによって
封着して半導体装置用ステムを組み立て、次いで前記半
導体装置用ステムの金属部表面に無電解ニッケル−リン
めっき皮膜を形成し、さらに無電解パラジウムまたはパ
ラジウム合金めっき皮膜を形成するものである。実用的
には、銅または銅合金めっき皮膜を形成した後、その上
に電解ニッケルめっき皮膜を形成するのが好ましい。ま
た、無電解パラジウムめっき皮膜の上に、さらにごく薄
い金めっき皮膜を形成してもよい。
に本発明は、鉄または鉄系素材からなるベースおよびリ
ードの表面に、あらかじめ銅または銅合金めっき皮膜を
形成した後、前記ベースおよびリードをガラスによって
封着して半導体装置用ステムを組み立て、次いで前記半
導体装置用ステムの金属部表面に無電解ニッケル−リン
めっき皮膜を形成し、さらに無電解パラジウムまたはパ
ラジウム合金めっき皮膜を形成するものである。実用的
には、銅または銅合金めっき皮膜を形成した後、その上
に電解ニッケルめっき皮膜を形成するのが好ましい。ま
た、無電解パラジウムめっき皮膜の上に、さらにごく薄
い金めっき皮膜を形成してもよい。
【００１３】パラジウムめっき皮膜の下地として、パラ
ジウムとの電位差が鉄系素材と比べて小さい銅めっき皮
膜を形成することにより、素材の腐食の原因となる大き
な電流が流れにくくなる。このため、パラジウムめっき
皮膜を通して鉄系素材が腐食することがない。
ジウムとの電位差が鉄系素材と比べて小さい銅めっき皮
膜を形成することにより、素材の腐食の原因となる大き
な電流が流れにくくなる。このため、パラジウムめっき
皮膜を通して鉄系素材が腐食することがない。
【００１４】あらかじめ、ベースおよびリードに銅めっ
き皮膜を形成した後、封着工程を行うため、被覆性に優
れた銅めっき皮膜がバリアとして働き、素材鉄分とパラ
ジウムが接触しないため、ガラスとリードまたはベース
との境界面にできた隙間から腐食が進むことがない。
き皮膜を形成した後、封着工程を行うため、被覆性に優
れた銅めっき皮膜がバリアとして働き、素材鉄分とパラ
ジウムが接触しないため、ガラスとリードまたはベース
との境界面にできた隙間から腐食が進むことがない。
【００１５】銅めっき皮膜の上に無電解ニッケル−リン
皮膜を形成することによりピンホールの発生を抑えるこ
とができる。無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜は、
電気ニッケルめっき皮膜に比べてピンホールの発生が少
ないため、パラジウムめっき皮膜の耐食性をさらに高め
ることができる。
皮膜を形成することによりピンホールの発生を抑えるこ
とができる。無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜は、
電気ニッケルめっき皮膜に比べてピンホールの発生が少
ないため、パラジウムめっき皮膜の耐食性をさらに高め
ることができる。
【００１６】銅めっき皮膜の上に無電解ニッケル−リン
合金めっき皮膜を形成するには、化学的前処理が必要で
あり実用的には困難である。このため、電解ニッケルめ
っき皮膜を介することによりこれらの前処理が省略でき
る。
合金めっき皮膜を形成するには、化学的前処理が必要で
あり実用的には困難である。このため、電解ニッケルめ
っき皮膜を介することによりこれらの前処理が省略でき
る。
【００１７】金めっき皮膜は、パラジウムめっき皮膜の
保護膜となり、パラジウムめっき皮膜の酸化およびパラ
ジウムと有機物が反応してパラジウムめっき皮膜の表面
にポリマー層を形成するブラウンパワード現象によるダ
イボンディング性、ワイヤボンディング性およびはんだ
付け性の劣化を防止することができる。
保護膜となり、パラジウムめっき皮膜の酸化およびパラ
ジウムと有機物が反応してパラジウムめっき皮膜の表面
にポリマー層を形成するブラウンパワード現象によるダ
イボンディング性、ワイヤボンディング性およびはんだ
付け性の劣化を防止することができる。
【００１８】半導体装置用ステムを組み立てた後のめっ
き工程を全て無電解めっき法で行うため、半導体装置用
ステムを治具内に整列させた状態で一連の工程を行うこ
とができ、電気めっき法におけるバレルめっきのように
リードが折曲したりすることがなく、作業性よくめっき
皮膜を形成することができる。
き工程を全て無電解めっき法で行うため、半導体装置用
ステムを治具内に整列させた状態で一連の工程を行うこ
とができ、電気めっき法におけるバレルめっきのように
リードが折曲したりすることがなく、作業性よくめっき
皮膜を形成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本実施形態の半導体装置
用ステムの要部断面図である。
用ステムの要部断面図である。
【００２０】ベース１およびリード２、２の表面には銅
めっき皮膜４が１．０〜４．０μｍ形成され、その上に
電解ニッケルめっき皮膜５が１．０〜５．０μｍ形成さ
れている。その上に無電解ニッケル−リン合金めっき皮
膜６が３〜７μｍ形成され、その上に無電解パラジウム
めっき皮膜７が０．０３〜０．５μｍ形成され、さらに
無電解金めっき皮膜８が０．００５〜０．１μｍ形成さ
れている。
めっき皮膜４が１．０〜４．０μｍ形成され、その上に
電解ニッケルめっき皮膜５が１．０〜５．０μｍ形成さ
れている。その上に無電解ニッケル−リン合金めっき皮
膜６が３〜７μｍ形成され、その上に無電解パラジウム
めっき皮膜７が０．０３〜０．５μｍ形成され、さらに
無電解金めっき皮膜８が０．００５〜０．１μｍ形成さ
れている。
【００２１】次に、上記半導体装置用ステムの製造方法
について説明する。なお、図３はこれを図示した製造工
程図である。
について説明する。なお、図３はこれを図示した製造工
程図である。
【００２２】鉄からなるベースと、鉄−ニッケル合金
（Ｆｅ／Ｎｉ＝５０／５０）からなるリードを用意し、
それぞれ別に銅めっき皮膜を１．０〜４．０μｍ形成
し、その上にニッケルめっき皮膜を１．０〜５．０μｍ
形成した。このめっき工程は電解めっきにより行った。
リードへのめっきは、長尺のままでめっきした後にカッ
トしても、カットした後にめっきしてもよい。通常、銅
めっき皮膜上に無電解ニッケルめっきは付きにくいとさ
れるが、電解ニッケルめっきを介したことにより、次工
程での無電解ニッケルめっきの前に必要な化学処理工程
を省略することができる。次にカーボン治具内でベース
に設けられた貫通孔にガラスを介してリードを組み立
て、シーリング炉で封着する。封着後の表面処理状態を
図２に示す。次いで、完成した半導体装置用ステムをめ
っき治具内に整列させた状態で化学的活性化処理を行っ
た後、無電解ニッケル−リン合金めっきを行う。次い
で、無電解パラジウムめっきを行う。次いで無電解金め
っきを行う。
（Ｆｅ／Ｎｉ＝５０／５０）からなるリードを用意し、
それぞれ別に銅めっき皮膜を１．０〜４．０μｍ形成
し、その上にニッケルめっき皮膜を１．０〜５．０μｍ
形成した。このめっき工程は電解めっきにより行った。
リードへのめっきは、長尺のままでめっきした後にカッ
トしても、カットした後にめっきしてもよい。通常、銅
めっき皮膜上に無電解ニッケルめっきは付きにくいとさ
れるが、電解ニッケルめっきを介したことにより、次工
程での無電解ニッケルめっきの前に必要な化学処理工程
を省略することができる。次にカーボン治具内でベース
に設けられた貫通孔にガラスを介してリードを組み立
て、シーリング炉で封着する。封着後の表面処理状態を
図２に示す。次いで、完成した半導体装置用ステムをめ
っき治具内に整列させた状態で化学的活性化処理を行っ
た後、無電解ニッケル−リン合金めっきを行う。次い
で、無電解パラジウムめっきを行う。次いで無電解金め
っきを行う。
【００２３】図４（ａ）は封着後に銅およびニッケルめ
っきした状態、（ｂ）は封着前に銅およびニッケルめっ
きした状態を示す局部断面図である。
っきした状態、（ｂ）は封着前に銅およびニッケルめっ
きした状態を示す局部断面図である。
【００２４】封着後にめっきした（ａ）ではベース１と
ガラス３の界面にできた隙間Ａに水分や電解液（図示せ
ず）が溜まると、パラジウムめっき皮膜７とベース１の
素材鉄分が接続状態となり、両者の電位差から腐食が進
む。一方、封着前に銅およびニッケルをめっきした
（ｂ）では、ベース１とガラス３の界面にできた隙間Ａ
に水分や電解液が溜まっても、ベース１全面が被覆性が
優れた銅めっき皮膜４で覆われているためパラジウムめ
っき皮膜７とベース１の素材鉄分が接続状態とならずに
隙間Ａから腐食が進むことがない。
ガラス３の界面にできた隙間Ａに水分や電解液（図示せ
ず）が溜まると、パラジウムめっき皮膜７とベース１の
素材鉄分が接続状態となり、両者の電位差から腐食が進
む。一方、封着前に銅およびニッケルをめっきした
（ｂ）では、ベース１とガラス３の界面にできた隙間Ａ
に水分や電解液が溜まっても、ベース１全面が被覆性が
優れた銅めっき皮膜４で覆われているためパラジウムめ
っき皮膜７とベース１の素材鉄分が接続状態とならずに
隙間Ａから腐食が進むことがない。
【００２５】封着後のめっき工程を全て無電解めっき法
で行うため、半導体装置用ステムを整列されたままの状
態で行うことができ、作業性に優れると同時にバレルめ
っきのようにリードが折曲したりステム本体が変形、損
傷するなどの不都合が起こらない。
で行うため、半導体装置用ステムを整列されたままの状
態で行うことができ、作業性に優れると同時にバレルめ
っきのようにリードが折曲したりステム本体が変形、損
傷するなどの不都合が起こらない。
【００２６】なお、本実施の形態で設定した各めっき皮
膜の厚みは、現状のめっき液で実用確認を行ったもの
で、ステム素材、めっき浴およびめっき方法などの変更
により適宜設定することができる。
膜の厚みは、現状のめっき液で実用確認を行ったもの
で、ステム素材、めっき浴およびめっき方法などの変更
により適宜設定することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、鉄
系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても、耐食性、
ダイボンディング性、ワイヤボンディング性およびはん
だ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供することが
できる。このため、金の使用量を低減することができ、
コストが低減できる。また、はんだを使用しないため環
境保護の観点からも優れている。
系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても、耐食性、
ダイボンディング性、ワイヤボンディング性およびはん
だ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供することが
できる。このため、金の使用量を低減することができ、
コストが低減できる。また、はんだを使用しないため環
境保護の観点からも優れている。
【００２８】さらに、全てのめっき工程を無電解めっき
により行うため、半導体装置用ステムを整列させたまま
の状態でめっきすることができ、リードが折曲するなど
の不都合が起こることもなく、めっき治具への再整列も
必要ないため作業性にも優れる。
により行うため、半導体装置用ステムを整列させたまま
の状態でめっきすることができ、リードが折曲するなど
の不都合が起こることもなく、めっき治具への再整列も
必要ないため作業性にも優れる。
【図１】本実施の形態の半導体装置用ステムの要部断面
図
図
【図２】封着後の半導体装置用ステムを示す要部断面図
【図３】本実施の形態を示す製造工程図
【図４】（ａ）封着後に銅めっきした状態を示す局部断
面図 （ｂ）封着前に銅めっきした状態を示す局部断面図
面図 （ｂ）封着前に銅めっきした状態を示す局部断面図
【図５】一般的な半導体装置用ステムを示す断面図
１ ベース ２ リード ３ ガラス ４ 電解銅めっき皮膜 ５ 電解ニッケルめっき皮膜 ６ 無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜 ７ 無電解パラジウムめっき皮膜 ８ 無電解金めっき皮膜
Claims (3)
- 【請求項１】 鉄または鉄系合金からなるベースおよび
リードを構成材料とする半導体装置用ステムの製造方法
において、あらかじめべースおよびリードの表面に銅ま
たは銅合金めっき皮膜を形成する工程と、前記ベースお
よびリードをガラスによって封着し半導体装置用ステム
を組み立てる工程と、前記半導体装置用ステムの金属部
表面に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロンめ
っき皮膜を形成する工程と、その上に無電解パラジウム
またはパラジウム合金めっき皮膜を形成する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置用ステムの製造方法。 - 【請求項２】 前記銅または銅合金めっき皮膜を形成し
た後、その上に電解ニッケルめっき皮膜を形成した請求
項１記載の半導体装置用ステムの製造方法。 - 【請求項３】 前記無電解パラジウムまたはパラジウム
合金めっき皮膜を形成した後、さらにごく薄い無電解金
めっき皮膜を形成する請求項１または２記載の半導体装
置用ステムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256337A JPH1197577A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256337A JPH1197577A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197577A true JPH1197577A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17291278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9256337A Pending JPH1197577A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708279B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-04-17 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 외부 접속 단자 및 반도체 장치 |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP9256337A patent/JPH1197577A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708279B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-04-17 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 외부 접속 단자 및 반도체 장치 |
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