JPS62204656A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS62204656A JPS62204656A JP61047831A JP4783186A JPS62204656A JP S62204656 A JPS62204656 A JP S62204656A JP 61047831 A JP61047831 A JP 61047831A JP 4783186 A JP4783186 A JP 4783186A JP S62204656 A JPS62204656 A JP S62204656A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置、およびインテリジェント
コピアや光ディスクなど各種ＯＡ機器の画像入力部に用
いられる光電変換装置に関するものである。
コピアや光ディスクなど各種ＯＡ機器の画像入力部に用
いられる光電変換装置に関するものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像情報入力
装置の小型化や画像ひずみの改良を目積して、原稿と同
一寸法の密着型ラインセンサを開発し、これを用いた画
像読取装置が使用され始めている。この分野では、情報
伝達の高速化に伴い、その読取速度を決める光センサの
応答速度の向上が強く望まれている。
装置の小型化や画像ひずみの改良を目積して、原稿と同
一寸法の密着型ラインセンサを開発し、これを用いた画
像読取装置が使用され始めている。この分野では、情報
伝達の高速化に伴い、その読取速度を決める光センサの
応答速度の向上が強く望まれている。
光導電素子の応答速度を改善する方法として、バイアス
光を用いる方法がある。この方法にもとづく光電変換装
置の基本構成を第２図に示す。すなわち、基台１に設け
たＬＥＤなどの一方光源２Ａから出た光が原稿３に当た
り、その反射光が集束性ファイバアレイなどの導光系４
を通って光導電素子５に当たり、かつ一方光源２Ａと同
種の光源２Ｂから出た光がバイアス光として直接光導電
素子に当たるようになっている。この方法では、光電流
がたとえば第３図（ａ）に示すような立上り波形をもつ
光導電素子の場合はその効果が小さく、第３図（ｂ）に
示すようなＳ字形の立上り波形をもつ光導電素子の場合
はその効果が非常に大きい。このことは本出願人の提案
にかかる特願昭５９−１８１７５１号に示されている通
りである。
光を用いる方法がある。この方法にもとづく光電変換装
置の基本構成を第２図に示す。すなわち、基台１に設け
たＬＥＤなどの一方光源２Ａから出た光が原稿３に当た
り、その反射光が集束性ファイバアレイなどの導光系４
を通って光導電素子５に当たり、かつ一方光源２Ａと同
種の光源２Ｂから出た光がバイアス光として直接光導電
素子に当たるようになっている。この方法では、光電流
がたとえば第３図（ａ）に示すような立上り波形をもつ
光導電素子の場合はその効果が小さく、第３図（ｂ）に
示すようなＳ字形の立上り波形をもつ光導電素子の場合
はその効果が非常に大きい。このことは本出願人の提案
にかかる特願昭５９−１８１７５１号に示されている通
りである。
なお、光電流がＳ字形の立上りを示すというのは、第３
図（ｂ）に示すように、光電流ＪＰの時間ｔに対する増
加率すなわち微分係数ｄＪｐ／ｄｔがｔ＝ｔＯ（＞Ｏ）
で最大値を示すものを云う、また。
図（ｂ）に示すように、光電流ＪＰの時間ｔに対する増
加率すなわち微分係数ｄＪｐ／ｄｔがｔ＝ｔＯ（＞Ｏ）
で最大値を示すものを云う、また。
Ｓ字形の立上りを示す光導電素子は逆に立下りが速いの
で、バイアス光により立上りを速くすると、立上り、立
下りを含めての全体の応答速度が速くなる（ナショナル
テクニカル レポート：Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｒｅｐｒｏｔ、 Ｖｏｌ、３１． Ｎｏ、
２＋ＰＰ、３０〜３８． １９８５参照）。
で、バイアス光により立上りを速くすると、立上り、立
下りを含めての全体の応答速度が速くなる（ナショナル
テクニカル レポート：Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｒｅｐｒｏｔ、 Ｖｏｌ、３１． Ｎｏ、
２＋ＰＰ、３０〜３８． １９８５参照）。
発明が解決しようとする問題点
さて、光導電素子にバイアス光を照射すると、このバイ
アス光による光電流Ｊｐｂが流れ、さらに原稿からの反
射光による信号光電流Ｊｐｓが加わり、合計の光電流Ｊ
ｐｔ（＝ Ｊ ｐｂ＋ Ｊ ｐｓ）が流れるよう番こ
なる。電気信号として取出すときにはＪｐｔからＪｐｂ
を差引いたＪｐｓを用いるが、ラインセンサの場合は個
別の光導電素子のＪｐｔから一定のＪｐｂを差引くこと
になる。したがって、ラインセンサ番こつきものの、個
別の光導電素子の感度にノ（ラツキカｔある場合には、
信号成分として得られるＪｐｔ（個別） −Ｊｐｂ（一
定）のバラツキが大きくなると＆Ｎう欠点が生じる。こ
の欠点は、Ｊｐｂが大きし）場合にはさらに大きな問題
となる。
アス光による光電流Ｊｐｂが流れ、さらに原稿からの反
射光による信号光電流Ｊｐｓが加わり、合計の光電流Ｊ
ｐｔ（＝ Ｊ ｐｂ＋ Ｊ ｐｓ）が流れるよう番こ
なる。電気信号として取出すときにはＪｐｔからＪｐｂ
を差引いたＪｐｓを用いるが、ラインセンサの場合は個
別の光導電素子のＪｐｔから一定のＪｐｂを差引くこと
になる。したがって、ラインセンサ番こつきものの、個
別の光導電素子の感度にノ（ラツキカｔある場合には、
信号成分として得られるＪｐｔ（個別） −Ｊｐｂ（一
定）のバラツキが大きくなると＆Ｎう欠点が生じる。こ
の欠点は、Ｊｐｂが大きし）場合にはさらに大きな問題
となる。
本発明は１以上のような光電流の応答速度力を遅いとい
う欠点をなくすとともに、ノ（イアス光番こよる光電法
成分を小さくした高速応答の光電変換装置を提供せんと
するものである。
う欠点をなくすとともに、ノ（イアス光番こよる光電法
成分を小さくした高速応答の光電変換装置を提供せんと
するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明は、絶縁性透明基板上
に形成された主走査方向に並んだ複数個の光導電体瞑に
対向電極を設けてなる光導電素子群を有し、原稿からの
反射光が導光系を通して前記光導電素子に当たる構成と
された光電変換装置において、前記光導電素子群を構成
するとともに光電流の光照射に対する応答がＳ字形の立
上り特性を示す光導電素子と、光源と、この光源からの
光を原稿を照射する長波長光と前記光導電素子を直接照
射する短波長光とに分光する手段とを有する構成とした
ものである。
に形成された主走査方向に並んだ複数個の光導電体瞑に
対向電極を設けてなる光導電素子群を有し、原稿からの
反射光が導光系を通して前記光導電素子に当たる構成と
された光電変換装置において、前記光導電素子群を構成
するとともに光電流の光照射に対する応答がＳ字形の立
上り特性を示す光導電素子と、光源と、この光源からの
光を原稿を照射する長波長光と前記光導電素子を直接照
射する短波長光とに分光する手段とを有する構成とした
ものである。
作用
Ｓ字形の立上りを示す理由は、光導電性膜中に多数存在
するトラップのためである（アール、エイチ、ビューベ
、 Ｒ，Ｈ，Ｂｕｂｅ、フォトコンダクテイビテイ オ
ブ ソリツズ： Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ５ｏｌｉｄｓ、ジョン ウィリー アンド サン
ズ：Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ ５ｏｎｓｙニユー ヨ
ーク： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋｙ１９６０、 ｐｐ、２８４
〜２８７参照）。Ｓ字形の立上りを示すのは、光照射に
より発生したキャリアがこのトラップに捕ま５るため有
効な光キャリアになり慢ず、このトラップが埋まって後
初めて光電流が立上るためと考えられている。バイアス
光の効果は、このトラップを予め埋めておくことにある
。短波長の光がバイアス光としてより有効であるのは、
短波長の光は光導電膜の極く表面で吸収され、この表面
近傍には特にトラップが多いのでこの効果が著しいため
であると考えられる。一方、表面近傍では再結合中心も
多いので光キャリアの寿命も短く、バイアス光による光
電流も小さくて済む。
するトラップのためである（アール、エイチ、ビューベ
、 Ｒ，Ｈ，Ｂｕｂｅ、フォトコンダクテイビテイ オ
ブ ソリツズ： Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ５ｏｌｉｄｓ、ジョン ウィリー アンド サン
ズ：Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ ５ｏｎｓｙニユー ヨ
ーク： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋｙ１９６０、 ｐｐ、２８４
〜２８７参照）。Ｓ字形の立上りを示すのは、光照射に
より発生したキャリアがこのトラップに捕ま５るため有
効な光キャリアになり慢ず、このトラップが埋まって後
初めて光電流が立上るためと考えられている。バイアス
光の効果は、このトラップを予め埋めておくことにある
。短波長の光がバイアス光としてより有効であるのは、
短波長の光は光導電膜の極く表面で吸収され、この表面
近傍には特にトラップが多いのでこの効果が著しいため
であると考えられる。一方、表面近傍では再結合中心も
多いので光キャリアの寿命も短く、バイアス光による光
電流も小さくて済む。
実施例
本発明は、第１図に示すように、光電流の立上り特性が
Ｓ字形の光導電素子５を用い、基台１の光源２からの光
を１ＭＭＢ２照射するための長波長光９Ａと、直接光導
電素子５を照射するための短波長光９Ｂとに分光する手
段を有する構成の光電変換装置であることを特徴として
いる。すなわち、絶縁性透明基板の上に形成された主走
査方向に並んだ複数個の光導電体膜に対向電極を設けて
なる光導電素子群を有し、原稿３からの反射光が導光系
４を通して光導電素子５に当たる構成とされた光電変換
装置において、前記光導電素子群を構成するとともに光
電流の光照射に対する応答がＳ字形の立上り特性を示す
光導電素子５と、光源２と、この光源２からの光を、原
稿３を照射する長波長光９Ａと光導電素子５を直接照射
するバイアス用の短波長光９Ｂとに分光する手段たとえ
ばフィルタ８Ａ、８Ｂとを有する構成としたものである
。８Ａは長波長用フィルタ、８Ｂは短波長用フィルタで
ある。６は信号処理のための回路部、７は短波長光９Ｂ
が通過するスリットである。バイアス用の短波長光９Ｂ
は、直流すなわち常時照射の方が低照度で効果が大きい
。
Ｓ字形の光導電素子５を用い、基台１の光源２からの光
を１ＭＭＢ２照射するための長波長光９Ａと、直接光導
電素子５を照射するための短波長光９Ｂとに分光する手
段を有する構成の光電変換装置であることを特徴として
いる。すなわち、絶縁性透明基板の上に形成された主走
査方向に並んだ複数個の光導電体膜に対向電極を設けて
なる光導電素子群を有し、原稿３からの反射光が導光系
４を通して光導電素子５に当たる構成とされた光電変換
装置において、前記光導電素子群を構成するとともに光
電流の光照射に対する応答がＳ字形の立上り特性を示す
光導電素子５と、光源２と、この光源２からの光を、原
稿３を照射する長波長光９Ａと光導電素子５を直接照射
するバイアス用の短波長光９Ｂとに分光する手段たとえ
ばフィルタ８Ａ、８Ｂとを有する構成としたものである
。８Ａは長波長用フィルタ、８Ｂは短波長用フィルタで
ある。６は信号処理のための回路部、７は短波長光９Ｂ
が通過するスリットである。バイアス用の短波長光９Ｂ
は、直流すなわち常時照射の方が低照度で効果が大きい
。
光導電素子５としては、光電流がＳ字形の立上り特性を
有するものなら何でも良いが、光電流が大きくて電気信
号処理の容易なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体でなるものが
好ましい。なかでも、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固溶体を主体と
してなるものは特に光電流が大きく、しかも可視光全域
に感度をもたせることもできるので、さらに好ましい。
有するものなら何でも良いが、光電流が大きくて電気信
号処理の容易なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体でなるものが
好ましい。なかでも、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固溶体を主体と
してなるものは特に光電流が大きく、しかも可視光全域
に感度をもたせることもできるので、さらに好ましい。
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固溶体のなかでも、Ｃｄ Ｓ ｅの分
量が４０モル％以上のものでは、バイアス光の効果が特
に大きい。４０モル％以上にＣｄＳｅの分量が増すと、
光電流の立下り時間は短くなるが、逆に立上り時間は長
くなり、バイアス光はこの立上り時間を短くする効果が
大きい。
量が４０モル％以上のものでは、バイアス光の効果が特
に大きい。４０モル％以上にＣｄＳｅの分量が増すと、
光電流の立下り時間は短くなるが、逆に立上り時間は長
くなり、バイアス光はこの立上り時間を短くする効果が
大きい。
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固溶体の場合、不純物として添加する
Ｃｕ濃度を高くしても光電流の立下り時間は短くなり、
逆に立上りはＳ字形を示し、その時間は長くなる。Ｃｕ
濃度は０．０１モル％以上が好ましい。
Ｃｕ濃度を高くしても光電流の立下り時間は短くなり、
逆に立上りはＳ字形を示し、その時間は長くなる。Ｃｕ
濃度は０．０１モル％以上が好ましい。
一般に、光導電素子５を流れる光電流は、照射光の波長
に関して第４図のような分光感度を有している。波長域
（Ａ）では、光導電体膜の固有吸収域であるため、光吸
収が盛んで光電流がピークを示す領域であり、通常はこ
の領域の発光波長を有するＬＥＤや単色蛍光灯などを用
いて原稿を照射する。波長域（Ｂ）は光導電体膜の吸収
がさらに強く、多くは表面でのみ吸収され、再結合が盛
んであるので、光キャリアの寿命が短くなり光電流は領
域（Ａ）より小さくなる。波長域（Ｃ）は、光導電体膜
の吸収がなくなるため、感度は小さいか殆んどない。
に関して第４図のような分光感度を有している。波長域
（Ａ）では、光導電体膜の固有吸収域であるため、光吸
収が盛んで光電流がピークを示す領域であり、通常はこ
の領域の発光波長を有するＬＥＤや単色蛍光灯などを用
いて原稿を照射する。波長域（Ｂ）は光導電体膜の吸収
がさらに強く、多くは表面でのみ吸収され、再結合が盛
んであるので、光キャリアの寿命が短くなり光電流は領
域（Ａ）より小さくなる。波長域（Ｃ）は、光導電体膜
の吸収がなくなるため、感度は小さいか殆んどない。
さて、本発明では、光源２の光をたとえば第１図のよう
にフィルタ８Ａ、８Ｂにより分光し、原稿３の照射には
フィルタ８Ａにより分光した波長域（Ａ）の長波長光９
Ａを用い、バイアス光としては、フィルタ８Ｂにより分
光した波長域（Ｂ）の短波長光９Ｂを用いる。分光の手
段は、プリズム、回折格子など利用しても良い。光源２
としては少なくとも波長域（Ａ）、（Ｂ）の両方の光を
含むものなら何でも良いが１通常のＷ−ランプ。
にフィルタ８Ａ、８Ｂにより分光し、原稿３の照射には
フィルタ８Ａにより分光した波長域（Ａ）の長波長光９
Ａを用い、バイアス光としては、フィルタ８Ｂにより分
光した波長域（Ｂ）の短波長光９Ｂを用いる。分光の手
段は、プリズム、回折格子など利用しても良い。光源２
としては少なくとも波長域（Ａ）、（Ｂ）の両方の光を
含むものなら何でも良いが１通常のＷ−ランプ。
蛍光灯などが簡便である。長波長光９Ａによる原稿から
の反射光が導光系４を通って光導電素子５に達したとき
の光強度の最大値Ｅ（λ＾）と、光導電素子５をスリッ
ト７を介して直接照射する短波長光９Ｂによるバイアス
光の光導電素子５面での光強度Ｅ（λＢ）とが等しいと
き、後者の光（λＢ）による光電流Ｊｐ（λ０）が前者
の光（λ＾）による光電流ＪＰ（λＡ）の半分以下であ
ることが好ましい。これには、短波長光９Ｂの光の中心
波長が長波長光９Ａの中心波長より１００止以上短波長
であることが必要である。
の反射光が導光系４を通って光導電素子５に達したとき
の光強度の最大値Ｅ（λ＾）と、光導電素子５をスリッ
ト７を介して直接照射する短波長光９Ｂによるバイアス
光の光導電素子５面での光強度Ｅ（λＢ）とが等しいと
き、後者の光（λＢ）による光電流Ｊｐ（λ０）が前者
の光（λ＾）による光電流ＪＰ（λＡ）の半分以下であ
ることが好ましい。これには、短波長光９Ｂの光の中心
波長が長波長光９Ａの中心波長より１００止以上短波長
であることが必要である。
光４′ｗ１素子５を直接照射する短波長光９Ｂによるバ
イアス光の光強度は、原稿３からの反射光が導光系４を
通って光導電素子群に達する長波長光９Ａによる光強度
の最大値（原稿３の白地に対応する）を１００とした場
合、５以上５０以下であることが好ましい。バイアス光
の強度が５０を越え、さらに１００を越えても、応答時
間は短くなるが、電気信号の処理上は５０位までが好ま
しい。
イアス光の光強度は、原稿３からの反射光が導光系４を
通って光導電素子群に達する長波長光９Ａによる光強度
の最大値（原稿３の白地に対応する）を１００とした場
合、５以上５０以下であることが好ましい。バイアス光
の強度が５０を越え、さらに１００を越えても、応答時
間は短くなるが、電気信号の処理上は５０位までが好ま
しい。
このように、光導電素子群において、原稿３からの間接
的な信号光による電気信号Ｊｐｓにこの光導電素子群を
直接照射するバイアス信号Ｊｐｂが重畳するので、この
バイアス信号をキャンセルするための回路が必要である
。
的な信号光による電気信号Ｊｐｓにこの光導電素子群を
直接照射するバイアス信号Ｊｐｂが重畳するので、この
バイアス信号をキャンセルするための回路が必要である
。
次に１本発明の実験例について説明する。第５図に示す
ごとく、ガラス基板１１（コーニング社。
ごとく、ガラス基板１１（コーニング社。
＃７０５９．２３０Ｘ２５Ｘ１．２ｍｍ）上に、０．０
１モル％のＣｕを含んだ厚さ４０００人のＣｄＳ、、、
Ｓｅ、、、の蒸着膜を形成し、フォトエツチングにより
主走査方向に島状（９０Ｘ ３５０μｒｒｒ）に８ビッ
ト／ｍｍの割合で１７２８ビツト配置する。この島状の
ＣｄＳ＠、、Ｓｓ、。
１モル％のＣｕを含んだ厚さ４０００人のＣｄＳ、、、
Ｓｅ、、、の蒸着膜を形成し、フォトエツチングにより
主走査方向に島状（９０Ｘ ３５０μｒｒｒ）に８ビッ
ト／ｍｍの割合で１７２８ビツト配置する。この島状の
ＣｄＳ＠、、Ｓｓ、。
膜を５００℃でＣｄＣ１１，の飽和蒸気中で加熱処理し
て光電的に活性化し、光導電体膜１２とした後に、島状
の膜１２の各々にＮｉＣｒ／Ａｕの対向電極すなわち共
通側電極１３と個別側電極１４を形成する。対向電極の
ギャップは６０μｍである。電極形成後の様子は第５図
の概略図によって示されている。ここで１５は絶縁フィ
ルム、 １６はフィルムリードである。
て光電的に活性化し、光導電体膜１２とした後に、島状
の膜１２の各々にＮｉＣｒ／Ａｕの対向電極すなわち共
通側電極１３と個別側電極１４を形成する。対向電極の
ギャップは６０μｍである。電極形成後の様子は第５図
の概略図によって示されている。ここで１５は絶縁フィ
ルム、 １６はフィルムリードである。
このようにして作製した光導電素子群のうち、１素子を
選んで光電流１分光スペクトルを測定した。その結果を
第６図に示す、 ６８０ｎｍにピークを有し、４００ｎ
ｍではピーク値の１７５程度となる。この１素子にＤＣ
ＬＯＶを印加し、Ｗ−ランプの光を干渉フィルター（東
芝ＫＬ−５７）により分光してこれを光チゴッパにより
ｌＨｚで点滅（０，５ｓｅｃずつ）させた５７０ｎｍを
用い、素子面での光強度を１５μＷ／ａＪ （約１００
立ｕｘ）として、光電流の時間に対する立上り、立下り
特性を測定した。その波形を第７図（ａ）に示す、また
バイアス光として６μＷ／ｄの定常光を照射し、同じＷ
−ランプの光を干渉フィルター（東芝Ｋ Ｌ−４０）で
分光した４００ｎｍの光を当てた場合を第７図（ｂ）に
、また比較のため信号光と同じ分光波長の光を当てた場
合を第７図（ｃ）に示す。
選んで光電流１分光スペクトルを測定した。その結果を
第６図に示す、 ６８０ｎｍにピークを有し、４００ｎ
ｍではピーク値の１７５程度となる。この１素子にＤＣ
ＬＯＶを印加し、Ｗ−ランプの光を干渉フィルター（東
芝ＫＬ−５７）により分光してこれを光チゴッパにより
ｌＨｚで点滅（０，５ｓｅｃずつ）させた５７０ｎｍを
用い、素子面での光強度を１５μＷ／ａＪ （約１００
立ｕｘ）として、光電流の時間に対する立上り、立下り
特性を測定した。その波形を第７図（ａ）に示す、また
バイアス光として６μＷ／ｄの定常光を照射し、同じＷ
−ランプの光を干渉フィルター（東芝Ｋ Ｌ−４０）で
分光した４００ｎｍの光を当てた場合を第７図（ｂ）に
、また比較のため信号光と同じ分光波長の光を当てた場
合を第７図（ｃ）に示す。
ここでＪｐｂはバイアス光による光電流、Ｊｐｓは信号
光による光電流を表わすとするとともに、バイアス光な
しでもバイアス光ありでも、立上り時間τｒはＪｐｓが
０からその飽和値５０％に上がるまでの時間、立下り時
間τｄはＪｐｓが飽和値からその５０％に下がるまでの
時間であるとして、これから得られた光応答特性を次表
にまとめる。
光による光電流を表わすとするとともに、バイアス光な
しでもバイアス光ありでも、立上り時間τｒはＪｐｓが
０からその飽和値５０％に上がるまでの時間、立下り時
間τｄはＪｐｓが飽和値からその５０％に下がるまでの
時間であるとして、これから得られた光応答特性を次表
にまとめる。
このように１本発明によるＪｐｂが従来のＪｐｂよりず
っと小さい。また同じ強度のバイアス光に照射した場合
、本発明によるバイアス光方式の方が応答速度を速くす
る効果が大きい。
っと小さい。また同じ強度のバイアス光に照射した場合
、本発明によるバイアス光方式の方が応答速度を速くす
る効果が大きい。
発明の効果
本発明は光応答速度（光電流の立上り時間、立下り時間
）が極めて速く、しかもバイアス光による充電流成分を
小さくしたため、センサの特性バラツキの小さい光電変
換装置およびこれを用いた高速画像読取装置の実現に大
きく寄与するものである。
）が極めて速く、しかもバイアス光による充電流成分を
小さくしたため、センサの特性バラツキの小さい光電変
換装置およびこれを用いた高速画像読取装置の実現に大
きく寄与するものである。
第１図は本発明にもとづく光電変換装置の祷成断面図、
第２図は従来のバイアス光を用いる場合の光電変換装置
の構成断面図、第３図（ａ）は従来の光導電素子の光電
流の光応答特性図、同図（ｂ）は本発明で用いる光導電
素子の光電流の光応答特性図、第４図は本発明で用いる
光導電素子の光電流の分光スペクトルを示す図、第５図
は電極形成後の光電変換部を示す概念図、第６図はＣｄ
Ｓ、、２８ｓ、、、を主成分とする光導電素子の光電流
の分光スペクトルを示す図、第７図′（ａ）はＣｄＳ、
、、Ｓｅ、、、を主成分とする光導電素子の光電流の光
応答特性図、同図（ｂ）は本発明の短波長バイアス光を
当てた場合のバイアス光電流Ｊｐｂと信号光電流Ｊｐｓ
の光応答特性図、同図（ｃ）は従来の信号光と同種の光
源をバイアス光に用いた場合のバイアス光電流Ｊｐｂと
信号光電流Ｊｐｓの光応答特性を示す図である。 ２・・・光源、３・・・原稿、４・・・導光系、５・・
・光導電素子、８・・・長波長用フィルタ（分光する手
段）。 ８・・・短波長用フィルタ（分光する手段）、９Ａ・・
・長波長光、９Ｂ・・・短波長光 代理人 森 本 義 弘第１図 ＾ ２−一一光洗 Ｊ−／？、痛 ＢＡ−４蝉し６１１１フイルダ（４紳ｅｉる１１斐）Ｉ
Ｂ−−−’Ｈ１：Ｊ１８ｆｌｊ７ｘ）Ｌ ９（４Ｈｔ７
１Ｈ１’ｊ）ｑＡ−−−五彼４光 ９Ｂ−一−ｇｉＬ波渠光 第２図 ＠３図 時間ｔ（任趣凡カ 第４図 ４５ ｂ ７ θ″ｉ ＆（
１１簿五ソ宜ン ぢ５ｊ図 第６図 ジ死Ｌ ＆ｔｎ−ン 第７図
第２図は従来のバイアス光を用いる場合の光電変換装置
の構成断面図、第３図（ａ）は従来の光導電素子の光電
流の光応答特性図、同図（ｂ）は本発明で用いる光導電
素子の光電流の光応答特性図、第４図は本発明で用いる
光導電素子の光電流の分光スペクトルを示す図、第５図
は電極形成後の光電変換部を示す概念図、第６図はＣｄ
Ｓ、、２８ｓ、、、を主成分とする光導電素子の光電流
の分光スペクトルを示す図、第７図′（ａ）はＣｄＳ、
、、Ｓｅ、、、を主成分とする光導電素子の光電流の光
応答特性図、同図（ｂ）は本発明の短波長バイアス光を
当てた場合のバイアス光電流Ｊｐｂと信号光電流Ｊｐｓ
の光応答特性図、同図（ｃ）は従来の信号光と同種の光
源をバイアス光に用いた場合のバイアス光電流Ｊｐｂと
信号光電流Ｊｐｓの光応答特性を示す図である。 ２・・・光源、３・・・原稿、４・・・導光系、５・・
・光導電素子、８・・・長波長用フィルタ（分光する手
段）。 ８・・・短波長用フィルタ（分光する手段）、９Ａ・・
・長波長光、９Ｂ・・・短波長光 代理人 森 本 義 弘第１図 ＾ ２−一一光洗 Ｊ−／？、痛 ＢＡ−４蝉し６１１１フイルダ（４紳ｅｉる１１斐）Ｉ
Ｂ−−−’Ｈ１：Ｊ１８ｆｌｊ７ｘ）Ｌ ９（４Ｈｔ７
１Ｈ１’ｊ）ｑＡ−−−五彼４光 ９Ｂ−一−ｇｉＬ波渠光 第２図 ＠３図 時間ｔ（任趣凡カ 第４図 ４５ ｂ ７ θ″ｉ ＆（
１１簿五ソ宜ン ぢ５ｊ図 第６図 ジ死Ｌ ＆ｔｎ−ン 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性透明基板上に形成された主走査方向に並んだ
複数個の光導電体膜に対向電極を設けてなる光導電素子
群を有し、原稿からの反射光が導光系を通して前記光導
電素子に当たる構成とされた光電変換装置において、前
記光導電素子群を構成するとともに光電流の光照射に対
する応答がＳ字形の立上り特性を示す光導電素子と、光
源と、この光源からの光を原稿を照射する長波長光と前
記光導電素子を直接照射する短波長光とに分光する手段
とを有することを特徴とする光電変換装置。 ２、光導電体膜がII−VI族化合物半導体を主体としてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変
換装置。 ３、光導電体膜がＣｄＳ−ＣｄＳｅ固溶体を主体として
なることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光電
変換装置。 ４、ＣｄＳｅの分量が４０モル％以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の光電変換装置。 ５、光導電体膜が０．０１モル％以上のＣｕを含有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項から第４項まで
のいずれかに記載の光電変換装置。 ６、短波長光の中心波長が、長波長光の中心波長より１
００ｎｍ以上短波長であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項から第５項までのいずれかに記載の光電変換
装置。 ７、長波長光による原稿からの反射光が導光系を通って
きた光による光電流の最大値を１００として、短波長光
による光電流が５〜５０であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項から第６項までのいずれかに記載の光電
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047831A JP2512427B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047831A JP2512427B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204656A true JPS62204656A (ja) | 1987-09-09 |
| JP2512427B2 JP2512427B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=12786299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61047831A Expired - Lifetime JP2512427B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2512427B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236959A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置 |
| JP2002267767A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Canon Inc | シート検知装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101471A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Read-in system |
| JPS57169876A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-19 | Fujitsu Ltd | Optical reader |
| JPS6087563A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61047831A patent/JP2512427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101471A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Read-in system |
| JPS57169876A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-19 | Fujitsu Ltd | Optical reader |
| JPS6087563A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236959A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置 |
| JP2002267767A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Canon Inc | シート検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2512427B2 (ja) | 1996-07-03 |
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