JPS6220736B2 - - Google Patents
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- JPS6220736B2 JPS6220736B2 JP7001880A JP7001880A JPS6220736B2 JP S6220736 B2 JPS6220736 B2 JP S6220736B2 JP 7001880 A JP7001880 A JP 7001880A JP 7001880 A JP7001880 A JP 7001880A JP S6220736 B2 JPS6220736 B2 JP S6220736B2
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- wave device
- transducer
- input
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波のバンドパスフイルタまたは遅
延回路等に使用される弾性表面波装置において保
証減衰量を増大させるための構成に関する。
延回路等に使用される弾性表面波装置において保
証減衰量を増大させるための構成に関する。
弾性表面波装置に大きな保証減衰量を与えるに
は、入力および出力トランスジユーサ間の電気的
漏洩波を抑圧すればよいことが知られており、
（日本音響学会講演論文集、昭和48年10月発行、
405、406頁、３−１−22、小山田他、「弾性表面
波フイルタの電気的漏洩波抑圧法について」参
照、）一般に入力および出力トランスジユーサ間
の距離を大きくし、その間にシールド電極を設け
る手段等がとられている。しかしながらこの方法
は大きな圧電基板を必要とし、遅延時間を極力小
さくする必要がある場合には不適当である。また
３トランスジユーサ構成により、交叉指電極と引
き出し線とで作るループを極力小さくし、両端の
トランスジユーサを横切る交叉磁束が逆方向とな
るように配線し、大きな保証減衰量を得る方法も
提案されているが、この方法は３トランスジユー
サ構成にしか適用できないという問題点がある。
は、入力および出力トランスジユーサ間の電気的
漏洩波を抑圧すればよいことが知られており、
（日本音響学会講演論文集、昭和48年10月発行、
405、406頁、３−１−22、小山田他、「弾性表面
波フイルタの電気的漏洩波抑圧法について」参
照、）一般に入力および出力トランスジユーサ間
の距離を大きくし、その間にシールド電極を設け
る手段等がとられている。しかしながらこの方法
は大きな圧電基板を必要とし、遅延時間を極力小
さくする必要がある場合には不適当である。また
３トランスジユーサ構成により、交叉指電極と引
き出し線とで作るループを極力小さくし、両端の
トランスジユーサを横切る交叉磁束が逆方向とな
るように配線し、大きな保証減衰量を得る方法も
提案されているが、この方法は３トランスジユー
サ構成にしか適用できないという問題点がある。
本発明の目的は、前述の従来形の装置の問題点
にかんがみ、入力および出力トランスジユーサの
各接地されるべき共通電極の間をインダクタで接
続するという着想に基き、弾性表面波装置におい
て、遅延時間の小さい場合においても保証減衰量
を大となし、かつ該保証減衰量の増大が３トラン
スジユーサ構成以外の場合にも実現し得るように
することにある。
にかんがみ、入力および出力トランスジユーサの
各接地されるべき共通電極の間をインダクタで接
続するという着想に基き、弾性表面波装置におい
て、遅延時間の小さい場合においても保証減衰量
を大となし、かつ該保証減衰量の増大が３トラン
スジユーサ構成以外の場合にも実現し得るように
することにある。
本発明においては、圧電基板上に交叉指電極よ
りなる入力および出力トランスジユーサを備えた
弾性表面波装置において、該入力トランスジユー
サの接地されるべき共通電極と、該出力トランス
ジユーサの接地されるべき共通電極との間を該入
力および出力トランスジユーサ間の電気的漏洩波
を該弾性表面波装置の周波数帯域で減衰させるよ
うに、インダクタで接続し、それにより保証減衰
量を増大させたことを特徴とする弾性表面波装置
が提供される。
りなる入力および出力トランスジユーサを備えた
弾性表面波装置において、該入力トランスジユー
サの接地されるべき共通電極と、該出力トランス
ジユーサの接地されるべき共通電極との間を該入
力および出力トランスジユーサ間の電気的漏洩波
を該弾性表面波装置の周波数帯域で減衰させるよ
うに、インダクタで接続し、それにより保証減衰
量を増大させたことを特徴とする弾性表面波装置
が提供される。
以下本発明の実施例について説明する。説明を
容易にするため、単純化したモデルとして入力お
よび出力トランスジユーサが同じ構成よりなる２
トランスジユーサ弾性表面波装置を考える。その
等価回路は第１図に、斜視図は第２図、第３図に
示される。第１図においてY1は弾性表面波放射
アドミタンス、C1はトランスジユーサの静電容
量、C0は入力および出力トランスジユーサ間の
浮遊容量、L1はリード線等による自己インダク
タンス、Ｍは相互インダクタンスを示す。図にお
いてリード線等の抵抗は微少であるため省略して
ある。Ｍは接続の方法により正、負両方の値を取
り得る。第２図はＭが正の場合の接続法を示し、
第３図はＭが負の場合の接続法を示す。
容易にするため、単純化したモデルとして入力お
よび出力トランスジユーサが同じ構成よりなる２
トランスジユーサ弾性表面波装置を考える。その
等価回路は第１図に、斜視図は第２図、第３図に
示される。第１図においてY1は弾性表面波放射
アドミタンス、C1はトランスジユーサの静電容
量、C0は入力および出力トランスジユーサ間の
浮遊容量、L1はリード線等による自己インダク
タンス、Ｍは相互インダクタンスを示す。図にお
いてリード線等の抵抗は微少であるため省略して
ある。Ｍは接続の方法により正、負両方の値を取
り得る。第２図はＭが正の場合の接続法を示し、
第３図はＭが負の場合の接続法を示す。
第１図の等価回路において、Ｍが正の場合の漏
洩波は第６図の実線６１のような減衰極をもつ特
性を示すことがわかつた。第６図においてf0は中
心周波数を示す。本発明の一実施例である第４図
に示されるように、共通電極１２と２２をインダ
クタ３０で接続すれば、すなわち第１図の等価回
路に示されるａ，ｂ間をインダクタンスにより接
続することにより、該減衰極の周波数は下降し、
第６図破線６２のように変化することが判明し
た。この時接続したインダクタンス値が小さいほ
ど該減衰極の周波数は下降することも明らかにな
つた。上記のようにインダクタを共通電極間に接
続することにより任意の位置に減衰極を実現させ
ることができ、特定の周波数領域において大幅な
保証減衰量の改善ができることがわかつた。
洩波は第６図の実線６１のような減衰極をもつ特
性を示すことがわかつた。第６図においてf0は中
心周波数を示す。本発明の一実施例である第４図
に示されるように、共通電極１２と２２をインダ
クタ３０で接続すれば、すなわち第１図の等価回
路に示されるａ，ｂ間をインダクタンスにより接
続することにより、該減衰極の周波数は下降し、
第６図破線６２のように変化することが判明し
た。この時接続したインダクタンス値が小さいほ
ど該減衰極の周波数は下降することも明らかにな
つた。上記のようにインダクタを共通電極間に接
続することにより任意の位置に減衰極を実現させ
ることができ、特定の周波数領域において大幅な
保証減衰量の改善ができることがわかつた。
一方第１図の等価回路においてＭが負の場合は
第７図実線７１のように周波数が高くなるにつれ
て漏洩波は単調に増加することがわかつた。第７
図においてf0は中心周波数を示す。しかしながら
本発明の他の一つの実施例である第５図に示され
るように共通電極１２と２２をインダクタ３０で
接続、すなわち第１図の等価回路のａ，ｂ間をイ
ンダクタンスで接続し、該インダクタンス値を順
次減少させた場合、漏洩波の減衰量は第７図破線
７２、一点鎖線７３、二点鎖線７４の順序で変化
し、該インダクタンス値を減少させるに従い漏洩
波は減少し（第７図破線７２、一点鎖線７３）、
該インダクタンス値がある値より小さくなるとＭ
が正の場合と同様に減衰極を持つ特性（第７図二
点鎖線７４）を示すようになることが判明した。
第７図実線７１のように周波数が高くなるにつれ
て漏洩波は単調に増加することがわかつた。第７
図においてf0は中心周波数を示す。しかしながら
本発明の他の一つの実施例である第５図に示され
るように共通電極１２と２２をインダクタ３０で
接続、すなわち第１図の等価回路のａ，ｂ間をイ
ンダクタンスで接続し、該インダクタンス値を順
次減少させた場合、漏洩波の減衰量は第７図破線
７２、一点鎖線７３、二点鎖線７４の順序で変化
し、該インダクタンス値を減少させるに従い漏洩
波は減少し（第７図破線７２、一点鎖線７３）、
該インダクタンス値がある値より小さくなるとＭ
が正の場合と同様に減衰極を持つ特性（第７図二
点鎖線７４）を示すようになることが判明した。
以上のように、インダクタンスを接続すること
による保証減衰量の改善は次のように考えられ
る。
による保証減衰量の改善は次のように考えられ
る。
第１図の等価回路は減衰域においてはY1≠０
のため、第９図さらに第１０図のように変換でき
る。本発明のインダクタンスの接続は第１１図の
ようにａ，ｂ間をインダクタンスL0で接続する
ことを意味するため、第１１図について検討を進
める。第１１図は軸対称回路であるために第１２
図で示される等価対称格子回路として取扱うこと
が可能であり、対称格子回路の動作伝送係数ＳB
は次式で与えられる。
のため、第９図さらに第１０図のように変換でき
る。本発明のインダクタンスの接続は第１１図の
ようにａ，ｂ間をインダクタンスL0で接続する
ことを意味するため、第１１図について検討を進
める。第１１図は軸対称回路であるために第１２
図で示される等価対称格子回路として取扱うこと
が可能であり、対称格子回路の動作伝送係数ＳB
は次式で与えられる。
ＳB＝（Ｚ＋Ｚｂ）（Ｚ＋Ｚａ）／Ｚ（Ｚｂ−Ｚａ）
………(1) 式(1)においてＺは入出力の終端インピーダンス
である。式(1)より、全周波数にわたり、Ｚa≠Ｚb
の場合は減衰極が生じることはなく、またＺa＝
Ｚbとなる周波数において減衰極が生じることが
わかる。Ｚa、Ｚbはそれぞれ第１３図、第１４図
で示されるため、インダクタンスを接続すること
は、Ｚaの値のみを変えること、すなわち（Ｚb−
Ｚa）の値を変えることに相当し、これが減衰極
の移動または減衰極の出現につながり保証減衰量
が改善されるものと考えられる。
………(1) 式(1)においてＺは入出力の終端インピーダンス
である。式(1)より、全周波数にわたり、Ｚa≠Ｚb
の場合は減衰極が生じることはなく、またＺa＝
Ｚbとなる周波数において減衰極が生じることが
わかる。Ｚa、Ｚbはそれぞれ第１３図、第１４図
で示されるため、インダクタンスを接続すること
は、Ｚaの値のみを変えること、すなわち（Ｚb−
Ｚa）の値を変えることに相当し、これが減衰極
の移動または減衰極の出現につながり保証減衰量
が改善されるものと考えられる。
以上の結果、入力トランスジユーサの接地され
るべき共通電極と出力トランスジユーサの接地さ
れるべき共通電極とをインダクタで接続すること
により、Ｍが正の場合は、前述のように要求され
る減衰特性に応じて漏洩波の減衰極の位置を変化
させて保証減衰量の改善ができ、またＭが負の場
合は漏洩波の減衰極が出現するしないにかかわら
ず保証減衰量は改善されることがわかつた。もち
ろんＭが負の場合においても要求される減衰域特
性に応じて積極的に漏洩波の減衰極を出現させ保
証減衰量を改善することも可能である。
るべき共通電極と出力トランスジユーサの接地さ
れるべき共通電極とをインダクタで接続すること
により、Ｍが正の場合は、前述のように要求され
る減衰特性に応じて漏洩波の減衰極の位置を変化
させて保証減衰量の改善ができ、またＭが負の場
合は漏洩波の減衰極が出現するしないにかかわら
ず保証減衰量は改善されることがわかつた。もち
ろんＭが負の場合においても要求される減衰域特
性に応じて積極的に漏洩波の減衰極を出現させ保
証減衰量を改善することも可能である。
第８図は３トランスジユーサ弾性表面波装置に
おいてインダクタとしてリード線１３を用いた他
の一実施例である。本発明は２トランスジユーサ
弾性表面波装置に適用してその効果を十分に発揮
するものであるが３トランスジユーサ弾性表面波
装置にも応用することができる。
おいてインダクタとしてリード線１３を用いた他
の一実施例である。本発明は２トランスジユーサ
弾性表面波装置に適用してその効果を十分に発揮
するものであるが３トランスジユーサ弾性表面波
装置にも応用することができる。
以上本発明の実施例について、主として単純化
した２トランスジユーサ弾性表面波装置について
説明したが、リード線等の抵抗がある場合でも、
また重み付け等により入力および出力トランスジ
ユーサが異なつた構成の弾性表面波装置において
も、本発明によるインダクタを接続することによ
り同様な現象が生じ、保証減衰量が改善できるこ
とは容易に想起できる。
した２トランスジユーサ弾性表面波装置について
説明したが、リード線等の抵抗がある場合でも、
また重み付け等により入力および出力トランスジ
ユーサが異なつた構成の弾性表面波装置において
も、本発明によるインダクタを接続することによ
り同様な現象が生じ、保証減衰量が改善できるこ
とは容易に想起できる。
本発明に使用されるインダクタは入力および出
力トランスジユーサと同一基板上に形成すること
も可能であり、またそのインダクタはトリミング
等の方法により可変とすることも可能である。さ
らにワイヤ、リボン等のリード線をインダクタの
代用とすることも可能である。
力トランスジユーサと同一基板上に形成すること
も可能であり、またそのインダクタはトリミング
等の方法により可変とすることも可能である。さ
らにワイヤ、リボン等のリード線をインダクタの
代用とすることも可能である。
本発明によれば、弾性表面波装置において、遅
延時間の小さい場合においても保証減衰量を大と
なし、かつ該保証減衰量の増大が３トランスジユ
ーサ構成以外の場合にも実現することができる。
延時間の小さい場合においても保証減衰量を大と
なし、かつ該保証減衰量の増大が３トランスジユ
ーサ構成以外の場合にも実現することができる。
第１図は入力および出力トランスジユーサが同
一構成よりなる２トランスジユーサ弾性表面波装
置の等価回路を示す回路図、第２図は２トランス
ジユーサ弾性表面波装置において相互インダクタ
ンスが正の場合の接続法の一例を示す斜視図、第
３図は２トランスジユーサ弾性表面波装置におい
て相互インダクタンスが負の場合の接続法の一例
を示す斜視図、第４図は本発明の一実施例として
の２トランスジユーサ弾性表面波装置の斜視図、
第５図は本発明の他の一実施例としての２トラン
スジユーサ弾性表面波装置の斜視図、第６図は相
互インダクタンスが正の場合の弾性表面波装置の
周波数と減衰量の関係を示す特性図、第７図は相
互インダクタンスが負の場合の弾性表面波装置の
周波数と減衰量の関係を示す特性図、第８図は本
発明の一実施例としての３トランスジユーサ弾性
表面波装置の斜視図、第９図、第１０図、第１１
図、第１２図、第１３図、および第１４図はイン
ダクタンスの接続により保証減衰量の改善がなさ
れることを説明するための回路図である。 １０……圧電基板、１１，１２，２１，２２…
…共通電極、１３……リード線、３０……インダ
クタ、C0……入力および出力トランスジユーサ
間の浮遊容量、C1……トランスジユーサの静電
容量、L1……リード線等による自己インダクタ
ンス、Ｍ……相互インダクタンス、Y1……弾性
表面波放射アドミタンス。
一構成よりなる２トランスジユーサ弾性表面波装
置の等価回路を示す回路図、第２図は２トランス
ジユーサ弾性表面波装置において相互インダクタ
ンスが正の場合の接続法の一例を示す斜視図、第
３図は２トランスジユーサ弾性表面波装置におい
て相互インダクタンスが負の場合の接続法の一例
を示す斜視図、第４図は本発明の一実施例として
の２トランスジユーサ弾性表面波装置の斜視図、
第５図は本発明の他の一実施例としての２トラン
スジユーサ弾性表面波装置の斜視図、第６図は相
互インダクタンスが正の場合の弾性表面波装置の
周波数と減衰量の関係を示す特性図、第７図は相
互インダクタンスが負の場合の弾性表面波装置の
周波数と減衰量の関係を示す特性図、第８図は本
発明の一実施例としての３トランスジユーサ弾性
表面波装置の斜視図、第９図、第１０図、第１１
図、第１２図、第１３図、および第１４図はイン
ダクタンスの接続により保証減衰量の改善がなさ
れることを説明するための回路図である。 １０……圧電基板、１１，１２，２１，２２…
…共通電極、１３……リード線、３０……インダ
クタ、C0……入力および出力トランスジユーサ
間の浮遊容量、C1……トランスジユーサの静電
容量、L1……リード線等による自己インダクタ
ンス、Ｍ……相互インダクタンス、Y1……弾性
表面波放射アドミタンス。
Claims (1)
- １ 圧電基板上に交叉指電極よりなる入力および
出力トランスジユーサを備えた弾性表面波装置に
おいて、該入力トランスジユーサの接地されるべ
き共通電極と、該出力トランスジユーサの接地さ
れるべき共通電極との間を、該入力および出力ト
ランスジユーサ間の電気的漏洩波を該弾性表面波
装置の周波数帯域で減衰させるように、インダク
タで接続し、それにより保証減衰量を増大させた
ことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001880A JPS56166619A (en) | 1980-05-28 | 1980-05-28 | Elastic surface wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001880A JPS56166619A (en) | 1980-05-28 | 1980-05-28 | Elastic surface wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56166619A JPS56166619A (en) | 1981-12-21 |
| JPS6220736B2 true JPS6220736B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=13419442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7001880A Granted JPS56166619A (en) | 1980-05-28 | 1980-05-28 | Elastic surface wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56166619A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2547718B2 (ja) * | 1984-06-06 | 1996-10-23 | 株式会社東芝 | 弾性表面波共振子 |
-
1980
- 1980-05-28 JP JP7001880A patent/JPS56166619A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56166619A (en) | 1981-12-21 |
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