JPS62208602A - 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体素子の製造方法Info
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- JPS62208602A JPS62208602A JP61051156A JP5115686A JPS62208602A JP S62208602 A JPS62208602 A JP S62208602A JP 61051156 A JP61051156 A JP 61051156A JP 5115686 A JP5115686 A JP 5115686A JP S62208602 A JPS62208602 A JP S62208602A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化亜鉛を主成分とし、それ自体が電圧非直線
性を有する焼結体の側面に高抵抗層を形成した電圧非直
線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
性を有する焼結体の側面に高抵抗層を形成した電圧非直
線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
電圧非直線抵抗体素子は一般にバリスタと呼ばれ、電圧
安定化やサージ吸収用の素子として用い3べ一/ られている。
安定化やサージ吸収用の素子として用い3べ一/ られている。
中でも、酸化亜鉛を主成分としてこれに少量のビスマス
、コバルト、マンガン、アンチモン、クロムなどを添加
した酸化亜鉛バリスタは、その大きなサージ電流耐量と
優れた電圧非直線性から、近年、ギャップレスアレスタ
として従来のシリコンカーバイトバリスタにとって代わ
り広く利用されている。
、コバルト、マンガン、アンチモン、クロムなどを添加
した酸化亜鉛バリスタは、その大きなサージ電流耐量と
優れた電圧非直線性から、近年、ギャップレスアレスタ
として従来のシリコンカーバイトバリスタにとって代わ
り広く利用されている。
酸化亜鉛バリスタをアレスタとして用いる場合、極めて
重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性であ
る。これはJRC−187−1973に規定された4×
10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加したピーク電
流の限界値である。第2に、課電寿命特性で、これは規
定の交流電圧を印加した際に、アレスタ素子が熱暴走に
至るまでの時間である。通常は、周囲温度を100’C
以上にし、課電率(V印加電圧×100/V+mA)を
90%以上に設定し、加速試験を行って寿命予測をする
。近年、これらの特性を兼ね備えた高性能のアレスタ素
子の開発要望が強い。
重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性であ
る。これはJRC−187−1973に規定された4×
10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加したピーク電
流の限界値である。第2に、課電寿命特性で、これは規
定の交流電圧を印加した際に、アレスタ素子が熱暴走に
至るまでの時間である。通常は、周囲温度を100’C
以上にし、課電率(V印加電圧×100/V+mA)を
90%以上に設定し、加速試験を行って寿命予測をする
。近年、これらの特性を兼ね備えた高性能のアレスタ素
子の開発要望が強い。
従来よシミ正非直線抵抗体素子(アレスタ素子)の製造
方法として、特開昭66−69804号公報、特公昭6
0−15126号公報などが知られている。前者は、酸
化亜鉛に少量の酸化ビスマス。
方法として、特開昭66−69804号公報、特公昭6
0−15126号公報などが知られている。前者は、酸
化亜鉛に少量の酸化ビスマス。
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ニッケルなどを添加
し、粉砕、混合、造粒工程を経て得られた成形体もしく
は700°C〜1150℃で仮焼した仮焼体の側面にZ
n2SiO4、Zn7Sb2O12、Bi2O5などを
含む物質を塗布した後、焼結し、側面に高抵抗層を有す
るアレスタ素子を製造するものである。後者は、同様に
して得られた成型体を焼成する際、焼成容器内に酸化ア
ンチモン、酸化ビスマス、酸化ケイ素を配置し、気−固
相反応により、側面に高抵抗層を有するアレスタ素子を
製造するものである。
し、粉砕、混合、造粒工程を経て得られた成形体もしく
は700°C〜1150℃で仮焼した仮焼体の側面にZ
n2SiO4、Zn7Sb2O12、Bi2O5などを
含む物質を塗布した後、焼結し、側面に高抵抗層を有す
るアレスタ素子を製造するものである。後者は、同様に
して得られた成型体を焼成する際、焼成容器内に酸化ア
ンチモン、酸化ビスマス、酸化ケイ素を配置し、気−固
相反応により、側面に高抵抗層を有するアレスタ素子を
製造するものである。
発明が解決しようとする問題点
このような前者の方法では、側面高抵抗層の構造が不安
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置した56−ジ Sb2O5 、 Bi2O5などからなる塗布剤の蒸気
と成型体とを反応させるため、側面高抵抗層の厚みが充
分とれず、放電耐量が低いばかりでなく、同一焼成容器
中で焼成可能な素子数が限られ、量産性に欠けるという
欠点を有していた。
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置した56−ジ Sb2O5 、 Bi2O5などからなる塗布剤の蒸気
と成型体とを反応させるため、側面高抵抗層の厚みが充
分とれず、放電耐量が低いばかりでなく、同一焼成容器
中で焼成可能な素子数が限られ、量産性に欠けるという
欠点を有していた。
本発明は、このような問題点を解決するもので、アレス
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性1課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性1課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
問題点を解決するだめの手段
本発明では、上記の問題点を解決するため、酸化亜鉛を
主成分とする成形体、仮焼体の側面に、2層の成分の異
なった高抵抗層を形成することによシ、高抵抗層−素子
間の密着性を上げ、素子からのBi2O5飛散を防ぐ、
安定な構造の高抵抗層を形成することを特徴としている
。
主成分とする成形体、仮焼体の側面に、2層の成分の異
なった高抵抗層を形成することによシ、高抵抗層−素子
間の密着性を上げ、素子からのBi2O5飛散を防ぐ、
安定な構造の高抵抗層を形成することを特徴としている
。
作用
本発明による電圧非直線抵抗体素子の製造方法によれば
、酸化亜鉛バリスタ素子の成型体または仮焼体の側面に
SiO2 、Sb2O5からなる第1の側6ページ 固剤を塗布し、その上部にSiO2を主成分とする第2
の側面剤を塗布した後、焼成し、バリスタ素子側面に高
抵抗層を形成するため、高抵抗層下層部にZn7Sb2
O12、同」二層部にZn2SiO4の安定な2層構造
を得ることができる。このことから、バリスタ素体−高
抵抗層間の密着性が増し、放電耐量が向上するばかりで
なく、高抵抗層上層部のZn2SiO4層のカバーリン
グによりバリスタ素体内部からのBi2O3飛散を抑え
、課電寿命特性も大巾に向上させることができる。
、酸化亜鉛バリスタ素子の成型体または仮焼体の側面に
SiO2 、Sb2O5からなる第1の側6ページ 固剤を塗布し、その上部にSiO2を主成分とする第2
の側面剤を塗布した後、焼成し、バリスタ素子側面に高
抵抗層を形成するため、高抵抗層下層部にZn7Sb2
O12、同」二層部にZn2SiO4の安定な2層構造
を得ることができる。このことから、バリスタ素体−高
抵抗層間の密着性が増し、放電耐量が向上するばかりで
なく、高抵抗層上層部のZn2SiO4層のカバーリン
グによりバリスタ素体内部からのBi2O3飛散を抑え
、課電寿命特性も大巾に向上させることができる。
実施例
以下、本発明の製造方法およびそれによって得られた電
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づき詳細に説明
する。 ・ まず、ZnOの粉末に、合計量に対しBi2O30,6
モル%、 GO2030,5モル%、 Mn020.5
モル%。
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づき詳細に説明
する。 ・ まず、ZnOの粉末に、合計量に対しBi2O30,6
モル%、 GO2030,5モル%、 Mn020.5
モル%。
Sb2O31.0 モ/l/%、 Cr2O30+E5
モ/l/%、N100.25モル%を加え、充分に粉
砕、混合した後造粒して原料粉を得た。この原料粉を直
径40mm、厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。こ
のようにし7ヘー/′ て得られた成形体を900°C,2時間焼成し冷却して
仮焼体を得た。
モ/l/%、N100.25モル%を加え、充分に粉
砕、混合した後造粒して原料粉を得た。この原料粉を直
径40mm、厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。こ
のようにし7ヘー/′ て得られた成形体を900°C,2時間焼成し冷却して
仮焼体を得た。
一方、側面高抵抗層用のペーストは、Sb2O3゜Bi
2O3、SiO2を適当な割合で混合した原料粉と、エ
チルセルロース25wt%、フチルカルヒトール76w
t%からなるバインダーとを、重量比で1対30割合で
配合し均一になるように混練して作成した。本発明では
、この側面高抵抗層用のペーストは、SiO2 、Sb
2Osからなる下層用と、SiO2を主成分とする上層
用の2種類がある。
2O3、SiO2を適当な割合で混合した原料粉と、エ
チルセルロース25wt%、フチルカルヒトール76w
t%からなるバインダーとを、重量比で1対30割合で
配合し均一になるように混練して作成した。本発明では
、この側面高抵抗層用のペーストは、SiO2 、Sb
2Osからなる下層用と、SiO2を主成分とする上層
用の2種類がある。
前述の仮焼体側面に下層用のペーストを塗布し、乾燥さ
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後、空
気中において1200°Cで焼結させた。このようにし
て得られた焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶
射電極を形成した。
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後、空
気中において1200°Cで焼結させた。このようにし
て得られた焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶
射電極を形成した。
第1図は上述したようにして得た電圧非直線抵抗体素子
の断面図であり、1はZnOf主成分とする焼結体、2
はZn7Sb2O12を主成分とする側面高抵抗層第1
層(下層)、3はzn2sio4 を主成分とする側
面高抵抗層第2層(上層)、4はアルミニウム溶射によ
り形成された電極である。なお、側面高抵抗層2,3の
成分はX線回折により確認された。また、X線マイクロ
アナライザーによる分析から、第1層(下層)2にはM
n 、 Go 、 Grなどが固溶し、第2層(上層)
3には主としてGo が固溶していることが確認された
。
の断面図であり、1はZnOf主成分とする焼結体、2
はZn7Sb2O12を主成分とする側面高抵抗層第1
層(下層)、3はzn2sio4 を主成分とする側
面高抵抗層第2層(上層)、4はアルミニウム溶射によ
り形成された電極である。なお、側面高抵抗層2,3の
成分はX線回折により確認された。また、X線マイクロ
アナライザーによる分析から、第1層(下層)2にはM
n 、 Go 、 Grなどが固溶し、第2層(上層)
3には主としてGo が固溶していることが確認された
。
下記の第1表は、側面高抵抗層第1層および第2層用の
側面剤の組成表である。第1層用側面剤はSiO2 、
Sb2O3からなり、第2層用側面剤はSiO2 、
Bi2O5からなる。
側面剤の組成表である。第1層用側面剤はSiO2 、
Sb2O3からなり、第2層用側面剤はSiO2 、
Bi2O5からなる。
(以下 余 白)
9 。
ベーン
〈第 1 表〉
単位:モル%
この側面剤を仮焼体に第1層用側面剤、第2層用側面剤
の順に塗布し、焼結させた後、Aβメタリコン電極を付
け、v1mA/mm 、 V+mA/V1o72x +
外観などを調べた。この結果を下記の第2表に示す。
の順に塗布し、焼結させた後、Aβメタリコン電極を付
け、v1mA/mm 、 V+mA/V1o72x +
外観などを調べた。この結果を下記の第2表に示す。
比較のため従来例1とLテBi2O5+ Zn7Sb2
O12+SiO2をそれぞれ10モル%、10モル%、
80モル%含む側面剤を含む側面剤を仮焼体に塗布した
場合、従来例2としてBi2O5、Sb2O5をそれぞ
れ10モル%、90モル%含む塗布剤を焼成容器内に配
置し気−固相反応にょシ側面高抵抗層を形成した場合の
データを追記した。
O12+SiO2をそれぞれ10モル%、10モル%、
80モル%含む側面剤を含む側面剤を仮焼体に塗布した
場合、従来例2としてBi2O5、Sb2O5をそれぞ
れ10モル%、90モル%含む塗布剤を焼成容器内に配
置し気−固相反応にょシ側面高抵抗層を形成した場合の
データを追記した。
(以下余 白)
15、。
第2表よりわかるように、v1mA/mmは、第2層用
側面剤中のBi2O5濃度が増加するにつれて低下傾向
を示し、逆にV’+mA/V+o□A は向上する傾向
がある。しかし、第2層側面剤中のBi2O5濃度が4
0モル%を越えると側面剤の流れが発生し、V+ mA
/ V+ o tIA は逆にわずかに上昇する。また
、第1層側面剤中のSb2O3濃度が増すにつれ、V1
mA/v1o□Aは向」二している。
側面剤中のBi2O5濃度が増加するにつれて低下傾向
を示し、逆にV’+mA/V+o□A は向上する傾向
がある。しかし、第2層側面剤中のBi2O5濃度が4
0モル%を越えると側面剤の流れが発生し、V+ mA
/ V+ o tIA は逆にわずかに上昇する。また
、第1層側面剤中のSb2O3濃度が増すにつれ、V1
mA/v1o□Aは向」二している。
第2図〜第9図に本発明の製造方法による電圧非直線抵
抗体素子の放電耐量特性1課電寿命特性の結果を示す。
抗体素子の放電耐量特性1課電寿命特性の結果を示す。
ここで、放電耐量試験はJll−187−1973に規
定された4×10μsの衝撃電流を同一方向に5分間隔
で2回印加し、外観異常などをチェックした。試験は1
0KA毎のステップアップ方式で行い、図中には黒丸印
の実線で示した。壕だ、2回の衝撃電流に耐えなかった
試料に関しては印加電流からSKAを減じて示した。さ
らに、課電寿命試験は周囲温度130°C1課電率96
%(60f(zAG )の条件で行い、漏れ電流が10
mAに達した時点で熱暴走と判定し、それに要した時間
を図中に白丸印の点線で示した。
定された4×10μsの衝撃電流を同一方向に5分間隔
で2回印加し、外観異常などをチェックした。試験は1
0KA毎のステップアップ方式で行い、図中には黒丸印
の実線で示した。壕だ、2回の衝撃電流に耐えなかった
試料に関しては印加電流からSKAを減じて示した。さ
らに、課電寿命試験は周囲温度130°C1課電率96
%(60f(zAG )の条件で行い、漏れ電流が10
mAに達した時点で熱暴走と判定し、それに要した時間
を図中に白丸印の点線で示した。
下記の第3表に従来例1および2の放電耐量特性2課電
寿命特性を示した。
寿命特性を示した。
(以下 余 白)
17 。
ベー/
第3表よりわかるように、Bi2O3、Zn7Sb20
12 。
12 。
SiO2系側面剤塗布方式(従来例1)では、放電耐量
50KA1回9課電寿命29時間、 Bi2O3。
50KA1回9課電寿命29時間、 Bi2O3。
Sb2O6 気−固相反応系(従来例2)では、放電
耐量50KA2回9課電寿命31時間の性能を有してい
た。第2図〜第9図をこれらと比較すると、第1層側面
剤中のSb2031M度が0,1モル%より低い領域と
、30モル%より高い領域で放電耐量。
耐量50KA2回9課電寿命31時間の性能を有してい
た。第2図〜第9図をこれらと比較すると、第1層側面
剤中のSb2031M度が0,1モル%より低い領域と
、30モル%より高い領域で放電耐量。
課電寿命特性とも低レベルにあるが、0.1〜30モル
%の領域では非常に秀れていることがわかる。
%の領域では非常に秀れていることがわかる。
一方、第4図〜第6図より第2層側面剤中のBi20d
!度が増加するにつれ課電寿命特性が向上し、20〜3
0モル%でピークに達し、40モル%以上では再び低下
する。これは、側面高抵抗層が焼結反応の過程で、Zn
2SiO4相を形成する部分の一部がB12C)5過多
により流れ落ち、逆にバリスタ素子からのBi2O3が
飛散し易くなるためと考えられる。−力、放電耐量特性
はBi2O5濃度が20〜30モル%は一定で、その後
、急激に低下することがわかる。これは、Bi2O5が
高くなると19、。
!度が増加するにつれ課電寿命特性が向上し、20〜3
0モル%でピークに達し、40モル%以上では再び低下
する。これは、側面高抵抗層が焼結反応の過程で、Zn
2SiO4相を形成する部分の一部がB12C)5過多
により流れ落ち、逆にバリスタ素子からのBi2O3が
飛散し易くなるためと考えられる。−力、放電耐量特性
はBi2O5濃度が20〜30モル%は一定で、その後
、急激に低下することがわかる。これは、Bi2O5が
高くなると19、。
側面高抵抗層の上層に形成されるZn2SiO4の粒界
にBi2O5が残存するため、その強度が低下し、放電
耐量特性が悪化するものと考えられる。第1層側面剤に
A 6 (Sb2O3: 10モル%、S工02:9゜
モ/l/%)、第2層側面剤にB2 (Bi2O3:
10モル%、 SiO2 190モル%)を用いた場合
、放電耐量は96KA1課電寿命は320時間の性能を
有し、従来例と比較し著しく高性能化していることがわ
かる。
にBi2O5が残存するため、その強度が低下し、放電
耐量特性が悪化するものと考えられる。第1層側面剤に
A 6 (Sb2O3: 10モル%、S工02:9゜
モ/l/%)、第2層側面剤にB2 (Bi2O3:
10モル%、 SiO2 190モル%)を用いた場合
、放電耐量は96KA1課電寿命は320時間の性能を
有し、従来例と比較し著しく高性能化していることがわ
かる。
以上のように、本発明の製造方法による電圧非直線抵抗
体素子が、放電耐量特性1課電寿命特性ともに高性能を
示す理由は、以下のように推定される。従来のBi2O
3、Zn7Sb2012 (Sb2O5 ) 。
体素子が、放電耐量特性1課電寿命特性ともに高性能を
示す理由は、以下のように推定される。従来のBi2O
3、Zn7Sb2012 (Sb2O5 ) 。
SiO2三成分単層側面剤を用いた場合、その生成物は
Zn7Sb2O12とZn2SiO4の混在系であるの
に対し、二層塗布方式の側面剤を用いた場合、第1層(
下層)にZn7Sb2012 相が生成し、第2層(上
層)にZn2SiO4相が生成して構造が極めて安が高
く放電耐量の向上に寄与し、上層のZn25iOa相は
バリスタ素子からのBi2O5飛牧を軽減し課電寿命特
性の向上に寄与していると考えられる。
Zn7Sb2O12とZn2SiO4の混在系であるの
に対し、二層塗布方式の側面剤を用いた場合、第1層(
下層)にZn7Sb2012 相が生成し、第2層(上
層)にZn2SiO4相が生成して構造が極めて安が高
く放電耐量の向上に寄与し、上層のZn25iOa相は
バリスタ素子からのBi2O5飛牧を軽減し課電寿命特
性の向上に寄与していると考えられる。
本実施例においては側面高抵抗層用の2種類の側面剤を
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1層
、第2層用側面剤ともに成形体に塗布した場合、また第
1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体に塗
布した場合にも同様の効果があることを確認した。
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1層
、第2層用側面剤ともに成形体に塗布した場合、また第
1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体に塗
布した場合にも同様の効果があることを確認した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、酸化亜鉛形バリスタ素子
の成形体又は仮焼体の側面にSb2O6゜SiO2から
なる側面剤を塗布し、その上層にBi2O3、SiO2
からなる側面剤を塗布し、焼結させることによシ、放電
耐量特性2課電寿命特性が非常に高性能な電圧非直線抵
抗体素子を製造することができる。
の成形体又は仮焼体の側面にSb2O6゜SiO2から
なる側面剤を塗布し、その上層にBi2O3、SiO2
からなる側面剤を塗布し、焼結させることによシ、放電
耐量特性2課電寿命特性が非常に高性能な電圧非直線抵
抗体素子を製造することができる。
21、−。
発明の製造方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量
特性および課電寿命特性を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛形バリスタ素子、2・・・・・
・側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高
抵抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名f−
−−爾イこ亜府合す沖\リスク素チ2−−−り旬禮鶴准
くし令竿1冴(下1)第1図 第2図 第3図 −ルzcb 濃7度(モルメ9 第4図 −に2θ4受(モル2) 第5図 ゆβ石?03 製産(モルり 第6図 →Btz0j渫洩(モル〆) 第7図 −Biz O,3Jレト(モ1し〆) 第8図 −BizoJl (−EIVI、) 第9図
特性および課電寿命特性を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛形バリスタ素子、2・・・・・
・側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高
抵抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名f−
−−爾イこ亜府合す沖\リスク素チ2−−−り旬禮鶴准
くし令竿1冴(下1)第1図 第2図 第3図 −ルzcb 濃7度(モルメ9 第4図 −に2θ4受(モル2) 第5図 ゆβ石?03 製産(モルり 第6図 →Btz0j渫洩(モル〆) 第7図 −Biz O,3Jレト(モ1し〆) 第8図 −BizoJl (−EIVI、) 第9図
Claims (3)
- (1)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体を700〜1150
℃の温度範囲で仮焼し、得られた仮焼体の側面にSiO
_2を主成分としSb_2O_3を0.1〜30モル%
含む第1の側面剤を塗布し、前記第1の側面剤上部にS
iO_2を主成分としBi_2O_5を0〜30モル%
含む第2の側面剤を塗布した後、焼結し、焼結体側面に
高抵抗層を形成することを特徴とする電圧非直線抵抗体
素子の製造方法。 - (2)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にSiO_2
を主成分としSb_2O_3を0.1〜30モル%含む
第1の側面剤を塗布し、前記第1の側面剤上部にSiO
_2を主成分としBi_2O_3を0〜30モル%含む
第2の側面剤を塗布した後、焼結し、焼結体側面に高抵
抗層を形成することを特徴とする電圧非直線抵抗体素子
の製造方法。 - (3)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にSiO_2
を主成分としSb_2O_3を0.1〜30モル%含む
第1の側面剤を塗布し、700〜1150℃の温度範囲
で仮焼後、仮焼体の側面にSiO_2を主成分としBi
_2O_5を0〜30モル%含む第2の側面剤を塗布し
た後、焼結し、焼結体側面に高抵抗層を形成することを
特徴とする電圧非直線抵抗体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051156A JPS62208602A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051156A JPS62208602A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208602A true JPS62208602A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12878966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61051156A Pending JPS62208602A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62208602A (ja) |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61051156A patent/JPS62208602A/ja active Pending
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