JPS62209397A

JPS62209397A - 亀裂界面間が遮蔽された蛍光体層を有する放射線画像変換パネル

Info

Publication number: JPS62209397A
Application number: JP5326786A
Authority: JP
Inventors: 加野　亜紀子; 久憲土野; 邦昭中野; 幸二網谷; 文生島田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1986-03-11
Filing date: 1986-03-11
Publication date: 1987-09-14
Anticipated expiration: 2009-08-22
Also published as: JPH0664195B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法に
関するものである。

〔従来技術〕

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
よシ可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真をとる
ときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射して現
像した、いわゆる放射線写真が利用されている。しかし
、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層
から直接画像を取り出す方法が工夫されるようになった
。

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによシこの蛍光体が上記吸収によシ
蓄積している放射線エネルギーま蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９．５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生してもよい。

さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μｍ程厩の粒子状の輝尽性蛍光
体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層
上に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充
填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高く
するＫＦｉ第５図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体層の
層厚を厚くする必要があった〇同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
ｍのときに輝尽性蛍光体の耐着量は５０ｍり／ｄであり
、層厚が３５０μｍまでは放射線感度は直線的に増大し
て４５０μｍ以上で飽和する。尚、放射線感度が飽和す
るのは、輝尽性蛍光体層が厚くなシ過ぎると、輝尽性蛍
光体粒子間での輝尽性蛍光体層の散乱のため輝尽性蛍光
体層内部での輝尽発光が外部に出てこなくなるためであ
る。

一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
シ、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の溝層化
が必要であった。

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（ｉ：子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子モトルが増加したシ構造的乱
れが顕在化して構造モトルが増加したシして画質の低下
を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝
尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。

ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広が９によって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該バネ′ル内での広がりに依存して決
まる。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、
放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時
系列化されて取シ出されるので、ある時間（ｔｉ）に照
射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採
光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル
上のある画素（ｘ＋、ｙｉ）からの出力として記録され
るが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等によシ広が
り、照射画素（ｘｉ、ｙｉ）の外側に存在する輝尽性蛍
光体をも励起してしまうと（上記（ｘｉ、ｙｉ）なる画
素からの出力としてその画素よシも広い領域からの出力
が記録されて７しまりからである。従って、ある時間（
ｔｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、その
時間（ｔｉ）に輝尽励起光が真に照射されていた該パネ
ル上の画素（ｘｉ。

ｙｉ）からの発光のみであれば、その発光がいかなる広
がりを持つものであろうと得られる画像の鮮鋭性には影
響がない。

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭５５−１
４６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３
５００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さく
なるように着色する方法等である。しかし、これらの方
法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が著しく低下して
しまい、好ましい方法とは言えない。

一方これに対し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放
射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しない放射線画像変換パネルを提案している。これ
によれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結
着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が著しく向
上すると共に輝尽励起光および輝尽発光の指向性が向上
するので、前記放射線画像変換パネルの放射線に対する
感度と画像の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭
性も改善される。

しかしながら前記吹射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって来ている。

〔発明の目的〕

本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮
鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。

〔発明の構成〕

前記した本発明の目的は、支持体上に少くとも一層の輝
尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルに於て、該
輝尽性蛍光体層が亀裂を有し、該亀裂に高光反射率もし
くは高光吸収率の物質が充填されていることを特徴とす
る放射線画像変換パネルによって達成される。

次に本発明を具体的に説明する。

第１図（ａ）は本発明の放射線画像変換パネル（以後意
味明断な場合には単にパネルと略称することがある）の
−例の厚み方向の断面図である。

同図に於いて１０は本発明のパネルの形態を示す。

１１は支持体であり、１２は支持体上に設けられた輝尽
性蛍光体層であシ、気相堆積法により形成された輝尽性
蛍光体層を表す。支持体１１と輝尽性蛍光体層１２との
間には、必要に応じ各層間の接着性をよくするための接
着層を設けてもよいし、あるいは輝尽励起光および／ま
たは輝尽発光の反射層もしくは吸収層を設けてもよい。

また、１４は設けられることが好ましい保護層である。

前記輝尽性蛍光体層１２中には、微細な亀裂１３が設け
られ、該亀裂１３には高光反射率または高光吸収率の物
質が充填されており本発明のパネルの特徴となっている
。

一本発明において輝尽性蛍光体層中の亀裂とは、具体的
には輝尽性蛍光体の結晶粒界に平行な面に沿って設けら
れた微細な亀裂、溝、窪み、フレバス等を総称している
。前記亀裂の形態としては、たとえば第１図（ａｌに示
すように支持体１１に対しほぼ垂直方向に伸びた微細柱
状ブロック構造を有する輝尽性蛍光体層において、該微
細柱状ブロック夫々を区画するフレバスであってもよい
。前記柱状ブロック構造は任意のパターンを有してもよ
い。

第２図（ａ）　、　（ｂ）および（ｃ）に該パターンの
例を輝尽性蛍光体層の平面図として示した。第２図にお
いて２１は輝尽性蛍光体層を、２２は前記微細柱状ブロ
ックを、ｎは前記フレパスを表している。

また、本発明のパネルは第１図（ｂｌに示すように輝尽
性蛍光体層１２の層表側から入る亀裂１３を有する構造
であってもよい。

本発明のパネルの輝尽性蛍光体層の厚みはパネルの放射
線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なる
が１０〜８００μｍの範囲であることが好ましく、５０
〜５００μｍの範囲であることが更に好ましい。

本発明のパネルにおいて、亀裂１３の幅は１〜２０μｍ
程度が好ましく、隣りあう亀裂間の間隔は１〜４００μ
ｍ程度が好ましい。

本発明のパネルにおいて、輝尽性蛍光体層中の亀裂への
充填物とされる高光反射率の物質としてはたトエばアル
ミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属
などが用いられ、また高光吸収率の物質としてはたとえ
ばカーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄などが
用いらｊる。

本発明のパネルにおいては、輝尽性蛍光体層に入射した
輝尽励起光の横方向への拡散が、前記高光反射率または
高光吸収率の物質によりほぼ完全に防止されるため、該
励起光は前記亀裂の界面において反射を繰り返しながら
、前記亀裂により囲まれてなる区画外に散逸することな
く支持体面まで到達する。従って輝尽発光による画像の
鮮鋭性を著しく増大することができる。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくけ高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言う
が、実用的な面から好ましくは５ＱＱｎｍ以上の輝尽励
起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては
、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢ
ａ５Ｏ，：　Ａｘ　（但しＡはＴ）ｙ　、　Ｔｂ及びＴ
ｍのうち少なくとも１種であり、Ｘは０−００１　＜ｘ
　（１モル係である。）で表わされる蛍光体、特開昭４
８−８０４８８号記載のＭｇ５Ｏ，：　Ａｘ　（但しＡ
はＨｏ或いはｎｙのうちいづれかであり、ｏ、ｏｏｌ＜
ｘ≦　１モル係である）で表わされる蛍光体、特開昭４
８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ４：Ａｘ　
（但しＡはｒ）ｙ　、　Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも
１種であり、Ｘは帆００１≦Ｘ＜１モル係である。）で
表わされている蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記
載されているＮａ２ＳＯ４、ＣａＳＯ４及びＢａＳＯ４
等にＭｎ　、　Ｄｙ及びＴｂ　　のうち少なくとも１種
を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載さ
れているＢｅＯ、ＬｉＦ　、　Ｍｇ５Ｏ，及びＣａｂ、
等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されてい
るＬ１２Ｂ４（）７　：Ｃｕ　、　Ａｇ等の蛍光体、特
開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ２Ｏ−（
Ｂ、０．）ｘ：　Ｃｕ　（但しＸは２＜Ｘく３）、及び
Ｌｉ　、　０−（Ｂ２０．）ｘ　：　Ｃｕ　、　Ａｇ　
（但しＸは２＜Ｘ＜３）等の蛍光体、米国特許３，８５
９，５２７号に記載されているＳｒＳ　：　Ｃｅ　、　
Ｓｍ、　ＳｒＳ　：　ｎｕ　、　ａｍ。

Ｌａ２０．　Ｓ　：　Ｅｕ　、　Ｓｍ及び（Ｚｎ　、　
Ｃｄ　）　Ｓ　：　Ｍｎ　、　Ｘ（但しＸはハロゲン）
で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−
１２１４２号に記載されているＺｎＳ　：　Ｃｕ　、　
Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡ６２０．　：　Ｅｕ
　（但し０．８　、（Ｘ　ｐｌＯ）で表わされるアルミ
ン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭｎＯ・ｘｓｉｏ、
　　：　Ａ　（但しＭ■はＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　
、　Ｚｎ　、　Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ　、　Ｔｂ
　、　Ｅｕ　、　Ｔｍ　、　Ｐｂ　、　Ｔｄ。

Ｂｉ及びＭｎのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．５
≦Ｘ＜２．．５である。）で表わされるアルカリ土類金
属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一般式％式％：（但しＸはＢｒ及びＣＩの中の少なくとも１つであシ、
ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ（、帆６、ｘｙｙ’
ｏ及び１０−’〈ｅ＜５ｘｌＯ°２なる条件を満たす数
である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン化物
蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一
般式がＬｎＯＸ　：　ｘＡ（但しＬｎ　ＦｉＬａ　、　Ｙ　、　Ｇｄ及びＬｕの少
なくとも１つを、ＸはＣｌ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ
　及び／又はＴｂを、Ｘは０くｘく帆１を満足する数を
表わす。）で表わされる蛍光体ζ特開昭５５−１２１４
５号に記載されている一般式が（Ｂａ、　−、ｘＭＨｘ　）　ＦＸ　：　ｙＡ（但しＭ
ＴＩは、Ｍｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　、　Ｚｎ及びＣｄ
のうちの少なくとも１つを、ＸはＣ７ｌ　、　Ｂｒ及び
Ｔのうちの少なくとも１つを、ＡはＥｕ　、　Ｔｂ　、
　Ｃｅ　。

Ｔｍ　、　Ｄｙ　、　Ｐｒ　、　Ｈｏ　、　Ｎｄ　、　
Ｙｂ及びＥｒ　　のうちの少なくとも１つを、Ｘ及びｙ
は０　＜Ｘ　＜０．６及び０くＹ＜：０．２なる条件を
満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭５５
−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ　：
　ｘＣｅ　、　ｙＡ　（但し、ＸはＣＩ　、　Ｂｒ及び
■のうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ・ＴＩ・Ｇｄ　、
　Ｓｍ及びＺｒ　　のうちの少なくとも１つであり、Ｘ
及びｙはそれぞれＯくｘく２×１０−１及びＯ＜　ｙ＜
５　Ｘ　１０−２である。）で表わされる蛍光体、特開
昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭＴＩＦＸ　−ｘＡ　：　ｙＬｎ（但しＮｔｌｌはＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｂａ　、　Ｓｒ
　、　Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｃａｂ。

ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ｈｌ、０８．　Ｙ、Ｏ，、Ｌ
ａ２０．。

Ｉｎ　Ｏ，、Ｓｉｎ、　、　Ｔｉｅ、　、　ＺｒＯ，、
Ｇｅｍ２．　ＳｎＯ□。

Ｎｂ２０７．　Ｔａ２０５．及びＴｈｅ、　　のうちの
少なくとも１種、ＬｎはＥｕ　、　Ｔｂ　、　Ｃｅ　、
　Ｔｍ　、　Ｄｙ　、　Ｐｒ　、　Ｈｏ。

Ｎｄ　、　Ｙｂ　、　Ｅｒ　、　Ｓｍ及びＧｄ　　のう
ちの少なくとも１種であり、ＸはＣＩ　、　Ｂｒ及び■
のうちの少くとも１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５Ｘ
１０−’＜Ｘ＜０．５及び０〈ｙく０．２なる条件を満
たす数である。）で表わされる希土類元素付活２価金属
フルオロハライド蛍光体、一般式がＺｎＳ　：Ａ　、　
ＣｄＳ　’。

Ａ、（Ｚｎ　、Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄ
Ｓ：Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ　、　Ａｇ　、　Ａｕ　、又
はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表わされる蛍
光体、特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下
記いづれかの一般式％式％：：（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ
　。

Ｂａ　、　Ｚｎ及びＣｄ　　のうち少なくとも１種、Ｘ
はＦ。

ＣＩ　、　ｆｉｒ及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥ
ｕ　。

Ｔｂ　　　、　　　Ｃｅ　　　、　　　Ｔｍ　　、　　
　Ｔ）ｙ　　　、　　　Ｐｒ　　　、　　　）Ｉｏ　　
−、Ｎｄ　　　、　　　Ｙｂ　　　、　　　Ｅｒ　　　
。

Ｓｂ　、　Ｔｌ　、　Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１
種を表わす。また、Ｘ及びｙはＯ＜Ｘ＜６．０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表わされる蛍光体、下
記いづれかの一般式％式％：（式中、ＲｅはＬａ　、　Ｇｄ　、　Ｙ　、　Ｌｕのう
ち少なくとも１種、人はアルカリ土類金属、Ｂａ　、　
Ｓｒ　、　Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はｐ
　、　Ｃ７ｌ　、　Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす
。また、Ｘ及びｙは、Ｉ　Ｘ　１０−’　（ｘ　（３Ｘ
　１０−’　、］　Ｘ　１０″’　＜ｙ＜ＩＸ　１０−
’　なる条件を満たす数であシ、ｎ　／　ｍは１×１０
”　＜ｎ／ｍ＜７ｘｔｏ−ｔなる条件を満たす。）で表
わされる蛍光体、及び下記一般式％式％：（但し、ＭＩはＬｉ　、　Ｎａ　、　Ｋ　、　Ｒｂ及び
ｃｓから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であシ
、ＭＴＩはＢｅ　、　Ｍｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　、　
Ｂａ　、　Ｚｎ　、　Ｃｄ　、　Ｃｕ及びＮｉ　　から
選ばれる少なくとも１種の二価金属である。Ｍｒｒｒは
Ｓｃ　、　Ｙ　、　Ｌａ　、　Ｃｅ　、　Ｐｒ　、　Ｎ
ｄ　。

Ｐｍ　　、　　Ｓｍ　　、　　Ｅｕ　　、　　Ｇｄ　　
、　　Ｔｂ　　、　　Ｄｙ　　、　　Ｈａ　　、　　Ｅ
ｒ　　、　　Ｔｍ　　。

ｙｂ　、　Ｌｕ　、　Ａ７　、　Ｇａ及びＩｎ　　から
選ばれる少なくとも１種の三価金属である。ｘ　、　ｘ
’及びＸ″はＦ。

ＣＩ　、　Ｂｒ及び■から選ばれる少なくとも１種のハ
ロゲンである。ＡばＩ’：ｕ　、　、Ｔｂ　、　Ｃｅ　
、　Ｔｍ　、　Ｄｙ　。

Ｐｒ　、Ｈｏ　、　Ｎｄ　、　Ｙｂ　、　Ｉ（ｒ　、　
Ｇｄ　、　Ｌｕ　、　Ｓｍ　、　Ｙ　。

Ｔｌ　、　Ｎａ　、　Ａｇ　、　Ｃｕ及びＭｇ　から選
ばれる少なくと、も１種の金属である。

またａは、Ｏ＜ａ　＜　０．５の範囲の数値であり、ｂ
はＯ＜　ｂ　＜　０．５の範囲の数値であり、ＣはＯく
Ｃく０．２の範囲の数値である。）で表わされるアルカ
リハライド蛍光体等が挙げられる。特にアルカリハライ
ド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で輝尽性蛍
光体層を形成させやすく好ましい。

しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。

本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を有してもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて、用いられる支
持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いら
れる。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のあ
るシートあるいはウェブに加工できるものが好適であり
、この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリ
アセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプ
ラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等
の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シ
ートが好ましい。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μｍ〜１０００μｍ　で
あり、取り扱い上の点からさらに好ましくは８０μｍ〜
５００μｍである。

本発明の放射線画像変換パネルに訃いては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は・保護層用塗布液を輝
尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上
に接着してもよい。あるいは、別途形成した保護層上に
輝尽性蛍光体層を設けた後に支持体を接着する方法を用
いてもよい。医護層の材料としては酢酸セルロース、ニ
トロセルロース、ホリメチルメタクリレート、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイ
ロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチ
レン、四フッ化エチレンー六フッ化プロピレン共重合体
、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデ
ン−アクリロニトリル共重合体等の保護層用材料が用い
られる。

また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等によシ、
ＳｉＣ、Ｓｉｎ、　、　ＳｉＮ　、　Ａｌ２Ｏ，などの
無機物質を積層して形成してもよい。

次に前記輝尽性蛍光体層の気相堆積法について説明する
。

第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いては
、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気し
て１０４Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。

次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前
記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる
。

この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着を行うことも可能である。

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好ましくは保護層を設は本発明の放射
線画像変換パネルが製造される。

尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。

また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。

さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。

第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−’　Ｔｏｒｒ程度の真空度
とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ　、　Ｎｅ等
の不活性ガスをスパッタ装置内に導入して１０−”Ｔｏ
ｒｒ程度のガス圧とする。

次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。

前記ス°　タ工程では真空蒸着法と同様に複数″ν 回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
し、またそれぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数の
ターゲットを用いて、同時あるいは順次、前記ターゲラ
トラスパッタリングして輝尽注蛍光体層を形成すること
も可能である。

スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。

前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットとして用いこれを同時あるいは順次スパッタ
リングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成
すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。また、前記スパッタ法においては、必要に応じてＯ
，、Ｈ，等のガスを導入して反応性スパッタを行っても
よい。

さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱してもよい。またスノく・フタ終了後輝尽性蛍光体
層を加熱処理してもよい。

第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的−とす
る輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解す
ることにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍
光体層を得る。

本発明のパネルの輝尽性蛍光体層中に亀裂を設けるため
の方法としては、例えば特願昭５９−２６６９１２号〜
２６６９１６号に述べられている方法を用いることがで
きる。すなわち、多数の微小タイル状板が微細な間隙に
より互いに隔絶されて敷きつめられたごとき表面構造を
有する支持体あるいは前記微小タイル板夫々を細線網が
取シ囲み区画する表面構造を有する支持体上に輝尽性蛍
光体を気相堆積させて、第１図（ａ）のごとき構造を形
成してもよい。このようにして設けた輝尽性蛍光体層に
さらにショック処理を施して亀裂を発達させてもよい。

また、特願昭６０−１８０７０４号に述べられているよ
うに、気相堆積法によ多形成した輝尽性蛍光体層に熱シ
ョックなどを与えることによシ亀裂を発生させ、第１図
（ｂ）に示すごとき構造を得ることもできる。

さらに、特願昭６０−２５０５３０号に述べられている
ように、雰囲気蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層
を形成した後に加熱処理などを施して該空洞を成長させ
て亀裂を設けてもよい。

次Ｋ、輝尽性蛍光体層に形成された亀、層中に高光反射
率または高光吸収率の物質を充填する方法について述べ
る。

前述したとおシ、前記亀裂の幅は好ましくは１〜２０μ
ｍ程度であるので、充填すべき物質が粒径数百ｍμ以下
の超微粒子である場合にはこれをそのまま亀裂に埋め込
むことができる。また、充填すべき物質が比較的低融点
の金属である場合には、該金属の融点まで昇温し、融解
液の流動性を利用して亀裂に充填してもよい。以上の方
法の他に、適当な溶媒あるいは分散媒中に充填すべき物
質を溶解または分散して適度の粘度をもつ溶液または分
散液を調製し、該溶液または分散液を前記亀裂に浸透さ
せた後、溶媒を蒸発させたシ、加熱変性させたりするこ
とにより充填物を沈着させる方法を用いてもよい。

第３図（ａ）は気相堆積法によって見られた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層及び該層厚に対応
する輝尽性蛍光体原料量と放射線感度の関係の一例を表
している。

本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２倍
あシ、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たシの放射線吸収率が
向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒
状性が向上する。

更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は輝尽励起光
及び輝尽発光の指向性が高く、従来の塗設法による輝尽
性蛍光体層よシ層厚を厚くすることが可能であり、放射
線に対して一層高感度となる。

前記のようにして得られた亀裂内に高光反射率または高
光吸収率の充填物を有する輝尽性蛍光体層を有する本発
明のパネルの鮮鋭性の一例を第３図（ｂｌの３１によっ
て示す。

本発明のパネルは特願昭５９−２６６９１２号〜２６６
９１６号に記載されている前記充填物を有さない微細柱
状ブロック構造よりその光誘導効果が使れておシ、輝尽
励起光の横方向への拡散が防止されるので、例えば特願
昭５９−２６６９１４号に指定されるタイル状構造を引
き継いだ柱状ブロック構造を有し、亀裂内に何ら充填物
を有さないパネルの特性を示す第３図（ｂ）の３２と比
較すると明らかなように、画像の鮮鋭性が向上すると共
に輝尽性蛍光体の層厚の増大にともなう鮮鋭性をより向
上することが可能である。

また輝尽性蛍光体粒子を結着剤に分散塗布して得られる
従来゛のパネルの特性を第３図の３３に示す。

これよシ明らかに画像の鮮鋭性が優れていることがわか
る。

本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、侵れた鮮鋭
性粒状性及び感度を与える。すなわち、第４図において
、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は本発明
の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、４５は
該放射線画像変換パネルよシ放射された輝尽発光を検出
する光電変換装置、＝１６は４５で検出された信号を画
像として再生する装置４７は再生された画像を表示する
装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発
光のみを透過させるフィルターである。伺４５以降は４
３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記に限定されるものではない。

第４図に示されるように放射線発生装置１１１からの放
射線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル４３に入射する。この入射した放射線はパネル４３の
輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され
放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積像を
輝尽励起光源ｌ１４からの輝尽励起光で励起して輝尽発
光として放出せしめる。

本発明の放射線画像変換パネル４３は、輝尽励起光の光
誘導効果に優れておシ、上記輝尽励起光による走査の際
に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制
される。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装置４７によって表
示することによシ、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。

〔実施例〕次に実施例によって本発明を説明する。

実施例Ｑ　、　５ｍｍ厚のアルミニウム板を特願昭５９−２６
６９１４号に示した方法によ）陽極酸化処理、封孔処理
および加熱処理してタイル状板が微細な間隙により互い
に隔絶されて敷きつめられたごとき表面構造とした支持
体を蒸着話中に設置した。

次に抵抗加熱用のモリブデンボート中にアルカリハライ
ド系輝尽性蛍光体Ｒｂ１ｌｒ　：　００ＯＯ０２’ｌＶ
を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器内を
排気してＩ　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空度とした。次
いで支持体加熱用ヒーターにより支持体を３００〜５０
０℃に加熱して支持体表面を清浄にした後、支持体を１
００℃に設定し、２　Ｘ　１ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度と
した。

次にモリブデンボートに通電し、抵抗加熱法により　Ｒ
ｂＢｒ　：　０−０００２ＴＪを蒸発させ、約２５０μ
ｍ　（Ｄ厚さに真空蒸着して微細柱状ブローンク構造を
有する輝尽性蛍光体層を形成し、大気中に取り出した。

次に、前記輝尽性蛍光体層の微細柱状ブロックを隔てる
亀裂に溶融したインジウムを浸透させ、室温まで冷却し
て、亀裂内にインジウムが結着された本発明の放射線画
像変換パネル人を得た。

このようにして得られた本発明のパネルＡに管電圧８０
　ＫＶｐのＸ線をｌＱｍＲ照射した後、半導体レーザ光
（７ｓｏｎｍ　）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放
射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変
換し、この信号を画像再生装置によって画像として再生
し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさよシ、放
射＃Ｊ画像変換パネルＡのＸ線に対する感度を調べ、ま
た得られた画像よシ、画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）及
び粒状性を調べ第１表に示す。

第１表において、Ｘ＠に対する感度は、本発明の放射線
画像変換パネル人を１００として相対値で示しである。

また、変調伝達関数（〜（ＴＦ）は、空間周波数が２サ
イクル／　ｍｍの時の値である。

比較例実施例において、インジウムを輝尽性蛍光体層の亀裂に
充填する作業を省略する以外は実施例と同様にして比較
の放射線画像変換ノくネルＢを得た。

比較のパネルＢは実施例と同様にして評価し、結果を第
１表に併記する。

第１表第１表より明らかなように、本発明のノ（ネル人は比較
のパネルＢに比べてＸ線感度はやや高く粒状性は同等で
あるにもかかわらず鮮鋭性が著しく優れていた。これは
、本発明の）くネルＡは輝尽性蛍光体層中に亀裂を有し
かつ該亀裂に高光反射率物質であるインジウムが充填さ
れており、該亀裂に充填物を有さない比較のパネルＢに
比べ光誘導効果がより高くなっているためである。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が亀裂を有し、該亀裂に高光反射率または高光吸収率の
物質が充填されているため、輝尽励起光の輝尽性蛍光体
層中での散乱が著しく減少し、その結果画像の鮮鋭性を
向上させることが可能である。

また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を犬
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。

また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。

また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。

本発明はその効果が極めて犬きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

７１ｇｘ図（ａ）は本発明の一例の放射線画像変換パネ
ルの一部を示す断面図である。第１図（ｂ）は本発明の
別９−例の放射線画像変換パネルの一部を示す断面図で
ある。第２図（ａｌ、（ｂ）および（ｃ）は本発明の放
射線画像変換パネルの一部を示す平面図の例である。第
３図（ａ）は本発明の一例の放射線画像変換パネルの輝
尽性蛍光体層厚及び付着量と放射線に対する感度とを示
す図であり、（ｂｌは空間周波数と変調伝達関数（ＭＴ
Ｆ）との関係を示す図である。第４図は本発明のパネルが用いられる放射線画［象変換
装置の概略図である。第５図（ａ）は従来の放射線画像
変換パネルにおける輝尽性蛍光体層及び付着量と放射線
に対する感度とを示す図であり、（ｂ）は前記従来の放
射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び付着
量と空間周波数が２サイクル／　ｍｍ　における変調伝
達関数（ＭＴＦ’）とを示す図である。１１・・・支持体１２・・・輝尽性蛍光体層１３・・・亀裂１４・・・保護層２】・・・輝尽性蛍光体層ｎ・・・微細柱状ブロックｎ・・・亀裂３Ｉ・・・本発明の放射ａｉ像変換パネルの特性３２・
・・微細柱状ブロック構造を有する放射線画像変換パネ
ルの特性３３・・・従来の放射線画像変換パネルの特性４１・・
・放射線発生装置４２・・・被写体４３・・・放射線画像変換パネル４４・・・輝尽励起光源４５・・・光電変換装置４６・・・画像再生装置４７・・・画像表示装置ｔ１８・・・フィルター出願人　小西六写真工業株式会社第１図（α）　　　　　　　　　／、／１０（ト）／″ 第２図２ヨ第３図（ｂ）た間８吸包」４ｍ）第４図第５図（ａ）

Claims

【特許請求の範囲】

支持体上に少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層が亀裂
を有し、該亀裂に高光反射率もしくは高光吸収率の物質
が充填されていることを特徴とする放射線画像変換パネ
ル。