JPS62209537A - 光受容部材用基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の、属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材の基体に関する。さらに詳しくは、レー
ザー光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材
の基体に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行ない、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６”　８３７４６号公報にみられるようなシリコン
原子を含む非晶質材料（以後「ａ−８ｉ　Ｊと略記する
）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ω−以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子や・・ロゲ゛ン原子、
或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層
中に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、
ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロールす
ることが要求される等、光受容部材の設計についての許
容度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許
容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感
度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がな
されている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４５
号公報、特開昭５７−４０５′５号公報、特開昭５７−
ｉ７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現像が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第２図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重０と上部界面２０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面２０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだ光Ｒ１、Ｒ２が２ｎ
ｄ　＝　ｍλ（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ
＝（ｍ＋ヲ）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件
のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透
過光量に変化が生じる◇即ち、光受容部材が第３図に示
すような、２若しくはそれ以上の層（多層）構成のもの
であるものにおいては、それらの各層について第２図に
示すような干渉効果が起って、第３図に示すような状態
となり、その結果、それぞれの干渉が相乗的に作用し合
って干渉縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼
転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応し
た干渉縞が転写、定着される可視画像に現出して不良画
像をもたらしてしまうといった問題がある。

この問題を解消する策として、（ａ）基体表面をダイヤ
モンド切削して、±５ｏｏＸ〜±１００００′にの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報参照）　、（ｂ）アルミニウム基体
表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカ
ーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参照
Ｌ（Ｃ）アルミニウム基体表面を梨地状のアルマイト処
理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設
けｆｃりして、基体表面に光散乱反射防止層を設ける方
法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）等が提
案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、基体表面に特定大の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに加
えて、基体表面での光散乱効果により照射スポットに拡
がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、基体表面での反射光は残存して
しまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、ａ
−３ｉ層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ　−Ｓ＋ｉ層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ　−Ｓｉ層の形成に悪影
響を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、光受容層表面での反射光、光
受容層が多層構成である場合には各構成層の表面での反
射光、及び基体表面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容層の各層厚に従った干渉縞模様が生ずるため、依然
として干渉縞模様が完全には消失しない。

又、サンドブラスト等の方法によって基体表面を不規則
に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツキ
が多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一があ
って、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな突
起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな突
起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてしま
う。

こうした干渉縞模様の発生、特に多層構成の光受容層を
有する光受容部材における干渉縞模様の発生を完全に消
失せしめる方法として、基体表面を、光受容部材に要求
される解像度よりも微小であって、かつ規則的な凹凸形
状が形成されるように加工して、各層の膜厚が該凹凸形
状の１周期内で変化するようにする方法（例えば特開昭
６０−１＜５８１５６号公報参照。）が提案されている
。そしてこうした基体表面の加工方法としてダイヤモン
ドバイトで切削加工を行ったり、小球をぶつけたりする
方法が提案されている０しかし、前者の方法によると、
作る凹凸パターンが大変細かいため、バイトの切削距離
が大変に長くなり、高価なバイトがすぐに摩耗して溝形
状が保てなくなるという問題を有している。また後者の
方法においても、小球の摩耗が生じるため、凹凸形状が
変化するという問題がある。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−３ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材用基体について、上述の諸問題を排除し
、各種要求を満たすものにすることを目的とするもので
ある。

すなわち、本発明の主たる目的は、可干渉性単色光を用
いる画像形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、
干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像
欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ノ・−７ト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことのできる、ａ　−Ｓｉで構成された光受容層を有す
る光受容部材用基体を提供することにある。

本発明の他の目的は、ダイヤモンドバイトや小球等の加
工機器の摩耗による加工形状の変化のない安定した凹凸
パターンを有する光受容部材用基体を提供することにあ
る。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材用基体についての前述
の諸問題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究
を重ねた結果、基体表面の加工方法として、従来のダイ
ヤモンドバイトや小球等の加工機器を用いる方法にかえ
て、フォトエツチング法による加工方法を用いることに
より、表面に所望の凹凸パターンを有する基体を、加工
形状の変化を生ずることなく安定して得られる知見を得
、該知見に基づいて本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、フォトエツチング法により、表面に規
則的な凹凸形状を形成したことを特徴とする単色光源用
光受容部材用基体に関する。

以下、図面を用いて本発明について詳しく説明する。

第１図は、フォトエツチング法により基体表面に規則的
な凹凸形状を形成する工程を示したものである。

図において、１ａ１は基体、１０２はフォトレジスト、
１０３はフォトマスク、１０４はａ　−Ｓｉで構成され
た光受容層を各々示している。

最初に基体１上に７オトレジス）１０２ｔ−塗布しく第
１（２）図）、所望のパターンを有するフォトマスク１
０３を用いて露光する（第１（３）図）。

次に、現像液を用いて、フォトレジストがネガ型であれ
ば未露光部分を、フォトレジストがポジ型であれば露光
部分を溶解除去しく第１（４）図）、フォトレジスト１
０２で被覆された部分と、フォトレジスト１０２が除去
されて基体表面が露出した部分とを有する基体を得る。

該フォトレジストの・々ターンが形成された基体をエツ
チング処理すると、基体表面の露出した部分だけがエツ
チングされ（第１（５）図）、フォトレジストを除去す
ると、表面に所望の凹凸パターンが形成された基体１０
１が得られる。（第１）６）図）こうして得られた基体
１０１の表面を洗浄し、該基体上にａ−８ｉ膜１０４を
成膜せしめ、光受容部材とする。（第１（７）図　） 本発明に用いる基体は、導電性のものであっても、また
電気絶縁性のものであってもよい。

導電性基体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、
ｋｌ、　　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ５Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
　、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルロースアセテート、キリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の電
気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡｌＳＣｒＳＭｏ、Ａｕ、Ｉｒ５Ｎｂ、Ｔａ、％ＶＳＴ
ｉ、Ｐｔ　Ｓ　Ｐｄ　、　　Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、　
ｒＴｏ（Ｉｎ２０５＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設け
ることによって導電性を付与し、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フイ／ｌ／　ムであれば、ＮｉＣｒ
　、　Ａｄ　ＳＡｇ　、　Ｐｂ　。

ＺｎＳＮｉ、Ａｕ、Ｃｒ、ＭＯｌＩｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ
５Ｖ。

Ｔｌ１ＳＰｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。基体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状であることができるが、用途、所望によって、
その形状は適宜に決めることのできるものである。例え
ば、光受容部材を電子写真用像形成部材とじて使用する
のであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい。

基体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に
適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求される
場合には、基体としての機能が充分発揮される範囲内で
可能な限り薄くすることができる。しかしながら、基体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、１０μ以上とされる。

レジストパターンの形成された基体をエツチングする方
法は、エツチング液を用いるウェットエツチング方法で
あって、あるいはプラズマ等によるドライエツチング方
法であってもよく、基体の種類に応じて適宜選択される
。具体的には、例えば基体としてＡＩ！基体を用いた場
合、エツチング液としてｒ　Ｈ３ＰＯ４＋ＨＮＯ３＋Ｃ
Ｈ３ＣＯ０ＨＪ溶液や、ｒ　ＫＯＨ＋に３［：Ｆｅ（Ｃ
Ｎ）、ｓ〕Ｊ溶液を用いたウェットエツチングを行なう
と、約５０００　Ｘ／ｍｉｎのエツチング速度でエツチ
ングすることができ、またｒ　ＣＣｌ４　＋　Ｈｅ　、
Ａｒ　Ｊガスや、「ＣＣｌ４＋Ｃｌ２Ｊガスを用いたプ
ラズマエツチングを行なえば、約１０００〜２０００Ｘ
／ｍ１ｎ（Ｄエツｆング速度テエッチングすることがで
きる。

本発明の基体のフォトエツチング法によって形成される
規則的な凹凸形状の大きさは、光受容部材に要求される
解像度よりも微小であることが望ましく、具体的には、
凹凸形状のピッチは、好ましくは０．６μｍ〜５００μ
ｍ１より好ましくは１μｍ〜２００μｍ１最適には５μ
ｍ〜５０μｍとすることが望ましく、凹凸形状の深さは
、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ１より好ましくは０．
３μｍ〜３μｍ１最適には０．６μｍ〜２μｍとするの
が望ましい。

上述のごとく、本発明の基体の表面には、微小であって
、かつ規則的な凹凸形状が形成されているため、該基体
上のａ−８ｉ膜を成膜して光受容部材とした場合には、
ａ−８ｉ膜の膜厚は、該凹凸形状の１周期内で連続的に
変化しており、入射したレーザー光等の可干渉性光は０
，１〜０．２μｍの光路差ができるため、該凹凸形状の
１周期内で干渉をおこし、微小な干渉縞模様が生成はす
る。しかし、該微小な凹凸形状の１周期内で生ずる干渉
縞は、該凹凸形状の１周期の大きさが、光受容部材に要
求される解像度よりも小さいため、画像に現われること
はない。又、はとんどないことではあるが、仮に、画像
に現われる状況が生じたとしても肉眼の分解能以下なの
で、実質的には何等の支障もない。

本発明の基体においては、フォトエツチング法を用いる
ことにより、前述のごとき微細な・ξターンを形成する
ことができるものであるが、使用するフォトマスクを自
由に選択することにより、目的に応じた所望のパターン
、例えば点状パターン、線状パターン、格子状パターン
等を形成することができる。更にまた、ダイヤモンドバ
イト又は小球等の加工機器を用いた加工方法における加
工機器の摩耗による加工形状の変化という問題が解消さ
れ、常時安定した品質を保つことができる。

本発明の光受容部材用基体には光受容層が形成されるが
、該光受容層としては、水素原子又はハロゲン原子の少
なくともいずれか一方を含有するａ−８ｉ（以下、ｒ　
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する。〕で構成される層
が好ましい。

光受容層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして、光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ　％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

また、本発明の光受容部材用基体上に形成せしめる光受
容層の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重
要な要因の１つであって、光受容部材に所望の特性が与
えられるように、光受容部材の設計の際には充分な注意
を払う必要があり、通常は１〜１００μとするが、好ま
しくは１〜８０μ、よシ好ましくは２〜５０μとする。

次に本発明の基体上に光受容層を形成する方法について
説明する。

本発明の基体上に形成される光受容層を構成する非晶質
材料はいずれもグロー放電法、ス・ぞツタリング法、或
いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によって行われる。これ等の製造法は、製造条
件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択さ
れて採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製
造するに当っての条件の制御が比較的容易であり、シリ
コン原子と共に炭素原子及び水素原子の導入を容易に行
い得る等のことからして、グロー放電法或いはスパッタ
リング法が好適である。そして、グロー放電法とスパッ
タリング法とを同一装置系内で併用して形成してもよい
。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成する。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至　４に従って、より詳細に
説明するが、本発明ｉよＬれ等によつ　−て限定される
ものではない。

実施例　１ 表面を鏡面加工したＡｌシリンダーをトリクロロエタン
及び純水で充分に洗浄し、乾燥した後、フォトレジスト
をコーターにより２０μｍの厚さに塗布した。プリベー
ク（１００℃、１０分）の後、線幅５０μｍ１ｌＪ間５
０μｍの縞模様のパターンを形成したフォトマスクをシ
リンダーに巻きつけ、紫外線（１００ｍＪ／ｂｙｎ２　
）を照射して１０分間露光した。次にフォトマスクを外
して、ボストベーク（１００Ｃ，１０分）をした後、エ
ツチングを行なった。エツチング液としては、Ｈ３ＰＯ
４７５％、ＨＮＯ３５％、ＣＨ５Ｃ’ＯＯＨ１５％、Ｈ
２Ｏ５％の混合溶液を用い、該エツチング液を５０℃に
保ち、４分間エツチングしたところ、深さ２μｍの凹凸
が形成された。次いで該Ａｌシリンダーを充分に水洗し
た後、２　％　ＮａＯＨ溶液を用いてフォトレジストを
剥離除去し、再にもう一度水洗した後、乾燥させて、周
方向に５０μｍごとに５０μｍの幅の溝を有するＡｌシ
リンダーを得た。

該Ａｌシリンダー上に、電荷注入阻止層、感光層及び表
面□層を有する光受容層を、グロー放電法を用いて形成
した。第４図は、使用したグロー放電法による堆積膜形
成装置を模式的に示す断面略図である。

図中の４０２．４０６．４０４．４０５．４０６のガス
ボンベには、本発明の夫々の層を形成するだめの原料ガ
スが密封されており、その１例として、たとえば、４０
２はＳｉＦ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、４０
６はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９、９９９
チ、以下Ｂ２Ｈ６ハ２と略す。）ボンベ、４０４はＮｏ
ガス（純度９９．９９９％）ボ／ｋ、４０５はＣＨ４ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、４０６はＨ２ガス（
純度９９．９９９％）ボンベである。

まず最初に、ガスボンベ４０２〜４０６のバルブ４２２
〜４２６、リークバルブ４３５が閉じられていることを
確認し又、流入バルブ４１２〜４１６、流出バルブ４１
７〜４２１、補助バルブ４３２．４３３が開かれている
ことを確認して、先ずメインバルブ４３４を開いて反応
室４０１のガス配管内を排気した。それと同時に加熱ヒ
ーター４３８によりＡｔシリンダー４６７の温度が２５
０℃になるまでｖＤ熱し、２５０℃の一定に保った。こ
うしたところで、ガスボンベ４０２よりＳｉＨ４ガス、
ガスボンベ４０３よりＢ２Ｈ６／ガス、ガスボンベ４０
６よりＨ２ガス、ガスボンベ４０４よりＮｏガスを、バ
ルブ４２２゜４２５．４２４．４０６を開いて出口圧ゲ
ージ４２７，４２８゜４２９．４３１の圧を５ｋｇＡ−
ｒｎ２に調整し、流入バルブ４１２．４１３，４１４，
４１６を徐々に開いて、マスフロコントローラ４０７，
４０８，４０９，４１）内に流入させた。

引き続いて流出バルブ４１７．４１８．４１９．４２１
、補助バルブ４３２．４３！ｌ　ｉ開いてガスを反応室
４０１内に流入させた。この時、ＳｉＨ４ガスの流量が
１ｌ１０５ＣＣ，Ｂ２Ｈ６ハ２ガスの流量がＳｉＨ４ガ
ス流量に対して１６００Ｖｏｌ　ｎｏｍ　ＳＮｏガス流
量がＳｉＨ４ガス流量に対して３．４　Ｖｏ１％、Ｈ２
ガス流量が３６０　ＳＣＣＭになるように流出バルブ４
１７，４１８，４１９．４２１を調整し、又、反応室内
の圧力がＱ、２Ｔｏｒｒとなるように真空計４３６の読
みを見ながらメインパルプ４２４の開口を調整した。そ
してＡＩ！シリンダーの温度が２５０℃に設定されてい
ることを確認した後、電源４４０を１５０Ｗに設定して
反応室４０１内にグロー放電を生起せしめ、硼素原子及
び酸素原子を含むＰ型のａ−８ｉ：Ｈ層（電荷注入阻止
層）を、層厚が５μｍとなるまで堆積した。

次に、放電を切らずに、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス及びＮｏガ
スの流入を止めた以外は前記と同様の操作により２０μ
ｍ厚のａ−３ｉ：Ｈ層（感光層）を形成し、さらにＨ２
ガスの流入を止め、ボンベ４０５よりＣＨ４ガス６００
　ＳＣ’ＣＭを反応室内に流入せしめ、ＳｉＨ４ガスの
流量を１）０５ＣＣに変更した以外はすべて前述と同様
に操作して０．５μｍ厚のａ−８ｉ：０層（表面層）を
形成した。

こうして得られた光受容部材について、第５図に示す画
像露光装置を用い、波長７８０　ｎｍ　。

スポット径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を
行ない、現像、転写を行なって画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観察されず、実用に充
分なものであった。

なお、第５　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示′
す平面略図であり、第５（Ｂ）図は露光装置の全体を模
式的に示す側面略図である。図中、５０１は光受容部材
、５０２は半導体レーザー、５０３はｆθレンズ、５０
４はポリゴンミラーを示している。

比較例 実施例１のＡｌシリンダーを、エツチングすることなく
鏡面状態のままとした以外はすべて実施例１と同様にし
て光受容部材を得、実施例１と同様に画像形成を行なっ
たところ、得られた画像には干渉縞模様が多数発生した
。

実施例　２ フォトエツチングに用いるフォトマスクを５０μｍピッ
チで線幅５０μｍの格子状パターンを有するものとした
以外はすべて実施例と同様にして光受容部材を得た。得
られた光受容部材を用いて実施例１と同様にして画像を
得たところ、得られた画像には干渉縞模様が観察されず
、実用に充分のものであった。

実施例　３ 実施例１で用いたフォトマスクを、５０μｍ間隔の直径
５０μｍのドツト状パターンを有するフォトマスクとし
た以外はすべて実施例１と同様にして光受容部材を得た
。得られた光受容部材を用いて実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像には干渉縞模様
が観察されなかった。

実施例　４ 実施例１におけるエツチングの工程を、ｃｃ１４ガスを
用いたプラズマエツチングとした以外はすべて実施例１
と同様にして光受容部材を得た得られた光受容部材を用
いて実施例１と同様に画像形成を行なったところ、得ら
れた画像には干渉縞模様が観察されなかった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材基体はフォトエツチング法により表
面に規則的な凹凸形状を形成したことにより、前記した
アモルファスシリコンで構成された光受容層を有する光
受容部材用基体の諸問題の総てを解決でき、特に、可干
渉性の単色光であるレーザー光を光源として用いた場合
にも、干渉現象による形成画像における干渉縞模様の現
出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材用基体表面のフォトエツ
チング法による規則的凹凸形状の形成工程を模式的に示
した図である。第２．６図は、従来の光受容部材におけ
る干渉縞の発生を説明する図であって、第２図は、光受
容層における干渉縞の発生、第３図は、多層構成の光受
容層における干渉縞の発生を示している。第４図は、本
発明の光受容部材用基体に光受容層を形成するための装
置の例で、グロー放電法による堆積膜形成装置の模式的
説明図であるＯ第５図は、レーザー光による画像露光装
置を説明する図である。 第１図について １０１・・・基体、１０２・・・フォトレジスト、１０
３・・・フォトマスク、１０４・・・ａ−８ｉ層 第４図について ４０１・・・反応室、４０２〜４０６・・・ガスボンベ
、４０７〜４１）・・・マスフロコントローラ、４１２
〜４１６・・・流入バルブ、４１７〜４２１・・・流出
バルブ、４２２〜４２６・・・ノｚルブ、４２７〜４３
１・・・圧力調整器、４５２．４３３・・・補助バルブ
、４６４・・・メインバルブ、４３５・・・リーク７″
′ルブ、４３６・・・真空計、４３７・・・基体シリン
ダー、４３８・・・加熱ヒーター、４６９・・・モータ
ー、４４０・・・高周波電源 第５図について

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）フォトエッチング法により、表面に規則的な凹凸
   形状を形成したことを特徴とする単色光源用光受容部材
   用基体。
2. （２）前記規則的な凹凸形状が、光受容部材に要求され
   る解像度よりも微小である特許請求の範囲第（１）項に
   記載された単色光源用光受容部材用基体。