JPS60205459A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、ｘｙｊ、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静？ｌｉ潜像を形成し
１次いで該潜像を現像、必賛に応じて転写、定ノｉなど
の処理を行ない、肖像を記録する方法がよく知られてい
る。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことか一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
３３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ’−５ｉＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やｌ＼ロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の４１範囲で層中に制御された形で構造的に含イ１
させる心霊性がある為に、層形成のコントロールを厳密
に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度
に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公叩、特開昭５７−４
１７２−号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の１１１抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はそのθ
“θ晶化設計上の許容度に於いて、或し）は製造にの１
（、＝理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進１１ク
シ、商品化に向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層ＪゾにＩＪ［がある為に
、レーザー光がり干渉性の単色光であるので、光受容層
のレーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層
及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面
及び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より
反射して来る反射光の夫々が干渉を起すｎＴ佛性がある
。

この干渉現象は、形成される可視画像に於（Ｘて、所ぶ
′１、干渉縞模様となりで現われ１画像不良の要因とな
る。殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には
、画像の見悪くさ１よ顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象はＩｊＡ著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと」二部界面１０２で反射した反射光Ｒ１
，下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をの層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め合光は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材」、に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンドシＪ削して、±５００λ〜±１ｏｏｏｏＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公？Ｉ、りアルミニウム支持体表面を
黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン
、着色顔オ゛ｌ、染料を分散したりして光吸収層を設け
る方法（例えば特開Ｉｔ／＋　５７−１６５８４５号公
報）、アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処
理したり、サンドブラストにより砂［１状の微細凹凸を
設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける
方法（例えば特開昭５７−１６５５４１）公報）等が提
案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像」二に現われる゛
Ｆ渉縞模様を完全に解消することが出来なかった・ 即ち、第１の方が；は支持体表面を特定の太きさの凹凸
が多１５！設けられただけである為、錆かに光散乱効果
による干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱
としては依然として正反射光成分が残存している為に、
該正反射光による干＃ｉ縞模様が残存することに加えて
、支持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡が
りが生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ　−Ｓ
ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によ
るその後のＡ−Ｓｉｆｉの形成に悪影響を与えること等
の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３力法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは。

光受容層３０２の表面でその一部が反射されて反射光Ｒ
１となり、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光１１　となる。透過光１１は、支持体３０２の表面
に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光Ｋｌ、に２
．に３　・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２と
なり、その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、
従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことか
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多毛反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生しる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不ｆｉｆ能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理」二用合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように５通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部夕）では入射光は２ｎｄにｍ入また
は２ｎｄ４＝（田十局）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ１
．ｄ２　、ｄ３、な層Ｊゾの不均一性があるため明暗の
縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層とをイ１する光受容部材に於いて、前記第１の層中
に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均
一であると共に前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、且
つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、
該非−１ｉ行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくと
も一ノｊ向に多数配列しているバを特徴とする。

以下１本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明のノ１（本原理を説明するための説す
１図である。

本発明は装ン１の要求解像力よりも微小な凹凸るように
、第２層６０２の層厚かｄ５からｄＢと連続的に変化し
ている為に、界面６０３と界面６０４とは力いにＩｔ／
ｉ向きをイＪしている。従って、この微小部分（ショー
トレンジ）文に入射したｊｒｆ−Ｊ渉慴光は、ｊＡ微小
部分公文於て一１渉を起し、微小な１゛渉！！模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層・７０２の
界面７０３と第２層７０２の１」由表面７０４とが非平
行であると、第７　ＩＮの（Ａ）に示す様に入射光ＩＯ
に対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互
いに異る為、界面７０３と７０４とがＩＬ行な場合（第
７図のｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に較へて干渉の度合が減少す
る。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小
部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＼ｄＢ）でノ あっても同様に云える為、全層領域に於て入射光−１が
均一になる（第６図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、第１の層が多層構成である場合に於いて■Ｋ（ｍ
個から第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本
発明の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量０
に対して、反射光Ｒ１、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在
する。

その入洛々の層で第７図を似って前記に説ＩＪＩ　した
ことが生ずる。

従って、第１の層全体で考えると干渉は人々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、第１の層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層丁渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分＃能以下なので実質的
にＩよ何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾胴面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ９．（凹凸形状の−・
周期分）は、照射光のスボント径をＬとすれば１文≦Ｌ
である６ 又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部公
文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄＢ　）は、照射光の波長
を入とすると、 ｄ５−ｄＢ≧　− ｎ （ｎ：第２層６０２の屈折率） 部公文の層厚内（以後「微小カラ１、」と称す）に於て
、少なくともいずれか２つの層界面がＪ＋平行な関係に
ある様に各層の層ＪＶ、が微小カラム内に於て制御され
るが、この条ｆ１を満足するならば該微小カラム内にい
ずれが２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、汀、この２つの位
置に於ける層厚の差が ノー ２、、　（ｎ：層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成さ且つ容易
に達成する為に、層Ｊｌ／を光学的レベルで正確に制御
できることからプラズマ気相Ｖ。

（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＩＪ：、７４　ＣＶ　Ｄ　／／
、　カｕ用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤１、のりノ削加工機械の所
定位置に固定し、例えば円筒状支持体をｒ・め所望に従
って設訂されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を正
確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法によって形成される
凹凸が作り出す逆■字形線状突起部は、Ｆｌ　ｔ、１状
支持体の中心軸を中心にした螺線描造をイ１する。逆Ｖ
字形突起部の螺線描造は、二重、三重の多正螺線構造、
又は交叉螺線描造とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を４
人しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一・化と、支持体と該支持体りに直接設けられる層と
の間の良好な電性性や所望の電気的接触性を確保する為
に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様
に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状！と、で支持体表面に設
けられる凹凸の各ディノンジョンは、以下の点を考慮し
た上で、本発明のＩＪ的を結果的は、層形成される表面
の状！ｎ・に構造敏感であって、表面状、ｆ８に応じて
層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディノンあると、画像形成
後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行なうこ
とが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが’ｉＬ　くなるという問題がある。

］二記した層堆積上の問題点、電ｆ−写真Ｖ、のプロセ
ス」−の問題点および、干渉編校様を防ぐ条Ｐ１を検ａ
・１シた結果、支持体表面の四部のピッチは、好ましく
は５００μｍ−０，３ルｍ、より好ましくは２００　μ
ｍ−１４ｍ、最適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ま
しい。

又四部の最大の深さは、好ましくはｏ、１ｇｍ〜５＃Ｌ
ｍ、より好ましくは０．３ｐＬｍ−３μｍ、最適には０
．６ｋｍ〜２μｍとされるのが望ましい、支持体表面の
四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部
（又は線」二突起部）の＃ｉ斜面の傾きは、好ましくは
１１隻〜２０１バ、より好ましくは３ｊバ〜１５１臭、
最適には４Ｉｆ！ｔ−１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支ハ体上に１イ１植される各層の層厚の不
均一性にノふ〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好まし
くは０．１ｐＬｍ〜２μｍ、よりｋｆましくは０．１ｋ
ｍ〜１．５μｍ１最適には０・２μｍ〜１．ｍとされる
のが望ましい。

ざらに未発Ｉ１１の光受容部材における光受容層はシリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された第１の層とシリコンａ；＜　ｆを含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体側より
順に設けられた多層構成となっているため極めて優れた
電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用
環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を右するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用４，５性に長け、６度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全Ｉ＋ｆ視光城に於いて
光感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れ
ているため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就で詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実に！１：様例の光受容部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支）、５体１００１の上に、光受容層１０００を
イＪし、該光受容層１０００は自由表面】００５を一方
の端面に４１している。

（以後ｒａ−３ｉＧｅ　（ＨｌＸ）Ｊ　と略記すた層構
造をイＩする。

第１の層（Ｇ）１００２中に含イｊされるゲルマニウム
原子は、ａＡＡｌ１層（Ｇ）１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）
の方に対して前記支持体ｆｏｏｌ側の方に多く分Ｉｎ　
Ｌ、た状ｊ！；となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２
中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分ＩＯ状態を取り、支）−１体の表
面と平行な面内方向には均一な分！μ状７１とされるの
が望ましいものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）」−に設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原ｒ−は含イ１され
ておらず、この様な層構造に光受容層を形成することに
よって　Ｉｌｌ視光領域をふくむ比較的短波長から比較
的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れて
いる光受容部材として（するものである。

又、第１の層（Ｇ＞中に於けるゲルマニラ１、原子の分
！１」状１ト；は全層領域にゲルマニウム原ｒが連続的
に分布し、ゲルマニウムＩ！；ｉ　／の層厚方向の分！
「１濃度Ｃが支持体側より第２の層（Ｓ）に向って減少
する変化がｈえられているので、第１の層（Ｇ）と第２
の層（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する
様に、支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃを−極端に大きくすることにより、半導体レーザ等
を使用した場合の、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれ
ない長波長側の光を第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に
完全に吸収することが出来、支持体面からの反射による
干渉を防止することが出来る。

又１本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので！ｔ’ｉ
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されてい
る。

第１１図乃至第１９図には、木３ＲＩＩＩにおける光受
容部材の第１の層（Ｇ）巾に含有されるゲルマニウム原
子の層Ｊ１方向の分布状態の典型的例が示される。尚、
各図に於いて、層厚Ａ及び濃度の表示はそのままの値で
示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で
図示しておりこれらの図は模式的なものと理解されたい
、実際の分布としては、本発明の［Ｉ的が達成される如
く、所望される分１１ｊ　濃度線が得られるように、ｔ
　（１≦１≦８）又はＣｉ　（１≦１≦１７）の値を選
ぶか、或いは分１１」カーブ全体に適当な係数を掛けた
ものをとるべきである。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の（Ｑ置を
、ｔ７は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を
示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（
Ｇ）はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成がなされる。

５５１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルブニウｔ−原Ｉの分ａＪｔ　ＩＩＩ　Ｃが濃度Ｃ
ｌなる一定の（（ｉを取り〕１らゲルマニウム原子が形
成される第１の層（Ｇ）に含有され、（！　Ｚ、　Ｌ　
Ｉよりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ７に至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位′１ｉｔ　７においては
ゲルマニウム原ｒ−の分！μ濃度Ｃは実質的に零とされ
る。

（ここで実質的に零とは検出限界４１未満の場合である
）。

１ｉ１２図に示される例においては、含有されるゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的の減少して＜：１．　ｉ
ｉ’ｆｆ、　ｔ　７　ｊこおいて濃度Ｃ４となる様な分
布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢよりイ装置し２までは、
ゲルマニウムｂ；（子の分４」濃度ＣはＬ　ｌＮＣ５と
一定位置とされ、位置ｔ２と位置ＬＴとの間において、
徐々に連続的の減少され、位置ｔＴにおいて、分；／＋
ｊ　ｅ度Ｃは実質的に零とされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分１１ｊ濃度
Ｃは付置ｔＢより伎；νｊｔ７　＋こ至るまで。

ｅ　ｌｆ！ｔＣ８より初め連続的に徐７７に減少され、
イ）“１１δｔ３よりは急速に連続的に減少されて位置
Ｔにおいて実質的に零とされている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルヤニ９１％原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢとイ装置ｔ４間においては、濃度Ｃ
７と一定イｆｉであり１位７ｉｔ７＋こ於ては分子ｔｉ
濃度Ｃは零とされる。位置ｊ　ｔ　４　と位置ｔＴとの
間では、分子ｌｊ濃度Ｃは一次関数的に位置ｔ４より位
置ｔ７に至るまで減少されてＩ７）る。

第１６図に示される例においては、分！＋ｊｆ：　Ｉｆ
ｆＣは位ｉｆｉ　ｔ　Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の
一定イプ１を取り、位ｉりＬ５より（！　ｉｉ’ｉ　ｔ
　７まではＣＩ臭Ｃ９より濃度ＣＩＯまで一次関数的に
減少する分！（」状１＆、とされている。

第１７図に示す例においては、位置ＬＢより位置ｔ７に
楽才で、ゲルマニウム原子の分ｊ１＋　ｅ度Ｃは儂Ｉｆ
！ＬＣｕより一次関数的に減少されて、零に至っている
。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に１ミまで
はゲルマニウム原子の分子＋ｊ　ｃＩｎ：　Ｃハ、儂瓜
ＣＩ２より製電ＣＩ３まで一次関数的に減少され、位置
１Ｂと位置ｔ７との間においては、儂ｌｍＣｌ３の一定
（ｌ／ｉとされた例が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニラ１、原子の
分７Ｈｊ　ｅ度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃ＩＡ　Ｃ１４
テアリ、位置し７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初め
はゆっくりと減少され、ｔ７の位置付近においては、急
激に減少されて位置し７では濃度Ｃ１５とされる。

位、％９ｉ　ｔ７　と位置Ｌ８との間においては、初め
急激に減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置ｔ８でｅ度Ｃ１６となり、位置ｔ８と位置し９と
の間では、徐々に減少されて位置し８において、　ｅ　
ｌ良Ｃ１？に至る０位置し９とイ）装置ｔ７　との間に
おいてはｅ＋ｆ！ＬｃＢより実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウムｂ；（了の層厚方向の分布状
ｙト、の典型例の幾つかを説明した様に、未発り１にお
いては、支持体側において、ゲルマニウム原子の分ｌｎ
　１４　ＩｉＣの高い部分をイｊし、界面ｔＴ側におい
ては、前記分り濃Ｉｐ！ＬＣは支持体側に比べて可成り
低くされた部分をイ１す本発明における光受容部材を構
成する第１の層（Ｇ）は・好ましくは上記した様に支持
体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域（Ａ）を南するのが望ましい。

本発明に於ては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説すノすれば。

界面位置ｔＢより５ｋＬ以内に設けられるのが望ましい
。

本発明に於ては、」二足局イｌ：’　ｉ（！域（Ａ）は
、界面位置ｔＢより５μ厚までの仝層領域（Ｔ−）とさ
れる場合もあるし、又１層領域（Ｌ）の一部とされる場
合もある。

局イ１領＊　（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される４、
’）　＋１に従って適宜法められる。

局イ１領域（Ａ）はその中に含イｊされるゲルマニラｊ
、原−ｒの層厚方向の分７１」状７Ｅとしてゲルマニラ
Ｊ・原−ｆの分布濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子
に対して、好ましくはｉｏｏ。

ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００ａｔ
Ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１×１０４　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以」二とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのか望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含イ１さ
れる第１の層は、支持体側からの層Ｊ！１で５μ以内（
ｔＢから５に厚の層領域に分りｊ濃度の最大イｄｊ　Ｃ
ｍ　ａ　ｘが存在する様に形成されるのが好ましいもの
である。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含イＪ−植としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法められるか、好ましく
は１〜９゜５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ま
しくは１００〜５ｘｉｏ！＋　ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には５００−７Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましいものである。

未発ｌ３１１に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）
との層厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の東
霊な因子の１つであるので形成される光受容部材に所望
の特性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に
充分なる１）意か払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、１１了
ましくは３０人〜５０μ、より好ましくは、４０人〜４
０ル、最適には、５０人〜３０ルとされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層ＰｉＴは、好ましくは０．５〜
９０ル、より好ましくは１〜８０μ最適には２〜５０井
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ＴＢ　＋Ｔ）としては、内層領域に要求される嗜１
性と光受容層全体に要求される４、ν性との相互間の有
機的関連性に基いて、光受容部材の層設′Ａ１の際に所
望に従って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ　＋Ｔ）
の数イＩ（範囲としては、好ましくは１〜１００μ、よ
り好適には１〜８０μ、最適には２〜５０ルとされるの
が望ましい。

本発明のより好ましい実施ｆ、様例に於いては、」二足
の層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ　／Ｔ
≦１なる関係を満足する際に。

夫々に対して適宜適すノな数値が選択されるのが望まし
い。

」二足の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数イＩＩ′
１の選択の於いて、より好ましくは、ＴＢ　／Ｔ≦０．
９．最適にはＴ３．／Ｔ≦０．８なる関係が満足される
様に層厚ＴＢ及び層ＪＶＴのイぽ１が決定されるのが望
ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含イ１；ｔが１×】０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以りの場合１こは、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとし
ては　ＩＩ）成り薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０ＩＪ、以下、より好ましくは２５川以下、最適には
２０ル以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、父素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

未発り１において、ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によッテ、ａ　Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　
（Ｈ、Ｘ）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するに
は、ツ（本市には、シリコンｂ；（子（Ｓｌ）を供給し
得るＳｉ供給用の原ネｌカスとゲルマニウム原子（Ｇｅ
）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応して水
素原−ｆ（Ｈ）導入用の原石カス又は／及びハロゲン原
”／（ｘ）４人用の原石ガスを、内部か減圧にしｉする
堆積室内に所望の力スハ、状態で導入して、該ｊ（ｌ積
室内にグロー放電を生起させ、Ｙ・め所定佼ン１に１没
置されである所定の支持体表面上に含イ１されるゲルマ
ニラＬ・原−ｒの分！１）農瓜を所望の変化率曲線に従
って制御し乍らａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を
形成させれば良い、又、スパッタリング状で形成する場
合には、例えばＡ　ｒ　、　Ｈｅ　等の不活性ガス又は
これ等のカスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉ
で構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲン（
・の二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの４′Ｉコ合され
たターゲットを使用してスパッタリングする際、必要に
応じて木素原ｆ’（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
４人用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してや
れば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原おＩガスと成
すイ１）る物質としては、ＳｉＨ４゜５ｊ２Ｈ６，５ｉ
３１（Ｂ　、５ｉ４Ｈ１ｏ等のカス状想；の又カス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、像作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供飴効＝４４　（ｙ）良さ等ノ点テｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓ　
ｉ２　ＨＢ　、　カＮましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料カスと成りｔｌＪる物質としては、Ｇ
ｅＨ４、Ｇｅ２　ＨＢ　、Ｇｅ３　ＨＢ　。

Ｇｅ４　ＨＩＯ，Ｇｅ５　Ｈ１２，Ｇｅ６　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７Ｈ１Ｂ、　Ｇ　ｅＢ　ＨＵＢ、　Ｇ　ｅｇ　）（２
０’ｔ”）ガス状７６の又はカス化し得る水素化ゲルマ
ニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
像作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供供給コニ４ｉ良さ等
の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２　Ｈ６，Ｇｅ３　ＨＢが好ま
しいものとして挙げられる。

末完ＩＪＩにおいて使用されるハロゲン原ｆ−ｑ田用の
綜ネ１カスとしてイｊ効なのは、多くのハロゲン化合物
が挙げられ１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化しく１１るハロゲン化合物が好ま
しく挙げられる。

又、史には、シリコン原子とハロゲン力；（子とを構成
黄粛とするガス状ｙｓの又はカス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本Ｕ　！
３１Ｊにおいては挙げることが出来る。

本発明において＆ｆ適に使用し得るハロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッＪｊ　、　１１４素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、Ｃ文Ｆ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７．ＩＣ文、　Ｉ　Ｂ　ｒＮｓ（１）ハロゲン間化
合物を挙げることが出来る。

ハロゲンｂ：〔子を含む硅素化合物、所Ｊ１７゜ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には
例えばＳｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ８　。

Ｓ　ｉ　Ｃ１４、ｓｉ　Ｂ　ｒ４　等ノハロゲン化も（
素が好ましいものとして挙げる事が出来る。

この様ハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロー
放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成する
場合には、Ｇｅ供給用の原ネ４ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、ジ（本市には、例えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原ｆの導入ｔ１，１合の制御を一層容易
になる様に１ミする為にこれ９のカスに更に水素カス又
は水素原子を含むＩ＋ｌ素化合物のカスも所望Ｊ、；混
合して層形成しても良い。

又、各カスは中独挿のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリングン人の場
合にはＳｉから成るターケントとＧｅから成るタープ・
ントのニ一枚を、或いはＳｌとＧｅから成るターケント
を使用して、これを所望のカスプラズマ雰囲気中でスパ
ッタリングし、イオンプレーチイングツ人の場合には、
例えば、多結晶シリコン又は弔結晶シリコンと多結晶ゲ
ルマニウム又は中結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源とし
て蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或い
はエレクトロンビーム１人（ＥＢｉ１人）等によって力
■熱蒸発させ飛７４１蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲
気中を通過させるＪＳで行う事が出来る。

この際、スパッタリング１人、イオンブレーティング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅毒化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原−ｆ導入用の
原料ガス、例えば、Ｈ２、或いは＋ｉｉｉ記したシラン
類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲンＩ！ｉｊ　７−導入用の原
料カスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
を含むｌＩＬ素化合物か４１効なものとして使用される
ものであるが、その他に、ＨＦ。

ＨＣす、　ＨＢ　ｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素。

ＳｉＨ２Ｆ２　、Ｓ　ｉＨ２１２、ＳｉＨ２Ｃｌ２゜５
ｉＨＣｕ３．５ｉＨ２Ｅｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲ
ン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＢ２　Ｆ２　
、ＧｅＢ３　Ｆ、Ｇｅ５Ｈ１２。

ＧｅＢ２　Ｃｕ２　、ＧｅＢ３　Ｃｌ、ＧｅＨＢ　ｒ３
゜ＧｅＢ２　Ｂ　ｒ２　、ＧｅＢ３　Ｂｒ、ＧｅＨＩ３
　。

ＧｅＢ２１２　、ＧｅＢ３　Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｆ１４　。

ＧｅＢ　ｒ４　、Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣ１
２゜ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な
第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙げる２１（
が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／Ｘロゲン化物は、
第１の層（Ｇ）形成の際に層中に／＼ロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原ネ１として使用される。

水素原子を第１の層ＣＧ　）中に構造的に導入するには
、上記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ
３ＨＢ　、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素をＧｅを供給す
る為のゲルマニラＪ・又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４。

Ｇｅ２　Ｈｅ　、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４　Ｈｌｏ、Ｇ
ｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６　ＨＩ４．　Ｇｅ７　ＨｌＢ、　Ｇ
ｅＢ　）（ＩＢ。

Ｇｅ３Ｈ２ｇ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する
為Ｉのシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
ＪｋＶ又はハロゲン原−ｒ（Ｘ）の量又は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくはＯ，Ｏｆ
　〜４０ａｔ　ｏｍｉｃ％、より好適には０．０５−３
０ａｔｏｒｎｉｃ％、最適には０．１−２５ａＬ　ｏｍ
ｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原ｒ（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）のｊ、ｉを制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原’／（Ｈ）　、或いはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入するｊｌｌ、放電々力等を制御して
やれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質（Ｉ＋））を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放１１１
ｔ　／ｌ１．スパッタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用するＩｔ、空電ｊｔＩＩ法
によって成される。例えば、グロー放電法によってａ−
３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の層（Ｓ）を形成する
には、基本的には＊ｉｉｊ記したシリコン原子（Ｓ　ｉ
）を供給し得るＳｉ供給用の原赴１カスと共に、必要に
応じて水素原子（■（）導入用の又は／及びハロケン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし１りる堆
積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定イ装置に設置されである所定の支持体表面上
にａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡ
　ｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のカスをヘー
スとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲ
フトをスパフタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原−’Ｉ’（Ｘ）の１１１−まＩこは水素原子とハロ
ゲン原子のｊＩＮ、の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５−３５−３０ａｔ
ｏ％、最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

未発１１の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵
抗化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良
を図る目的の為に、光受容層中には、Ｍ素原子、炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子
が層厚方向には均一、又は不均一な分布状１ムで含有さ
れる。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）
は、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは
、光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在
させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状７ｇは分４ノ濃度Ｃ（ＯＣＮ）
が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均
一であることが望ましい。

末完り１に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ
）の含イ３されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と１
１Δ抵抗の向上を主たる＋１的とする場合には、光受容
層の全層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層
との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合
には、光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設け
られる。

１ｉｉｊ　Ｓの場合、層領域（ＯＣＮ）中に含イ］され
る原子（ＯＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に
比較的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性
の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい
。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有、ＩＡは、層領域
（ＯＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（Ｏ
ＣＮ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、Ｉｌｂ記層記載領域ＣＮ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他
の層領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮され
て、原子（ＯＣＮ）の含有Ｊ４が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含イ１される原ｆ（ＯＣＮ）のｊ
ｌｉは、形成される光受容部材に要求される特性に応じ
て所望に従って適宜決められるか、好ましくは０．００
１−５０ａｔ　ａｍｉｃ％、より好ましくは、０．００
２−４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３−３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのか望ましい。

木兄り１に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域
を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、
層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占め
るＪ１合が充分多い場合　には、層領域（ＯＣＮ）に含
４ｉされる原ｆ−（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の
（＋ｒｉより充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏか光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以」二とな
る様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の」二限としては、好ましくは３０ａｔｏｍ
ｉｃ％以）、より好ましくは２０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ
　ｃ％以下、最適にはｌ・　ｔｏｍｉｃ％以下とされる
のが望ましい。

本発明の好適な実施ｆ、様例によれば、原子（ＯＣＮ）
は、支持体Ｊ、にｌｉ’、ｉ接１没けられる前記の第１
の層には、少なくとも含有されるのが望ましい。詰り、
光受容層の支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有
させることで、支持体と光受容層との間の密着性の強化
をルすることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、ｉ素原右されるこ
とが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酩素
原子を含有させ、第２の層中には、窒素原子を含有させ
たり、或いは、同一層領域中に例えば酩素原子と窒素原
子とを共存させる形で含有させても良い。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有されるｈ：〔１°ｌ０ｃＮ
）の層厚方向の分１ｐ状１ムが不均一な場合の典Δり的
例が示される。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原（（ＯＣＮ）
の分ｈ　Ｋ　ＩＩＶ　Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）
の層厚を示し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端
面の位置を、Ｃ７は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣ
Ｎ）の端面の位ｊδを示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含
！−１される層領域（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔＴ側に向
って層形成かなされる。

■の典型例が示される。

”ｊｓ　２０１にに示される例では、原子（ＯＣＮ）の
含イ１される層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層
領域（ＯＣＮ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌ
の位置までは、原子（ＯＣＮ）の分！１ｊ濃度ＣがＣ２
なる一定の４ｆｔを取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成され
る層領域（ＯＣＮ）ｊこ含有され、位置ｔ１よりは濃度
Ｃ２より界面（１７置ｔ７に至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位ｉｔＴにおいては原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３とされる。

第２１図に示される例においては、含イ（される原子（
ＯＣＮ）の分；／ｌｊ　濃度Ｃは位置ＴＢより位δｔＴ
に至るまで濃度Ｃ４から徐々にＩ！ｌ！続的に減少して
位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成し
ている。

第２２図の場合には１位置ＬＢより位置Ｌ２までは原子
（ＯＣＮ）の分ＩＩｊ濃瓜Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
１位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界駿未猫の
場合である）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分７１１膿度Ｃ
は位置ＴＢより位ｉ’ｌ　Ｌ　Ｔに１〕るまで、Ｃ１１
［ｆｆ１Ｃ３より連続的に徐々に減少され、（！　：ａ
　ｔ　７において、天性的に零とされている。

第２４図にノＪ＜す例においては、原子（ＯＣＮ）の分
ＩＩＩ　製置Ｃは位置ＴＢと４ｈ６ｔ３間においては製
置Ｃ９と　１（＋／ｉであり、位置を丁においては濃度
ＣＩＯされる。荀１６ｔ３と位置を丁との間では、分１
１ｊ膿度Ｃは一次関数的に位置し３より位置を丁に至る
まで減少されている。

ｉＱ　２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位
置ｔＢよりイ☆１δｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一層（＋（
ｉを取り、位δｔ４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より
濃度Ｃ１３までは一次関数的に減少する分ＩＨｒ状ｊル
、とされている。

２’５２６図に小才例においては、位；’Ｊ、　Ｔ　Ｂ
より位ｍ　ｔ　Ｔニ’＋ｉ　６　マチ、原子（ＯＣＮ）
（７）分！ＩＪｃ１１％　Ｃは濃度Ｃ１４より実質的に
零に至る様に一次関数的に減少している。

第２７図においては、位置ＬＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布ｃＩｆ！ＬＣは。

濃度Ｃ１５よりＣＩＥｉまで一次関数的に減少され、位
：：１　ｔ　５と位２ｊ、　ｔ　７との間においては、
濃度ＣＩＥｉの一定イｌ／Ｉとされた例が示されている
。

第２８図に示される例においては、原１’（ＯＣＮ）の
分春ａ度Ｃは、位置ｔＢにおいてはｃ度ＣＩ？であり、
位２ｉ　ｔ　５に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めは
緩やかに減少され、ｔ６の位１古付近においては、急激
に減少されて位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置Ｌ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置し７
でｆｅｌ臭Ｃ１９となり、イＱｔｔ７と位置ｔ８との間
では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８にお
いて、濃度Ｃ２０に至る。位置し８と位置ＭＴの間にお
いては、濃度Ｃ２０より実質的に本になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層（ｒｌ域（ＯＣ
Ｎ）中に含有される原ｒ（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状
！ル、が不均一な場合の典型例の幾〈つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、原子（ＯＣ
Ｎ）の分！１」濃１．Ｉ　Ｃの高い部分を４１し、界面
ＬＴ側においては、前記分／Ｉｉｃ度Ｃは支持体側に較
べて可成り低くされた部分を右する原子（ＯＣＮ）の分
４ノ状態が層領域（ＯＣＮ）に設けられている。

ｋ】（子（ＯＣＮ）の含イＪされる層領域（ＯＣＮ）は
、」−記した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）か比較
的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するもの
として設けられるのが９１ましく、この場合には、支持
体と光受容層との間の密ノ、”性をより一層向」二させ
ることが出来る。

」、記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃：′１ζ第２８図
に示す記号を用いて説明すれば、界面ｆＱｊδｔＢより
５鉢以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は。

界面位置ｔＢより５ル厚までの全領域（ＬＴ）とされる
場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合
もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分ＩＨ＋状態として原子（ＯＣＮ）分Ｉａｔ
　ｅ度Ｃ（７）　Ｇ大（ｌｉ　Ｃｍ　ａ　ｘが、好まし
くは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」−１より＆ｆ適に
は８００ａＬｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」−９最適にはｌｏｏ
ｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」−とされる様な分布状ＩＬ
となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、末完ＩＪＩにおいては、原子（ＯＣＮ）の含有さ
れる層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５に以
内（ｔＢから５井厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ
ｍａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折４１が緩やかに
変化する様に、原子（ＯＣＮ）の層ノゾ方向の分４Ｊ状
％を形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光か層接触
界面で反射されるのをｊｌｌ　ｔＬ　Ｌ、（”渉も一模
様の発現をより効果的に防止することが出来る。

又、　ＡＩ’１Ｍ　（ｏ　ＣＮ）　中−ｃ’ノ原７’　
（ｏ　ＣＮ）の分！１」濃度Ｃの変化線は滑らかなｈｌ
；折率変化を１ノえる−１．１、で、仙続して緩やかに
変化しているのか望ましい。

ｚｏ　２３ るように、原子（ＯＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有
されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の社を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、ｉ；ｊ記した光受容層形成用の出発物質の中
から所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入
用の出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導
入用の出発物質としては、少なくとも原３−（ＯＣＮ）
を構成原子とするガス状の物質又はカス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用される。

置体的には、例えば酸素（０２）、オジン（０３）、−
耐化窒素（Ｎｏ）、二耐化窒素（ＮＯ２）、−一二酸化
窒Ｊ　（Ｎ２０）、ＥｍＭ化会、素（Ｎ２０３）、四二
酩化窒素（Ｎ２，０４）。

（Ｎ １ｉ、ｌ酸化窒素（Ｎ　２０５　）、Ｅ四Ｍ化窒素ｏ３
）。

△ シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原−ｆ（
Ｈ）とを構成原子とする１例えば、ジシロキサン４　Ｈ
３Ｓ　１Ｏ３ｉＨ３）、ｌ・リシロキサン（Ｈ３Ｓ　ｉ
ｔｓ　１Ｈ２０ｓ　１Ｈ３）等の低級シロキサン、メタ
ン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７　（Ｃ３
ＨＢ）、ｎ−ブタン（１−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタ７（Ｃ
５Ｈ１２）　′：Ｓ＋７））Ｋ素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン　（Ｃ３Ｈ５）
、ブテン−１（Ｃ４ＨＢ）。

ブテン−２（Ｃ４ＨＢ）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテン（Ｃ５ＨＩＯ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブテン（０４Ｈ５）等
の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）
、アンモニア（Ｎ　Ｈ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２
）、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３゜アジ化アンモニウム（
ＨＨ４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ
４Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質として、
Ｓ　ｉ０２．Ｓ　ｉ　３Ｎ４゜カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含イ１される原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（
ｄｅｐｆｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）
を形成する場合には、グロー放電の場合には１分布濃度
Ｃを変化させるべき原子（０，ＣＮ）’４人用の出発物
質のガスを、そのガス流ｔを所望の変化率曲線に従って
適宜変化させ乍ら、堆１ノヘ室内に導入することによっ
て成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流星系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開ＩＪを’１９時変化させる
操作を行えば良い。このとき、ｔＡｔ　ｂ：、の変化率
は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、
あらかしめ設工Ｉされた変化率曲線に従って流量を制御
し、所望の含有率曲線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層Ｊゾ方向の分布濃度Ｃを層厚
方向で変化させて。

原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分布状ｙｉ。

（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成する場合には、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をカス状態で使霞 川し、該カスを堆積頁中へ導入する際のカス流部を所望
に従って適宜変化させることによって成される。第二に
はスパッタリング用のターゲットを、例えばＳｔと５ｉ
０２との混合されたターゲットを使用するのであれば、
ＳｉとＳｉｏ２との混合比をターゲットの層厚方向に於
いて、予め変化させておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導゛屯＋ｌＩ支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、　Ａ　ｌ　、　Ｃ
ｒ　、　Ｍ　ｏ　、　Ａ　ｕ　、　Ｎ　ｂ　、　Ｔ　ａ
　。

Ｖ　、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ３（７）金属又はこれ等の
合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシー］・、カラス、セラミンク、紙等が通阜使用
される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、カラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＭ
、Ｃｒ、、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２．
ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄１１りを
設けることによって導電性がイづりされ、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣ
ｒ、Ａ文。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の１：し１
１Ｑを真空蒸；？’７　、　’ｉｔ：子ビーム八箔、へ
パッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与さ
れる。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等任意の形状とじｆｔ！、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのか
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内であればＵ（能な限り７；しくされる。

而′１ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い＋、
機械的強度等の点から、打ましくはｌｏ＝以−１，とさ
れる。

次に本発明の光受容部材の製造方Ｖ、の−・例の概略に
ついて説明する。

第２９図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中２９０２〜２９０６のガスボンへには、本発明の光
受容部材を形成する為の原ネ′ｌカスが密１１されてお
り、その−例としてたとえば２９０２は、ＳｉＨ４ガス
（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４と略す）ボンへ、２９ｏ３はＧｅＨ４ガス
（純度９９．９９９％、以下Ｇ　ｅ　Ｈ４と略す）ボン
ベ、２９ｏ４はＮｏカス（純ｓａ　９９　、９９％、以
下Ｎｏと略ス）ボンへ、２９０５はＨｅカス（純＋ｑ９
９．９９９％）ボンベ、２９０６はＨ２ガス（純度９９
．９９９％）ボンへである。

これらのカスを反応室２９０１に流入させるにはカスボ
ンへ２９０２〜２９０６のノ＜）レブ２９２２〜２９２
６、リークバルブ２９３５か閉しられていることを確認
し、又、ＩＡＣ人／＜ルブ２９１２〜２９１６、流出バ
ルブ２９１７〜２９２１、補助バルブ２９３２，２９３
３か開かれているごとを確認して、先ずメインバルブ２
９３４を開いて反紀、室２９０１．及び各カス配僧内を
υ１気する。次に真空、１ｆ２９３６の読みカ＆’Ｊ５
Ｘ　１０−８ｔ　ｏ　ｒ　ｒになった時点で補助バルブ
２９３２，２９３３、流出バルブ２９１７〜２９２１を
閉じる。

次にシリンター状２１１体２９３７上に光受容層を形成
する場合の１例をあげると、カスホンへ２９０２よりＳ
ｉＨ４ガス、カスボンベ２９０３よりＧ　ｅ　Ｈ４ガス
、カスホンへ２９０４よりＮｏ、カス２９０６よりＨ２
ガスを／ｈバルブ９２２．２９２３，２９１４．２９２
６を開いて出口圧ゲージ２９２７．２９２８，２９２９
．２９３１（７）圧を１Ｋｇ／Ｃｍ２に調整し、流入バ
ルブ２９１２　、２９１．３　、２９１４　、２９１６
を徐々に開けて、マスフロコントローラ２９０７．２９
０８，２９０９．２９１１内に人々流入させる。引き続
いて流出、＜ルプ２９１７．２９１．８，２９１９，２
９２１、補助／ヘルプ２９３２．２９３３を徐々に開い
て夫々のカスを反応室２９０１に！に人させる。このと
きのＳｉＨ４ガス流量、Ｇ　ｅ　Ｈ４カス流早、ＮＯカ
スＩＡｊ量とＨ２カス流量の比が所望のイｌ／Ｉになる
ように流出バルブ２９１７　、２９１８　、２９１．９
　。

２９２１を調整し、また１反応室２９０１内の圧力が所
望の伯になるように真空計２９３６の読みを見ながらメ
インバルブ２９３４の開目を調整する。そして、基体　
２９３７の温度が加熱ヒーター２９３８により５０〜４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源２９４０を所望の電力に１没可して反Ｊ心室２
９０１内にグロー放′屯を生起させ、同時にあらかじめ
設計された変化率曲線に従ってＧｅＨ４ガスの’ＩＡｔ
　ｉＬを手動あるいは外部駆動モータ“９の力υ、によ
ってバルブ２９１８の開口を漸次変化させる操１′１を
９−１って形成される層中に含イＳされるゲルマニウム
原子の分ＩＩｉ　′ａ度を１１ノ制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電をｍ持して、所望層
厚に、ノ、（体２９３７　Ｌに第１の層（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の層（Ｇ）か形成された段階に於て
、流出バルブ２９１８を完全に閉しること及び必要に応
して放ＬＬ条件を変える以外は、同様な条件と手順に従
って所１、／ＩＱシ間グロー放“１［をＭ【持すること
で第１の層（Ｇ）」―にゲルマニウム原子の実質的に含
有されない第２の層（Ｓ）を形成することか出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を工するためｊ
基体２９３７はモーター２９３９により一定速度で回転
させてやるのか望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、　ｉ’、。

（ｒ）８０ｍｍ）を第２表に７１ζす条件で、第３０図
（Ｐ：ピッチ　Ｄ：深　さ）に、パすように旋盤で加工
した。（Ｎｏ、２０１−２０４）次に、第１表に示す条
件で、第２９）Ａの）１う）１１１積装置で種々のｊＭ
　ｆｉ手順に従ってＭ素を含イ１するａ−５ｉ：Ｈの゛
重子写真用光受容部材を作製した。（試ＦＩＮｏ、２０
１〜２０４）なお、第１層のａ−（Ｓｉ　；Ｇｅ）：Ｈ
層は、Ｇ　ｅ　Ｈ４および５ＩＨ４の流−量を第３１図
のようになるように、Ｇ　ｅ　Ｈ４およヒＳ　ｉ　Ｈ４
のマスフロコントローラー２９０８およヒ２９０７をコ
ンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により１１ノｊ御した
。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表（試＄’ｌＮｏ、２０
１〜２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポントＰｆ８０　ｇｍ）　テ画像露光様は観Ａ１１ｌ
されず、実用に十分なものであった。

実施例２ ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、　径（ｒ）
８０ｍｍ）を第４表に示す条ヂ［で、第３０図（Ｐ：ピ
ッチ、Ｄ　深さ）に示すように旋盤で加工した。（試ネ
゛ｌＮｏ、４０１．−４０４）次に、第３表に示す条件
で、第２９図の膜１４１桔装置で耳々の操作子１１ｔ＋
に従って炭＾を金石するａ−５ｉ：Ｈの電子′ゲ真用光
受容部材を作製した。（試ＦＩＮｏ、３０１〜３０４）
の なお、第１層匈ａ−（Ｓｉ　；Ｇｅ）：Ｈ層は、Ｇ　ｅ
　Ｈ４およびＳ　ｉ　Ｈ４ノｉ％！＋！を第３２図のよ
うになるように、ＧｅＨ４および５ｉＨ４６マスフロコ
ン］・ローラー２９ｏ８および２９０７をコンピュータ
ー（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第４表（試料Ｎｏ、４０１〜
４０４）（７）結果を得た。

これらの゛電子写真用光受容部材について、第３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ・スポ
ット径８０終ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試ネ４Ｎｏ、４０１〜４０４いずれの画像にも干渉縞模
様は観′Ａｌ１１されず、実用に十分なものであった。

実施例３ Ａｆｉ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、　ｉ￥（
ｒ）８０ｍｍ）を第６表に示す条件で、第３０図（Ｐ：
ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。（試
料Ｎｏ、６０１〜６０４）次に、第５表に示す条件で、
第２９図のＩｔＩＩＩｌｌ積装置で種々の操作子ｍｒ＋
に従って窒素を含イタするａ−３ｉ：Ｈの電子写真用光
受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、６０１〜６０４） の なお、第味層Ｊａ−（Ｓ　ｉ　：　Ｇｅ）：　Ｈ層は　
Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４の論量を第３３図のように
なるように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマス７０コント
ローラー２９０８およヒ２９０７をコンピューター（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚をｉ［
子顕微鏡で測定したところ、第６表（試＄４Ｎｏ、６０
１−６０４）　（７）結果を１０だ。

これらの１Ｌ壬子写真光受容部材について、第３９１４
に示す画像露光装置（レーザー光の波りそ７８０ｎｍ、
スポット径８０μｍ）で画像露光を１１ない、それを現
像、転写して画像をｆ’）た。

試＄ＩＮｏ、６０１〜６０４いずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例４ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、ｌ’ｉｌ（ｒ）８
０ｍｍ）を第８表に示す条ヂｌで、第３０１２（Ｐ：ピ
・ンチ、Ｄ　深さ〕に示すように旋盤で加工した。（試
料Ｎｏ、８０１〜８ｏ４）次に、第７表に示す条件で、
第２９図の膜ｊ（＋植装δで種々の操作手順に従って窒
素を金石するａ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作
製した。（試ネ’ｌＮｏ、８０１〜８０４）なお、第１
層のａ　−（Ｓ　ｉ　；　Ｇｅ）　：Ｈ層は、Ｇ　ｅ　
Ｈ４およびＳ　ｉ　Ｈ４ｔ７Ｎｉｊ量を第３４図のよう
になるように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコン
トローラー２９０８および２９０７をコンピューター（
ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第８表（試才ＩＮｏ、８０１
−８０４）ｉ７）結果をイＩＩた。

ｋ分区に示す画像露光装置（レーザー光の波Ｌ１７８０
ｎｍ、スポット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、８０１〜８０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観１１１１されず、実用に十分なものであった。

聾 変えた以外は実施例４と同様な条件で、耐素を含有する
ａ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作製した。

こうして１１ｔられた光受容部材を実施例４と同様の条
件と手順に従って４．ν性評価を行ったところ、干渉縞
模様は肉眼では全く観察されず。

且つ、十分良好な電子写真特性を示し、本発明の目的に
適ったものであった。

実施例６ を含有するａ−３ｉ：Ｈの電子力立川光受容部材をｆ’
ｌ：：ＩＲＬだ。

こうして１１１られた光受容部材を実施例４と同様の条
ヂｉと１１１Ｖ１に従って特性評価を行ったところ、１
渉縞模様は肉眼では全く観察されず。

１１つ、（−分段ｂ（な電子写真特性を示し、本発明の
目的に適ったものであった。

実施例７ 第２９図の１模堆積装置により、Ａ文支持体（シリング
　Ｎｏ、２０２）　Ｊ−に第９表に示す条件で第３５図
に示すカス流！ｄ比の変化率曲線に従ってＮｏカスの流
量比を像作成経過時間と共に変化させた以外は実施例１
と同様の条ヂ１で酸素を含イＪするａ−５ｉ：Ｈの゛電
子写真用光受容部材を作成した。

こうしてマリられた光受容部材を実施例１と同様の条件
と手ＩＷ１に従って特性評価を行ったところ、■＃縞模
様は肉眼では全く観察されず、はっ、十分段＆ｆな電子
ｄ真特性を示し、未発り１のｌＩ的に適ったものであっ
た。

実施例８ 第２９図の膜１（Ｌ積装置により、ＡＭ支持体（シリン
グ　Ｎｏ−２０２）　Ｊ：に第１０表に示す条Ｐ１で第
３６図に示すカス流が此の変化率曲線に従ってＮＨ３カ
スの流（ＪＨ比を像作成経過時間と共に変化させた以外
は実施例１と同様の条件で窒、Ｋを含有するａ−５ｉ：
Ｈの゛電子写真用光受容部材を作成した。

こうして得られた光受容部材を実施例１と同様の条ヂｌ
と手順に従って特性１１平価を行ったところ、１渉縞模
様は肉眼では全く観察されず、１１つ、十分良好な電子
写真４．Ｎｆ性を示し、本発明の目的に適ったものであ
った。

実施例９ 第２９図の膜堆積装置により、Ａ文支持体（シリンダＮ
ｏ、２０２）上に第１１表に示す条件で第３７図に示す
カス流！ｉ：比の変化率曲線に従ってＮｏカスの流量比
を像作成経過時間と容部材を作成した。

こうして得られた光受容部材を実施例１と同様の条件と
手順１こ従って特性評価を行ったところ、干渉縞模様は
肉眼では全く観察されず、且つ、ｔ・分段ｋ（な電子写
真特性を示し、本発明の１」的に適ったものであった。

実施例１０ 実施例９で使用したＮｏカスをＮＨ３カスに変えた以外
は実施例９と同様な条ヂＩで、窒素を含イＩするａ−５
ｉ：Ｈの電子写」“Ｌ用光受容部材をｆｉ製した。

こうして得られた光受容部材を実施例９と同様の条ヂ１
と手順に従って特性評価を行ったところ、干渉縞模様は
肉眼では全く観察されず、１１つ、十分良好な電子写真
特性を示し、本発明の１１的に適ったものであった。

／′ 実施例１”　ＣＨ４ 実施例９で使用したＮｏガスを２本　ガスｌこ舎 変えた以外は実施例９と同様な条件で、炭素を含有する
ａ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作製した。

こうして得られた光受容部材を実施例９と同様の条件と
手順に従って特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉
眼では全く観察されず、１［つ、十分良好な電子写真特
性を示し、本発明のＩＩ的に適ったものであった。

実施例１２ 第２９図の１１！；！　ｔ＜＞積装置により、Ａ９．支
持体（シリンダ　Ｎｏ、２０２）　Ｊ−に第１２表に示
す条ヂ１で第３８図に示すカス流星比の変化率曲線に従
ってＣＨ４カスの流−１比を層作成経過時間と共に変化
させた以外は実施例１と同様の条ヂトで炭素を含有する
ａ−５ｉ：Ｈの゛電子写真用光受容部材を作成した。

こうして得られた光受容部材を実施例１と同様の条件と
手順に従って特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉
眼では全く観察されず。

且つ、十分良好な電子写真特性を示し、本発明の１１的
に適ったものであった。

第６表 ：ｔＳＢ表

【図面の簡単な説明】 第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合のモー縞の発現
を説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する１の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散、光による
干渉縞発現を説明する為の説明図で］る。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な発 ４合の干渉縞。現を説明する為の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非モ行な４合に干渉
縞が現われないことの原理を説明す、為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行で】る場合と
非１１行である場合の反射光強度の比νを示す為の説明
図である。 二説明する為の説明図である。 第９図、は夫々代表的な支持体の表面状１ムの説明図で
ある。 ：ｉＳ１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第ｉｉ図から第１９図は、夫々第１の層におけるゲルマ
ニラ１、の分１ｉ状態を説明する為の説Ｎ）中の原子（
ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の説明図である。 堆 第２９図は、実施例で用いた光受容層の体積装置褥の説
明図である。 第３０図は、実施例で用いたＡｎ支持体の表面状態の説
明図である。 第３１図から第３８図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。 第３９図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｔｏｏｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａｉ
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第１の層？ １００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・第％の
層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受
容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
光受容部材の自由表面３９０１・・・・・・・・・・・
・・・・・・・電子写真用光受容部材３９０２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー３９０３
・・・・・・・・・・・・・・自・・ｆＯレンズ３９０
４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラ
ー３９０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・露光
装置の平面図３９０６・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の側面図１　Ｌｚ １ 第５図 １Δ ・２ （Ｃ） Ｒ ↑ （Ｃ） 粥９図 １θθ５ −−Ｑ 、　ｃｓ υ Ｏ □Ｃ −□−ｃ 四Ｍ　（／？） 時間（）に？−ノ 時閉（分り Ｂ岬ｌ５ＩＩ（ｔ〜〕 ひ゛ス涜童之 ｒスイン【バノ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材ネ１で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非
   晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持
   体側より順に設けられた多層構成の光受容層を有する光
   受容部材に於いて、前記Ｐｆ！ｊｌの層中に於けるゲル
   マニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であると共
   に、前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の中
   から選択される少なくとも一種を含有し、且つショート
   レンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な
   界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数
   配列している。！１１を特徴とする光受容部材。 （２）前記光受容層・に含有される酸素原子、炭素原子
   、窒素原子の中から選択される少なくとも一＋ｉの原子
   の分ｌＩＪ状態が、Ｐ！：厚方向に不均一である特許請
   求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （３）前記光受容層に含有される酸素原子、炭素原子、
   窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子の分
   布状７ムが、層が方向に均一である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （６）前記ショートレンジが０３〜５００ルである特許
   請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （８）前記凹凸が逆■字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５イ１に記載の光受容部材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （ｌＯ）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   直角三角形である特許請求の範囲第６伯に記載の光受容
   部材。 （ＩＩ）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   不等辺三角形である特許請求の範囲第６ダ１に記載の光
   受容部材。 （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１３）逆Ｖ宇形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１４）前記螺線描造が多重螺線描造である特許請求の
   範囲第１１ダ１に記載の光受容部材。 （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許シ、請求の範囲第６項に記載の光受
   容部材。 （１６）市記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている４５５Ｍ請求の範囲第１０項に
   記載の光受容部材。 （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１８）前記傾ネ１面が鏡面仕上げされている特許請求
   の範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面１こ設け
   られた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成され
   ている特ａ’ｌ’　請求の範囲第５項に記載の光受容部
   材。