JPS6199147A

JPS6199147A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6199147A
Application number: JP59220377A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuetsuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-10-22
Filing date: 1984-10-22
Publication date: 1986-05-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電ＷＩａ′を形成し
１次いて該ＷＩ像を現像、必要に応じて転写、定着など
の処理を行ない１画像を記録する方法がよく知られてい
る。中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レー
ザーとしては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは
半導体レーザー（通常は８５０〜８２０ｎ厘の発光波長
を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８８３
４１号公報や特開昭５６−８３７４８号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材′Ｊ４（以後１’ａ
−３ｉ」と略記する）から成る光受容部材が注目されて
いる。

尚乍ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｉ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定のｔＩシ範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に。

層形成のコントロールを厳密に行う必要がある等、光受
容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５１１号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の１部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、　ａ　−Ｓｉ系光受容部材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造」二の管
理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化
に向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の中色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１因に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ０と上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の１１！長を入入として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層　ｎ厚差で不均一であると、反射光ＲＩ　Ｊ２が２ｎｄｘｍ
入（ｍは整数１反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ　＋
　−）入’（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のど
ちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光
量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１＠に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように。

それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。その為に
該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材上に転写、定
着された可視画像に現われ、不良画像の原因となってい
た。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±　１００００Ａの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１１１２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を
黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン
、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方
法（例えば特開昭５７−１８５１１４５号公′報）、ア
ルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり
、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりし
て、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法・（例
えば特開昭５７−１ｆ１５５４号公報）等が提案されて
いる。

丙午ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。　　　゛第
２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収は
無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又、
着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ層を形成す
る際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受容
層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Ｓｉ層
形成の際のプラズマによってダメージを受けて１本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によるそ
の後のａ−ＳｉＪｉｉｊの形成に悪影響を与えること等
の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光１０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光！ｌとなる。透
過光■！は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って１反射光Ｒ
，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４１４に示
すように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１
層４０２での表面ヤの反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が忠かった。加えて、比較的大
きな突起がランダム１　　　　　　　　　″形成″′″
″！′機会“多３・斯ゝ６大きな突起が光受容層の局所
的ブレークダウンの原因となってぃた。

又、巾に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように１通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容！？ｌ５Ｇ２が堆積するため、支持体５
Ｇ＋の凹凸の傾斜面と光受容層５Ｇ２の凹凸の傾斜面と
が平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄ＋　＝　（ｍ１３４）入が成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ＋　＋ｄ２　、ｄｓ　、ｔ、の夫々の差のあるため
明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又１表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるためζ一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つ別の目的は、電気的耐圧性及び光感度
が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供するこ
とでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが出来る電子写真用に適した光受容部材を
提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明は、支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子
とを含む非晶質材料で構成された：ｊＳＩの層と、シリ
コン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第
２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層とを有しており、前記光受容層は、酸素原子、炭素
原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含
有し、且つショートレンジ内に１対以−Ｌの非平行な界
面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少
なくとも一方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方
向において各々なめらかに連結していることを特徴とす
る。

以下１本発明を図面に従ってＪ４体的に説明する。

第６図は１本発明のＪ、ｌｉ木原理を説明するための説
明図である。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な、なめらかな凹
凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜
面に沿って多層構成の光受容層を右し、該光受容層は第
６図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の
層厚がｄｓからｄ６と連続的に変化している為に、界面
６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従
って、この微小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可
干渉性光は該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３　ト：ｊＳ２１３７０２＋７）自由表面７０４
トが非平行であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光
［、に対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ８とはその進行方向
が互いに異る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（
第７図のｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少
する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞゛模様の
明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がブ
クロ的にも不均一（ｄｙ　”ｅ　ｄｏ　）であっても同
様に云える為、全層領域に於て入射光がか均一になる（
第６図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いそ照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光！。に対
して１反射光ＲＩ　Ｊ２　＋Ｒ３Ｒ，、Ｒｓが存在する
。その九番々の層で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、先受、各層を構成す
る層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止す
ることが出来る。

又、Ｗｉ小小部円内於て生ずる干渉縞は、微小部分の大
きさが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限
界より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に
画像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質
的には何等支障を生じ　　　　　　　　　　ｊない。

本発明に於いて、なめらかな面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕土げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（なめらかなＣり凸
形状の一周期分〕は、照射光のスポット径をＬとすれば
、ｌ≦Ｌである。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｉ　）は、照射光の波
長を入とすると、に（ｎ＋第２Ｗ　８０２１７）屈折：Ｅ）であるのが望ま
しい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に１層
厚を光学的レベルで正確に；！ｊＪ御できることからプ
ラズマ気相法ＣＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
が採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し１例えば円部状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成されるなめらかな凹凸が作り出す正弦関数形線
状突起部は１円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構
造を有する。この様な構造の一例を第９図に示す、第９
図においてＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径
であり、Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ　−Ｓｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端ななめらかな凹凸が
あると、画像形成後のクリーニング番こ於てクリーニン
グを完全に行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００−〜Ｑ
、３ｐｎ　、より好ましくは２００Ｕ〜１μｓ、最適に
は５０−〜５μであるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５μｓ
、より好ましくは０．３ｕ〜３　ｙｍ　、最適には０．
６μｓ〜２μｓとされるのが望ましい、支持体表面の凹
部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、隣接す
る凸部と凹部の各々の極小点と極大点とを結ぶ傾斜面の
傾きは、好ましくは１度〜２０凸度、より好ましくは３
度〜！５度、最適には４度〜１ｏＨ（１とされるのが望
ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｓ〜２−１より好ましくは０．１μ〜　１．５ｇ
ｍ　、最適には０．２−〜１μｓとされるのが望ましい
。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが設けられた多層構成とな
っており、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、ＴＬ気的酎耐性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、＃光疲労、繰返し使用特性に長け、Ｃ度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長１１１２長側の光感度特性に優
れているため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、
且つ光応答が速い。

以下、図面に従って１本発明の光受容部材に就。

いて詳細に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の居構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容Ｍｊ１０００は支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子と、必要に応じて水素原子又は／及びｌ＼ロゲン
原子（Ｘ）とを含有する＆−３ｉ（以後ｒａ−ＳｉＧａ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（
Ｇ）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒ　ａ−
Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電
性を有する第２の層（ｓ）　ｔｏｏ３とが順に積層され
た層構造を有する。

ｍｌの層（Ｇ）　＋００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　＋００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、■つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層ＣＧ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、：ｔＳｌの層（Ｇ
）と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシ
リコン原子という共通の構成要素を有しているので積層
界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている
。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜ｓ、ｓｘ　ｔｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜８　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　Ｐ
ｐ層とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為のｆｆ１Ｗ
な因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の
特性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充
分なる注意が払われる必要が、ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ＠は。

好ましくは３０Ａ〜５０終、より好ましくは、４０Ａ〜
４０ル、最適には、　５０Ａ〜３０涛とされるのが望ま
し　　　　　　　　　１い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０＃Ｌ、より好ましくは１〜８０＃Ｌ最適には２〜５０
ルとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層Ｊ”Ｉ
　Ｔの和（Ｔ＠　＋　Ｔ　）としては１両層領域に要求
される特性と光受容層全体に要求される特性との相１口
ｉｌｌの有機的関連性に基いて、光受容部材の層設計の
際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔｉ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましく°は１〜１００舊、より好
適には１〜８０＃Ｌ、最適には２〜５０ｐとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴｇ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

Ｌ記の場合に於ける層厚Ｔ、及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔａ／丁≦０．９．最適には
Ｔｇ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚丁８及
び層厚Ｔのイ１が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１のｚｙ（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の含有ら）がｌ　ｘＩＱＳａｔｏｍｉｃｐ
ｐａ＋以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔｅとし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
終以下、より好ましくは２５勝以下、最適には２０終以
下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲノ
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明においテ、　　ａ−Ｓｉにｅ（Ｈ，ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例
えば、グロー放電法によっテ、　　ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ
、Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基
本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
含有されるゲルマニウム原子の分布Ｃ度を所望の変化率
曲線に従って制御し乍らａ−ＳｉＣａ（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで
構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳｔとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用してスパッタリングする際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉ２Ｈ６。

Ｓｉ３Ｈｇ　、　５ｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＳ＋Ｈａ　、　５ｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、　Ｇａ
Ｈａ　、　Ｇｅ２）１６　、　Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４
Ｈ（６、Ｇｅ５Ｈ＋２　。

ＧｅｂＨ１４、Ｇｅ７Ｈｔ（１、Ｃ；＠ＢＨＩｇ　、　
Ｇｅ５Ｈ＋２等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲ
ルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等
の点で、ＧｅＨ４、Ｇ５２Ｈ６、Ｇ５３Ｈａが好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効、なのは、多くのｌ＼ロゲン化合物が挙げ
られ１例えばＩ＼ロゲンガス、Ｉ＼ロゲン化物、ハロゲ
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。

又、更には、シリコン原子と７Ｘロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、〕＼ロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合。

物としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素
１７）　ハロゲン化合、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３　、　Ｂ
ｒＦ５　、　ＢｒＦ３．ＩＦ３．　ＩＦ７．Ｉα、　Ｉ
Ｂｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ、ン原子
でＩ？を換されたシラン誘導体としては、具体的には例
えばＳｉＦ４　、　Ｓｉ２Ｆ６　、　ＳｉＣａ　、　Ｓ
＋Ｂｒ４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げ
る事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇａ供給用の原料ガスと共に５１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層Ｃ
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化＆！素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガ″　ス流量になる様にして第１
の層ＣＧ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望１１混合して居形成
しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
）ｅｌノンビーム法ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水漏、　Ｓ　Ｉ　Ｆ２　Ｆ２　ｒ　
Ｓ　Ｉ　Ｆ２１２　ｒＳｉＨ２α２　、　Ｓ：ＨＣｌ３
．５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水
素化硅素、及びＧｅＨＦ３　、　Ｇｅｌｚ　Ｆ２　、０
ａＨ３Ｆ　。

ＧｅＨＣｆ　３　　＋　　ＧｅＦ２α２　　、　　Ｇｅ
Ｈ３α、　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢＢｒ、　Ｇｅ旧ｓ　、　
ＣｌｌＦ２１２　、　Ｇｅｌｚ　１等の水素化ハロゲン
化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハ
ロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇａα４１　ＧａＢｒ４　＋　
Ｑｓｌ、　ｌ　Ｇ５Ｆ２　＋　Ｇｅα２　、　ＧａＢｒ
２゜Ｇｅｌｚ竿のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス
状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の暦ＣＧ）
形成用の出ｉａ物質として挙げる事が出来る・　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　１これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は
、第１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を＠１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他に８２　、或いはＳｉＨ４、５ｉ２Ｈ（ｒＳｉ
３Ｈｅ　、　５ＩａＨＩｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＣｌｌＨ４、Ｇ５２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ６、ＧｅａＨ１
０、Ｇａ３ＨＩ２　。

Ｇｅ６Ｈ１４１ＧｅｔＨＨ６１Ｇｅ６Ｈｔｅ　＋　Ｇｌ
！９Ｈ２Ｇ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為
のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１のＧ　（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の塩積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、　ａ　−９ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領
域ＣＧ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用
の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質（第２の層
（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の
層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って
行うことが出来る。

即ち、本発明において、　ａ　−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構
成される第２のＰ：５（Ｓ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆桔法によって成さ
れる０例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的
には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供
給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面上にａ　−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からな
る暦を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２層
（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より
好適には５〜３０ａｔａａｉｃ％、最適には５〜２５ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）　ｃｒ）分布状態は分ｌａ濃度Ｃ（ＯＣ
ｌ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合１Ｍ領域（ｏｃＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣｌ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（０（：
Ｎ）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的ＩＪＭ
Ｌ性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ　）の含有量が適宜選択される。

層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の最に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４
０ａｔａｍｉｃ％、Ｉ＆適には０．００３＃　３０ａｔ
ｏ＊ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、Ｆ
ａ層領域ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（０（：Ｎ）に含有
される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より
充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣｌ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣｌ）中に含有される原子（
０（：Ｎ）の上限としては、好ましくは３Ｑａｔａｍｉ
ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ｏｃＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には１例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

：ＪＪ１５図乃至第２３図には１本発明における光受容
部材の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＧＮ）
の層ノブ方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示
される。

第１５図乃至第２３図において、横軸は原子（０（：Ｎ
）の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（Ｏｌｌ：Ｎ）の層厚
を示し、ｔａは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位
置を、、１．は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）
の端面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（０（：Ｎ）は１．側よりＬ１側に向って層形
成がなされる。

ｔｊＳ１５図には１層領域（０（：Ｎ）中に含有される
原子（ＯＣＲ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の
第１の典型例が示される。

第１５図に示される例では９原子（００％）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位ａ２ｔｓより１．の位置ま
では、原子（ＯＣＮ）の分ｌＢｃ度ｃｔＩ＜ｃ、なる一
定の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（
ＱＣ：Ｎ）に含有され、位？ＩＬＩよりは濃度らより界
面位２１Ｌ丁に至るまで徐々に連続的に減少されている
。界面位ｍＬｒにおいては原子（０（：Ｎ）の分布濃度
Ｃは濃度Ｃ３とされる。

第１８図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
Ｃに）の分布濃度Ｃは位ｉａｔ日より１．に至るまで濃
度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置り丁において濃
度へとなる様な分布状態を形成している。

第１７図の場合には１位２１日より位ａｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、位
置Ｌ２と位置り丁との間において、徐々に連続的に減少
され１位置１Ｔにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界礒未満の場合
である）。

第１８図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ｔＩＩより位ｔａｌｌｙに至るまで、濃度Ｃ６より連
続的に徐々に減少され、位２１□において、実質的に零
とされている。

第１３図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位２２Ｌｓと位Ｚｔｔｓ間においては濃度Ｃ９と
一定値であり、位ａｈにおいては濃度Ｃ１゜とされる０
位’ＩＬｓと位置叫との間では１分布濃度Ｃは一次関数
的に位７１５より位置り丁に至るまで減少している。

第２０図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置Ｌ
ｅより位置【４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り１位置
乞うより位２ｔｔτまではＣｒｔ１Ｇ＋２より濃度ＣＩ
３までは一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２１図に示す例においては、位Ｍ　ｔａより位置を丁
に至るまで、原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
より実質的に零に至る様に一次５＋１数的に減少してい
る。

第２２図においては１位置ＬＢより位ｉｔｓに至るまで
は原子（０１１７Ｎ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より
Ｃ１６までの一次関数的に減少され、位ＺｔＬｓと位置
１、との間においては、濃度ＣＩ＆の一定値とされた例
が示されている。

：ｊＳ２３図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃは１位置ＬＢにおいては濃度Ｃｔ１であり
、位ｉｔａに至るまではこのＣ度Ｃ＋ｔより初めは緩や
かに減少され、１．の位置付近においては、り激に減少
されて位２１ＬもではＣ度ａｔｅとされる。

位置りもと位置【７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で０度Ｃ３，、となり、位ａｈと位２１　Ｌａとの間で
は、極めてゆっくりと徐々に減少されて１ｅにおいて、
濃度Ｃ２０に至る０位ＨＬｓと位置ｔＴの間においては
濃度ＣＺＯより実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第１５図乃至第２３図ニより、！領域（０（：Ｎ
）中に含有される原子（ｏｃｎ）の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発
明においては、支持体側において、原子（０（：Ｎ）の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１丁側においては、
前記分布一度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部
分を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１５図乃至！４２３図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置Ｌ８より５ル以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位Ｑｌ
　ｔｓより５隼厚までの全領域（ＬＴ　）とされる場合
もあるし、又、Ｊ：ｊ領域（Ｌｔ　）の一部とされる場
合もある。

局在領域（８）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＳ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大（ｆｉｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｗｉｃ　ｐｐ
ｍ以上、最適には１０００ａｔｏｓｉｃ　ＰＰ腸以上と
される様な分布状態となり（ワる様に層形成されるのが
望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＳ）は、支持体側からの層厚で５終以内（
ｔｓから５ル厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ層ａ
ｔが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ｏｃＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第１５図乃至’７５１８ｍ、　ｗ４
２１図及び第２３図に示される分布状態となる様に、原
子（ＯＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望
ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
九層領域（００％）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（０ＯＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＱＣ）ｌ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（Ｏ３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化室
Ｎ　（Ｎ２０）、　三二酸化窒素（Ｎ２０３）　、四−
１−酸化窒素（ＮｚＯａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）
、二酸化窒素（ＮＯり、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（Ｉ３５ｉＯ５ｉＨ３）、トリシクロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）　：ＩＰの低級シ
クロキサン、メタｙ（ＣＩ４）　、　工ｌ　ン（Ｃ２Ｈ
＆）　、プロパ７（０３Ｈ＠）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃａ
Ｈ＋ｏ）　、ペンタン（ＣｓＨｕ）等の炭素数１〜５の
飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２）１４）、プロピレン（
Ｃ３Ｈｓ）、ブテン−１（ＣａＨｓ）　。

ブテン−２（Ｃ，）ｌ＠）、インブチレン（ＣａＨｓ）
、ペンテン（ＣｓＨｉ。）等の炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ，）１６　）等の炭素数２
〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニ
ア（ＮＨ３）　、　　ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ，）、ア
ジ化水素（）ＩＮ；ｌ）、アジ化アンモニウム（ｌｌ）
（４Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ］Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ
、Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、！！Ｘ子（ＯＣＮ）導入
用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前
記のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質とし
て、５ｉ０２．５ｒ３Ｎａ、カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（０（：
Ｎ）の含有される層領域（０（：Ｎ）を設ける場合、該
層領域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態
（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｓ）を有する層領域（ＯＣＮ
）を形成するには、グロー放電の場合には１分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（０ＯＮ）導入用の出発物質のカ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変
化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される
。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルｌくルブの開口を量の変化率は線型で
ある必要はなく１例えばマイコン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線を得ることもできる。

層領Ｍ　（ＯＣｌｌ）をスパッタリング法によって形成
する場合、原子（ＱＣ）ｌ）の層厚方向の分ｌａ濃度Ｃ
を層厚方向で変化させて、原子（Ｏｌｌ：Ｎ）の層厚方
向の所望の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｓ）を形
成するには。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二に　　　　　　　ｊはスパッ
タリング用のターゲットを１例えＬｆＳｉと５１０２と
の混合されたターゲットを使用するのであれば、Ｓｌと
５ｉ０２との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、
予め変化させておくことによ成される。

本発明において使用される支持体として°は、導電性で
も電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、
例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、超、（：ｒ、　Ｎｏ、
Ａｕ、　Ｗｂ、Ｔａ、Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、Ｐｄ等の金
属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａ１．
Ｃｒ、Ｎｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、
　　Ｐｔ、　　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ＋＋０２、ＩＴＯ（１１１２０３＋５ｎ
０２）　”Ｊから成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、旧Ｃｒ、　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、
　Ｚｎ、Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、　ｐｔ等の
金属の薄膜を真空Ｒ着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては１円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが１例えば、第１θ図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材としで使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。丙午ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上。

機部的強度の点から、好ましくは１０ル以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉｎ、ガス（純度８９
．８９３％、以下、５ｉＨａと略す）ボンベ、　２００
３はにｅＨ４ガス（純度９９．１１９１１％、以下Ｇｅ
Ｈ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度ｓａ、
ａｓｓ％、以下ＮＯと略す）ボンベ、　２００ＢはＨ２
ガス（純度９９．９Ｈ％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
　　リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認
し、又。

流入バルブ２０１２〜２０１８、流出バルブ２０１７〜
２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開かれてい
ることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて
反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。次に真
空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ２０３２．２０３３．流出バルブ
２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅ＆ガス、ガスボン
ベ２００４よりＮＯガス、　２００ＢよりＨ２ガスをバ
ルブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２６を開いて
出口圧ゲージ２０２７、２０２８．２０２９．２０３１
の圧をＩ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、Ｒ人バルブ２０１
２．２０１３．２０１４．２０１６を徐々に開けて、マ
スフロコントローラ２００７．２００８゜２００８、２
０１１内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２０
１７．２０１１１．２Ｇ１９．２０２１．補助バルブ２
０３２、２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２
００１に流入させる。このとさの５ｉＨａガス流１Ｇｅ
Ｈ４ガス流が、ＮＯガス流量とＨ２ガスｊｌ＆％の比が
所望の値になるように流出バルブ２０１７．２０１８．
２０１９．２０２１を調整し、また１反応室２００１内
の圧力が所望の値になるように真空計２０３６の読みを
見ながらメインバルブ２０３４の開口を調整する。そし
て、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により
５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確
認した後、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室
２００１内にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に・第１のＷ　（Ｇ）を形成する
。所望層厚に第１の暦（Ｇ）が形成された段階に於て、
流出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じ
て放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って
所望時間グロー放電を維持することで第１のＷ　（Ｇ）
上にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層
（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２め層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９を適宜開閉することで酸素原子を含
有させたり、含有させなかったり、あるいは各層の一部
の層領域にだけ酸素原子を含有させ、ることも出来る。

また１ｍ素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原
子を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガ
スを例えばＮＩ（３ガスあるいはＣ−ガス等に代えて１
層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増
やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形
成を行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の均
一化を計るため基体２０３７はモーター２０３９により
一定速度で回転させてやるのが望ましい。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１本実施例ではスポット径８０−の半導体レーザー（波長
７８０ｎｍ）を使用した。したがってａ−５ｉ　：）ｌ
を堆積させる円筒状のＭ支持体（長さくＬ）　３５７蕩
鵬、径（ｒ）　８０ｓ■）上に旋盤でピッチ（ρ）２５
μｓで深さくＤ）０．８５で螺旋状の溝を作成した。こ
のときの溝の形を第９図に示す。

次に、第１ａ表に示す条件で、第１１【４の膜堆積装置
を使用し、所定の操作手順に従ってａ−５ｉ系主電子写
真用光受容材を作成した。

（試料Ｎｏ、　１−１）なお、ＮＯガスは、その流量がＳｉＨ４ガス流９とＧｅ
Ｈａガス流ｒ）との和に対して、初期値が３．４マ０１
％になるようにマスフロコントローラを設定して導入し
た。　別に、同一の表面性の同筒状Ｍ支持体りに高周波
電力を４０Ｗとした以外は、Ｅ記の場合と同様の条件と
作製手段で第１の層と第２の層とを支持体上に形成した
ところ第１２図に示すように光受容層の表面は、支持体
６２０１の平面に対して平行になっていた。このときＭ
支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差は１μｓであ
った。

（試料Ｎｏ、　１−２）また、前記の高周波電力を１６０Ｗにした場合には、第
１３図のように光受容層の表面と支持体６４０１の表面
とは非平行であった。この場合Ｍ支持体の中央と両端部
とでの平均層厚の層厚差は２−であった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０μで第１４
図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して
ｍ５Ｊｌを得た６層作製時の高周波電力４０Ｗで、第１
２図に示す表面性の光受容部材では、干渉ｗＪ模様がａ
察された。

一方、第１３図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例？シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第２表のように
加工した。これ等（シリンダーＡ　　Ｉ０１〜１０８）
の円筒状のＭ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消え
た条件（高周波電力１８０Ｗ）と同様の条件で、電子写
真用光受容部材を作製した（試料遂１１１〜１１８　）
　。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２鱗であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、第２の層のピッチ内での差を測定したところ、第
３表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様にｒｊ４１４図の装置で波長？８Ｇａ
ｍの半導体レーザーを使い、スポット径８０−で！！ｉ
像露光を行ったところ第３表の結果を得た。

実施例３第４表に示す条件で実施例１の資料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成したた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は、
観察されず、実用に十分な゛電子写真特性を示すものだ
った。

実施例４第５表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は、
観察されず、実用に十分な、Ｅ子写真特性を示すものだ
った。

実施例５第６表に示す条件で実施９１１の試料ＮＯ，１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は、
観察されず、実用に十分な電子写真特性を示すものだっ
た。

実施例６第７表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は、
ｉ察されず、実用に十分な電子写真特性を示すものだっ
た。

実施例７第１の層を形成する際、　ＮＯガス流量を５ｉ）Ｉｎガ
ス流量とＧｅＨａガス流量との和に対して、第２１図に
示すように変化させて１層作製終了時にはＮＯガス流ｊ
、Ｂが零になるようにした以外は、実施例１の高周波電
力を　１６０Ｗにした場合と同様の条件で電子写真用光
受容部材を作成した。別に、高周波電力を４０Ｗとした
以外は、上記の場合と同様の条件と作製手段で第１の層
と第２の層とを支持体上に□形成したところ第１２図に
示すように光受容層の表面は、支持体８２０１の平面に
対して平行になっていた。このときな支持体６３０１の
中央と両端部とで全層の層厚の差はｌｕであった。

また、前記の高周波゛−ニ力を１６０Ｗにした場合には
、第１３図のように第２の層８４０３の表面と支持体６
４０１の表面とは非平行であった。この場合Ｍ支持体の
中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２鱗であった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
１１０！ｌ■の半導体レーザーをスポット径８０μｓで
第１４図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転
写して画像を得た。暦作製時の高周波電力４０Ｗで、ｆ
ｆ１１２図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様
が観察された。

実施例８第８表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光！Ｊこを用いて１画像露光を行ない、現像、
転写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は
、観察されず、実用に十分な電子写真特性を示すものだ
った。

実施例９第９表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は、
Ｉｉｌ！察されず、実用に十分な電子写真特性を示すも
のだった。

実施例１０第１０表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

実施例１１第１１表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞模様は、
観察されず、実用に十分な電子写真特性を示すものだっ
た。

実施例１２第１２表乃至第１５表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ
，ｌ−１の場合と同様にして電子写真°用光受容部材を
形成した。なお、層形成中、ＮｏガスとＳｉＨ４ガス１
ｊｔｍとの流量比を第２４図乃至：ＪＳ２７図に示す変
化率曲線に従って変化させた。

実施例１３第１８表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお
、層形成中、ＮｏガスとＳｉＨ，ガスＩＩＬ賃との流樋
比を第２４図に示す変化率曲線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
なｌ１Ｉｊａ′露光装置を用いて、画像露光を行ない、
現像、転写して可視画像を得た。得られた画像は干渉縞
模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性を示す
ものだった。

実施例１４第１７表乃至第１８表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ
，ｌ−１の場合と同様にして電子写真用光受容部材を形
成した。なお、層形成中、ＮＨ３ガスとＳｉＨ４ガス流
量との流量比及びＣＨ４ガスとＳｉＨ４ガス流量との流
量比を第２６図に示す変化率曲線に従って変化させた。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡ１支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡ１支持体の表面を粗面化したＡ！支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場
合と全く同様の方法でａ　−Ｓｉ電子写真用光受容部材
を作製した。この際のサンドブラスト法により表面粗面
化処理したＡＩ支持体の表面状態については光受容層を
設ける前に小板研究所の万能表面形状測定器（Ｓε−３
０）で測定したが、この時平均表面粗さは１．８μｓで
あることが判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた；
ｆＳ　１４１−の装置に取付けて、同様の測定を行なっ
たところ、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞か形成され
ていた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説帆図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、（Ｂ）　、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材
の各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないこと
の説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。：ｉＳＢ図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞
が現われないことの説明図である。第９図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明図
である。第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第１２図及び第１３図は実施例で作成した光受容部材の
層構造を示す説明図である。第１４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第１５図から第２３図は、層領域（０ＯＮ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。第２４図から第２７図は、実施例におけるガス流量の、
変化を示す説明図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第１Ｇ第２図第３図第４図第５図第６図（Ａ）　　　　　　　　　　　　　ｒＢ）（Ｃ）Ｒ第７０第８図第１０　　図第１２図第１３図第ｔ４図 □Ｃ第１５図第１６図第１７図第１８図第１９図第２０図第２１第２２第２３力゛ス汎量↓Ｌ第２４図乃°ステに量↓乙第２５図　　　　　　　　λ η“ステＬ量工乙第２６図乃゛ス流量文り第２７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
が支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層とを
有しており、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、且
つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、
該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一
方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向において
各々なめらかに連結していることを特徴とする、光受容
部材。
（２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。
（６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
容部材。
（７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第８項に記載の
光需要部材。
（９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
範囲第８項に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状がその稜線方向に於いて区
分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
材。
（１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
載の光受容部材。
（１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
の範囲第１２項に記載の光受容部材。
（１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
載の光受容部材。
（１５）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
受容部材。
（１６）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
不均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
光受容部材。
（１７）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項及び同第１７項に記載の光受容部材。