JPS62209825A - 真空装置の排気搬送ベント方法 - Google Patents
真空装置の排気搬送ベント方法Info
- Publication number
- JPS62209825A JPS62209825A JP61052813A JP5281386A JPS62209825A JP S62209825 A JPS62209825 A JP S62209825A JP 61052813 A JP61052813 A JP 61052813A JP 5281386 A JP5281386 A JP 5281386A JP S62209825 A JPS62209825 A JP S62209825A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- cover
- chamber
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Ventilation (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置等の製造に多用される真空装置の排気時、真
空中の搬送時、真空から大気にもどすベント時に、基板
に塵埃が付着するのを防止するため、真空引きに必要な
孔を開けたカバーで基板を覆って排気、搬送を行い、ま
たカバー内に気体を入れて排気室を大気にもどすベント
方法を提起する。
空中の搬送時、真空から大気にもどすベント時に、基板
に塵埃が付着するのを防止するため、真空引きに必要な
孔を開けたカバーで基板を覆って排気、搬送を行い、ま
たカバー内に気体を入れて排気室を大気にもどすベント
方法を提起する。
本発明は半導体装置等の製造に用いられる真空装置の排
気搬送ベント方法に関する。
気搬送ベント方法に関する。
電子ビーム露光、ドライエツチング、化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）等に真空装置が使われている。
ＶＤ）等に真空装置が使われている。
これらの真空装置において、排気時、搬送時、ベント時
に発生した塵埃が被処理基板に付着することがあり、対
策が望まれている。
に発生した塵埃が被処理基板に付着することがあり、対
策が望まれている。
第２図は従来例による真空装置の排気搬送ベント方法を
説明する側断面図である。
説明する側断面図である。
図において、１は処理室、２は処理室の排気口、３は搬
送部、４は排気室（ロードロツタ室）、５は排気室の排
気口、６は被処理基板の搬入出口、７は処理室と排気室
間のゲートパルプ、８は被処理基板を載せるステージ、
９は被処理基板である。
送部、４は排気室（ロードロツタ室）、５は排気室の排
気口、６は被処理基板の搬入出口、７は処理室と排気室
間のゲートパルプ、８は被処理基板を載せるステージ、
９は被処理基板である。
以上の装置構成において、まず、ゲートパルプ７は閉じ
られ、処理室１と搬送部３は排気口２よりあらかじめ排
気される。
られ、処理室１と搬送部３は排気口２よりあらかじめ排
気される。
搬入出ロアより被処理基板９が排気室４内のステージ８
上に載せられ、搬入出口６は閉じられ、排気口５より排
気室４は排気される。
上に載せられ、搬入出口６は閉じられ、排気口５より排
気室４は排気される。
つぎに、排気室４が所定の真空度に達したならばゲート
パルプ７が開かれ、被処理基板９は搬送部３を経由して
あらかじめ真空に保たれた処理室１に送られ、ゲートパ
ルプ７が閉じられ被処理基板９は処理される。
パルプ７が開かれ、被処理基板９は搬送部３を経由して
あらかじめ真空に保たれた処理室１に送られ、ゲートパ
ルプ７が閉じられ被処理基板９は処理される。
処理が終わると、ゲートパルプ７は開かれ、被処理基板
９は搬送部３を経由して再び排気室４にもどされ、ゲー
トパルプ７は閉じられ排気室４内に清浄な空気、窒素等
の気体が入り大気にもどされる。
９は搬送部３を経由して再び排気室４にもどされ、ゲー
トパルプ７は閉じられ排気室４内に清浄な空気、窒素等
の気体が入り大気にもどされる。
つぎに、搬入出口６が開いて、被処理基板９は取り出さ
れる。
れる。
このようなプロセスを経由するうちに、とくに排気時、
搬送時、ベント時に、搬送部の機械的摩擦等により塵埃
が発生し、被処理基板上に付着する。
搬送時、ベント時に、搬送部の機械的摩擦等により塵埃
が発生し、被処理基板上に付着する。
従来の真空装置の排気搬送ベント方法では、被処理基板
上に塵埃が付着する。
上に塵埃が付着する。
上記問題点の解決は、排気室に置かれた被処理基板を覆
って孔を有するカバーを載せ、該排気室を排気後、該被
処理基板をあらかじめ真空に保たれた処理室に搬送し、
該カバーを外して該処理室で該被処理基板を処理後、該
被処理基板を再び該カバーで覆って該排気室に搬送し、
該カバー内の圧力がその外側の圧力より高くなるように
気体を導入して該排気室を大気圧にするようにした本発
明の真空装置の排気搬送ベント方法により達成される。
って孔を有するカバーを載せ、該排気室を排気後、該被
処理基板をあらかじめ真空に保たれた処理室に搬送し、
該カバーを外して該処理室で該被処理基板を処理後、該
被処理基板を再び該カバーで覆って該排気室に搬送し、
該カバー内の圧力がその外側の圧力より高くなるように
気体を導入して該排気室を大気圧にするようにした本発
明の真空装置の排気搬送ベント方法により達成される。
本発明は真空装置が一番塵埃を発生する排気、搬送、ベ
ント時に、被処理基板にカバーをして直接塵埃が付着し
ないようにしたものである。
ント時に、被処理基板にカバーをして直接塵埃が付着し
ないようにしたものである。
また、カバーの一部に真空に引くために必要な孔をあけ
ておく。
ておく。
さらに、ベント時にカバー内に清浄な気体を導入するこ
とにより、カバー内よりカバー外へ吹き出す気流をつく
り、カバー内に置かれた被処理基板に塵埃が付着しない
ようにしたものである。
とにより、カバー内よりカバー外へ吹き出す気流をつく
り、カバー内に置かれた被処理基板に塵埃が付着しない
ようにしたものである。
第１図は本発明による真空装置の排気搬送ベント方法を
説明する側断面図である。
説明する側断面図である。
図において、１は処理室、２は処理室の排気口、３は搬
送部、４は排気室、５は排気室の排気口、６は被処理基
板の搬入出口、７は処理室と排気室間のゲートパルプ、
８は被処理基板を載せるステージ、９は被処理基板であ
る。
送部、４は排気室、５は排気室の排気口、６は被処理基
板の搬入出口、７は処理室と排気室間のゲートパルプ、
８は被処理基板を載せるステージ、９は被処理基板であ
る。
以上までの装置構成は従来例と同じであるが、本発明の
場合はさらに、孔１１．１２を開けた、ステンレス鋼、
純アルミニウム、チタン等で作られたカバー１０を有し
、孔１２は気体導入管１３が滑合できる構造になってい
る。
場合はさらに、孔１１．１２を開けた、ステンレス鋼、
純アルミニウム、チタン等で作られたカバー１０を有し
、孔１２は気体導入管１３が滑合できる構造になってい
る。
まず、ゲートパルプ７は閉じられ、処理室１と搬送部３
は排気口２よりあらかじめ排気される。
は排気口２よりあらかじめ排気される。
搬入出口６より被処理基板９が排気室４内のステージ８
上に載せられ、さらに被処理基板９を覆ってカバー１０
が載せられる。
上に載せられ、さらに被処理基板９を覆ってカバー１０
が載せられる。
搬入出口６は閉じられ、排気口５より排気室４は排気さ
れる。
れる。
つぎに、排気室４が所定の真空度に達したならばゲート
パルプ７が開かれ、被処理基板９は搬送部３を経由して
あらかじめ真空に保たれた処理室１に送られ、ゲートパ
ルプ７が閉じられ被処理基板９は処理される。
パルプ７が開かれ、被処理基板９は搬送部３を経由して
あらかじめ真空に保たれた処理室１に送られ、ゲートパ
ルプ７が閉じられ被処理基板９は処理される。
この場合、搬送部３においてカバー１０は外される。
処理が終わると、ゲートパルプ７は開かれ、被処理基板
９は搬送部３を経由して再び排気室４にもどされる。
９は搬送部３を経由して再び排気室４にもどされる。
この場合、搬送部３においてカバー１０は、再び被処理
基板９の上に載せられ、排気室４において気体導入管１
３はカバー１０の孔１２に滑合される。
基板９の上に載せられ、排気室４において気体導入管１
３はカバー１０の孔１２に滑合される。
ここで、滑合の接触部はパイトンゴムを使用した。
つぎに、ゲートパルプ７は閉じられ、気体導入管１３よ
りカバー１０内に清浄な空気、窒素等の気体が導入され
、排気室４は大気にもどされる。
りカバー１０内に清浄な空気、窒素等の気体が導入され
、排気室４は大気にもどされる。
つぎに、搬入出口６が開いて、被処理基板９は取り出さ
れる。
れる。
このようなプロセスにより、被処理基板上に塵埃が付着
するのを防止できる。
するのを防止できる。
以上説明したように本発明による真空装置の排気搬送ベ
ント方法では、被処理基板上に塵埃が付着することが少
ない。
ント方法では、被処理基板上に塵埃が付着することが少
ない。
第１図は本発明による真空装置の排気搬送ベント方法を
説明する側断面図、 第２図は従来例による真空装置の排気搬送ベント方法を
説明する側断面図である。 図において、 １は処理室、 ２は処理室の排気口、３は搬送部
、 ４は排気室、 ５は排気室の排気口、 ６は被処理基板の搬入出口、 ７はゲートパルプ、 ８はステージ、 ９は被処理基板、 １０はカバー、 １１．１２は孔、 １３は気体導入管１（３ト日
月０ンテ志ε言乏−トＴる装置、の禰・」町ｄｂ図第１
図 ６、為Ｘ土口 伎粂イ７ツ・Δｃｈンケラプｉ５虹゛言Ｏ月−４［；ン
襞）こ−６もイ菅コ＊ｉ口笑２０
説明する側断面図、 第２図は従来例による真空装置の排気搬送ベント方法を
説明する側断面図である。 図において、 １は処理室、 ２は処理室の排気口、３は搬送部
、 ４は排気室、 ５は排気室の排気口、 ６は被処理基板の搬入出口、 ７はゲートパルプ、 ８はステージ、 ９は被処理基板、 １０はカバー、 １１．１２は孔、 １３は気体導入管１（３ト日
月０ンテ志ε言乏−トＴる装置、の禰・」町ｄｂ図第１
図 ６、為Ｘ土口 伎粂イ７ツ・Δｃｈンケラプｉ５虹゛言Ｏ月−４［；ン
襞）こ−６もイ菅コ＊ｉ口笑２０
Claims (1)
- 排気室に置かれた被処理基板を覆って孔を有するカバー
を載せ、該排気室を排気後、該被処理基板をあらかじめ
真空に保たれた処理室に搬送し、該カバーを外して該処
理室で該被処理基板を処理し、該被処理基板を再び該カ
バーで覆って該排気室に搬送し、該カバー内の圧力がそ
の外側の圧力より高くなるように気体を導入して該排気
室を大気圧にする過程を有することを特徴とする真空装
置の排気搬送ベント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61052813A JPS62209825A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 真空装置の排気搬送ベント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61052813A JPS62209825A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 真空装置の排気搬送ベント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62209825A true JPS62209825A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12925285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61052813A Pending JPS62209825A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 真空装置の排気搬送ベント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62209825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009883A (ja) * | 2007-11-15 | 2012-01-12 | Asml Netherlands Bv | 基板処理装置およびデバイス製造方法 |
| WO2016089600A1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting |
| JP2020053530A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP61052813A patent/JPS62209825A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009883A (ja) * | 2007-11-15 | 2012-01-12 | Asml Netherlands Bv | 基板処理装置およびデバイス製造方法 |
| WO2016089600A1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting |
| US9817407B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-11-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting |
| JP2020053530A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
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