JPS61292945A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61292945A JPS61292945A JP60135175A JP13517585A JPS61292945A JP S61292945 A JPS61292945 A JP S61292945A JP 60135175 A JP60135175 A JP 60135175A JP 13517585 A JP13517585 A JP 13517585A JP S61292945 A JPS61292945 A JP S61292945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- semiconductor device
- sealing
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/435—Shapes or dispositions of insulating layers on leadframes, e.g. bridging members
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特にモールド樹脂封止
を行なう半導体装置の製造方法に関する。
を行なう半導体装置の製造方法に関する。
モールド樹脂封止型の半導体装置は、一般にリードフレ
ームのベッド部に半導体ペレットを載せ、モールド樹脂
封止する構造を有する。第２図に従来の製造方法におけ
るこのモールド樹脂封止する前の状態を示す。第２図（
ａ）はその正面図、同図（ｂ）はその上面図である。リ
ードフレーム１の中央に設けられたベッド部２の上に半
導体ペレット３がマウントされ、この半導体ペレット３
とリードフレーム１′のインブリード部４とは、ボンデ
ィングワイヤ５によって電気的に接続されている。イン
ナリード部４には、リードの浮き沈み′防止のため、０
．１２５ｍ厚程度０ポリイミドテープが貼付される場合
もある。
ームのベッド部に半導体ペレットを載せ、モールド樹脂
封止する構造を有する。第２図に従来の製造方法におけ
るこのモールド樹脂封止する前の状態を示す。第２図（
ａ）はその正面図、同図（ｂ）はその上面図である。リ
ードフレーム１の中央に設けられたベッド部２の上に半
導体ペレット３がマウントされ、この半導体ペレット３
とリードフレーム１′のインブリード部４とは、ボンデ
ィングワイヤ５によって電気的に接続されている。イン
ナリード部４には、リードの浮き沈み′防止のため、０
．１２５ｍ厚程度０ポリイミドテープが貼付される場合
もある。
（背景技術の問題点）
上述のような構造の装置にモールド樹脂剤を流して封止
することになるが、この樹脂封止時に、樹脂剤の流れに
よってボンディングワイヤ５に加えられる圧力が悪影響
を与えるという問題点がある。即ち、この圧力によって
ボンディングワイヤ５がワイヤ流れという現象を生じ、
隣接したワイヤどうしが接触したり、あるいはワイヤオ
ーブンと呼ばれているワイヤの断線が生じたりするので
ある。近年、ボンディングワイヤの強度を増強させる等
の対応策が採られてきているが、依然としてワイヤ流れ
、ワイヤオーブンという現象が発生し、ＩＣの歩留まり
が低下するという問題があった。
することになるが、この樹脂封止時に、樹脂剤の流れに
よってボンディングワイヤ５に加えられる圧力が悪影響
を与えるという問題点がある。即ち、この圧力によって
ボンディングワイヤ５がワイヤ流れという現象を生じ、
隣接したワイヤどうしが接触したり、あるいはワイヤオ
ーブンと呼ばれているワイヤの断線が生じたりするので
ある。近年、ボンディングワイヤの強度を増強させる等
の対応策が採られてきているが、依然としてワイヤ流れ
、ワイヤオーブンという現象が発生し、ＩＣの歩留まり
が低下するという問題があった。
そこで本発明はモールド樹脂封止時のワイヤ流れ、ワイ
ヤオーブンという現象を防止し、歩留まりを向上しうる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ヤオーブンという現象を防止し、歩留まりを向上しうる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、リードフレームのベッド部に半導体ペ
レットを載せ、リードフレームのインナリード先端部と
半導体ペレットとをワイヤボンディングし、これらをモ
ールド樹脂封止する半導体装置の製造方法において、リ
ードフレームのインナリード上に、モールド樹脂封止時
にワイヤボンディング部をモールド樹脂剤の圧力から保
護するのに十分な突起部を設けるようにし、モールド樹
脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤオーブンという現象を防
止し、歩留まりを向上させた点にある。
レットを載せ、リードフレームのインナリード先端部と
半導体ペレットとをワイヤボンディングし、これらをモ
ールド樹脂封止する半導体装置の製造方法において、リ
ードフレームのインナリード上に、モールド樹脂封止時
にワイヤボンディング部をモールド樹脂剤の圧力から保
護するのに十分な突起部を設けるようにし、モールド樹
脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤオーブンという現象を防
止し、歩留まりを向上させた点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第１
図に本発明に係る製造方法におけるモールド樹脂封止前
の状態を示す。第１図＜ａ＞はその正面図、同図（ｂ）
はその上面図である。ここで第２図に示す従来例と同一
構成要素については同一符号を付し、説明を省略する。
図に本発明に係る製造方法におけるモールド樹脂封止前
の状態を示す。第１図＜ａ＞はその正面図、同図（ｂ）
はその上面図である。ここで第２図に示す従来例と同一
構成要素については同一符号を付し、説明を省略する。
本発明の特徴となる点は、リードフレーム１．のインナ
リード上に突起部６を設けた点である。この突起部は、
厚み０．５ｍ以上のポリイミドテープとするのが好まし
く、図示する実施例では、厚み０．２５ａｓ＋のり一ド
フレーム１上に、幅２ ａｌｌ ％厚み１ａｉのポリイ
ミドテープをベッド部２０両側に貼付けている。
リード上に突起部６を設けた点である。この突起部は、
厚み０．５ｍ以上のポリイミドテープとするのが好まし
く、図示する実施例では、厚み０．２５ａｓ＋のり一ド
フレーム１上に、幅２ ａｌｌ ％厚み１ａｉのポリイ
ミドテープをベッド部２０両側に貼付けている。
このような突起部６を設けることにより、モールド封止
時にモールド樹脂剤の圧力が緩和され、ボンディングワ
イヤ５が保護されるため、ワイヤ流れ、ワイヤオーブン
の発生を防止できる。突起部の厚みは、ボンディングワ
イヤ５を保護するのに十分な厚みを有していればよく、
半導体ペレット３の厚みおよびボンディングワイヤ５の
ループ高に依存して定められる。例えば図の実施例では
、半導体ペレット厚０．３５ｍ、ワイヤループ高０．２
ａｍを加えると０．５５ｍとなるので、上述のように突
起部の厚みを１雌とするのが適当である。また、突起部
６を設ける位置は、ボンディングワイヤ５を保護する上
ではできるだけベッド部２に近い方がよいが、ワイヤボ
ンディングの支障にはならないよう、ある程度内側に余
裕が必要である。また、上述の実施例では突起部６とし
てポリイミドテープを用いたが、耐熱性と絶縁性とを兼
ね備えた材質のものであれば何でもかまわない。
時にモールド樹脂剤の圧力が緩和され、ボンディングワ
イヤ５が保護されるため、ワイヤ流れ、ワイヤオーブン
の発生を防止できる。突起部の厚みは、ボンディングワ
イヤ５を保護するのに十分な厚みを有していればよく、
半導体ペレット３の厚みおよびボンディングワイヤ５の
ループ高に依存して定められる。例えば図の実施例では
、半導体ペレット厚０．３５ｍ、ワイヤループ高０．２
ａｍを加えると０．５５ｍとなるので、上述のように突
起部の厚みを１雌とするのが適当である。また、突起部
６を設ける位置は、ボンディングワイヤ５を保護する上
ではできるだけベッド部２に近い方がよいが、ワイヤボ
ンディングの支障にはならないよう、ある程度内側に余
裕が必要である。また、上述の実施例では突起部６とし
てポリイミドテープを用いたが、耐熱性と絶縁性とを兼
ね備えた材質のものであれば何でもかまわない。
第３図は本発明の別な実施例で、突起部をポリイミドテ
ープでなく、インナリードの屈曲部７によって形成した
例である。この方法では、リードの引扱は防止という別
な効果も生ずる。第４図に示す実施例は、ボンディング
ワイヤ５の保護効果を高めるため、ベッド部２の四方を
ポリイミドテープから成る突起部６で囲い、更にその上
にキャップ８を載せた例である。
ープでなく、インナリードの屈曲部７によって形成した
例である。この方法では、リードの引扱は防止という別
な効果も生ずる。第４図に示す実施例は、ボンディング
ワイヤ５の保護効果を高めるため、ベッド部２の四方を
ポリイミドテープから成る突起部６で囲い、更にその上
にキャップ８を載せた例である。
以上のとおり本発明によれば、モールド樹脂封止による
半導体装置の製造方法において、インナリード上にワイ
ヤボンディング部を保護するための突起部を設けるよう
にしたため、モールド樹脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤ
オーブンという現象が防止され、歩留まりを向上するこ
とができる。
半導体装置の製造方法において、インナリード上にワイ
ヤボンディング部を保護するための突起部を設けるよう
にしたため、モールド樹脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤ
オーブンという現象が防止され、歩留まりを向上するこ
とができる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る方法の説明図、第
２図（ａ＞、（ｂ）は従来の方法の説明図、第３図およ
び第４図は本発明の別な実施例の説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ベッド部、３・・・
半導体ペレット、４・・・インナリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・突起部、７・・・屈曲部、８
・・・キャップ。 出願人代理人 猪 股 清 （ａ） （ｂ） ６１ 図 （ｂ） も ２ 図 ８４ 図
２図（ａ＞、（ｂ）は従来の方法の説明図、第３図およ
び第４図は本発明の別な実施例の説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ベッド部、３・・・
半導体ペレット、４・・・インナリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・突起部、７・・・屈曲部、８
・・・キャップ。 出願人代理人 猪 股 清 （ａ） （ｂ） ６１ 図 （ｂ） も ２ 図 ８４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードフレームのベッド部に半導体ペレットを載せ
、前記リードフレームのインナリード先端部と前記半導
体ペレットとをワイヤボンディングし、これらをモール
ド樹脂封止する半導体装置の製造方法において、前記リ
ードフレームのインナリード上に、前記モールド樹脂封
止時に前記ワイヤボンディング部をモールド樹脂剤の圧
力から保護するのに十分な突起部を設けることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 ２、突起部がインナリード上に貼付けられたポリイミド
テープから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置の製造方法。 ３、ポリイミドテープの厚みが、０．５ｍｍ以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135175A JPS61292945A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135175A JPS61292945A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292945A true JPS61292945A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15145585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60135175A Pending JPS61292945A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292945A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098863A (en) * | 1990-11-29 | 1992-03-24 | Intel Corporation | Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages |
| US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP60135175A patent/JPS61292945A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
| US5098863A (en) * | 1990-11-29 | 1992-03-24 | Intel Corporation | Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960009136A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH08264569A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6122469B2 (ja) | ||
| JP2723195B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP3036339B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5812736B2 (ja) | ジユシフウシガタハンドウタイソウチ | |
| JPH06260580A (ja) | リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置 | |
| JP2576678B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP3185354B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 | |
| JPS63252455A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6182439A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6230496B2 (ja) | ||
| JP3564743B2 (ja) | 半導体素子封止用金型 | |
| JPH08162596A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPS6315455A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6216552B2 (ja) | ||
| JPS5988854A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01117350A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100729028B1 (ko) | 리드에 테이프가 부착된 리드프레임 및 이를 이용한반도체패키지 | |
| KR0119759Y1 (ko) | 버텀 리드형 반도체 패키지 | |
| JPS5967659A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05243464A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61236144A (ja) | レジンモ−ルド型半導体装置 | |
| JPS6221250A (ja) | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 | |
| JPH07193179A (ja) | リードフレーム |