JPS62215836A - 光導波形温度センサ - Google Patents

光導波形温度センサ

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JPS62215836A
JPS62215836A JP61060044A JP6004486A JPS62215836A JP S62215836 A JPS62215836 A JP S62215836A JP 61060044 A JP61060044 A JP 61060044A JP 6004486 A JP6004486 A JP 6004486A JP S62215836 A JPS62215836 A JP S62215836A
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JP
Japan
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substrate
electric field
temperature
metal film
temperature sensor
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JP61060044A
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JPH0785036B2 (ja
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Naoyuki Megata
直之 女鹿田
Ippei Sawaki
一平 佐脇
Minoru Kiyono
實 清野
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 高感度な温度計を実現するために、焦電効果によって生
じた電荷がつくる電界中に1つの光導波路を設け、温度
変化によって電界強度が変化することを利用して、電界
中の光導波路の屈折率を変化させ、該電界の影響を受け
ない領域にもう1つの光導波路を設け、両光導波路から
出射する光を合波して検知し、温度を検出する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、先導波路の屈折率が温度によって変化するこ
とを利用して、光学的に測温する光導波形温度センサに
関する。
〔従来の技術〕
第4図は従来の光風波形温度センサを示す図である。基
板1上には、入射路2と出射路3が形成されており、入
射路2と出射路3間は、2木の並列な導波路4.5によ
って2つにY分岐している。
そして片方の真波路4が他方の導波路5よりわずかに長
くなっている。
。入射路2から、半導体レーザLDにより波長の安定し
た直線偏光を入射すると、2つの導波路4.5に分岐し
て伝播し、出射路3で合波して出射する。このとき、導
波路4と5の長さが異なるために、両導波路4.5を伝
播してきた光は位相差をもち、出射路3で干渉し合い、
位相差に対応した光強度で出射する。
導波路2・・・5は、温度変化によって屈折率が変化す
るため、ある温度TIにおける屈折率を11、温度T2
における屈折率を02とすると、導波路4と5を伝播す
る光は、温度T1においてはnHj!1−j!2)の位
相差を有し、温度T2においてはn2(1l−12)の
位相差を有する。したがって温度変化によって各導波路
の屈折率が変化することで、出射路3からの出射光の光
強度が変化する。これをフォトダイオードD等で検出す
ることで、温度を測定することができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように温度によって屈折率が変化することを利用し
ているが、この効果は小さいので、高感度にするには素
子長を長くしなければならず、大型な装置となる。本発
明の技術的課題は、従来の光導波形温度センサにおける
このような問題を解消し、小型でかつ高感度の先導波形
温度センサを実現することにより、各種装置のインテリ
ジェント化に即応可能とすることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明による光導波形温度センサの基本原理を
説明する断面図である。6は焦電効果と電気光学効果を
もつ基板であり、表面に電荷が現れ、かつ温度変化によ
って分極効果が変化する。
この基板6に、電界密度の高い領域7と低い領域8が形
成されている。そして電界密度の高い領域7に光導波路
9が設けられ、電界、密度の低い領域8に、もう1つの
光導波路10が形成されている。
そして両光導波路9.10は並列に配置され、それぞれ
の一端は1つの入射路に接続され、他端は1つの出射路
に接続される。
〔作用〕
基板6の焦電効果によって発生した分極電荷による電界
密度の高い領域に先導波路9が有るため、温度変化によ
って電界密度が変化すると、今度は電気光学効果によっ
て先導波路9中の屈折率が変化する。もう1つの先導波
路10は、電界密度の低い領域8に設けられているので
、温度変化による電界密度の変化は少なく、したがって
屈折率の変化も小さい。そのため、2つの先導波路9、
lOに入射した光が、出射路から出射する際に、片方の
光導波路9の屈折率が温度変化によって変化することで
、両光導波路9.10からの出射光の位相差が変化する
。その結果、出射光を光電素子で検出することにより、
温度を測定できる。また基板6の結晶の焦電効果および
電気光学効果が大きいため、小型な素子で高感度の光導
波形温度センサを実現できる。
〔実施例〕
次に本発明による先導波形温度センサが実際上どのよう
に具体化されるかを実施例で説明する。
第2図は本発明による光導波形温度センサの断面図、第
3図は同温度センサの斜視図である。焦電効果および電
気光学効果を有する基板6としては、Z−cut Li
NbO3が適しているが、LiTa0z (リチウムタ
ンタレート)なども有効である。この基板6上に、Ti
を1000℃程度の温度で熱拡散することで、2本の光
導波路9.10が平行に形成されている。
基板6上において、両光導波路9.10の一端は、1本
の入射路2に接続され、他端は出射路3に接続されるこ
とで、Y分岐を用いたマツハツエンダ−干渉計を構成し
ている。そして光導波路9.10側の面に、絶縁層を形
成するために、Singを蒸着した絶縁膜11aが形成
されている。この絶縁膜11aおよび基板6の外周を囲
むように、金属膜12を蒸着などによって形成するが、
先導波路9と対向する領域だけをマスクして蒸着するこ
とで、中断部13が形成されている。
このように、基板6および絶縁膜11aの外周を金属膜
12で囲むことで、第1図に示すように、基板6の表面
に生じる電荷により、金属膜12に逆掻性の電荷が誘起
される。そのため、電界は基板6の面と金属膜12との
間の絶縁膜11a中に生じる。
ところが金属膜の中断部13では、基板6表面の電荷の
つくる電界は、第1図に示すように基板6中の光導波路
9中を通り、電界密度の高い領域7が形成される。
このように、Y分岐後の2本の導波路のうち1本だけが
、温度変化により電界密度が変化し、電気光学効果を介
して屈折率が変わるようにしている。そのため、両光導
波路9.10から出射し合波した光の光強度を検知する
ことで、温度測定が可能となる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、2本のY分岐光導波路9
.10のうち、片方の先導波路9のみ、焦電効果および
電気光学効果を有する基板の電界密度の高い領域に設け
た構成になっているので、焦電効果および電気光学効果
が大きい。そのため、基板6を大型化しなくても充分悪
魔を得ることができ、信頼性の高い光導波形温度センサ
を実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による先導波形温度センサの基本原理を
説明する断面図、第2図は本発明による光導波形温度セ
ンサの実施例を示す断面図、第3図は同実施例センサの
斜視図、第4図は従来の光導波形温度センサの平面図で
ある。 図において、6は基板、7は電界密度の高い領域、8は
電界密度の低い領域、9.10は光導波路、11は絶縁
層、12は金属膜、13は中断部をそれぞれ示す。 特許出願人     冨士通株式会社 代理人 弁理士   青 柳   稔 第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、焦電効果と電気光学効果をもつ基板(6)に、
    該基板(6)から発生する電界の密度の高い領域(7)
    と、電界の弱い領域(8)を形成すること、 前記基板(6)に2つの光導波路(9)(10)を設け
    、その片方の光導波路(9)は、前記の電界密度の高い
    領域(7)に配置し、他方の光導波路(10)は、前記
    の電界密度の低い領域(10)に配置すること、 両光導波路(9)(10)の一端同士を1つの入射路に
    接続し、他端同士は1つの出射路に接続することを特徴
    とする光導波形温度センサ。
  2. (2)、前記の焦電効果と電気光学効果を有する基板(
    6)の一面に絶縁層(11)を設け、該基板(6)およ
    び絶縁層(11)の外周に金属膜(12)を設け、該絶
    縁層(11)上で金属膜の中断部(13)を設けること
    で、該中断部(13)に対応する位置(7)の電界密度
    が高くなるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第(1)項記載の光導波形温度センサ。
JP61060044A 1986-03-18 1986-03-18 光導波形温度センサ Expired - Fee Related JPH0785036B2 (ja)

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JPH0785036B2 JPH0785036B2 (ja) 1995-09-13

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007170918A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路型デバイス、温度計測装置および温度計測方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5655825A (en) * 1979-10-12 1981-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical type temperature sensor
JPS56112608A (en) * 1980-02-12 1981-09-05 Toshiba Corp Optical sensing device
JPS60170723A (ja) * 1984-02-15 1985-09-04 Yokogawa Hokushin Electric Corp 光形トランスデユ−サ

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JPH0785036B2 (ja) 1995-09-13

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