JPS62216366A - トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はトランジスタ、特に高電流容量化を図った格子
状のエミッタ領域を有するトランジスタに関するもので
ある。

（ロ）従来の技術 従来の格子状のエミッタ領域を有するトランジスタは実
開昭５９−１３５６５２号公報（第２図（イ）・第２図
（ロ））に示す如く、Ｎ型のシリコン半導体基板よりな
るコレクタ領域（２）と、Ｐ型のベース領域（３）と、
格子状のＮ型のエミッタ領域（４）とヲ備工、エミッタ
領域（４）はポンディングパッドを形成するバッド予定
領域を除くベース領域（３）のほぼ全表面に均一に配置
きれ、ベース領域（３）のベース取出領域（３゛）・・
・（３′）は多数島状にエミッタ領域（４）内に一定間
隔で配置されている。そしてベース電極（８）は各ベー
ス取出領域（３′）・・・（３′）とオーミンク接触し
、ポンディングパッド予定領域まで延在されており１．
ｒ−ミック電極（５）は格子状エミッタ領域（４）にオ
ーミック接触してポンディングパッド予定領域まで延在
される。またベース電極（８）およびエミッタ電極（５
）は４１１Ｂ歯形状を採り、ボンディングバラ１゛ｆ・
定価域１・の拡張？、Ｖ、分に金属細線がボンティング
されて構成されている。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 上述した如く、従来の格子状の−ｒ−ミッタ領域（４）
を有するトランジスタに於い−【１、更にスイッチング
スピードを高速に′する際にはこの格子状のエミッタ領
域（４）の寸法が依然として太さいために、エミッタ直
下のベース領域における少数キャリアの走行距離が長く
なりスイ・／チンゲスピードが遅くなる問題点を有して
いた。

また前述の問題点を解決すべく前記エミッタ領域（４）
の寸法を小さく形成すると、少数キヘ・リアの走行距離
は短くなるが、前記櫛型のエミッタ電極（５）の電極幅
を細くする必要が生じる。そのために前記電極幅を細く
すると電圧低下を生じ、結局スイッチングスピードの低
１、破壊耐μの低下等の問題点を生じてしまう。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は１−述の如き問題点に鑑みてなされ、少なくと
もコレクタ領域となる半導体基板（２）内に形成される
ベース領域（３）と該ベース領域（３）に格子状に形成
されるエミッタ領域（４）と該エミッタ領域（４）に囲
まれた多数の島状のベース領域（３′〉にオーミックコ
ンタクトする櫛型のベース電極（８）と前記エミッタ領
域（４）にオーミックコンタクトする櫛型のエミッタ電
極（５）とを備えたｌ・ランジスクに於いて、前記格子
状に形成諮れるエミッタ領域（４）は前記エミッタ電極
（５）とコンタクトするコンタクト領域（６）から放射
状に形ｒＪ！、された領域を夫々接続したものであり、
前記櫛型のエミッタ電極（５）は前記格子状のエミッタ
領域（４）をほぼ全面に覆うように太く形成されること
で解決するものである。

（ホ）作用 前記格子状に形成されるエミッタ領域（４）は前記エミ
ッタ電極（５）とコレクタＩ・するコンタクト領域（６
）から放射状に形成きれた領域を夫々接続したものであ
る。ここでは前記放射状に形成された領域（４゛）・・
・（４°）の寸法を極めて細く形成する。

そして放射状に形成されるフィンガ一部の長さは、後で
オーミックコンタクトされる櫛型のエミッタ電極（５）
の電極幅を決定する要因となるた一３＝ め、前記櫛型のエミッタ電極（５〉における電圧低下を
防止できる幅と対応するようにフィンガ一部の長いを決
める。

従って電圧低下の発生、スイッチングスピードの低下お
よび破壊耐量の低下等を防止でき、更には前記特性を向
上許せることができる。

また前記放射状の領域（４゛）を夫々接続することで前
記島状に形成されるベース領域（３゛）もコンタクト領
域から放射状に形成される。従って前述した格子状のエ
ミッタ領域（４）およびエミッタ電極（５）と同様の作
用が可能となる。

（へ）実施例 以下に本発明の一実施例を第１図（イ）・第１図（ロ）
を参照しながら説明する。

先ずＮ型のシリコン半導体基板より成るコレクタ領域（
２）と、該コレクタ領域（２〉内に形成されるベース領
域（３）と、該ベース領域（３）に格子状に形成される
エミッタ領域（４）とがある。

本構成は本発明の第１の特徴とするところであり、前記
格子状のＮ型のエミッタ領域（４）にある。

＝４一 つまり後で形成される一点鎖線で示す櫛型のエミッタ電
極（５〉とコンタクトするコンタクト領域（６）・・・
（６）から放射状に形成される領域を夫々接続して成る
格子状のエミッタ領域（４′）にある。例えば第１図（
イ）に示す如く、コンタクト領域（６）よりフィンガー
が４水均等に伸びｉ１！型に形成されており、前記Ｎ型
の拡散領域（４゛）・・・（４゛）の夫々のフィンガー
を接続して形成される。ここで図では前記ｗ型の拡散領
域（４′）は縦横に数個しか形成されていないが、実際
はベース領域（３）のほぼ全面に均一に５０〜１５００
個はど形成される。また拡散幅も狭く形成され、例えば
４０μｍとする。

ここでコンタクト領域（６）はエミッタ領域（４）とエ
ミッタ電極（５）との接合部を示す。

従って前記格子状のエミッタ領域（４）の寸法が極めて
小さくなるために、少数キャリアの走行距離が短くなり
、スイッチングスピードを速くすることが可能となる。

次に前記ベース領域（３）、および格子状のエミッタ領
域（４）を被覆するように、前記半導体基板表面に形成
されるシリコン酸化膜（７）と、該シリコン酸化膜（７
）上に蒸着アルミニ一つノ、よりなる一点鎖線で示した
横型のベース電極（８）と櫛型のエミッタ電極（５）と
、該ベース電極（８）およびエミッタ電極（５〉上に形
成されるポンディング部に夫々接続される金属細線（図
示上では省略する。）とにより構成される。

本構成は本発明の第２の特徴とするところであり、前記
櫛型のエミッタ電極（５）および櫛型のベース電極〈８
）にある。この電極（５バ８）はｄシ型に形成されたエ
ミッタ領域（４）およびベース領域（３）のほぼ全面を
覆うように太く形成される。従って従来では電極（５）
（８）が細いため電圧低下を生じるが、電圧低下を防１
トするために前記日！型のフィンガ一部を長くすると、
電極（５）（８）は前記１１シ型の拡散領域（４’＞（
３’）を夫々全面に覆うので太く形成できる。

従って前記櫛型のエミッタ電極〈５）および櫛型のベー
ス電極（８）は太く形成されるために、電極（５）（８
）による電圧低下を肪止できるため、トランジスタの重
要特性であるスイッチングスピードや破壊耐量を大幅に
向上できる。

（ト）発明の効果 以上の説明からも明らかな如く、高電流容量化を図った
格子状のエミッタ領域（４）を有するトランジスタ（１
）において、放射状に形成された領域（４゛）を夫々接
続して格子状に形成してあり、またこの格子状のエミッ
タ領域（４）のほぼ全面とオーミックコンタクトする太
く形成された櫛型のエミッタ電極（５）とによりトラン
ジスタの重要特性であるスイッチングスピードや破壊耐
量を大幅に向上できる。

また前述の如き格子状のエミッタ領域（４）を形成する
と、島状のベース領域（３′）もｒ１！型に形成できる
ために前述と同様にトランジスタの特性を更に向」二で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）は本発明の一実施例でありトランジスタの
平面図、第１図（ロ）は第１図（イ）におけるｘ−ｘ’
線断面図、第２図（りは従来のトランジス７−タ Ｘ゛線断面図である。 （１）はトランジスタ、（２〉はコレクタ領域、（３〉
はベース領域、　（３′）は島状のベース領域、（４）
はエミッタ領域、　（４′）はｔ型のエミッタ拡散領域
、　　（５）はエミッタ電極、　（６）はコンタクト領
域、　（７）はシリコン酸化膜、　（８）はベース電極
である。 出願人　三洋電機株式会社外１名 代理人　弁理士　西野卓嗣　外１名 −８＝ 第１図（伺 第１図（口）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくともコレクタ領域となる半導体基板内に形
   成されるベース領域と該ベース領域に格子状に形成され
   るエミッタ領域と該エミッタ領域に囲まれた多数の島状
   のベース領域にオーミックコンタクトする櫛型のベース
   電極と前記エミッタ領域にオーミックコンタクトする櫛
   型のエミッタ電極とを備えたトランジスタに於いて、前
   記格子状に形成されるエミッタ領域は前記エミッタ電極
   とコンタクトするコンタクト領域から放射状に形成され
   た領域を夫々接続したものであり、前記櫛型のエミッタ
   電極は前記格子状のエミッタ領域をほぼ全面に覆うよう
   に太く形成されることを特徴としたトランジスタ。