JPS62218575A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法 - Google Patents
マイクロ波プラズマｃｖｄ法Info
- Publication number
- JPS62218575A JPS62218575A JP6097986A JP6097986A JPS62218575A JP S62218575 A JPS62218575 A JP S62218575A JP 6097986 A JP6097986 A JP 6097986A JP 6097986 A JP6097986 A JP 6097986A JP S62218575 A JPS62218575 A JP S62218575A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- gases
- thin film
- electric discharge
- Prior art date
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
本発明は、２種以上のガスを用いて基板上に半導体ある
いは絶縁体等の薄膜を形成する際の膜質向上を容易に行
えるようにすることを目的としたもので、各ガスに対す
る最適なプラズマ励起が行われるようにして目的の達成
を図っている。
いは絶縁体等の薄膜を形成する際の膜質向上を容易に行
えるようにすることを目的としたもので、各ガスに対す
る最適なプラズマ励起が行われるようにして目的の達成
を図っている。
本発明は２種以上の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法
に係り、特に原料ガスの分解法に関する。
に係り、特に原料ガスの分解法に関する。
基板上に半導体あるいは絶縁体等の薄膜を形成するには
、２種以上のガスを用いるプラズマＣＶＤ法が広く採用
されている。この場合の薄膜形成は、プラズマ励起部に
おいてガス分解を行い、これにより生じた分解種を基板
上に到達させることにより行われる。
、２種以上のガスを用いるプラズマＣＶＤ法が広く採用
されている。この場合の薄膜形成は、プラズマ励起部に
おいてガス分解を行い、これにより生じた分解種を基板
上に到達させることにより行われる。
従来のプラズマ装置の構造を第２図に示す。本図はＳｉ
Ｈ４とＮＨ３により基板１上にＳｉＮの薄膜を形成する
例を示し、この構造による薄膜形成は、各ガスＳｔ Ｈ
４、ＮＨｓを反応室２に導入して混合させ、これを同一
放電空間３で分解することにより行われる。これにより
、基板１には、ＳｉＮ膜が形成される。４はこの放電に
より励起されたプラズマである。
Ｈ４とＮＨ３により基板１上にＳｉＮの薄膜を形成する
例を示し、この構造による薄膜形成は、各ガスＳｔ Ｈ
４、ＮＨｓを反応室２に導入して混合させ、これを同一
放電空間３で分解することにより行われる。これにより
、基板１には、ＳｉＮ膜が形成される。４はこの放電に
より励起されたプラズマである。
このように、従来は、２種以上のガスを用いて薄膜を形
成する場合、これらのガスを混合させて同一放電空間で
分解するようになっているため、それぞれのガスの分解
を独立して制御することができず、膜特性として十分な
ものが得られない。
成する場合、これらのガスを混合させて同一放電空間で
分解するようになっているため、それぞれのガスの分解
を独立して制御することができず、膜特性として十分な
ものが得られない。
あるいは、良質の膜を得る為に堆積速度を低下させる等
、他の制限を加えなければならなかった。
、他の制限を加えなければならなかった。
本発明は、上述の問題点を解決することのできるプラズ
マＣＶＤ法を提供するもので、そのための手段として、
各ガスを別々にマイクロ波放電で分解し、これにより基
板」二に薄膜を形成するようにしている。
マＣＶＤ法を提供するもので、そのための手段として、
各ガスを別々にマイクロ波放電で分解し、これにより基
板」二に薄膜を形成するようにしている。
本発明では、原料ガスの分解をそれぞれ独立して行うよ
うになっているので、プラズマ条件をそれぞれのガスに
対し最適化することができる。
うになっているので、プラズマ条件をそれぞれのガスに
対し最適化することができる。
また、ガス分解はマイクロ波放電でおこなわれるように
なっており、比較的低圧で放電できるため、基板がプラ
ズマ中でなくても、放電で形成された分解種は基板上に
到達することができ、該基板上への薄膜形成が可能であ
る。
なっており、比較的低圧で放電できるため、基板がプラ
ズマ中でなくても、放電で形成された分解種は基板上に
到達することができ、該基板上への薄膜形成が可能であ
る。
以下、第１図に関連して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明を実施するプラズマＣＶＤ装置を示す概
要図である。本図は２種のガスを使用する場合のもので
、１１は反応室、１２及び１３は反応室１１にプラズマ
励起部１４．１５を介し接続するガス導入管である。１
６．１７及び１８゜１９は、プラズマ励起部１４．１５
にそれぞれ設けられたコイル及び放電用電極である。
要図である。本図は２種のガスを使用する場合のもので
、１１は反応室、１２及び１３は反応室１１にプラズマ
励起部１４．１５を介し接続するガス導入管である。１
６．１７及び１８゜１９は、プラズマ励起部１４．１５
にそれぞれ設けられたコイル及び放電用電極である。
基板１００は反応室１１内にセットされ、この基板１０
０に対する薄膜形成（Ｓｔ Ｎ膜形成例）は次のように
行われる。
０に対する薄膜形成（Ｓｔ Ｎ膜形成例）は次のように
行われる。
基板１００がセントされた状態で、ガス導入管１２から
５ｉＨｎを導入するとともに、ガス導入管１３からＮ
Ｈ、を導入し、これらのガスをプラズマ励起部１４．１
５で分解する。分解は、放電用電極１８．１９により２
．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波を印加してプラズマを励
起することにより行われる。この場合、コイル１６．１
７により外部から磁界を加えれば、プラズマの高密度化
を図るとともに、放電の圧力範囲を広くすることができ
る。ＳｉＮ膜形成のための５ｔ）（ｎプラズマでのＳｉ
Ｈａの流量及び放電電力は１Ｑｓｃｃ＋＋＋及びＬＯ
Ｗで、ＮＨ，プラズマでのＮＨｓの流量及び放電電力は
１０１０５ｅ及び５０ｗである。また、全圧は１０−”
ｔｏｒｒとし、基板温度は２８０Ｃ”とする。全圧が１
０−ｔｏｒｒでの分解種の平均自由工程は１０ｃｍ程度
になるので、放電空間（プラズマ励起部）と基板が図示
のように分離していても、上記放電で形成された分解種
は充分に基板１００に到達でき、基板１００上のＳｊＮ
膜が形成される。
５ｉＨｎを導入するとともに、ガス導入管１３からＮ
Ｈ、を導入し、これらのガスをプラズマ励起部１４．１
５で分解する。分解は、放電用電極１８．１９により２
．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波を印加してプラズマを励
起することにより行われる。この場合、コイル１６．１
７により外部から磁界を加えれば、プラズマの高密度化
を図るとともに、放電の圧力範囲を広くすることができ
る。ＳｉＮ膜形成のための５ｔ）（ｎプラズマでのＳｉ
Ｈａの流量及び放電電力は１Ｑｓｃｃ＋＋＋及びＬＯ
Ｗで、ＮＨ，プラズマでのＮＨｓの流量及び放電電力は
１０１０５ｅ及び５０ｗである。また、全圧は１０−”
ｔｏｒｒとし、基板温度は２８０Ｃ”とする。全圧が１
０−ｔｏｒｒでの分解種の平均自由工程は１０ｃｍ程度
になるので、放電空間（プラズマ励起部）と基板が図示
のように分離していても、上記放電で形成された分解種
は充分に基板１００に到達でき、基板１００上のＳｊＮ
膜が形成される。
以上述べたように、本発明によれば、２種以上のガスを
別々にマイクロ波放電により分解して基板に対する薄膜
形成を行うようになっており、各ガスに対してそれぞれ
最適のプラズマ条件を選べるので、堆積条件等信の形成
条件を制約することなく高品質の薄膜形成が可能である
。
別々にマイクロ波放電により分解して基板に対する薄膜
形成を行うようになっており、各ガスに対してそれぞれ
最適のプラズマ条件を選べるので、堆積条件等信の形成
条件を制約することなく高品質の薄膜形成が可能である
。
第１図は本発明を実施するマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置を示す概要図、 第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置を示す概要図で、 図中、 １１は反応室、 １２．１３はガス導入管、 １４．１５はプラズマ励起部、 １８．１９は放電用電極、 １００は基板である。
置を示す概要図、 第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置を示す概要図で、 図中、 １１は反応室、 １２．１３はガス導入管、 １４．１５はプラズマ励起部、 １８．１９は放電用電極、 １００は基板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２種以上のガスを用いて基板上に薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ法において、 前記各ガスを別々にマイクロ波放電で分解し、これによ
り前記基板上に薄膜を形成することを特徴とするマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097986A JPS62218575A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097986A JPS62218575A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62218575A true JPS62218575A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13158053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6097986A Pending JPS62218575A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62218575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501740A (en) * | 1993-06-04 | 1996-03-26 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| US5556475A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-17 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5914543A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Nissan Motor Co Ltd | コ−ナ−ピ−スカバ− |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6097986A patent/JPS62218575A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5914543A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Nissan Motor Co Ltd | コ−ナ−ピ−スカバ− |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501740A (en) * | 1993-06-04 | 1996-03-26 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| US5556475A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-17 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
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