JPS6222010A - パタ−ン欠陥検出方法 - Google Patents
パタ−ン欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPS6222010A JPS6222010A JP60164577A JP16457785A JPS6222010A JP S6222010 A JPS6222010 A JP S6222010A JP 60164577 A JP60164577 A JP 60164577A JP 16457785 A JP16457785 A JP 16457785A JP S6222010 A JPS6222010 A JP S6222010A
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- JP
- Japan
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- spot
- axis
- axis direction
- pattern
- parallel
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板上に薄膜材料で形成されたパターンの
欠陥部を電子ビームのスポットにより検出するパターン
欠陥検出方法に関するものである。
欠陥部を電子ビームのスポットにより検出するパターン
欠陥検出方法に関するものである。
第２図（ａ）は従来のパターン欠陥検出装置を示す模式
図で、１０１は電子銃、１０２は第１のアパーチヤ、１
０３は第２のアパーチヤ、１０４゜１０５はそれぞれ第
１＃ 篤２のアパーチヤ１０２゜１０３によってビーム
を整形するための偏向器である。１０６は集束レンズ、
１０７は基板上に形成されたパターンで、欠陥部を検出
するターゲットとなるものである。１０１ｍは電子ビー
ム、１０９は二次電子を検出するシンチレータである。
図で、１０１は電子銃、１０２は第１のアパーチヤ、１
０３は第２のアパーチヤ、１０４゜１０５はそれぞれ第
１＃ 篤２のアパーチヤ１０２゜１０３によってビーム
を整形するための偏向器である。１０６は集束レンズ、
１０７は基板上に形成されたパターンで、欠陥部を検出
するターゲットとなるものである。１０１ｍは電子ビー
ム、１０９は二次電子を検出するシンチレータである。
第２図（ｂ）は従来のパターン欠陥検出装置により欠陥
部を検出するための電子ビーム１０８によるパターン１
０７上のスポット１）０の形状を示す説明図である。
部を検出するための電子ビーム１０８によるパターン１
０７上のスポット１）０の形状を示す説明図である。
を示す図である。
従来のパターン欠陥検出装置は上記のよ５Ｖｃ構成され
、電子銃１０１より発生された電子ビーム１０８は、二
つの偏向器１０４．１０５により任意の方向に振られ、
その結果各アパーチャ１ｏ２゜ＩＯ２により整形される
。さらに、電子ビーム１０８は集束レンズ１０６により
絞られ、パターン１０７上に照射される。この際、二つ
のアパーチヤ１０２，１０３Ｔ／ｃより整形された電子
ビーム１０８によるスポット１）０の形状は第２図（ｂ
）に 「示すように正方形になっている
。
、電子銃１０１より発生された電子ビーム１０８は、二
つの偏向器１０４．１０５により任意の方向に振られ、
その結果各アパーチャ１ｏ２゜ＩＯ２により整形される
。さらに、電子ビーム１０８は集束レンズ１０６により
絞られ、パターン１０７上に照射される。この際、二つ
のアパーチヤ１０２，１０３Ｔ／ｃより整形された電子
ビーム１０８によるスポット１）０の形状は第２図（ｂ
）に 「示すように正方形になっている
。
この電子ビーム１０８によるスポット１）０はパターン
１０１上において第２［Ｎ（ｃ）ＶＣ示すよ５に、数字
１． ２． ３． ４の順で矢印方向に進んで全体とし
て二次元の方向に走査され、設計データと照合され、欠
陥部が検出される。なお、第２図（ｃ）においてｎはス
ポット１）０の数１ｍは前記スポット１）０の列数を示
す。
１０１上において第２［Ｎ（ｃ）ＶＣ示すよ５に、数字
１． ２． ３． ４の順で矢印方向に進んで全体とし
て二次元の方向に走査され、設計データと照合され、欠
陥部が検出される。なお、第２図（ｃ）においてｎはス
ポット１）０の数１ｍは前記スポット１）０の列数を示
す。
従来のパターン欠陥検出装置は上記のように構成されて
いるので、電子ビーム１０８によるスポット１）０をパ
ターン１０７の面全体にわたって二次元の方向に走査す
るため走査に時間がかかるという問題点があった。
いるので、電子ビーム１０８によるスポット１）０をパ
ターン１０７の面全体にわたって二次元の方向に走査す
るため走査に時間がかかるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、パターンの欠陥部を短時間に検出すること
ができるパターン欠陥検出方法を得ることを目的とする
。
れたもので、パターンの欠陥部を短時間に検出すること
ができるパターン欠陥検出方法を得ることを目的とする
。
またこの発明の第２の発明はパターンの複数の欠陥部を
短時間に検出することができるパターン欠陥検出方法を
得ることを目的とする。
短時間に検出することができるパターン欠陥検出方法を
得ることを目的とする。
この発明に係るパターン欠陥検出方法は、遊子ビームを
アパーチヤにより整形された長方形のスポットとし、そ
の短辺と平行なＸ１軸方向にスポットを走査しつつ、ス
ポット内のパターニング面積を二次電子放出量より計数
し設計データとの比較を行い、Ｘ、軸方向の欠陥位置を
検出し、次いで。
アパーチヤにより整形された長方形のスポットとし、そ
の短辺と平行なＸ１軸方向にスポットを走査しつつ、ス
ポット内のパターニング面積を二次電子放出量より計数
し設計データとの比較を行い、Ｘ、軸方向の欠陥位置を
検出し、次いで。
長手方向がＸ１軸と平行でないＸ！軸と直角方向に整形
された長方形のスポットの短辺と平行なＸ。
された長方形のスポットの短辺と平行なＸ。
軸方向忙スポットを走査してスポット内のパターニング
面積を二次電子放出量より計数し設計データとの比較を
行いＸ、軸方向の欠陥部の位置を検出し、次いで、Ｘ１
軸方向のデータと照合し、その座標な求め欠陥部の位置
を検出するようにしたものである。
面積を二次電子放出量より計数し設計データとの比較を
行いＸ、軸方向の欠陥部の位置を検出し、次いで、Ｘ１
軸方向のデータと照合し、その座標な求め欠陥部の位置
を検出するようにしたものである。
′！！りこの発明の第２の発明に係るパターン欠陥検出
方法は、上記の方法に加えて、さらに、長手方向がＸ、
軸、Ｘｚ軸のいずれとも平行でないＸ。
方法は、上記の方法に加えて、さらに、長手方向がＸ、
軸、Ｘｚ軸のいずれとも平行でないＸ。
軸と直角方向に整形された長方形のスポットを作り、そ
の短辺と平行な前記Ｘｓ軸方向に前記スポットを走査し
て次いで前記Ｘ、軸方向のデータとＸ２軸方向のデータ
とを照合してその座標を求めて欠陥部の位置を検出する
ようにしたものである。
の短辺と平行な前記Ｘｓ軸方向に前記スポットを走査し
て次いで前記Ｘ、軸方向のデータとＸ２軸方向のデータ
とを照合してその座標を求めて欠陥部の位置を検出する
ようにしたものである。
この発明においては、１子ビームをパターン上に照射す
ることＫより形成された長男形のスポットの短辺な、互
忙平行でないＸ８軸１ ｘｓ 軸方向と平行にそれぞれ
走査して座標を求めパターンの欠陥部の位置を検出する
。
ることＫより形成された長男形のスポットの短辺な、互
忙平行でないＸ８軸１ ｘｓ 軸方向と平行にそれぞれ
走査して座標を求めパターンの欠陥部の位置を検出する
。
またこの発明の第２の発明においては、上記スポットを
パターンのＸ、軸、Ｘ、軸方向の走査圧加え工、さらに
、パターンのＸＩ 軸ｔ ＸＩ軸のいずれとも平行でな
い方向に走査して座標を求め欠陥部の位置を検出する。
パターンのＸ、軸、Ｘ、軸方向の走査圧加え工、さらに
、パターンのＸＩ 軸ｔ ＸＩ軸のいずれとも平行でな
い方向に走査して座標を求め欠陥部の位置を検出する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はこの発明の一
実施例を示すもので、第２図と同一符号は同一部分を示
す。この実施例忙おいてはパターン欠陥検出装置自体は
従来のものと変わらず、アパーチヤの形または偏向方向
が異なるだけである。
実施例を示すもので、第２図と同一符号は同一部分を示
す。この実施例忙おいてはパターン欠陥検出装置自体は
従来のものと変わらず、アパーチヤの形または偏向方向
が異なるだけである。
第１図（１において、２０１は第１のアパーチヤ、２０
２は第２のアパーチヤで、第１図（ａ）は第１の７バ一
チヤ２０１Ｙ通過する時の電子ビーム１０８と第１の７
パーチヤ２０１の関係および第２の７パーチヤ２０２を
通過する時の電子ビーム１０８と〜２の７パーチヤ２０
２の関係を示す図である。
２は第２のアパーチヤで、第１図（ａ）は第１の７バ一
チヤ２０１Ｙ通過する時の電子ビーム１０８と第１の７
パーチヤ２０１の関係および第２の７パーチヤ２０２を
通過する時の電子ビーム１０８と〜２の７パーチヤ２０
２の関係を示す図である。
第１図（ｂ）は２つのアパーチヤ２’０１，２０２によ
つ工整形されｙ：電子ビーム１０８がパターン１０７に
照射されたとき長手方向がＹ軸方向に整形された長方形
のスポット２０３０図で、第１図（ｃ）は走査方法を示
す図である。
つ工整形されｙ：電子ビーム１０８がパターン１０７に
照射されたとき長手方向がＹ軸方向に整形された長方形
のスポット２０３０図で、第１図（ｃ）は走査方法を示
す図である。
これらの図において、ｎはスポット２０３の数。
ｍは前記スボツ）２０３の列数、ｊは前記スポット２０
３をＸ軸およびＹ軸に平行でない方向に走査した場合の
列数な示す。
３をＸ軸およびＹ軸に平行でない方向に走査した場合の
列数な示す。
第１図（ａ） Ｖｃ示すよう忙、各アパーチャ２０１゜
２０２のエツジ部を利用して、長方形の長辺／短辺の比
率が少な（とも１００以上になるようなス ｒ
ポット２０３をもつよ５Ｋｔ子ビーム１０８を整形する
。
２０２のエツジ部を利用して、長方形の長辺／短辺の比
率が少な（とも１００以上になるようなス ｒ
ポット２０３をもつよ５Ｋｔ子ビーム１０８を整形する
。
整形された電子ビーム１０８は第１図（ｂ）Ｋ示すよう
にパターン１０７上に照射される。
にパターン１０７上に照射される。
この電子ビーム１０８４’第１図（ｃ）のよｊＶＣ長方
形の短辺方向（Ｘｌ軸方向）Ｋ一定のステップで走査す
る。走査中、電子ビームｔｅｌｌの照射により放出され
る二次電子の量を計数し、長方形中に入っているパター
ンの面積と設計データを比較し、合致しない所を欠陥の
Ｘ、軸上のアドレスとする。
形の短辺方向（Ｘｌ軸方向）Ｋ一定のステップで走査す
る。走査中、電子ビームｔｅｌｌの照射により放出され
る二次電子の量を計数し、長方形中に入っているパター
ンの面積と設計データを比較し、合致しない所を欠陥の
Ｘ、軸上のアドレスとする。
さらに、長方形の形状を変え、Ｘｓ軸とは平行でないＸ
、軸方向に同様忙走査と欠陥の検出を行う２そして、Ｘ
１軸の欠陥アドレスと比較して、Ｘ、軸Ｉ Ｘ、軸の交
点忙欠陥部があることがわかる。
、軸方向に同様忙走査と欠陥の検出を行う２そして、Ｘ
１軸の欠陥アドレスと比較して、Ｘ、軸Ｉ Ｘ、軸の交
点忙欠陥部があることがわかる。
欠陥部が一つの場合は、上記の操作でよいが、一般には
欠陥部の位置を１回の走査で検出することはできない。
欠陥部の位置を１回の走査で検出することはできない。
そこで、例えば、第１図（ｄ）で（”１）１旬、 （
ｂｓ−ｂｓ）圧入陥部があるとする。この時Ｘ、細軸上
ａ、、ｂ、ＫＸｚ軸上のＪ１）＊ｂｌＫ欠陥部がそれぞ
れ１個ずつ検出される。その時、欠陥部のある可能性の
ある座標は、（＆ｌａ ａｆｉ ）ｅ（ｂｓ ＋ａ＊
Ｌ （ａ＋ｓｂ＊Ｌ （ｂ＋＊ｂ＊）である。しかし、
実際は２つしか欠陥部がない。したがって、その二つを
確定するため忙この４点が一度にスポット２Ｑ３に人ら
な〜１ような軸ＸＩ軸に沿って走査し、Ｘｌ軸方向のデ
ータとＸｔ軸方向のデータとを比較し欠陥部の位置を確
定する。この走査で確定できない場合は、確定できるま
で第１図（ｄ）Ｋ二点鎖線で示すような異なる軸に沿っ
て走査。
ｂｓ−ｂｓ）圧入陥部があるとする。この時Ｘ、細軸上
ａ、、ｂ、ＫＸｚ軸上のＪ１）＊ｂｌＫ欠陥部がそれぞ
れ１個ずつ検出される。その時、欠陥部のある可能性の
ある座標は、（＆ｌａ ａｆｉ ）ｅ（ｂｓ ＋ａ＊
Ｌ （ａ＋ｓｂ＊Ｌ （ｂ＋＊ｂ＊）である。しかし、
実際は２つしか欠陥部がない。したがって、その二つを
確定するため忙この４点が一度にスポット２Ｑ３に人ら
な〜１ような軸ＸＩ軸に沿って走査し、Ｘｌ軸方向のデ
ータとＸｔ軸方向のデータとを比較し欠陥部の位置を確
定する。この走査で確定できない場合は、確定できるま
で第１図（ｄ）Ｋ二点鎖線で示すような異なる軸に沿っ
て走査。
検出、確定を行５ｅ
なお、上記実施例において、欠陥部の座標を求めるの忙
Ｘ、軸方向のデータを照合したが、この他、Ｘ８軸方向
の走査をスポットの長辺を次第に短くして行き、欠陥部
が検出されな（なった１つ前の走査から座標を求めるこ
とができる。ま＊Ｘｍ軸はＸ１軸と直交しているが、一
般には両者が平行でなければよい。
Ｘ、軸方向のデータを照合したが、この他、Ｘ８軸方向
の走査をスポットの長辺を次第に短くして行き、欠陥部
が検出されな（なった１つ前の走査から座標を求めるこ
とができる。ま＊Ｘｍ軸はＸ１軸と直交しているが、一
般には両者が平行でなければよい。
以上説明したようＫこの発明は、電子ビームをアパーチ
ヤにより整形して長方形のスポットとし、このスポット
の短辺と平行なＸ、軸方向にスポツトを走査しつつ、ス
ポット内のパターニング面積を二次電子放出量より計数
し、設計データの比較を行いＸｌ軸方向の欠陥位置を検
出し、次いで、長手方向がｘＩ軸と平行でないＸ、軸と
直角方向に整形された長方形のスポットを作り、その短
辺と平行なＸｌ軸方向にスポットを走査してスポット内
のパターニング面積を二次電子放出量より計数し設計デ
ータとの比較を行い、Ｘ、軸方向の欠陥部の位置を検出
し、次いで、Ｘ、軸方向のデータと照合するか、前記ス
ポットの長辺を短かくしていきその座標を求め欠陥部の
位置を検出するようＫしたので、走査方向が一次元で良
く処理時間を短縮することができる利点を有する。
ヤにより整形して長方形のスポットとし、このスポット
の短辺と平行なＸ、軸方向にスポツトを走査しつつ、ス
ポット内のパターニング面積を二次電子放出量より計数
し、設計データの比較を行いＸｌ軸方向の欠陥位置を検
出し、次いで、長手方向がｘＩ軸と平行でないＸ、軸と
直角方向に整形された長方形のスポットを作り、その短
辺と平行なＸｌ軸方向にスポットを走査してスポット内
のパターニング面積を二次電子放出量より計数し設計デ
ータとの比較を行い、Ｘ、軸方向の欠陥部の位置を検出
し、次いで、Ｘ、軸方向のデータと照合するか、前記ス
ポットの長辺を短かくしていきその座標を求め欠陥部の
位置を検出するようＫしたので、走査方向が一次元で良
く処理時間を短縮することができる利点を有する。
またこの発明の２番目の発明は、上記の方法に加えて、
長手方向かＸ、軸、Ｘ意軸のいずれとも平行でないＸ、
軸と直角方向に整形された長方形のスポットを作り、そ
の短辺と平行なＸ、軸方向にこのスポットを走査して次
いで、前記Ｘｌ軸方向のデータとＸ３軸方向のデータと
を照合してその座標を求めて欠陥部の位置を検出するよ
うにしたので、欠陥部が二つ以上ある場合でも確実に検
出することができる利点を有する。
長手方向かＸ、軸、Ｘ意軸のいずれとも平行でないＸ、
軸と直角方向に整形された長方形のスポットを作り、そ
の短辺と平行なＸ、軸方向にこのスポットを走査して次
いで、前記Ｘｌ軸方向のデータとＸ３軸方向のデータと
を照合してその座標を求めて欠陥部の位置を検出するよ
うにしたので、欠陥部が二つ以上ある場合でも確実に検
出することができる利点を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明のパターン欠陥検出方
法の一実施例を示すもので、第１図（ａ）は電子ビーム
がアパーチヤを通過するときの関係を示す図、第１図（
ｂ）は電子ビームによるパターン上のスポットの形状を
示す説明図、第１図（ｅ）はパターン欠陥検出方法のス
ボツ）Ｋより欠陥部を検出するための走査方法を示す図
、第１図（ｄ）はパターン上にある２個の欠陥部を検出
する場合の走査方法を示す図、第２図（＆）〜（Ｑ）は
従来のパターン欠陥検出装置の一例を示すもので、第２
図（ａ）は従来のパターン欠陥検出装置の一例を示す模
式図、第２図（ｂ）は＃ＩＫ２図（ａ）のパターン欠陥
検出装置の電子ビームによるパターン上のスポットの形
状を示す説明図、第２図（０月まパターン欠陥部
［出装置のスポットにより欠陥部を検出する
ための走査方法を示す図である。 １）において、１０７はパターン、１０Ｂは電子ビーム
、２０１は第１のアパーチヤ、２０．２は第２のアパー
チヤ、２０３はスポットである。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図（ａ） 第１図 −Ｘ１ 一一一〇＾１ 第１図（ｄ） ×２ 第２図（ａ） 第２図 手続補正書（自発）
法の一実施例を示すもので、第１図（ａ）は電子ビーム
がアパーチヤを通過するときの関係を示す図、第１図（
ｂ）は電子ビームによるパターン上のスポットの形状を
示す説明図、第１図（ｅ）はパターン欠陥検出方法のス
ボツ）Ｋより欠陥部を検出するための走査方法を示す図
、第１図（ｄ）はパターン上にある２個の欠陥部を検出
する場合の走査方法を示す図、第２図（＆）〜（Ｑ）は
従来のパターン欠陥検出装置の一例を示すもので、第２
図（ａ）は従来のパターン欠陥検出装置の一例を示す模
式図、第２図（ｂ）は＃ＩＫ２図（ａ）のパターン欠陥
検出装置の電子ビームによるパターン上のスポットの形
状を示す説明図、第２図（０月まパターン欠陥部
［出装置のスポットにより欠陥部を検出する
ための走査方法を示す図である。 １）において、１０７はパターン、１０Ｂは電子ビーム
、２０１は第１のアパーチヤ、２０．２は第２のアパー
チヤ、２０３はスポットである。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図（ａ） 第１図 −Ｘ１ 一一一〇＾１ 第１図（ｄ） ×２ 第２図（ａ） 第２図 手続補正書（自発）
Claims (2)
- （１）基板上に形成したパターンと、このパターンを形
成する際の設計データとを比較し、前記パターンの欠陥
を検出する方法において、電子ビームをアパーチヤによ
り整形して長方形のスポツトとし、このスポットの短辺
と平行なＸ＿１軸方向に前記スポットを走査しつつ、前
記スポツト内のパターニング面積を二次電子放出量より
計数し設計データとの比較を行い前記Ｘ＿１軸方向の欠
陥位置を検出し、次いで、長手方向が前記Ｘ＿１軸と平
行でないＸ＿２軸と直角方向に整形された長方形のスポ
ットを作り、その短辺と平行な前記Ｘ＿２軸方向に前記
スポツトを走査して前記スポット内のパターニング面積
を二次電子放出量より計数し設計データとの比較を行い
前記Ｘ＿２軸方向の欠陥部の位置を検出し、次いで、前
記Ｘ＿１軸方向のデータと照合するか、前記スポツトの
長辺を短かくしていきその座標を求め前記欠陥部の位置
を検出することを特徴とするパターン欠陥検出方法。 - （２）基板上に形成したパターンと、そのパターンを形
成する際の設計データとを比較し、前記パターンの欠陥
を検出する方法において、電子ビームをアパーチヤによ
り整形して長方形のスポツトとし、このスポツトの短辺
と平行なＸ＿１軸方向に前記スポットを走査しつつ、前
記スポツト内のパターニング面積を二次電子放出量より
計数し設計データとの比較を行い前記Ｘ＿１軸方向の欠
陥位置を検出し、次いで、長手方向が前記Ｘ＿１軸と平
行でないＸ＿２軸と直角方向に整形された長方形のスポ
ットを作り、その短辺と平行な前記Ｘ＿２軸方向に前記
スポットを走査して前記スポット内のパターニング面積
を二次電子放出量より計数し設計データとの比較を行い
、前記Ｘ＿２軸方向の欠陥部の位置を検出し、次いで、
前記Ｘ＿１軸方向のデータと照合するか、前記スポツト
の長辺を短かくしていきその座標を求め、さらに、長手
方向が前記Ｘ＿１軸、Ｘ＿２軸のいずれとも平行でない
Ｘ＿３軸と直角方向に整形された長方形のスポツトを作
リ、その短辺と平行な前記Ｘ＿３軸方向に前記スポット
を走査し、次いで、前記Ｘ＿１軸方向のデータと前記Ｘ
＿２軸方向のデータとを照合してその座標を求めて前記
欠陥部の位置を検出することを特徴とするパターン欠陥
検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164577A JPS6222010A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | パタ−ン欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164577A JPS6222010A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | パタ−ン欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222010A true JPS6222010A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15795811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164577A Pending JPS6222010A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | パタ−ン欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222010A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415604A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Nec Corp | Measuring apparatus for length by electron beam |
| JPS6431008A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nec Corp | Measuring apparatus for length by electron beam |
| JPS6435349A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Shimadzu Corp | Fine pinhole detecting method |
| US5687822A (en) * | 1995-03-08 | 1997-11-18 | Ogura Clutch Co., Ltd. | Electromagnetic spring clutch |
| JPH10185847A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Hitachi Ltd | パターン検査装置並びに電子線によるパターン検査装置及びその方法 |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP60164577A patent/JPS6222010A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415604A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Nec Corp | Measuring apparatus for length by electron beam |
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| US5687822A (en) * | 1995-03-08 | 1997-11-18 | Ogura Clutch Co., Ltd. | Electromagnetic spring clutch |
| JPH10185847A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Hitachi Ltd | パターン検査装置並びに電子線によるパターン検査装置及びその方法 |
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