JPS622251A - 感光性樹脂組成物およびパタ−ン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびパタ−ン形成方法Info
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- JPS622251A JPS622251A JP60141400A JP14140085A JPS622251A JP S622251 A JPS622251 A JP S622251A JP 60141400 A JP60141400 A JP 60141400A JP 14140085 A JP14140085 A JP 14140085A JP S622251 A JPS622251 A JP S622251A
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- photosensitive resin
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
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- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は感光性樹脂組成物とパターン形成方法に関し、
更に詳しくは紫外線用ネガ形ホトレジスト材料とそれを
２層レジストの上層レジストとして用いるパターン形成
方法に関する。
更に詳しくは紫外線用ネガ形ホトレジスト材料とそれを
２層レジストの上層レジストとして用いるパターン形成
方法に関する。
（従来の技術）
従来、 ＬＳＩ加工プロセスにおけるパターン形成に
はスループットＫｆｉれたホトリソグラフィが広く用い
られている。感光性樹脂組成物すなわちホトレジストに
は高感度・高解像性を満足し、しかもＬＳＩ加工におけ
るプラズマ加工耐性の高いノボラック樹脂系ポジ形ホト
レジストが使用されている。
はスループットＫｆｉれたホトリソグラフィが広く用い
られている。感光性樹脂組成物すなわちホトレジストに
は高感度・高解像性を満足し、しかもＬＳＩ加工におけ
るプラズマ加工耐性の高いノボラック樹脂系ポジ形ホト
レジストが使用されている。
しかし、近年配線の多層化、三次元アレイ構造の素子な
どを実現するために段差のある基板上にレジストハター
ンを形成することが望まれている。
どを実現するために段差のある基板上にレジストハター
ンを形成することが望まれている。
したがって段差をカバーするために、レジスト膜を厚く
する必些かある。
する必些かある。
更に、高速のイオンを基板に到達させることなく捕獲す
るには、レジスト膜厚も厚くしなくてはならない。しか
し従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い解像性が
低下し、＠細なパターン乞形成することができなかった
、 この問題を解決するために、レジストを７層ではなく多
層化することにより、膜厚が厚く、しかも微細な高形状
比パターンを形成する方法が提案されている。すなわち
、ｍ１ｔｅｉ目に有機ポリマーの厚膜を形成し、その上
の第２層ＶＣ薄膜のレジスト材料を形成したのち第２Ｊ
Ｃ，４のレジスト材料に紫外線を照射し、ｉ像後得られ
るパターンをマスクとして第１ 、＋−の有機ポリマー
を酸素プラズマエツチング（０，１目Ｅ）で異方性エツ
チングすることにより、高形状比のパターンを得ようと
するものである（ ｎ、 Ｊ、 Ｌｌｎ ５ｏｌｉｄ
Ｓ＋ａ＋ｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ｊ４’ ７３（／ＦＪ
’／））。
るには、レジスト膜厚も厚くしなくてはならない。しか
し従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い解像性が
低下し、＠細なパターン乞形成することができなかった
、 この問題を解決するために、レジストを７層ではなく多
層化することにより、膜厚が厚く、しかも微細な高形状
比パターンを形成する方法が提案されている。すなわち
、ｍ１ｔｅｉ目に有機ポリマーの厚膜を形成し、その上
の第２層ＶＣ薄膜のレジスト材料を形成したのち第２Ｊ
Ｃ，４のレジスト材料に紫外線を照射し、ｉ像後得られ
るパターンをマスクとして第１ 、＋−の有機ポリマー
を酸素プラズマエツチング（０，１目Ｅ）で異方性エツ
チングすることにより、高形状比のパターンを得ようと
するものである（ ｎ、 Ｊ、 Ｌｌｎ ５ｏｌｉｄ
Ｓ＋ａ＋ｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ｊ４’ ７３（／ＦＪ
’／））。
この場合第λ層のレジスト材料はＯ！月Ｅ耐性が高くな
ければならないので、Ｓ１含有ポリマを用いることが提
案されている。
ければならないので、Ｓ１含有ポリマを用いることが提
案されている。
例えば、ハザキスらはポリメチルビニルシロキサンを用
いてパターン形成した（ Ｍ、 Ｈａｔｚａｂｉｓ ｅ
ｔａ１１’ｒｏｃ、 Ｉｎｔｌ （Ｅｎｎ（９Ｍｉｃｒ
ｏ、＋ ／ ７１八ＰｊＪ’＆）。
いてパターン形成した（ Ｍ、 Ｈａｔｚａｂｉｓ ｅ
ｔａ１１’ｒｏｃ、 Ｉｎｔｌ （Ｅｎｎ（９Ｍｉｃｒ
ｏ、＋ ／ ７１八ＰｊＪ’＆）。
しかしながら、ンロキサンボリマはガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が室温より低く、はこりが付着しやすい、膜厚制御
が困維、現像時のパターン変形による解像性低下などの
問題がある。′ｒｇ を向上させるため１則鎖ンＣフ
ェニル４鼻を）４本人（７たクロロメチル化ポリフェニ
ルンロキサンは磁子巌、ｘｇｖこ対しては感度は高いが
紫外線に対しては低感度であり。
ｇ）が室温より低く、はこりが付着しやすい、膜厚制御
が困維、現像時のパターン変形による解像性低下などの
問題がある。′ｒｇ を向上させるため１則鎖ンＣフ
ェニル４鼻を）４本人（７たクロロメチル化ポリフェニ
ルンロキサンは磁子巌、ｘｇｖこ対しては感度は高いが
紫外線に対しては低感度であり。
ホトレジストとして使用できない欠点があった（ Ｍ
、 Ｍｏｒｉｌａ ｅｌａｌ ； Ｊ、
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｍ Ｓｏｃ ／Ｊ
／ （１０）／りｇ４ｔ １”、２１１０．２＞。
、 Ｍｏｒｉｌａ ｅｌａｌ ； Ｊ、
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｍ Ｓｏｃ ／Ｊ
／ （１０）／りｇ４ｔ １”、２１１０．２＞。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は上記の問題点を解決した高゛ｒ。
で紫外線に対し高感度なそして０．ＩＬＩＥ耐性に優れ
之感光性樹脂組成物およびそれを使用し之パターン形成
方法を提供することにある。
之感光性樹脂組成物およびそれを使用し之パターン形成
方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明を概説すれば１本発明のｇ／の発明は感光性樹脂
組成物に関する発明であって、下記一般式（１１ （但し、Ｒは水素またはアルキル基、 Ｒ’ｌ Ｒ２１
凡３はアルキル基、シリル基、芳香族基、ま之は置換芳
香族基の中から選ばれた７種を示し、互に同じでも異な
っていてもよく、又、ｔｍ＋ ｎは正の整数を示す）で
表わされるシリコン含有メタクリレートポリマーに下記
一般式（■ｌ、＠１．（財）でＮ、 ＭＸａ（ＩＩ） １”Ｌ’ｆＬ’Ｉ ＭＸａ＠） 几’Ｒ’Ｒ’Ｓ ＭＸａ
（ｇ（几’＋Ｒ
’＋几６は芳香族基ま比は置換芳香族基を示し、同じで
あっても異なっていても良い。ＭＸ、は１１Ｆ、 ｌ
ＰＦ、ｌ、八５ｋ”６ ＋ Ｓｂｋ’＠の中から選ばれ
ｆｃ／種を示す。）で表わされるオニウム塩を／種類以
上および分光増感剤を添加したことを特徴とする。
組成物に関する発明であって、下記一般式（１１ （但し、Ｒは水素またはアルキル基、 Ｒ’ｌ Ｒ２１
凡３はアルキル基、シリル基、芳香族基、ま之は置換芳
香族基の中から選ばれた７種を示し、互に同じでも異な
っていてもよく、又、ｔｍ＋ ｎは正の整数を示す）で
表わされるシリコン含有メタクリレートポリマーに下記
一般式（■ｌ、＠１．（財）でＮ、 ＭＸａ（ＩＩ） １”Ｌ’ｆＬ’Ｉ ＭＸａ＠） 几’Ｒ’Ｒ’Ｓ ＭＸａ
（ｇ（几’＋Ｒ
’＋几６は芳香族基ま比は置換芳香族基を示し、同じで
あっても異なっていても良い。ＭＸ、は１１Ｆ、 ｌ
ＰＦ、ｌ、八５ｋ”６ ＋ Ｓｂｋ’＠の中から選ばれ
ｆｃ／種を示す。）で表わされるオニウム塩を／種類以
上および分光増感剤を添加したことを特徴とする。
また、本発明の第２の発明はパターン形成方法に関する
発明であって、基材上に有機高分子材層を設け、その上
に感光性樹脂組成物層を設け、その後紫外線を所望のパ
ターン状に照射し、照射部位のみ該感光性樹脂組成物層
を現像溶媒に不溶化させ、現像により未照射部の感光性
樹脂組成物を除去したのち、照射部分の感光性樹脂組成
物をマスクとして酸素を用いるドライエツチングにより
該感光性樹脂組成物で覆われていない部分の該有機高分
子材層をエツチング除去することによりパターンを形成
する方法において、上記シリコン含有メタクリレートポ
リマにオニウム塩を添加してなる感光性樹脂組成物を用
いることを特徴とする。
発明であって、基材上に有機高分子材層を設け、その上
に感光性樹脂組成物層を設け、その後紫外線を所望のパ
ターン状に照射し、照射部位のみ該感光性樹脂組成物層
を現像溶媒に不溶化させ、現像により未照射部の感光性
樹脂組成物を除去したのち、照射部分の感光性樹脂組成
物をマスクとして酸素を用いるドライエツチングにより
該感光性樹脂組成物で覆われていない部分の該有機高分
子材層をエツチング除去することによりパターンを形成
する方法において、上記シリコン含有メタクリレートポ
リマにオニウム塩を添加してなる感光性樹脂組成物を用
いることを特徴とする。
一般式中のｔが大きくなると溶媒溶解性が低下し、使用
しうる現像溶媒の範囲がケトン類にまで拡大てれ、高解
像性のパターン形成に有利となる。
しうる現像溶媒の範囲がケトン類にまで拡大てれ、高解
像性のパターン形成に有利となる。
しかし、ｔの増大はＳｉ含有率の低下をまねき、酸素プ
ラズマ耐性が低下すること、あるいはガラス転移温度（
Ｔｇ）が低下し、材料がガム状となって扱１．−．Ｋ（
くなるなどの欠点がある。特に、シリコンの重量含有率
がｌλ−以下になると酸素プラズマ耐性が著しく減少す
るため、ｔＶｉ３以下であることが好ましい。
ラズマ耐性が低下すること、あるいはガラス転移温度（
Ｔｇ）が低下し、材料がガム状となって扱１．−．Ｋ（
くなるなどの欠点がある。特に、シリコンの重量含有率
がｌλ−以下になると酸素プラズマ耐性が著しく減少す
るため、ｔＶｉ３以下であることが好ましい。
架橋を生じ、当該材料の溶媒浴解性を低下させる。
したがって感光性樹脂組成物はネガ形ホトレジストとな
る。口が増大すればｒＲにより、架橋が生じやすくなる
が、Ｓ１含有率の低下をまねき、酸素プラズマ耐性が低
下する。このため、口は当該材料の光架橋が生ずる最低
盆でよ＜ ｎ／（ｍ＋ｎ）が０、．２０以王好ましくは
０． ／ ０−０． Ｏｊである。
る。口が増大すればｒＲにより、架橋が生じやすくなる
が、Ｓ１含有率の低下をまねき、酸素プラズマ耐性が低
下する。このため、口は当該材料の光架橋が生ずる最低
盆でよ＜ ｎ／（ｍ＋ｎ）が０、．２０以王好ましくは
０． ／ ０−０． Ｏｊである。
次にオニウム塩としてはスル７オニウム塩、ヨードニウ
ム塩、ジアゾニウム塩があげられる。ジアゾニウム塩以
外は吸収が３００ ｎｍ以下にある念め、近紫外線（３
ｊＯ−４Ｌ３０ ｎｍ） Ｉｇ：、対して光分解しにく
い。このため分光増感が必要となる。分光増感剤として
はペリレンなどの多環芳香族、ベニル化合物、ニトロベ
ンゼン、Ｐ−ニトロフェノール、Ｐ−ニトロアニリン等
の芳香族ニトロ化合物。
ム塩、ジアゾニウム塩があげられる。ジアゾニウム塩以
外は吸収が３００ ｎｍ以下にある念め、近紫外線（３
ｊＯ−４Ｌ３０ ｎｍ） Ｉｇ：、対して光分解しにく
い。このため分光増感が必要となる。分光増感剤として
はペリレンなどの多環芳香族、ベニル化合物、ニトロベ
ンゼン、Ｐ−ニトロフェノール、Ｐ−ニトロアニリン等
の芳香族ニトロ化合物。
アントラキノ／のキノン系化合物、ｊ−−４０アセナフ
テンのア七ナフテン系化合物、アントロン系化合物が有
効である。
テンのア七ナフテン系化合物、アントロン系化合物が有
効である。
次に、有機ポリマーとしては、酸素プラズマによりエツ
チングされるものであればいずれのものでもよいが、パ
ターン形成後これをマスクとして基板をドライエツチン
グする際、耐性を高めるため、芳香族含有ポリマーが好
ましい。
チングされるものであればいずれのものでもよいが、パ
ターン形成後これをマスクとして基板をドライエツチン
グする際、耐性を高めるため、芳香族含有ポリマーが好
ましい。
例えばポリエステル系、ノボラック系、エポキシ系・
ポリアミドイミド系、ポリイミド系樹脂など広範囲な高
分子物質を適用することができる。
ポリアミドイミド系、ポリイミド系樹脂など広範囲な高
分子物質を適用することができる。
さらに一般式（１）（ＩＩ）（［１１）ＩＩＭ）中ノＲ
’、 Ｒ” 、 Ｒ” 、 Ｒ’ 、 Ｒ’。
’、 Ｒ” 、 Ｒ” 、 Ｒ’ 、 Ｒ’。
几６ の置換芳香族の置換基としてはメチル基、エチル
基、グリンジル基、ビニル基、プロピル基。
基、グリンジル基、ビニル基、プロピル基。
フェニル基、ナフチル基、メチルフェニ’Ｌ−［、ｆロ
ロメチルフェニル基、とニルフェニル基ナトカ上げられ
る。
ロメチルフェニル基、とニルフェニル基ナトカ上げられ
る。
当該材料のシリコン含有メタクリレートポリマの製造方
法としては、メタクリル酸カリウムとＲ’ ＋ Ｒ”
、几３Ｖｉアルキル基、シリル基、芳香族基。
法としては、メタクリル酸カリウムとＲ’ ＋ Ｒ”
、几３Ｖｉアルキル基、シリル基、芳香族基。
又は置換芳香族基を示し、ｔは正の整数を示す）との反
応によりＳｉ含有メタクリレートモノマーを製造し、こ
れとグリシジルメタクリレートを共重合することにより
得られる。
応によりＳｉ含有メタクリレートモノマーを製造し、こ
れとグリシジルメタクリレートを共重合することにより
得られる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが１
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
（実施例／〜≠）
トリメチルシリルメチルメタクリレートとグリシジルメ
タクリレートの共重合比がＰＪ−／夕 であるシリコン
含有メタクリレートポリマを合成し、それに各種ジアゾ
、７ニウム塩を上記ポリマに対し１０重量％添加したと
きのレジスト特性を表／に示す。
タクリレートの共重合比がＰＪ−／夕 であるシリコン
含有メタクリレートポリマを合成し、それに各種ジアゾ
、７ニウム塩を上記ポリマに対し１０重量％添加したと
きのレジスト特性を表／に示す。
感度及び解像性の評価は以下の方法で行つ几。Ｓｉウェ
ー・に約０．２μｍ厚さで材料を塗布し、ｊＯｏＣで３
０分間Ｎｔ気流中グリベークした。グリベーク後、超高
圧水銀灯を用いて紫外線を照射した。
ー・に約０．２μｍ厚さで材料を塗布し、ｊＯｏＣで３
０分間Ｎｔ気流中グリベークした。グリベーク後、超高
圧水銀灯を用いて紫外線を照射した。
照射後、ジアセトンアルコールとエチルシクロヘキサン
（／／／ ）の混合溶媒で現像し、照射部の残膜が初期
膜厚のＪ′ｏｓとなるところの照射量を感度とした。解
像性は正方形の残しパターンを紫外線露光、現像した時
、剥離せずに・ζターンが形成できろ最小の正方形の一
辺の長さで評価した。感度はいずれも１００ｍＪ／Ｃｍ
”以下であり、エツチング速度はＪ″ｎｍ ／ ｍ ｌ
ｎ以下であり之。この結果より２層レジストの上層レ
ジストとして使用できる。
（／／／ ）の混合溶媒で現像し、照射部の残膜が初期
膜厚のＪ′ｏｓとなるところの照射量を感度とした。解
像性は正方形の残しパターンを紫外線露光、現像した時
、剥離せずに・ζターンが形成できろ最小の正方形の一
辺の長さで評価した。感度はいずれも１００ｍＪ／Ｃｍ
”以下であり、エツチング速度はＪ″ｎｍ ／ ｍ ｌ
ｎ以下であり之。この結果より２層レジストの上層レ
ジストとして使用できる。
（実施例！〜ざ）
実施例／のシリコン含有メタクリレートポリマに各種ヨ
ードニウム塩をポリマに対して１０重黛チそして分光増
感剤としてチオキサントンを０．５重量％添加したとき
のレジスト特性を表２に示す。
ードニウム塩をポリマに対して１０重黛チそして分光増
感剤としてチオキサントンを０．５重量％添加したとき
のレジスト特性を表２に示す。
評価は実施例／と同様で行った。現像溶媒とじてはジイ
ソブチルケトンとエチルシクロヘキサン（／／／）の混
合液を用いた。
ソブチルケトンとエチルシクロヘキサン（／／／）の混
合液を用いた。
（実施例り〜／ｌ）
実施例／のシリコン含有メタクリレートポリマに各種ス
ル７オニウム塩をポリマに対してｌＯ重ｉ％そして分光
増感剤としてフェノチアジンを０、３−重量％添加した
ときのレジスト特性ｔ−表３に示す。評価は実施例／ど
同様に行った。現像溶媒は実施例ｊ−Ｊ’と同じものを
用いた。
ル７オニウム塩をポリマに対してｌＯ重ｉ％そして分光
増感剤としてフェノチアジンを０、３−重量％添加した
ときのレジスト特性ｔ−表３に示す。評価は実施例／ど
同様に行った。現像溶媒は実施例ｊ−Ｊ’と同じものを
用いた。
（実施例７３〜／７）
実施例ＩＯにおけるフェノチアジンの代りに各種分光増
感剤を０．！重ｊＴｈ％添加し几ときのレジスト特性を
表グに示す。評価は実施例ＩＯと同様に行った。比較例
として無添加のものをあげたが、分光増感により高感度
化されることがわかる。
感剤を０．！重ｊＴｈ％添加し几ときのレジスト特性を
表グに示す。評価は実施例ＩＯと同様に行った。比較例
として無添加のものをあげたが、分光増感により高感度
化されることがわかる。
（実施例／ｒ−，２／）
実施例ｌ０ＶＣおいてシリコン含有メタクリレートの共
重合比を変化させたときのレジスト特性を表ｊに示す。
重合比を変化させたときのレジスト特性を表ｊに示す。
評価は実施例１０と同様に行っ之。
グリシジルメタクリレートの量が増加するに伴い感度は
向上するが、酸素プラズマに対するエツチング速度が大
きくなる欠点があつ之。
向上するが、酸素プラズマに対するエツチング速度が大
きくなる欠点があつ之。
（実施例λλ）
シリコンウェハ上に人Ｚ−／３１０ レジスト（シブ
レー社！Ｂ）を１μｍの厚さに塗布し、２００″Ｃで３
０分間加熱し不溶化させた。このＡｚレジストの上に実
施例１０に示し念感光性樹脂組成物を０．２μｍの厚さ
に塗布し、５０°Ｃで３０分間Ｎ。
レー社！Ｂ）を１μｍの厚さに塗布し、２００″Ｃで３
０分間加熱し不溶化させた。このＡｚレジストの上に実
施例１０に示し念感光性樹脂組成物を０．２μｍの厚さ
に塗布し、５０°Ｃで３０分間Ｎ。
気流中プリベークした。プリベーク後、紫外線照射を行
っ之。照射後、実施例ｉｏに示し次現像溶媒で現像し、
Ｏ１！μｍスペースを／、０μｍピッチで形成した。そ
の後平行平板型ドライエツチング装置で酸素ガスをエッ
チャントガスとしてエツチングを行った。
っ之。照射後、実施例ｉｏに示し次現像溶媒で現像し、
Ｏ１！μｍスペースを／、０μｍピッチで形成した。そ
の後平行平板型ドライエツチング装置で酸素ガスをエッ
チャントガスとしてエツチングを行った。
酸素ガス圧ｌＯミリトル、 ＲＦ’パワー〇、／ＷΔ
が。
が。
電極電圧０．７ ＫＶのエツチング条件では実施例１０
の感光性樹脂組成物のエツチング速度は３ ｎｍ ／ｍ
ｉｎ以下であり念。ま九、Ａ！レジストのエツチング速
度はＩＯｎｍ１分であり、１ｌｌＬ分間のエツチングで
感光性樹脂組成物ＶＣ覆われない部分のＡｘレジストは
完全に基板上から消失し之。エソチンｙｎ、ｏ、ｒμｍ
のスペースパターンがレジスト厚／１．２μｍで形成で
きた。これは従来の単層のホトレジストで解像できない
領域である。
の感光性樹脂組成物のエツチング速度は３ ｎｍ ／ｍ
ｉｎ以下であり念。ま九、Ａ！レジストのエツチング速
度はＩＯｎｍ１分であり、１ｌｌＬ分間のエツチングで
感光性樹脂組成物ＶＣ覆われない部分のＡｘレジストは
完全に基板上から消失し之。エソチンｙｎ、ｏ、ｒμｍ
のスペースパターンがレジスト厚／１．２μｍで形成で
きた。これは従来の単層のホトレジストで解像できない
領域である。
（発明の効果）
以上説明したように５本発明で得られ念感光性樹脂組成
物はエポキシ基を含有するメタクリレートポリマに光分
解により酸を生ずるオニウム塩と増感剤を加えた之め紫
外線に対して高感度のネガ形ホトレジストとなる。
物はエポキシ基を含有するメタクリレートポリマに光分
解により酸を生ずるオニウム塩と増感剤を加えた之め紫
外線に対して高感度のネガ形ホトレジストとなる。
ま之、シリコンを含有するため酸素プラズマ耐性が高く
、シたがって２層レジストの上ｊ−レジストとして使用
できる。１層レジストは下層に芳香族含有ポリマーが使
用できるので基板加工に用いるドライエツチングへの耐
性が高＜、ｔｅ、下層を厚くすることにより、基板上の
段差を平坦化し、上層レジストを薄く均一に塗布でき、
高解像化できる。このため、本発明に°よれば、従来の
ホトレジストでは達成できなかった高感度で高形状比。
、シたがって２層レジストの上ｊ−レジストとして使用
できる。１層レジストは下層に芳香族含有ポリマーが使
用できるので基板加工に用いるドライエツチングへの耐
性が高＜、ｔｅ、下層を厚くすることにより、基板上の
段差を平坦化し、上層レジストを薄く均一に塗布でき、
高解像化できる。このため、本発明に°よれば、従来の
ホトレジストでは達成できなかった高感度で高形状比。
しかもＣＦ、などを用いるドライエツチング耐性の高い
パターンを形成できるという顕著な効果がある。
パターンを形成できるという顕著な効果がある。
Claims (2)
- （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒは水素またはアルキル基、Ｒ＾１、Ｒ＾２、
Ｒ＾３はアルキル基、シリル基、芳香族基、または置換
芳香族基の中から選ばれた１種を示し、互に同じでも異
なっていても良く、またｌ、ｍ、ｎはそれぞれ正の整数
を示す。）で表わされるシリコン含有メタクリレートポ
リマに 下記一般式（II）、（III）、（IV） Ｒ＾４Ｎ＾＋＿２ＭＸ＾−＿ａ Ｒ＾４Ｒ＾５Ｉ＾＋ＭＸ＾−＿ａ Ｒ＾４Ｒ＾５Ｒ＾６Ｓ＾＋ＭＸ＾−＿ａ （Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は芳香族基または置換芳香族
基を示し、同じであっても異なっていても良い。 ＭＸ＿ａはＢＦ＿４、ＰＦ＿６、ＡｓＦ＿６、ＳｂＦ＿
６の中から選ばれた１種を示す。） で表わされるオニウム塩を１種類以上および分光増感剤
を添加したことを特徴とする感光性樹脂組成物。 - （２）基材上に有機高分子材層を設け、その上に感光性
樹脂組成物層を設け紫外線を所望のパターン状に照射し
、照射部位のみ該感光性樹脂組成物層を現像溶媒に不溶
化させ、現像により未照射部の該感光性樹脂組成物を除
去したのち、照射部分の感光性樹脂組成物をマスクとし
て酸素を用いるドライエッチングにより該感光性樹脂組
成物で覆われていない部分の該有機高分子材層をエッチ
ング除去することによりパターンを形成する方法におい
て、感光性樹脂組成物として 下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒは水素またはアルキル基、Ｒ＾１、Ｒ＾２、
Ｒ＾３はアルキル基、シリル基、芳香族基、または置換
芳香族基の中から選ばれた１種を示し、互に同じでも異
なっていても良く、またｌ、ｍ、ｎはそれぞれ正の整数
を示す。）で表わされるシリコン含有メタクリレートポ
リマに 下記一般式（II）、（III）、（IV） Ｒ＾４Ｎ＾＋＿２ＭＸ＾−＿ａ Ｒ＾４Ｒ＾５Ｉ＾＋ＭＸ＾−＿ａ Ｒ＾４Ｒ＾５Ｒ＾６Ｓ＾＋ＭＸ＾−＿ａ （Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は芳香族基または置換芳香族
基を示し、同じであっても異なつていても良い。 ＭＸ＿ａはＢＦ＿４、ＰＦ＿６、ＡｓＦ＿６、ＳｂＦ＿
６の中から選ばれた１種を示す。） で表わされるオニウム塩を１種類以上および分光増感剤
を添加したものを用いることを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141400A JPS622251A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 感光性樹脂組成物およびパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141400A JPS622251A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 感光性樹脂組成物およびパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622251A true JPS622251A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15291118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60141400A Pending JPS622251A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 感光性樹脂組成物およびパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247066A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Nec Corp | セラミック電子部品の製造方法 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60141400A patent/JPS622251A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247066A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Nec Corp | セラミック電子部品の製造方法 |
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