JPS6049647B2 - 光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 - Google Patents
光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物Info
- Publication number
- JPS6049647B2 JPS6049647B2 JP14621981A JP14621981A JPS6049647B2 JP S6049647 B2 JPS6049647 B2 JP S6049647B2 JP 14621981 A JP14621981 A JP 14621981A JP 14621981 A JP14621981 A JP 14621981A JP S6049647 B2 JPS6049647 B2 JP S6049647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formulas
- tables
- group
- carbon
- polysilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な光又は放射線硬化性ポリオルガノシロ
キサン組成物に関するものである。
キサン組成物に関するものである。
光重合性組成物については、すでに種々のものが開発さ
れダイオード、トランジスター、集積回路等の半導体装
置のコーティング剤、印刷におけ”る製版などの種々の
用途に利用されている。最近、それらの光重合性組成物
の一つとしてシリコーンを主体とする光重合性組成物(
例えば、小関ら:日本印刷学会論文集、16(3)、1
26(1976))の開発が試みられている。しかし、
現在までに知られているシリコーンを主体とする光重合
性組成物は、(a)光重合性ポリシロキサンの合成が煩
雑であつたり、(b)光硬化性が充分でなかつたり、(
C)光重合性ポリシロキサンと増感剤との相溶性が悪か
つたり、(d)ポリメチルビ”ニルシロキサンとビスア
ジド化合物との相溶性が悪く、これらが原因となつてコ
ーティング剤や印刷における製版などに使用されていな
い。
れダイオード、トランジスター、集積回路等の半導体装
置のコーティング剤、印刷におけ”る製版などの種々の
用途に利用されている。最近、それらの光重合性組成物
の一つとしてシリコーンを主体とする光重合性組成物(
例えば、小関ら:日本印刷学会論文集、16(3)、1
26(1976))の開発が試みられている。しかし、
現在までに知られているシリコーンを主体とする光重合
性組成物は、(a)光重合性ポリシロキサンの合成が煩
雑であつたり、(b)光硬化性が充分でなかつたり、(
C)光重合性ポリシロキサンと増感剤との相溶性が悪か
つたり、(d)ポリメチルビ”ニルシロキサンとビスア
ジド化合物との相溶性が悪く、これらが原因となつてコ
ーティング剤や印刷における製版などに使用されていな
い。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくした新
規な光又は放射線硬化ポリオルガノシロキサン組成物を
提供するにある。
規な光又は放射線硬化ポリオルガノシロキサン組成物を
提供するにある。
上記目的は、以下(a)〜(c)よりなる組成物まで達
成される。
成される。
(a)炭素一炭素二重結合含有ポリオルガノシロキサン
。
。
(b)光又は放射線開始剤としてポリシラン又はポリシ
ランアルカン。
ランアルカン。
(c)必要に応じて加える増感剤。
そして、この組成物は上記(a)、(b)が分離しない
ので、光又は放射線重合がむらなく起る。
ので、光又は放射線重合がむらなく起る。
次に本発明に用いる材料などについて説明する。
炭素一炭素二重結合含有ポリオルガノシロキサンは、具
体的には下記一般式で表わされる化合物のうち選ばれる
少なくとも一種類の化合物がよい。(但し、式中、R1
、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9)RlO
)Rll)Rl2)Rl4〜Rl4)Rl5)Rl6)
Rl7)Rl8)Rl9)R2O〜R2l)R23)R
24〜RZ)R26)R27は炭素一炭素二重結合を有
する基、アルキル基、アリール基であり、かつ上記の何
れか1個に炭素一炭素二重結合を有する基、R7、R2
2は−(CH2+−Xは水素又はアルキル基、アリール
基、炭素一炭素二重結合を有する基の何れか1個を含む
トリオルガノシリル基、1、M..nは正の整数でpは
1、2、3である。
体的には下記一般式で表わされる化合物のうち選ばれる
少なくとも一種類の化合物がよい。(但し、式中、R1
、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9)RlO
)Rll)Rl2)Rl4〜Rl4)Rl5)Rl6)
Rl7)Rl8)Rl9)R2O〜R2l)R23)R
24〜RZ)R26)R27は炭素一炭素二重結合を有
する基、アルキル基、アリール基であり、かつ上記の何
れか1個に炭素一炭素二重結合を有する基、R7、R2
2は−(CH2+−Xは水素又はアルキル基、アリール
基、炭素一炭素二重結合を有する基の何れか1個を含む
トリオルガノシリル基、1、M..nは正の整数でpは
1、2、3である。
)ポリシランもしくはポリシラアルカンは、以下(1)
〜(Iv)のものが挙げられる。
〜(Iv)のものが挙げられる。
(1)単環式ポリシラン、(R28R29Si)q(但
し式中R28、R29はアルキル基、アリール基、ビニ
ル基またはアルキル基、アリール基、ビニル基を有する
トリオルガノシリル基、qは4以上の整数である)で表
わされる化合物、具体的にはf下の化合物が挙げられる
。
し式中R28、R29はアルキル基、アリール基、ビニ
ル基またはアルキル基、アリール基、ビニル基を有する
トリオルガノシリル基、qは4以上の整数である)で表
わされる化合物、具体的にはf下の化合物が挙げられる
。
ENc:110/−←0/
〔(C6ll5)2S06、〔(36H5)2S1〕3
、〔(C6H5)2S04(Ii) (1)の一つの環
からなる環状ポリシラン以外0eNc:110/−←0
/多環式ポリシラン、具体的には、以下の化合物が挙げ
られる。
、〔(C6H5)2S04(Ii) (1)の一つの環
からなる環状ポリシラン以外0eNc:110/−←0
/多環式ポリシラン、具体的には、以下の化合物が挙げ
られる。
(Iil状ポリシラン、R3O榊1)F−R33(但し
、式中)R3O)R3l)R32)Rおはアルキル基)
アリール基、ビニル基、またはアルキル基、アリール基
、ビニル基、を有するトリオルガノシリル基、γは3以
上の整数である。
、式中)R3O)R3l)R32)Rおはアルキル基)
アリール基、ビニル基、またはアルキル基、アリール基
、ビニル基、を有するトリオルガノシリル基、γは3以
上の整数である。
)で表わされる化合物、具体的には以下の化合物が挙げ
られる。v)環状ポリシラアルカン、
(但し、R34、R35はア・レキル基、アリー
ル基、ビニル基でsは3、4、5、で、tは整数である
。)て表わされる化合飯具体的には以下の化合物が挙げ
られる。上記したポリシラン又はポリシラアルカンの使
用量は、とくに限定される理由がないが、これは炭素一
炭素二重結合含有ポリオルガノシロキサンに対しておお
むね0.1〜5唾量%とすることが望ましい。
られる。v)環状ポリシラアルカン、
(但し、R34、R35はア・レキル基、アリー
ル基、ビニル基でsは3、4、5、で、tは整数である
。)て表わされる化合飯具体的には以下の化合物が挙げ
られる。上記したポリシラン又はポリシラアルカンの使
用量は、とくに限定される理由がないが、これは炭素一
炭素二重結合含有ポリオルガノシロキサンに対しておお
むね0.1〜5唾量%とすることが望ましい。
この範囲を逸脱すると、膜の特性低下ワニスの安定性等
に悪影響を及ぼす。光又は放射線硬化性ポリオルガノシ
ロキサン組成物を支持体上に塗布するときは、粘度調整
のため、溶媒、希釈剤などを添加する。
に悪影響を及ぼす。光又は放射線硬化性ポリオルガノシ
ロキサン組成物を支持体上に塗布するときは、粘度調整
のため、溶媒、希釈剤などを添加する。
溶媒としては、例えばヘプタン、シクロペンタン、シク
ロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、ベンゼン、テ
トラリン、ベラトロール、トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素系溶媒、トリクロエチレン、テトラクロロ
エチレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼンなどのハロ
ゲン化炭化水素溶媒、2−フエノキシテトラヒドロピラ
ン、2−フェノキシテトラヒドロフランなどの炭化水素
系溶媒、N−ベンジルー2−ピロリドン、N−アセチル
ーε一カプロラクタムなどの極性溶媒などが挙げられる
。
ロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、ベンゼン、テ
トラリン、ベラトロール、トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素系溶媒、トリクロエチレン、テトラクロロ
エチレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼンなどのハロ
ゲン化炭化水素溶媒、2−フエノキシテトラヒドロピラ
ン、2−フェノキシテトラヒドロフランなどの炭化水素
系溶媒、N−ベンジルー2−ピロリドン、N−アセチル
ーε一カプロラクタムなどの極性溶媒などが挙げられる
。
希釈剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エステル
系溶媒、ケトン系溶媒などで、炭素一炭素二重結合含有
ポリオルガノシロキサンに対して不活性なものが挙げら
れる。
系溶媒、ケトン系溶媒などで、炭素一炭素二重結合含有
ポリオルガノシロキサンに対して不活性なものが挙げら
れる。
増感剤としては、例えば有機ケイ素含有ベンゾフェノン
誘導体などが挙げられる。
誘導体などが挙げられる。
使用量は、とくに限定する理由はないが、炭素一炭素二
重結合含有ポリオルガノシロキサンに対しておおむね0
.05〜2呼量%とすることが望ましい。この範囲を逸
脱すると、硬化被膜の強度の低下、ワニスの安定性など
に悪影響を及ぼす。上記した材料を用いた光又は放射線
硬化性ポリオルガノシロキサン組成物は、これを適当な
支持体の上に塗布し、乾燥した後、遠紫外線、紫外線、
可視光線、軟X線、電子線などを露光すると、露光部分
は硬化し、耐熱性、耐薬品性、耐食性などに優れたきわ
めて高強度の不溶性の被膜となる。
重結合含有ポリオルガノシロキサンに対しておおむね0
.05〜2呼量%とすることが望ましい。この範囲を逸
脱すると、硬化被膜の強度の低下、ワニスの安定性など
に悪影響を及ぼす。上記した材料を用いた光又は放射線
硬化性ポリオルガノシロキサン組成物は、これを適当な
支持体の上に塗布し、乾燥した後、遠紫外線、紫外線、
可視光線、軟X線、電子線などを露光すると、露光部分
は硬化し、耐熱性、耐薬品性、耐食性などに優れたきわ
めて高強度の不溶性の被膜となる。
非露光部分は溶媒などで処理すると容易に流出するので
、これによつて均一な連続被膜はもちろんのこと、任意
の画像状の被膜をも容易に形成できる。なお、用途によ
つては光又は放射線露光とともに加熱すれば硬化がさら
に完全になり、よりすぐれた硬化膜を得ることができる
に、上記の溶剤処理後に光又は放射線によつて硬化した
被膜を加熱すれば硬化がさらに完全になり、すぐれた硬
化膜を得ることができる。本発明で用いる支持体として
は、例えは銅、アルミニウム、クロムなどの金属、Ti
O2、SiOl*SjOX,.Ta2O5などの金属酸
化物絶縁体、窒化ケイ素、ポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステルなどの合成樹脂などが挙げられる。
、これによつて均一な連続被膜はもちろんのこと、任意
の画像状の被膜をも容易に形成できる。なお、用途によ
つては光又は放射線露光とともに加熱すれば硬化がさら
に完全になり、よりすぐれた硬化膜を得ることができる
に、上記の溶剤処理後に光又は放射線によつて硬化した
被膜を加熱すれば硬化がさらに完全になり、すぐれた硬
化膜を得ることができる。本発明で用いる支持体として
は、例えは銅、アルミニウム、クロムなどの金属、Ti
O2、SiOl*SjOX,.Ta2O5などの金属酸
化物絶縁体、窒化ケイ素、ポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステルなどの合成樹脂などが挙げられる。
上記の組成物を支持体に塗布するには、例えば回転塗布
法、印刷、ロールコーターなど通常の方法で塗布する。
本発明の光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組
成物で、画像状の硬化被膜を形成するには、これを支持
体上に薄膜状に塗布した、これに原版を密着させて露光
し、ついで現像、乾燥後、熱キユアーすると、露光部分
は耐熱性、耐溶媒性、耐熱性のすぐれた被膜となり、こ
れは刷版、プリント配線などのエッチング用レジストな
どとしてできるし、また、上記の硬化した被膜がスパッ
ターされにくいので、イオンエッチング用レジストとし
ても使用することができる。また、半導体のコーテング
剤、半導体保護膜半導体層間絶縁膜、レジスト、塗料、
印刷インキなどへの応用も可能である。
法、印刷、ロールコーターなど通常の方法で塗布する。
本発明の光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組
成物で、画像状の硬化被膜を形成するには、これを支持
体上に薄膜状に塗布した、これに原版を密着させて露光
し、ついで現像、乾燥後、熱キユアーすると、露光部分
は耐熱性、耐溶媒性、耐熱性のすぐれた被膜となり、こ
れは刷版、プリント配線などのエッチング用レジストな
どとしてできるし、また、上記の硬化した被膜がスパッ
ターされにくいので、イオンエッチング用レジストとし
ても使用することができる。また、半導体のコーテング
剤、半導体保護膜半導体層間絶縁膜、レジスト、塗料、
印刷インキなどへの応用も可能である。
前記した任意の画像状の被膜を形成するときに用いる現
像溶媒は、前記した希釈溶媒もしくは前記した希釈溶媒
とエタノール、メタノール、プロピルアルコール、メチ
ルセロソルブなど(前記したポリマーの非溶媒)との混
合溶媒が挙げられる。
像溶媒は、前記した希釈溶媒もしくは前記した希釈溶媒
とエタノール、メタノール、プロピルアルコール、メチ
ルセロソルブなど(前記したポリマーの非溶媒)との混
合溶媒が挙げられる。
現像によつて形成された画像部分(リーフ・パターン)
は、次いでリンス液によつて洗浄し、現像溶媒を除去す
る。
は、次いでリンス液によつて洗浄し、現像溶媒を除去す
る。
リンス液には現像液との混和性のよいメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール(前記したポリオルガ
ノシロキサンの非溶媒)などが例として挙げられる。以
下、本発明を実施例により説明する。
ノール、イソプロピルアルコール(前記したポリオルガ
ノシロキサンの非溶媒)などが例として挙げられる。以
下、本発明を実施例により説明する。
実施例1
で表わされる化合物40ダ、〔(CH3)2Si〕62
y1キシレン10gを混合し、充分攪拌して均一な光又
は放射線硬化性ポリメチルビニルシロキサン組成物を調
整した。
y1キシレン10gを混合し、充分攪拌して均一な光又
は放射線硬化性ポリメチルビニルシロキサン組成物を調
整した。
ついで、これを乾燥後の膜厚が約20μmになるように
ガラス板上に回転塗布法で塗布し、これを90にC30
分間乾燥し、30cmはなれた3KW超高圧水銀灯から
紫外線を3分間照射したところ耐薬品性、耐熱性、耐食
性にすぐれた硬化被膜が得られた。硬化被膜は、光又は
放射線開始剤が分離析出することなく均一に硬化してい
た。
ガラス板上に回転塗布法で塗布し、これを90にC30
分間乾燥し、30cmはなれた3KW超高圧水銀灯から
紫外線を3分間照射したところ耐薬品性、耐熱性、耐食
性にすぐれた硬化被膜が得られた。硬化被膜は、光又は
放射線開始剤が分離析出することなく均一に硬化してい
た。
実施例2
表のNO.l〜NO.9に示すように、炭素一炭素二重
結合含有ポリオルガノシロキサン、光又は放射線開始剤
、希釈剤を配合して光又は放射線硬化性ポリメチルビニ
ルシロキサン組成物を調整した。
結合含有ポリオルガノシロキサン、光又は放射線開始剤
、希釈剤を配合して光又は放射線硬化性ポリメチルビニ
ルシロキサン組成物を調整した。
これらの組成物は、表のNO.l〜NO.9に示すよう
に、それぞれ均一に溶解していた。これら組成物をそれ
ぞれ実施例1と同様にして支持体上に塗布し、乾燥し、
紫外線を照射したところ、表のNO.l〜NO.9に示
すようにそれぞれ感度は良好であり、均一な皮膜が得ら
れた。実施例3 で表わされる分子量48000のポリマ
ー10yを100ダのテトラヒドロフランに溶解し、こ
れにピリジン5ダを加えたのち、
4ダを加えて50′Cで1?間反応させる。
に、それぞれ均一に溶解していた。これら組成物をそれ
ぞれ実施例1と同様にして支持体上に塗布し、乾燥し、
紫外線を照射したところ、表のNO.l〜NO.9に示
すようにそれぞれ感度は良好であり、均一な皮膜が得ら
れた。実施例3 で表わされる分子量48000のポリマ
ー10yを100ダのテトラヒドロフランに溶解し、こ
れにピリジン5ダを加えたのち、
4ダを加えて50′Cで1?間反応させる。
反応混合物をメタノールに注ぎ、ブロックポリマーを沈
殿させる。
殿させる。
得られたポリマーを精製するためにメタノールで繰り返
し洗浄したのち、風乾さらに50゜Cで真空乾燥する。
ブロックポリマーの収量は11yであつた。このポリマ
5y、〔(CH3)2Si〕60.5yにキシレン20
yを加え、これを充分に攪拌して均一な光又は放射線硬
化性ポリオルガノシロキサン組成物を調整した。ついで
、これを乾燥後の膜厚が約2pmになるようにシリコン
ウェハ上に塗布し、これを900Cで3紛間乾燥したの
ち、この塗膜に縞模様のマスクを密着させ、500W(
7)Xe−Hg灯で遠紫外線照射した。得られた硬化被
膜は、光又は放射線開始剤がポリマから分離析出するこ
となく、均一に硬化していた。比較例 ポリメチルビニルシロキサン40y12・6−ジ(4″
−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン0.
4y1キシレン40yを混合し、充分攪拌して若干不均
一な光又は放射線硬化性ポリメチルビニルシロキサン組
成物を調整した。
し洗浄したのち、風乾さらに50゜Cで真空乾燥する。
ブロックポリマーの収量は11yであつた。このポリマ
5y、〔(CH3)2Si〕60.5yにキシレン20
yを加え、これを充分に攪拌して均一な光又は放射線硬
化性ポリオルガノシロキサン組成物を調整した。ついで
、これを乾燥後の膜厚が約2pmになるようにシリコン
ウェハ上に塗布し、これを900Cで3紛間乾燥したの
ち、この塗膜に縞模様のマスクを密着させ、500W(
7)Xe−Hg灯で遠紫外線照射した。得られた硬化被
膜は、光又は放射線開始剤がポリマから分離析出するこ
となく、均一に硬化していた。比較例 ポリメチルビニルシロキサン40y12・6−ジ(4″
−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン0.
4y1キシレン40yを混合し、充分攪拌して若干不均
一な光又は放射線硬化性ポリメチルビニルシロキサン組
成物を調整した。
ついで、これを乾燥後の膜厚が約2μmlこなるように
ガラス板上に塗布し、これを90゜C3吟間乾燥したの
ち、30cmはなれた3KW超高圧水銀灯から紫外線を
3分間照射したところ、得られた硬化膜から上記のアジ
ド化合物が分離析出し、被膜が不均一で光硬化にむらが
あつた。また、得られた硬化膜はキシレンなどに一部溶
解した。
ガラス板上に塗布し、これを90゜C3吟間乾燥したの
ち、30cmはなれた3KW超高圧水銀灯から紫外線を
3分間照射したところ、得られた硬化膜から上記のアジ
ド化合物が分離析出し、被膜が不均一で光硬化にむらが
あつた。また、得られた硬化膜はキシレンなどに一部溶
解した。
以上詳述したように、本発明によれば、以下(a)〜(
c)の効果がある。(a)光又は放射線重合性ポリシロ
キサンの合成が容易である。
c)の効果がある。(a)光又は放射線重合性ポリシロ
キサンの合成が容易である。
(b) 光又は放射線重合性ポリシロキサンと増感剤と
の相溶性が良いので、硬化反応が均一かつ十分に起こる
。
の相溶性が良いので、硬化反応が均一かつ十分に起こる
。
(C)コーティング印刷に適している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a)炭素−炭素二重結合含有ポリオルガノシロキ
サン、(b)光又は放射線開始剤としてのポリシランも
しくはポリシラアルカン、(c)必要に応じて加える増
感剤、 よりなることを特徴とする光又は放射線硬化性ポリオル
ガノシロキサン組成物。 2 炭素−炭素二重結合含有ポリオルガノシロキサンが
、下記一般式(1)〜(8)で表わされる化合物のうち
から選ばれた少なくとも1種類の化合物であり、▲数式
、化学式、表等があります▼・・・・・(1),▲数式
、化学式、表等があります▼・・・・・(2),▲数式
、化学式、表等があります▼・・・・・(3)▲数式、
化学式、表等があります▼・・・・・(4)▲数式、化
学式、表等があります▼・・・・・(5)▲数式、化学
式、表等があります▼・・・・・(6)▲数式、化学式
、表等があります▼・・・・・(7)▲数式、化学式、
表等があります▼・・・・・(8)(但し、式中、R_
1、R_2、R_3、R_4、R_5、R_6、R_7
、R_8、R_9、R_1_0、R_1_1、R_1_
2、R_1_4、R_1_5、R_1_6、R_1_7
、R_1_8、R_1_9、R_2_0、R_2_1、
R_2_3、R_2_4、R_2_5、R_2_6、R
_2_7、は炭素−炭素二重結合をする基、アルキル基
、アリール基であり、かつ上記のRの何れか1個に炭素
−炭素二重結合を有する基、R_7、R_2_2は▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、X
は水素又はアルキル基、アリール基、炭素−炭素二重結
合を有する基の何れか1個を含むトリオルガノシリル基
、l、m、nは正の整数でpは1、2、3である。 )ポリシランが下記一般式(i)〜(iv)で表わされ
る化合物のうちから選ばれた少なくとも一種類の化合物
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物。 (i)単環式ポリシラン、(R_2_8R_2_9Si
)_q(但し、式中R_2_8、R_2_9はアルキル
基、アリール基、ビニル基、qは4以上の整数)(ii
)上記(i)の一つの環からなる環状ポリシラン以外の
多環式ポリシラン(iii)鎖状ポリシラン、▲数式、
化学式、表等があります▼(但し、R_3_0、R_3
_1、R_3_2、R_3_3はアルキル基、アリール
基、ビニル基またはアルキル基、アリール基、ビニル基
を有するトリオルガノシリル基、γは3以上の整数であ
る。 )(iv)環状ポリシラアルカン、 ▲数式、化学式、表等があります▼(但し、R_3_4
、R_3_5はアルキル基、アリール基、ビニル基、S
は3、4、5、tは整数である。 )
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14621981A JPS6049647B2 (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14621981A JPS6049647B2 (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849717A JPS5849717A (ja) | 1983-03-24 |
| JPS6049647B2 true JPS6049647B2 (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=15402797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14621981A Expired JPS6049647B2 (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049647B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5869217A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
| JPS6052845A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
| US4548690A (en) * | 1984-02-28 | 1985-10-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photoactivated polymerization of vinyl monomers in the presence of polysilanes and amines |
| JPS61503052A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-12-25 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | リソグラフィプロセスを含むデバイス製作 |
| JPS6180243A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ネガ型オルガノシロキサンレジスト |
| JP2541566B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1996-10-09 | 富士通株式会社 | パタ−ン形成材料 |
| JP2608429B2 (ja) * | 1987-11-09 | 1997-05-07 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
| JP2610289B2 (ja) * | 1988-02-27 | 1997-05-14 | 富士通株式会社 | パターン形成材料 |
| JP2623780B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1997-06-25 | 富士通株式会社 | 有機硅素重合体レジスト組成物 |
| US5017406A (en) * | 1988-12-08 | 1991-05-21 | Dow Corning Corporation | UV curable compositions cured with polysilane and peroxide initiators |
| JP2850460B2 (ja) * | 1990-03-24 | 1999-01-27 | ソニー株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2733131B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1998-03-30 | 沖電気工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14621981A patent/JPS6049647B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5849717A (ja) | 1983-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4985342A (en) | Polysiloxane pattern-forming material with SiO4/2 units and pattern formation method using same | |
| KR100591663B1 (ko) | 오르가노실록산계 고분자 화합물, 광경화성 수지 조성물,패턴 형성 방법 및 기판 보호용 피막 | |
| JPS6049647B2 (ja) | 光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 | |
| TW200813627A (en) | Photosensitive resin composition, laminate comprising the same, cured product of the same and method for forming pattern using the same (2) | |
| JPH0623840B2 (ja) | 高感度ポリアミドエステルホトレジスト組成物 | |
| US3669662A (en) | Cyclic polyisoprene photoresist compositions | |
| JPS63199715A (ja) | o−ニトロカルビノールエステル基を有する共重合体及び該共重合体を用いた2層レジスト並びに半導体素子の製法 | |
| JPH02261862A (ja) | 光重合性樹脂組成物 | |
| JPS6127537A (ja) | レジスト剤 | |
| EP0637776B1 (en) | Photosensitive resin composition and process for forming relief pattern therefrom | |
| JPS6337823B2 (ja) | ||
| JPS6120031A (ja) | レジスト材料およびその製造方法 | |
| JPH04159553A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| EP0326314A2 (en) | Photoresist compositions based on acetoxystyrene copolymers | |
| JPS6061744A (ja) | 光及び放射線感応性有機高分子材料 | |
| JPS6340142A (ja) | シリコ−ン系レジスト材料 | |
| JPS622251A (ja) | 感光性樹脂組成物およびパタ−ン形成方法 | |
| JPS6012545A (ja) | 光及び放射線感応性有機高分子材料 | |
| JPS5848046A (ja) | 遠紫外線露光用レジスト材料 | |
| JPS60220341A (ja) | 感光性ホトレジスト組成物及びパタ−ン形成方法 | |
| JPS63118739A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS61118745A (ja) | 光および放射線感応性有機高分子材料 | |
| JPS6299746A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPH01129246A (ja) | 感光性耐熱樹脂組成物 | |
| JPH05323612A (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 |