JPS62226411A - 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62226411A JPS62226411A JP7015486A JP7015486A JPS62226411A JP S62226411 A JPS62226411 A JP S62226411A JP 7015486 A JP7015486 A JP 7015486A JP 7015486 A JP7015486 A JP 7015486A JP S62226411 A JPS62226411 A JP S62226411A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yoke
- insulating layer
- head
- forming
- soft magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000001283 organosilanols Chemical class 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書込まれた磁気的情報を、所謂
：磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう磁気抵抗効
果素子（以下、ＭＲ素子と呼ぶ）を用いた磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）に関するものである
。尚、以下の説明では煩雑さを避ける為、磁気シールド
層等、本発明と直接関係の無いＭＲヘッドの構成要素は
省略して説明する。
：磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう磁気抵抗効
果素子（以下、ＭＲ素子と呼ぶ）を用いた磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）に関するものである
。尚、以下の説明では煩雑さを避ける為、磁気シールド
層等、本発明と直接関係の無いＭＲヘッドの構成要素は
省略して説明する。
（従来の技術）
周知の通り強磁性合金薄膜より成るＭＲ素子は、信号磁
界に対する再生感度が高く、しかも磁束応答型である為
、信号出力が相対速度に依存せず、高周波領域まで一定
の出力が得られるなど優れた特徴を具備している。その
為、磁気記録の分野では、前述した如き優れた特徴を持
つＭＲ素子を高記録密度再生用ヘッド、所謂ＭＲヘッド
として使用することが考えられており、種々の検討が活
発に行なわれている。この様なＭＲヘッドとして第２図
に示した如き構造を有するヨーク・タイプＭＲヘッドは
、ＭＲ素子の高い再生効率し高い信頼性を有している為
注目されている。すなわち、ヨーク・タイプＭＲヘッド
においては、第２図に示した通りＭＲ素子３は、ギャッ
プ側の媒体対向面からリセスして形成される為、ヨーク
の無いＭＲヘッドと異なり媒体対向面にＭＲ素子３の端
部が露出せず、ＭＲ素子３の腐食等による信頼性の低下
が抑制される。又、このことは媒体とＭＲ素子３との接
触によるスパイク・ノイズも低減も意味しておりこの観
点からも信頼性の高いＭＲヘッドが実現される。
界に対する再生感度が高く、しかも磁束応答型である為
、信号出力が相対速度に依存せず、高周波領域まで一定
の出力が得られるなど優れた特徴を具備している。その
為、磁気記録の分野では、前述した如き優れた特徴を持
つＭＲ素子を高記録密度再生用ヘッド、所謂ＭＲヘッド
として使用することが考えられており、種々の検討が活
発に行なわれている。この様なＭＲヘッドとして第２図
に示した如き構造を有するヨーク・タイプＭＲヘッドは
、ＭＲ素子の高い再生効率し高い信頼性を有している為
注目されている。すなわち、ヨーク・タイプＭＲヘッド
においては、第２図に示した通りＭＲ素子３は、ギャッ
プ側の媒体対向面からリセスして形成される為、ヨーク
の無いＭＲヘッドと異なり媒体対向面にＭＲ素子３の端
部が露出せず、ＭＲ素子３の腐食等による信頼性の低下
が抑制される。又、このことは媒体とＭＲ素子３との接
触によるスパイク・ノイズも低減も意味しておりこの観
点からも信頼性の高いＭＲヘッドが実現される。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、この様なヨーク・タイプＭＲヘッドにおいて
は、高い再生効率を実現する為、媒体からの漏洩磁束を
ヨーク４を通じて効率良＜ＭＲ素子３に流入させること
が重要なポイントであり、その為ヨーク４とＭＲ素子３
との間の絶縁層の厚み（第２図中ｔで表示）を可能な限
り小さく設定することが求められていた。
は、高い再生効率を実現する為、媒体からの漏洩磁束を
ヨーク４を通じて効率良＜ＭＲ素子３に流入させること
が重要なポイントであり、その為ヨーク４とＭＲ素子３
との間の絶縁層の厚み（第２図中ｔで表示）を可能な限
り小さく設定することが求められていた。
しかし、絶縁層を薄くすることは、ヨーク４を形成する
エツチング加工のオーバーエツチングの許容範囲の低下
をもたらし、エツチング時に、ＭＲ素子３上の絶縁層が
除去されＭＲ素子３が損傷を受け、ＭＲヘッドの製造プ
ロセス上大きな問題点となっていた。
エツチング加工のオーバーエツチングの許容範囲の低下
をもたらし、エツチング時に、ＭＲ素子３上の絶縁層が
除去されＭＲ素子３が損傷を受け、ＭＲヘッドの製造プ
ロセス上大きな問題点となっていた。
又、第２図の様な従来のヨーク・タイプＭＲヘッドにお
いてはヨーク４は必ずＭＲ素子３の段差（実際には、バ
イアス印加用導体帰等による段差もこれに相乗される）
を経験する為、段差部でヨーク４の磁気特性（特に透磁
率）が劣化し、ＭＲヘッドの再生効率が低下するという
欠点もあった。
いてはヨーク４は必ずＭＲ素子３の段差（実際には、バ
イアス印加用導体帰等による段差もこれに相乗される）
を経験する為、段差部でヨーク４の磁気特性（特に透磁
率）が劣化し、ＭＲヘッドの再生効率が低下するという
欠点もあった。
本発明は上記の問題点を解決したヨーク・タイプＭＲヘ
ッドを提供することを目的とする。
ッドを提供することを目的とする。
（問題点を解決する為の手段）
本発明のヨーク・タイプＭＲヘッドにおいては、あらか
じめ下地層に形成された凹部に埋めこまれ平坦化された
高透磁率軟磁性ヨーク上に非磁性絶縁層を介してＭＲ素
子が積層された構造を有するものである。ここで、前記
ヨークは下地層に凹部を形成する工程、バイアス・スパ
ッタ法により高透磁率軟磁性材料を成膜する工程、フォ
トレジストを回転塗布する工程、エッチバック工程、非
磁性絶縁層を成膜する工程をこの順序で順次行なうこと
により形成される。
じめ下地層に形成された凹部に埋めこまれ平坦化された
高透磁率軟磁性ヨーク上に非磁性絶縁層を介してＭＲ素
子が積層された構造を有するものである。ここで、前記
ヨークは下地層に凹部を形成する工程、バイアス・スパ
ッタ法により高透磁率軟磁性材料を成膜する工程、フォ
トレジストを回転塗布する工程、エッチバック工程、非
磁性絶縁層を成膜する工程をこの順序で順次行なうこと
により形成される。
（作用）
本発明によるヨーク・タイプＭＲヘッドにおいては従来
のヘッドと異なりヨーク形成後にＭＲ素子が形成される
為、ヨーク形成時にＭＲ素子が損傷を受けることは原理
的に生じ得ない。又、ヨークとＭＲ素子との間の絶縁層
の厚みに、ヨーク形成時のオーバーエッチ量を加えるこ
とが不必要となり、純粋に電気的絶縁性のみを考慮すれ
ば良い。
のヘッドと異なりヨーク形成後にＭＲ素子が形成される
為、ヨーク形成時にＭＲ素子が損傷を受けることは原理
的に生じ得ない。又、ヨークとＭＲ素子との間の絶縁層
の厚みに、ヨーク形成時のオーバーエッチ量を加えるこ
とが不必要となり、純粋に電気的絶縁性のみを考慮すれ
ば良い。
又、ヨークは下地層にあらかじめ形成された凹部に、高
透磁率軟磁性材料を成膜後、フォトレジストの回転塗布
工程、エッチバック工程を経ることにより、はぼ完全に
埋めこまれ平坦化されて形成される為、ＭＲ素子の経験
する段差は５０Å以下となり高い再生効率が保証される
。
透磁率軟磁性材料を成膜後、フォトレジストの回転塗布
工程、エッチバック工程を経ることにより、はぼ完全に
埋めこまれ平坦化されて形成される為、ＭＲ素子の経験
する段差は５０Å以下となり高い再生効率が保証される
。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明を説明する。第１図は本発明
によるヨーク、タイプＭＲヘッドの構造を示す概略断面
図である。
によるヨーク、タイプＭＲヘッドの構造を示す概略断面
図である。
第１図において、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト基板１上に
ヨークの下地層となる絶縁層２をスパッタリング法によ
り成膜した。この絶縁層の膜厚は１．３ｐｍで材質は５
ｉ０２である。ついで、前記絶縁層２に深さ１゜０１１
ｍの凹部をイオンエツチングにより形成し、その後、膜
厚１ｐｍのＣ０９０ＺｒｌＯ（重量比）膜をスパッタし
、前記凹部に埋めこみ平坦化してヨーク４を形成した。
ヨークの下地層となる絶縁層２をスパッタリング法によ
り成膜した。この絶縁層の膜厚は１．３ｐｍで材質は５
ｉ０２である。ついで、前記絶縁層２に深さ１゜０１１
ｍの凹部をイオンエツチングにより形成し、その後、膜
厚１ｐｍのＣ０９０ＺｒｌＯ（重量比）膜をスパッタし
、前記凹部に埋めこみ平坦化してヨーク４を形成した。
その後、膜厚５００人の５ｉ０２より成る絶縁層５を前
述のヨーク４上に成膜した。ついで、前記絶縁物層５の
上に、Ｎ１ｓ□、５Ｆｅｔｓ、５（重量比）の組成を有
し、膜厚４００ÅのＭＲ素子３を形成してヨーク、タイ
プＭＲヘッドを試作した。
述のヨーク４上に成膜した。ついで、前記絶縁物層５の
上に、Ｎ１ｓ□、５Ｆｅｔｓ、５（重量比）の組成を有
し、膜厚４００ÅのＭＲ素子３を形成してヨーク、タイ
プＭＲヘッドを試作した。
以下、ヨーク４の埋めこみ平坦化について第３図を用い
て更に説明する。
て更に説明する。
前述した様にフェライト基板１上にヨークの下地層とな
る５ｉ０２より成る絶縁層２をスパッタリング法で成膜
する（第３図（ａ））。ついで第３図（ｂ）に示した様
にヨークの形成される領域に、あらかじめイオンエツチ
ングにより四部を形成する。本実施例においては、前記
凹部の深さは１．０ｐｍとした。尚、イオンエツチング
後、ヨークとフェライト基板との磁気的結合を強固とす
る為第３図（ｂ）のＡ部絶縁層を再度エツチングで除去
しておくことが望ましい。
る５ｉ０２より成る絶縁層２をスパッタリング法で成膜
する（第３図（ａ））。ついで第３図（ｂ）に示した様
にヨークの形成される領域に、あらかじめイオンエツチ
ングにより四部を形成する。本実施例においては、前記
凹部の深さは１．０ｐｍとした。尚、イオンエツチング
後、ヨークとフェライト基板との磁気的結合を強固とす
る為第３図（ｂ）のＡ部絶縁層を再度エツチングで除去
しておくことが望ましい。
その後、膜厚１．Ｏｐｍの高透磁率軟磁性膜６（本実施
例ではＣｏｇｏＺｒｌ。（重量比）膜）をスパッタリン
グ法で成膜する（第３図（Ｃ））。ついでフォトレジス
ト７（例えばシプレー社製ＡＺフォトレジスト）の毎秒
３０００回転の回転数で塗布し、表面を平坦化する（第
３図（ｄ））。その後、Ａｒイオンを入射角５０〜７０
度の条件下で基板全面に照射して前記フォトレジスト７
及び高透磁率軟磁性膜６の一部をエッチバックしく第３
図（ｅ））、絶縁層２の一部が露出したところでエッチ
バックを停止する。この状態を第３図（ｆ）に示す。つ
いで、残存しているフォトレジスト７を剥離した後、膜
厚５００Ａの絶縁層５を形成する（！３図（ｇ））。尚
、絶縁層５の形成は本実施例中ではスパッタ法について
述べたが、テトラヒドロキシシラン、オルガノシラノー
ルを主成分とする有機物を回転塗布した後、２５０°Ｃ
前後の温度加熱処理して絶縁層としても良い。
例ではＣｏｇｏＺｒｌ。（重量比）膜）をスパッタリン
グ法で成膜する（第３図（Ｃ））。ついでフォトレジス
ト７（例えばシプレー社製ＡＺフォトレジスト）の毎秒
３０００回転の回転数で塗布し、表面を平坦化する（第
３図（ｄ））。その後、Ａｒイオンを入射角５０〜７０
度の条件下で基板全面に照射して前記フォトレジスト７
及び高透磁率軟磁性膜６の一部をエッチバックしく第３
図（ｅ））、絶縁層２の一部が露出したところでエッチ
バックを停止する。この状態を第３図（ｆ）に示す。つ
いで、残存しているフォトレジスト７を剥離した後、膜
厚５００Ａの絶縁層５を形成する（！３図（ｇ））。尚
、絶縁層５の形成は本実施例中ではスパッタ法について
述べたが、テトラヒドロキシシラン、オルガノシラノー
ルを主成分とする有機物を回転塗布した後、２５０°Ｃ
前後の温度加熱処理して絶縁層としても良い。
以上の様な製造プロセスを用いることによりヨーク４は
ほぼ完全に、下地層である絶縁層２に埋めこみ平坦化さ
れて形成される。従って前記絶縁ＰＩ５の上に積府して
形成される。ＭＲ素子３の経験する段差は本実施例にお
いては５０Å以下であった。
ほぼ完全に、下地層である絶縁層２に埋めこみ平坦化さ
れて形成される。従って前記絶縁ＰＩ５の上に積府して
形成される。ＭＲ素子３の経験する段差は本実施例にお
いては５０Å以下であった。
以上述べてきた本発明によるヨークタイプＭＲヘッドに
おいては、ヨーク４がＭＲ素子３に先立って加工形成さ
れる為、ヨーク４の加工時にＭＲ素子３が損傷を受ける
恐れは全く無く、ＭＲヘッド、製造プロセスにおける良
品率が飛躍的に向上した。
おいては、ヨーク４がＭＲ素子３に先立って加工形成さ
れる為、ヨーク４の加工時にＭＲ素子３が損傷を受ける
恐れは全く無く、ＭＲヘッド、製造プロセスにおける良
品率が飛躍的に向上した。
又、ヨーク４は前述した如く下地層である絶縁層２に、
あらかじめ形成された四部に埋めこまれ平坦化される為
、ＭＲ素子３の経験する段差は５０Å以下と小さくＭＲ
素子３の特性には全く影響が無かった。
あらかじめ形成された四部に埋めこまれ平坦化される為
、ＭＲ素子３の経験する段差は５０Å以下と小さくＭＲ
素子３の特性には全く影響が無かった。
しかも、ヨーク４とＭＲ素子３の間に存在する絶縁層５
の膜厚を小さく出来、ヨーク４もＭＲ素子３による段差
を経験しない為、ヨーク４の磁気特性の低下が抑制され
、高い再生効率が得られた。
の膜厚を小さく出来、ヨーク４もＭＲ素子３による段差
を経験しない為、ヨーク４の磁気特性の低下が抑制され
、高い再生効率が得られた。
尚、第３図（ｄ）の有機物の回転塗布工程において、フ
ォトレジストの例についてのみ説明したが、他の有機物
でも良いことは勿論であり、この場合、塗布条件及び後
工程であるエッチバック工程の条件は選択された有機物
の種類に応じて決定されるべきものである。更に、フェ
ライト基板の替りに、非磁性基板上に高透磁率軟磁性膜
を形成したものを用いても本発明の意とする所は何ら損
なわえない。
ォトレジストの例についてのみ説明したが、他の有機物
でも良いことは勿論であり、この場合、塗布条件及び後
工程であるエッチバック工程の条件は選択された有機物
の種類に応じて決定されるべきものである。更に、フェ
ライト基板の替りに、非磁性基板上に高透磁率軟磁性膜
を形成したものを用いても本発明の意とする所は何ら損
なわえない。
（発明の効果）
以上述べてきた様に、本発明によるヨーク・タイプＭＲ
ヘッドにおいては、ヨーク形成後にＭＲ素子が形成され
る構造である為、ヨーク形成時にＭＲ素子に損傷を与え
る恐れが全く無く、ＭＲヘッドの製−造時の良品率が大
幅に改善する。しかも、ヨークはＭＲ素子による段差（
実際には、バイアス印加用導体層等による段差もこれに
加算される）を経験せず、又、ヨーク自身による段差は
、ヨークがあらかじめ下地層となる絶縁層に形成された
凹部にほぼ完全に埋めこまれ平坦化される為、ＭＲ素子
に全く影響を与えず、ヨークとＭＲ素子間の絶縁層も５
００人程度と極めて薄く出来る為、高い再生効率が維持
される。従って、本発明の持つ工業的価値は極めて高い
ものと言える。
ヘッドにおいては、ヨーク形成後にＭＲ素子が形成され
る構造である為、ヨーク形成時にＭＲ素子に損傷を与え
る恐れが全く無く、ＭＲヘッドの製−造時の良品率が大
幅に改善する。しかも、ヨークはＭＲ素子による段差（
実際には、バイアス印加用導体層等による段差もこれに
加算される）を経験せず、又、ヨーク自身による段差は
、ヨークがあらかじめ下地層となる絶縁層に形成された
凹部にほぼ完全に埋めこまれ平坦化される為、ＭＲ素子
に全く影響を与えず、ヨークとＭＲ素子間の絶縁層も５
００人程度と極めて薄く出来る為、高い再生効率が維持
される。従って、本発明の持つ工業的価値は極めて高い
ものと言える。
第１図は本発明によるヨークタイプＭＲヘッドの概略断
面図、第２図は従来例を示す図、第３図（ａ）〜（ｇ）
は本発明によるヨークの形成方法を示す図である。 図において、１・・・フェライト基板、２，５・・・絶
縁層、３・・・ＭＲ素子、４・−・ヨーク、６・・・高
透磁率軟磁性膜、７・、。 フォトレジスト。 第１図 第２図 第３図
面図、第２図は従来例を示す図、第３図（ａ）〜（ｇ）
は本発明によるヨークの形成方法を示す図である。 図において、１・・・フェライト基板、２，５・・・絶
縁層、３・・・ＭＲ素子、４・−・ヨーク、６・・・高
透磁率軟磁性膜、７・、。 フォトレジスト。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）下地層の凹部に埋めこまれ平坦化された高透磁率
軟磁性ヨーク上に非磁性絶縁層を介して強磁性磁気抵抗
効果素子が形成された構造を有することを特徴とする磁
気抵抗効果ヘッド。 - （２）磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、下地層
に凹部形成する工程、高透磁率軟磁性を成膜する工程、
有機物の塗布工程、エッチバック工程、非磁性絶縁層を
形成する工程、磁気抵抗効果素子形成工程とを備えたこ
とを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070154A JPH06103525B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070154A JPH06103525B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226411A true JPS62226411A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH06103525B2 JPH06103525B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=13423374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61070154A Expired - Fee Related JPH06103525B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103525B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0658881A1 (en) * | 1993-12-17 | 1995-06-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head manufactured by means of said method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107122A (en) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS529413A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP61070154A patent/JPH06103525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107122A (en) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS529413A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0658881A1 (en) * | 1993-12-17 | 1995-06-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head manufactured by means of said method |
| BE1007992A3 (nl) * | 1993-12-17 | 1995-12-05 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilmmagneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103525B2 (ja) | 1994-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100386707B1 (ko) | 자기저항판독헤드상의공유차폐부와관련하여자속이강화된기록변환기및그제조방법 | |
| JP2000040208A5 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド | |
| US4351698A (en) | Variable sloped etching of thin film heads | |
| JPS62226411A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 | |
| JP2613876B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2002197612A (ja) | 埋込パターンの形成方法および磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3678434B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0370848B2 (ja) | ||
| JPH06314414A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62102409A (ja) | 磁気ヘツドコア | |
| JPS5975422A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH03113815A (ja) | 磁気ヘッドの磁区構造制御方法 | |
| JPS62170011A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH04195711A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0636239A (ja) | 磁気抵抗ヘッド | |
| JPH06103524A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS62205509A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06274832A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06215321A (ja) | デュアル磁気ヘッド | |
| JPH04123304A (ja) | 誘導型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62246115A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS5857618A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0490110A (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04341910A (ja) | 記録再生分離型薄膜ヘッド | |
| JPS62125516A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |