JPH06215321A - デュアル磁気ヘッド - Google Patents
デュアル磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06215321A JPH06215321A JP751693A JP751693A JPH06215321A JP H06215321 A JPH06215321 A JP H06215321A JP 751693 A JP751693 A JP 751693A JP 751693 A JP751693 A JP 751693A JP H06215321 A JPH06215321 A JP H06215321A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- magnetic head
- magnetoresistive effect
- dual
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】デュアル磁気ヘッドにおいて、優れた耐食性と
再生特性を得る。 【構成】デュアル磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素
子が磁気記録媒体対向面に露出しないように形成する。
これにより、磁気抵抗効果素子が腐食しにくくなり、さ
らにストライプ幅の値が機械加工によらないで定まるた
め、従来技術に比べて格段に高精度になり、安定した再
生特性が得られる。
再生特性を得る。 【構成】デュアル磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素
子が磁気記録媒体対向面に露出しないように形成する。
これにより、磁気抵抗効果素子が腐食しにくくなり、さ
らにストライプ幅の値が機械加工によらないで定まるた
め、従来技術に比べて格段に高精度になり、安定した再
生特性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
るデュアル磁気ヘッドにかかり、さらに詳しくは再生部
に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する）を用い
たデュアル磁気ヘッドに関する。
るデュアル磁気ヘッドにかかり、さらに詳しくは再生部
に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する）を用い
たデュアル磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ素子を再生部に用いたデュアル磁気
ヘッドは、ＭＲ素子の抵抗値が磁界の強さに依存して変
化する特性を利用して、磁気ディスク等の磁気記録媒体
から再生出力を得るものである。ＭＲ素子を用いた再生
は、再生出力が磁気記録媒体走行速度に依存せず、磁気
信号の波長のみによって決まるため、低速でも充分な再
生出力が得られ、磁気記録装置の高密度化、小型化に対
して有利である。
ヘッドは、ＭＲ素子の抵抗値が磁界の強さに依存して変
化する特性を利用して、磁気ディスク等の磁気記録媒体
から再生出力を得るものである。ＭＲ素子を用いた再生
は、再生出力が磁気記録媒体走行速度に依存せず、磁気
信号の波長のみによって決まるため、低速でも充分な再
生出力が得られ、磁気記録装置の高密度化、小型化に対
して有利である。
【０００３】ここで、ＭＲ素子の再生効率に大きな影響
を与えるパラメ−タの一つとしてＭＲ素子の幅（ストラ
イプ幅）がある。ストライプ幅を決める方法は、たとえ
ば特開平３−２３８６１４号公報に開示されているよう
に、ＭＲ素子を目的のストライプ幅よりも一旦広く形成
した後、機械加工により浮上面ラップ（磁気記録媒体対
向面のラップ）を行い、ＭＲ素子を含めて削り、所定の
ストライプ幅にする方法が知られている。
を与えるパラメ−タの一つとしてＭＲ素子の幅（ストラ
イプ幅）がある。ストライプ幅を決める方法は、たとえ
ば特開平３−２３８６１４号公報に開示されているよう
に、ＭＲ素子を目的のストライプ幅よりも一旦広く形成
した後、機械加工により浮上面ラップ（磁気記録媒体対
向面のラップ）を行い、ＭＲ素子を含めて削り、所定の
ストライプ幅にする方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術で
は、ＭＲ素子のストライプ幅が機械加工の精度範囲内で
バラツキを生ずることになり、再生効率低下の原因にな
る。また、ＭＲ素子が磁気記録媒体対向面に露出してい
るため腐食しやすい構造になっている。
は、ＭＲ素子のストライプ幅が機械加工の精度範囲内で
バラツキを生ずることになり、再生効率低下の原因にな
る。また、ＭＲ素子が磁気記録媒体対向面に露出してい
るため腐食しやすい構造になっている。
【０００５】本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑
み成されたもので、ＭＲ素子が腐食しにくく、かつスト
ライプ幅を高精度に形成することが可能なデュアル磁気
ヘッドを提供することにある。
み成されたもので、ＭＲ素子が腐食しにくく、かつスト
ライプ幅を高精度に形成することが可能なデュアル磁気
ヘッドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のデュアル磁気ヘッドは、基板上に薄膜積層
法によりＭＲ素子とライト素子を形成したデュアル磁気
ヘッドにおいて、上記ＭＲ素子がデュアル磁気ヘッドの
磁気記録媒体対向面に露出していないことを特徴として
いる。
め、本発明のデュアル磁気ヘッドは、基板上に薄膜積層
法によりＭＲ素子とライト素子を形成したデュアル磁気
ヘッドにおいて、上記ＭＲ素子がデュアル磁気ヘッドの
磁気記録媒体対向面に露出していないことを特徴として
いる。
【０００７】このようなデュアル磁気ヘッドは、ＭＲ素
子を磁気記録媒体対向面から離してホトリソ技術で作成
し、その後ＭＲ素子を削らないように、磁気記録媒体対
向面を機械加工することにより製造される。
子を磁気記録媒体対向面から離してホトリソ技術で作成
し、その後ＭＲ素子を削らないように、磁気記録媒体対
向面を機械加工することにより製造される。
【０００８】
【作用】本発明のデュアル磁気ヘッドは、ＭＲ素子が磁
気ディスク対向面に露出していないため、ＭＲ素子の腐
食が生じにくくなる。また、ＭＲ素子のストライプ幅は
機械加工によらず、薄膜技術だけで定まるため、従来技
術に比べて格段に高精度になる。従って、安定した再生
特性が得られる。
気ディスク対向面に露出していないため、ＭＲ素子の腐
食が生じにくくなる。また、ＭＲ素子のストライプ幅は
機械加工によらず、薄膜技術だけで定まるため、従来技
術に比べて格段に高精度になる。従って、安定した再生
特性が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、添付の図面に示す実施例により、さら
に詳細に本発明について説明する。図１は、本実施例の
のデュアル磁気ヘッド素子の要部を示す説明図である。
図１において、１はセラミック基板、２は下地絶縁膜、
３は下地シールド膜、４は下地ギャップ膜、６は磁気抵
抗効果膜、７は電極導体層、Ｆは磁気ディスク（図示せ
ず）に対する浮上面（磁気記録媒体対向面）を示してい
る。
に詳細に本発明について説明する。図１は、本実施例の
のデュアル磁気ヘッド素子の要部を示す説明図である。
図１において、１はセラミック基板、２は下地絶縁膜、
３は下地シールド膜、４は下地ギャップ膜、６は磁気抵
抗効果膜、７は電極導体層、Ｆは磁気ディスク（図示せ
ず）に対する浮上面（磁気記録媒体対向面）を示してい
る。
【００１０】図１に示すように、本実施例では、ストラ
イプ幅Ｗの磁気抵抗効果膜６が、浮上面Ｆから距離Ｌだ
け後退して形成されている。なお、図１には示していな
いが、電極導体層７上や下地ギャップ膜４上や磁気抵抗
効果膜６上には、さらに多くの薄膜が積層されている。
また、図１においては、下部シールド膜３及び下部ギャ
ップ膜４が磁気抵抗効果膜３及び電極導体層７の端面に
合わせた断面で示されているが、下部シールド膜３と下
部ギャップ膜４はセラミック基板１と同じ広がりを持つ
ものである。
イプ幅Ｗの磁気抵抗効果膜６が、浮上面Ｆから距離Ｌだ
け後退して形成されている。なお、図１には示していな
いが、電極導体層７上や下地ギャップ膜４上や磁気抵抗
効果膜６上には、さらに多くの薄膜が積層されている。
また、図１においては、下部シールド膜３及び下部ギャ
ップ膜４が磁気抵抗効果膜３及び電極導体層７の端面に
合わせた断面で示されているが、下部シールド膜３と下
部ギャップ膜４はセラミック基板１と同じ広がりを持つ
ものである。
【００１１】図２は、図１に示すデュアル磁気ヘッド素
子を電極導体層７を含む平面Ｓ１で切断したときの断面
図である。図２に示す断面図においては、図１で省略さ
れていた多くの薄膜が示されている。
子を電極導体層７を含む平面Ｓ１で切断したときの断面
図である。図２に示す断面図においては、図１で省略さ
れていた多くの薄膜が示されている。
【００１２】図３は、図１に示すデュアル磁気ヘッド素
子を電極導体層７を含んでいない平面Ｓ２で切断したと
きの断面図である。図３に示す断面図においては、図２
と同様に、図１で省略されていた多くの薄膜が示されて
いる。
子を電極導体層７を含んでいない平面Ｓ２で切断したと
きの断面図である。図３に示す断面図においては、図２
と同様に、図１で省略されていた多くの薄膜が示されて
いる。
【００１３】図２と図３が相違している点は、図１の平
面Ｓ１，Ｓ２から明らかなように、主に電極導体層７の
有無及び電極１６の有無に起因するものであり、その他
の部分はほぼ同一である。
面Ｓ１，Ｓ２から明らかなように、主に電極導体層７の
有無及び電極１６の有無に起因するものであり、その他
の部分はほぼ同一である。
【００１４】図１乃至図３に示すように、セラミック基
板１上に下地絶縁膜２を形成し、下地絶縁膜２上にＮｉ
Ｆｅ等の磁性膜により成る下部シ−ルド膜３を形成す
る。さらに、下地シールド膜３上にアルミナ等の絶縁膜
により成る下部ギャップ膜４を続けて形成する。次に、
下地ギャップ膜４上に磁気抵抗効果膜６を磁気ディスク
の浮上面Ｆから距離Ｌだけ離して形成する。この例で
は、図２と図３に示すように、磁気抵抗効果膜６は、ラ
イトヘッド素子である磁気ギャップ膜１２のギャップ距
離Ｇｄの原点（Ｇｄ＝０の点）よりも深い位置から形成
され（Ｇｄ＜Ｌ）、浮上面Ｆの機械加工により削られな
いようにする。そのため、磁気抵抗効果膜６のストライ
プ幅Ｗの精度は、それ自体の形成精度、すなわちホトリ
ソ技術によって決まるため高精度になる。そして、下部
ギャップ膜４上であって、かつ磁気抵抗効果膜６と浮上
面Ｆの間には、図示するように、アルミナ等の絶縁膜５
が形成される。
板１上に下地絶縁膜２を形成し、下地絶縁膜２上にＮｉ
Ｆｅ等の磁性膜により成る下部シ−ルド膜３を形成す
る。さらに、下地シールド膜３上にアルミナ等の絶縁膜
により成る下部ギャップ膜４を続けて形成する。次に、
下地ギャップ膜４上に磁気抵抗効果膜６を磁気ディスク
の浮上面Ｆから距離Ｌだけ離して形成する。この例で
は、図２と図３に示すように、磁気抵抗効果膜６は、ラ
イトヘッド素子である磁気ギャップ膜１２のギャップ距
離Ｇｄの原点（Ｇｄ＝０の点）よりも深い位置から形成
され（Ｇｄ＜Ｌ）、浮上面Ｆの機械加工により削られな
いようにする。そのため、磁気抵抗効果膜６のストライ
プ幅Ｗの精度は、それ自体の形成精度、すなわちホトリ
ソ技術によって決まるため高精度になる。そして、下部
ギャップ膜４上であって、かつ磁気抵抗効果膜６と浮上
面Ｆの間には、図示するように、アルミナ等の絶縁膜５
が形成される。
【００１５】さらに、絶縁膜５及び磁気抵抗効果膜６及
び下部ギャップ膜４の部分上には、図２に示すように、
電極導体層７が形成される。電極導体層７は磁気抵抗効
果膜６をセンサ−として働かせるため、磁気抵抗効果膜
６に電流を供給するものであり、端子１６に接続されて
いる。なお、前記したように、図３に示す断面図には、
電極導体層７は形成されていない。また、図１乃至図３
には示していないが、磁気抵抗効果膜６の磁区を制御す
るための磁区制御膜が、磁気抵抗効果膜６と同時に形成
されている。
び下部ギャップ膜４の部分上には、図２に示すように、
電極導体層７が形成される。電極導体層７は磁気抵抗効
果膜６をセンサ−として働かせるため、磁気抵抗効果膜
６に電流を供給するものであり、端子１６に接続されて
いる。なお、前記したように、図３に示す断面図には、
電極導体層７は形成されていない。また、図１乃至図３
には示していないが、磁気抵抗効果膜６の磁区を制御す
るための磁区制御膜が、磁気抵抗効果膜６と同時に形成
されている。
【００１６】さらに、電極導体層７上（図２）及び絶縁
膜５及び磁気抵抗効果膜６及び下部ギャップ膜４の一部
部分上（図３）には、アルミナ等の絶縁膜により形成さ
れた上部ギャップ膜８が形成され、さらに上部ギャップ
膜８上にはＮｉＦｅ等の磁性膜により形成された上部シ
−ルド膜９と保護膜としてのアルミナ等の絶縁膜１０
が、それぞれ順番に形成される。そして、絶縁膜１０上
にパ−マロイ等の磁性膜をスパッタリングにより積層し
て、イオンミリング等のドライエッチング法によりパタ
−ン形成し、下部磁性膜１１が形成される。
膜５及び磁気抵抗効果膜６及び下部ギャップ膜４の一部
部分上（図３）には、アルミナ等の絶縁膜により形成さ
れた上部ギャップ膜８が形成され、さらに上部ギャップ
膜８上にはＮｉＦｅ等の磁性膜により形成された上部シ
−ルド膜９と保護膜としてのアルミナ等の絶縁膜１０
が、それぞれ順番に形成される。そして、絶縁膜１０上
にパ−マロイ等の磁性膜をスパッタリングにより積層し
て、イオンミリング等のドライエッチング法によりパタ
−ン形成し、下部磁性膜１１が形成される。
【００１７】次に、磁気ギャップ膜１２を形成し、層間
絶縁膜１３、導体コイル１４と順次形成していき、層間
絶縁膜１３をエッチングして所定形状を得る。さらに、
パ−マロイ等の磁性膜をスパッタリングにより積層し
て、イオンミリング等のドライエッチング法によりパタ
−ン形成し、上部磁性膜１５とする。
絶縁膜１３、導体コイル１４と順次形成していき、層間
絶縁膜１３をエッチングして所定形状を得る。さらに、
パ−マロイ等の磁性膜をスパッタリングにより積層し
て、イオンミリング等のドライエッチング法によりパタ
−ン形成し、上部磁性膜１５とする。
【００１８】ここまでの工程で、素子のコア部の形成を
完了する。最後に、リ−ド線を接続するための端子１６
を形成して素子工程を完了する。
完了する。最後に、リ−ド線を接続するための端子１６
を形成して素子工程を完了する。
【００１９】次に、磁気ヘッドの浮上面Ｆの加工である
が、この工程では、ライトヘッド素子である磁気ギャッ
プ膜のギャップ距離Ｇｄが適切な値になるように機械加
工される。ここで、適切な値とは、再生効率の点から、
Ｌを３μｍ程度以下まで加工することが望ましい。な
お、本実施例では、磁気抵抗効果膜３はギャップ距離Ｇ
ｄ＝０の位置よりも深く形成されているため、機械加工
により直接削られることはなく、磁気抵抗効果膜６が浮
上面Ｆに露出することはない。
が、この工程では、ライトヘッド素子である磁気ギャッ
プ膜のギャップ距離Ｇｄが適切な値になるように機械加
工される。ここで、適切な値とは、再生効率の点から、
Ｌを３μｍ程度以下まで加工することが望ましい。な
お、本実施例では、磁気抵抗効果膜３はギャップ距離Ｇ
ｄ＝０の位置よりも深く形成されているため、機械加工
により直接削られることはなく、磁気抵抗効果膜６が浮
上面Ｆに露出することはない。
【００２０】図４は、本実施例により製造されたデュア
ル磁気ヘッド素子を備えた薄膜ヘッド全体を示す断面図
である。図中、１８がデュアル磁気ヘッド素子を示して
いる。
ル磁気ヘッド素子を備えた薄膜ヘッド全体を示す断面図
である。図中、１８がデュアル磁気ヘッド素子を示して
いる。
【００２１】このようにして製造されたデュアル磁気ヘ
ッドにおける磁気抵抗効果膜６のストライプ幅Ｗの精度
は±０．５μｍ以下に押さえられ、従来技術の±１．０
μｍ程度に比べて大幅に精度が向上し、安定した再生特
性が得られることになる。
ッドにおける磁気抵抗効果膜６のストライプ幅Ｗの精度
は±０．５μｍ以下に押さえられ、従来技術の±１．０
μｍ程度に比べて大幅に精度が向上し、安定した再生特
性が得られることになる。
【００２２】なお、上記実施例においては、磁気抵抗効
果素子６と浮上面Ｆの間に絶縁層５を設けたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、無機層等を設けても
良い。
果素子６と浮上面Ｆの間に絶縁層５を設けたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、無機層等を設けても
良い。
【００２３】また、上記実施例においては、絶縁膜５を
下部ギャップ膜４及び上部ギャップ膜８と別体に形成し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、絶縁膜
５を下部ギャップ膜４と一体に形成したり、上部ギャッ
プ膜７と一体に形成しても良い。
下部ギャップ膜４及び上部ギャップ膜８と別体に形成し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、絶縁膜
５を下部ギャップ膜４と一体に形成したり、上部ギャッ
プ膜７と一体に形成しても良い。
【００２４】さらに、上記実施例においては、磁気抵抗
効果素子６の全体を浮上面Ｆに露出しないように構成し
たが、再生効率をアップするため、磁気抵抗効果素子６
の一部を浮上面Ｆに露出させる構造としても良い。
効果素子６の全体を浮上面Ｆに露出しないように構成し
たが、再生効率をアップするため、磁気抵抗効果素子６
の一部を浮上面Ｆに露出させる構造としても良い。
【００２５】また、上記実施例は、磁気ディスク装置に
用いられるデュアル磁気ヘッドを例にして説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば磁気テ
ープ装置等の磁気記録媒体に用いられる磁気ヘッドに広
く応用することができる。
用いられるデュアル磁気ヘッドを例にして説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば磁気テ
ープ装置等の磁気記録媒体に用いられる磁気ヘッドに広
く応用することができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ＭＲ素子が磁気記録媒
体対向面に露出しないため、腐食しにくくなり、さらに
ストライプ幅の値が機械加工によらないで定まるため、
従来技術に比べて格段に高精度になり、安定した再生特
性が得られる効果がある。
体対向面に露出しないため、腐食しにくくなり、さらに
ストライプ幅の値が機械加工によらないで定まるため、
従来技術に比べて格段に高精度になり、安定した再生特
性が得られる効果がある。
【図１】デュアル磁気ヘッド素子の要部を示す説明図。
【図２】図１に示すデュアル磁気ヘッド素子を電極導体
層７を含む平面Ｓ１で切断したときの断面図。
層７を含む平面Ｓ１で切断したときの断面図。
【図３】図１に示すデュアル磁気ヘッド素子を電極導体
層７を含んでいない平面Ｓ２で切断したときの断面図。
層７を含んでいない平面Ｓ２で切断したときの断面図。
【図４】図１乃至図３に示すデュアル磁気ヘッド素子を
備えた薄膜ヘッド全体を示す断面図。
備えた薄膜ヘッド全体を示す断面図。
１…セラミック基板、２…下地絶縁膜、３…下部シール
ド膜、４…下部ギャップ膜、５…絶縁膜、６…磁気抵抗
効果膜、７…電極導体層、８…上部ギャップ膜、９…上
部シールド膜、１０…絶縁膜、１１…下部磁性膜、１２
…磁気ギャップ膜、１３…層間絶縁膜、１４…導体コイ
ル、１５…上部磁性膜、１６…端子、１８…デュアル磁
気ヘッド素子。
ド膜、４…下部ギャップ膜、５…絶縁膜、６…磁気抵抗
効果膜、７…電極導体層、８…上部ギャップ膜、９…上
部シールド膜、１０…絶縁膜、１１…下部磁性膜、１２
…磁気ギャップ膜、１３…層間絶縁膜、１４…導体コイ
ル、１５…上部磁性膜、１６…端子、１８…デュアル磁
気ヘッド素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鍬塚 俊一郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に薄膜積層法により磁気抵抗効果型
素子とライト素子を形成したデュアル磁気ヘッドにおい
て、上記磁気抵抗効果素子がデュアル磁気ヘッドの磁気
記録媒体対向面に露出していないことを特徴とするデュ
アル磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体対向
面の間に絶縁層を設けたことを特徴とする請求項１記載
のデュアル磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体対向
面の間隔が３μｍ以下であることを特徴とする請求項１
記載のデュアル磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP751693A JPH06215321A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | デュアル磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP751693A JPH06215321A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | デュアル磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215321A true JPH06215321A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11667941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP751693A Pending JPH06215321A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | デュアル磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215321A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010760A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | International Business Machines Corporation | Read/write head assembly |
| US7400474B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-07-15 | International Business Machines Corporation | Conductive pairing for piggyback magnetic head |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP751693A patent/JPH06215321A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010760A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | International Business Machines Corporation | Read/write head assembly |
| US6760199B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-07-06 | International Business Machines Corporation | Read/write head assembly employing independent read/write shield-pairing and charge-clamped magnetoresistive sensors |
| US7400474B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-07-15 | International Business Machines Corporation | Conductive pairing for piggyback magnetic head |
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