JPS6223364B2 - - Google Patents
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- JPS6223364B2 JPS6223364B2 JP56075821A JP7582181A JPS6223364B2 JP S6223364 B2 JPS6223364 B2 JP S6223364B2 JP 56075821 A JP56075821 A JP 56075821A JP 7582181 A JP7582181 A JP 7582181A JP S6223364 B2 JPS6223364 B2 JP S6223364B2
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- ferromagnetic
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- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
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- G06Q20/3433—Cards including a counter the counter having monetary units
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- G07F—COIN-FREED OR LIKE APPARATUS
- G07F7/00—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus
- G07F7/02—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus by keys or other credit registering devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Magnetic Treatment Devices (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は支持体と、少なくとも一片の情報を有
する少なくとも１つの強磁性層とを有する磁気記
憶素子に関する。
する少なくとも１つの強磁性層とを有する磁気記
憶素子に関する。
表面に付着もしくは接着された強磁性領域の支
持体もしくは担体として用いられ該強磁性領域の
磁化が該支持体に関連する情報を構成しているチ
ケツトまたはカード等は既に知られている。たと
えばこのような支持体としては旅行用チケツトお
よびクレジツト・カードがある。問題となる情報
領域は磁性インキ型のフエライトのデポジツト
（被覆物）によつて形成されており、不連続な磁
化が読込みヘツドによつて発生される。情報領域
の不連続な磁化で１つの領域もしくはゾーンにお
いて一方向の磁化が生じ、そして他の隣接の領域
もしくはゾーンにおいて他の方向の磁化が生じ、
これら２つの反対方向の磁化で１ビツトの情報を
構成する磁気遷移が規定される。このような不連
続な磁化を行つた場合には磁気双極子を画定する
離間した強磁性領域における磁化も起り得る。磁
気情報は磁気読取り装置において読出しヘツドお
よび消去により処理されるものである。
持体もしくは担体として用いられ該強磁性領域の
磁化が該支持体に関連する情報を構成しているチ
ケツトまたはカード等は既に知られている。たと
えばこのような支持体としては旅行用チケツトお
よびクレジツト・カードがある。問題となる情報
領域は磁性インキ型のフエライトのデポジツト
（被覆物）によつて形成されており、不連続な磁
化が読込みヘツドによつて発生される。情報領域
の不連続な磁化で１つの領域もしくはゾーンにお
いて一方向の磁化が生じ、そして他の隣接の領域
もしくはゾーンにおいて他の方向の磁化が生じ、
これら２つの反対方向の磁化で１ビツトの情報を
構成する磁気遷移が規定される。このような不連
続な磁化を行つた場合には磁気双極子を画定する
離間した強磁性領域における磁化も起り得る。磁
気情報は磁気読取り装置において読出しヘツドお
よび消去により処理されるものである。
磁気記録の有らゆる形体における普遍性に鑑み
て、このような情報支持体もしくは担体または磁
気記憶素子は不正使用から保護されていない。と
いうのは、有効な支持体の情報を読出して無効と
なつた支持体上に該情報を再生し有効化すること
が可能であるからである。
て、このような情報支持体もしくは担体または磁
気記憶素子は不正使用から保護されていない。と
いうのは、有効な支持体の情報を読出して無効と
なつた支持体上に該情報を再生し有効化すること
が可能であるからである。
よつてこの発明の目的はこのような不正使用を
阻止することにある。
阻止することにある。
この目的で本発明によれば、支持体と、少なく
とも一片の情報を有する少なくとも１つの強磁性
層とを有し、強磁性層の磁気を不可逆的に破壊す
るための手段を有することを特徴とする磁気記憶
素子が提案される。
とも一片の情報を有する少なくとも１つの強磁性
層とを有し、強磁性層の磁気を不可逆的に破壊す
るための手段を有することを特徴とする磁気記憶
素子が提案される。
特に本発明の記憶素子の情報を消去するための
強磁性層の磁気の不可逆的な破壊に因り、情報は
消え失せてこの層は使用不能となり不正使用者に
する使用は不可能となる。いくつかの情報を有す
る強磁性層の場合には、これら情報は同じ仕方で
１つづつ消失せしめられ再生不能にされる。
強磁性層の磁気の不可逆的な破壊に因り、情報は
消え失せてこの層は使用不能となり不正使用者に
する使用は不可能となる。いくつかの情報を有す
る強磁性層の場合には、これら情報は同じ仕方で
１つづつ消失せしめられ再生不能にされる。
本発明の好ましい具体例においては、磁気を破
壊するための手段は、強磁性層と接触関係にある
少なくとも１つの非磁性拡散体層を有しておつて
熱の作用化で強磁性層の磁気を破壊する。
壊するための手段は、強磁性層と接触関係にある
少なくとも１つの非磁性拡散体層を有しておつて
熱の作用化で強磁性層の磁気を破壊する。
拡散体による強磁性層の磁気の破壊現象は次の
ように説明することができよう。
ように説明することができよう。
即ち、２つの材料が接触すると１つの材料から
他の材料ならびにその逆方向における原子の移動
言い換えるならば拡散が惹起される。しかしなが
ら一方の拡散体の原子の拡散速度は他方の材料の
原子の拡散速度よりも非常に大きい。
他の材料ならびにその逆方向における原子の移動
言い換えるならば拡散が惹起される。しかしなが
ら一方の拡散体の原子の拡散速度は他方の材料の
原子の拡散速度よりも非常に大きい。
強磁性体のエネルギ帯３ｄには、一方の方向の
スピンを有する電子の数とは異なつた数の他の方
向のスピンを有する電子が存在する。この状態が
強磁性現象である。一方の拡散体の原子の電子が
このレベルを部分的に埋め、スピンの平衡を再び
確立し、それにより強磁性は部分的に破壊され
る。物論、強磁性のこのような破壊は統計学的な
ものであつて、強磁性材料の１つの原子について
観た場合には該原子は拡散後強磁性であるかある
いは非強磁性であるかのいずれかである。
スピンを有する電子の数とは異なつた数の他の方
向のスピンを有する電子が存在する。この状態が
強磁性現象である。一方の拡散体の原子の電子が
このレベルを部分的に埋め、スピンの平衡を再び
確立し、それにより強磁性は部分的に破壊され
る。物論、強磁性のこのような破壊は統計学的な
ものであつて、強磁性材料の１つの原子について
観た場合には該原子は拡散後強磁性であるかある
いは非強磁性であるかのいずれかである。
拡散体が或るエネルギ・レベルの周辺電子を多
く有すれば有するほど該拡散体の効果は大きくな
る。
く有すれば有するほど該拡散体の効果は大きくな
る。
このような拡散体もしくは拡散材料としては、
純金属であるインジウムまたはビスマスを挙げる
ことができる。しかしながら本発明はこれらの金
属に限定されるものではなく、強磁性でない限り
において、メタロイドその他の材料も使用可能で
ある。しかしながら拡散体の融点が低くなればな
るほどその拡散能は大きくなる。これと関連し
て、インジウムの融点は156℃である。
純金属であるインジウムまたはビスマスを挙げる
ことができる。しかしながら本発明はこれらの金
属に限定されるものではなく、強磁性でない限り
において、メタロイドその他の材料も使用可能で
ある。しかしながら拡散体の融点が低くなればな
るほどその拡散能は大きくなる。これと関連し
て、インジウムの融点は156℃である。
したがつて本発明の素子は磁気に因る利点とフ
ユーズの利点と結合した「溶融可能な」磁気記憶
素子もしくは磁気メモリとして特徴づけることが
できよう。実際上、光学的読出しの点を除けば、
電気接触を必要としないフユーズとしての働きを
なす素子であると見なすことができる。
ユーズの利点と結合した「溶融可能な」磁気記憶
素子もしくは磁気メモリとして特徴づけることが
できよう。実際上、光学的読出しの点を除けば、
電気接触を必要としないフユーズとしての働きを
なす素子であると見なすことができる。
後者の場合には強磁性層は薄い層とするのが有
利である。
利である。
実際上、実用に際しては、温度限界があるの
で、温度を上昇することにより強磁性層の磁気を
破壊するのに必要な時間は、強磁性層の厚さが小
さくなければなるほど短くなる。
で、温度を上昇することにより強磁性層の磁気を
破壊するのに必要な時間は、強磁性層の厚さが小
さくなければなるほど短くなる。
更に所与の温度においてこの磁気は時間的に規
則的に且つ予め定められた仕方で退化することに
注目されたい。したがつて用いられる各温度に対
して、このような退化を達成するのに必要な時間
を決定しそれに基づき周囲温度における本発明の
記憶素子の使用寿命を知ることが可能である。
則的に且つ予め定められた仕方で退化することに
注目されたい。したがつて用いられる各温度に対
して、このような退化を達成するのに必要な時間
を決定しそれに基づき周囲温度における本発明の
記憶素子の使用寿命を知ることが可能である。
更に強磁性層内の磁気の破壊を行う拡散体の濃
度は強磁性層中の拡散体の溶解度の限界に対応す
る濃度よりも低くするのが有利である。
度は強磁性層中の拡散体の溶解度の限界に対応す
る濃度よりも低くするのが有利である。
換言するならば、強磁性材料内の拡散体の溶解
度が限界に達するのは、磁気の破壊後において始
めて可能なようにするのが好ましい。しかしなが
らこれは単なる好ましい実施例であることをここ
で強調しておきたい。
度が限界に達するのは、磁気の破壊後において始
めて可能なようにするのが好ましい。しかしなが
らこれは単なる好ましい実施例であることをここ
で強調しておきたい。
上に述べたように熱作用による磁気の破壊速度
は強磁性層が薄ければ薄いほど大きい。ところで
読出しヘツドによつて拾われる磁気記憶素子の読
出し信号のレベルは、強磁性層の厚さが大きくな
ればなるほど大きくなるフローカツト・オフ
（flow cut−off）の関数である。この理由から、
本発明の特に好ましい実施例においては、記憶素
子は複数個の薄い強磁性層および複数個の互に織
成するように配置された拡散層を有する。
は強磁性層が薄ければ薄いほど大きい。ところで
読出しヘツドによつて拾われる磁気記憶素子の読
出し信号のレベルは、強磁性層の厚さが大きくな
ればなるほど大きくなるフローカツト・オフ
（flow cut−off）の関数である。この理由から、
本発明の特に好ましい実施例においては、記憶素
子は複数個の薄い強磁性層および複数個の互に織
成するように配置された拡散層を有する。
このような複層構造によれば、拡散速度に関す
る薄い強磁性層の利点と、読出し信号のレベルに
関する厚い強磁性層の利点が共に得られる。
る薄い強磁性層の利点と、読出し信号のレベルに
関する厚い強磁性層の利点が共に得られる。
最後に、本発明の記憶素子の強磁性層は連続し
ていてもあるいは不連続であつてもよいが、後者
の方が好ましい。連続している場合には情報を構
成する磁気破壊によつて発生される磁気遷移が拡
がりダイナミツクに読出される信号、即ち記憶素
子の前進中に行われる読出しから生ずる信号は弱
くなる。しかしながら静的読出しの場合、即ち例
えば磁気抵抗体を用いての読出しにおいてはこの
ような欠点は緩和される。強磁性層が不連続であ
る場合には磁気遷移は常に急激に生ずる。
ていてもあるいは不連続であつてもよいが、後者
の方が好ましい。連続している場合には情報を構
成する磁気破壊によつて発生される磁気遷移が拡
がりダイナミツクに読出される信号、即ち記憶素
子の前進中に行われる読出しから生ずる信号は弱
くなる。しかしながら静的読出しの場合、即ち例
えば磁気抵抗体を用いての読出しにおいてはこの
ような欠点は緩和される。強磁性層が不連続であ
る場合には磁気遷移は常に急激に生ずる。
本発明の理解は添付図面を参照しての以下の説
明から一層容易になろう。
明から一層容易になろう。
さて図面を参照するに、図に示した素子は剛性
もしくは準剛性である支持体１と、稠密な接触関
係で拡散層の部分と交互に設けられた一連の強磁
性層の部分からなるデポジツト２とを有する。
もしくは準剛性である支持体１と、稠密な接触関
係で拡散層の部分と交互に設けられた一連の強磁
性層の部分からなるデポジツト２とを有する。
図示の実施例の場合には支持体もしくは担体も
しくは支持体１は、ポリイミド・シート材から切
抜かれたものである。寸法は一般の交通用チケツ
ト、公衆電話用チケツトまたはクレジツト・カー
ドの寸法に対応させることができる。この支持体
には、デポジツト２の接着を容易にするために銅
の層３が被覆されている。
しくは支持体１は、ポリイミド・シート材から切
抜かれたものである。寸法は一般の交通用チケツ
ト、公衆電話用チケツトまたはクレジツト・カー
ドの寸法に対応させることができる。この支持体
には、デポジツト２の接着を容易にするために銅
の層３が被覆されている。
たとえば真空蒸着により形成されたデポジツト
２、即ち電流や電気分解付着によらずに化学的に
形成された付着もしくはデポジツトは銅層３を介
在して支持体１を横切つて設けられ規則的に離間
されている。１mmごとに１つまたは２つのデポジ
ツトが設けられるようにして、約100個のデポジ
ツト２を支持体の長さに沿つて設けることができ
よう。各デポジツトもしくは被覆２は交互に織成
して重ねられた複数の薄い強磁性層４および拡散
層５を有する。図示の事例においてはデポジツト
即ち被覆物２はそれぞれ４つの強磁性層および拡
散層を有している。銅層３にも強磁性層４（第２
図）または拡散層を施してもよい。全てのデポジ
ツトもしくは被覆物２の同じ高さの全ての層部分
が不連続な強磁性層または拡散層を形成する。
２、即ち電流や電気分解付着によらずに化学的に
形成された付着もしくはデポジツトは銅層３を介
在して支持体１を横切つて設けられ規則的に離間
されている。１mmごとに１つまたは２つのデポジ
ツトが設けられるようにして、約100個のデポジ
ツト２を支持体の長さに沿つて設けることができ
よう。各デポジツトもしくは被覆２は交互に織成
して重ねられた複数の薄い強磁性層４および拡散
層５を有する。図示の事例においてはデポジツト
即ち被覆物２はそれぞれ４つの強磁性層および拡
散層を有している。銅層３にも強磁性層４（第２
図）または拡散層を施してもよい。全てのデポジ
ツトもしくは被覆物２の同じ高さの全ての層部分
が不連続な強磁性層または拡散層を形成する。
強磁性層４は同じ割合でニツケルおよびコバル
トを含有する強磁性合金から形成することができ
る。この実施例の場合にはこれら層の各々は500
Åの厚さを有する。
トを含有する強磁性合金から形成することができ
る。この実施例の場合にはこれら層の各々は500
Åの厚さを有する。
拡散層の厚さ1000Åのインジウムから形成して
良好な拡散源とすることができる。
良好な拡散源とすることができる。
このようにしてデポジツトもしくは被覆物２の
磁化可能な厚さは、読出し信号の良好なレベルを
得る上に適当である2000Åに達し、強磁性および
拡散材料を交互に重ねられた複層構造とすること
により同時に良好な拡散が保証される。
磁化可能な厚さは、読出し信号の良好なレベルを
得る上に適当である2000Åに達し、強磁性および
拡散材料を交互に重ねられた複層構造とすること
により同時に良好な拡散が保証される。
上に述べた熱破壊可能な磁気記憶素子は、
10000時間台の寿命を有する情報担体を構成す
る。デポジツトもしくは被覆物２によつて形成さ
れる情報のビツトは、記憶素子が読出し装置内を
前進中、たとえば加熱抵抗器、放射、高周波誘
導、渦電流またはジユール効果を利用した手段に
より１つづつ不可逆的に消去することができる。
このようにして不正に複製することができない担
体もしくは支持体が得られる。付着物２は、対応
の層４の磁気の不可逆的な破壊に因り、熱による
消去後にはもはや使用不可能となるからである。
10000時間台の寿命を有する情報担体を構成す
る。デポジツトもしくは被覆物２によつて形成さ
れる情報のビツトは、記憶素子が読出し装置内を
前進中、たとえば加熱抵抗器、放射、高周波誘
導、渦電流またはジユール効果を利用した手段に
より１つづつ不可逆的に消去することができる。
このようにして不正に複製することができない担
体もしくは支持体が得られる。付着物２は、対応
の層４の磁気の不可逆的な破壊に因り、熱による
消去後にはもはや使用不可能となるからである。
上に述べた記憶素子は次のような仕方で使用も
しくは処理することができよう。
しくは処理することができよう。
まず記憶素子を動的読出し装置の読出しヘツド
の上流側に直列に配置された２つの磁石間に挿入
し、既に磁化されている強磁性層４の全ての部分
を同じ方向に磁化する。次で消去すべき第１番目
のデポジツト２即ちビツトの位置を読出して決定
したとえば300℃台の温度の作用化で消去し再び
読出しを行う。この２回目の読出し過程中に、第
１番目のビツトが実際に消去されていなかつた場
合には、これは情報が熱により破壊不可能な情報
であることの証しであると推定され、したがつて
不正使用行為であると推定される。全ての磁化を
同じ方向に配位することの利点は、通常の支持体
の場合は、熱によつて破壊不可能な連続した強磁
性層では、爾後に磁気遷移したがつてまた情報が
存在し続けることはないという点にある。熱破壊
可能な連続した強磁性層を有する支持体で、使用
前、前以て既に局部的磁気破壊が行われている場
合にも処理により磁気破壊が行われるが、磁気遷
移は依然として存在ししたがつて読出し可能な情
報ビツトが存在し続ける。
の上流側に直列に配置された２つの磁石間に挿入
し、既に磁化されている強磁性層４の全ての部分
を同じ方向に磁化する。次で消去すべき第１番目
のデポジツト２即ちビツトの位置を読出して決定
したとえば300℃台の温度の作用化で消去し再び
読出しを行う。この２回目の読出し過程中に、第
１番目のビツトが実際に消去されていなかつた場
合には、これは情報が熱により破壊不可能な情報
であることの証しであると推定され、したがつて
不正使用行為であると推定される。全ての磁化を
同じ方向に配位することの利点は、通常の支持体
の場合は、熱によつて破壊不可能な連続した強磁
性層では、爾後に磁気遷移したがつてまた情報が
存在し続けることはないという点にある。熱破壊
可能な連続した強磁性層を有する支持体で、使用
前、前以て既に局部的磁気破壊が行われている場
合にも処理により磁気破壊が行われるが、磁気遷
移は依然として存在ししたがつて読出し可能な情
報ビツトが存在し続ける。
支持体の有効性がチエツクされたならば、消費
されたクレジツト即ち信用貸しに対応するビツト
２の数が熱的手段によつて消去される。
されたクレジツト即ち信用貸しに対応するビツト
２の数が熱的手段によつて消去される。
読出しヘツドの摩擦に起因する機械的摩耗を軽
減するために、本発明の記憶素子にはシリコン・
ワニスまたはテフロンの薄い層を被覆して、読出
しヘツド上での滑りをよくし、磁気の消去または
破壊に用いられる温度に対する抵抗を大きくする
のが有利であろう。
減するために、本発明の記憶素子にはシリコン・
ワニスまたはテフロンの薄い層を被覆して、読出
しヘツド上での滑りをよくし、磁気の消去または
破壊に用いられる温度に対する抵抗を大きくする
のが有利であろう。
第１図は本発明の記憶素子の斜視図、そして第
２図は第１図に示した記憶素子の拡大部分断面図
である。 １……支持体、２……デポジツト（被覆）、３
……銅層、４……強磁性層、５……拡散層。
２図は第１図に示した記憶素子の拡大部分断面図
である。 １……支持体、２……デポジツト（被覆）、３
……銅層、４……強磁性層、５……拡散層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、それに記録される少くとも一片の
情報を有する前記支持体上の少くとも１つの強磁
性層と、そして前記強磁性層と接触関係にある少
くとも１つの非磁性拡散体層とを備える磁気記憶
素子で、加熱されると各前記拡散層は関連する前
記強磁性層に前記拡散層より拡散するように作用
し、そしてかくて関連する前記強磁性層の磁気を
不可逆的に破かいするように作用する磁気記憶素
子。 ２ 前記強磁性層が薄い層である特許請求の範囲
第１項記載の磁気記憶素子。 ３ 前記不可逆的な破かいを要求される前記非磁
性拡散体の濃度が前記強磁性層中の前記非磁性拡
散体の溶解度より低いことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶素子。 ４ 前記不可逆的な破かいを要求される前記非磁
性拡散体の濃度が前記強磁性層中の前記非磁性拡
散体の溶解度より低いことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の磁気記憶素子。 ５ 複数個の前記薄い強磁性層が複数個の前記拡
散層と交互に重ねられる特許請求の範囲第２項記
載の磁気記憶素子。 ６ 複数個の前記薄い強磁性層が複数個の前記拡
散層と交互に重ねられる特許請求の範囲第３項記
載の磁気記憶素子。 ７ 前記強磁性層が不連続である特許請求の範囲
第１項記載の磁気記憶素子。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8011320A FR2483111A1 (fr) | 1980-05-21 | 1980-05-21 | Element de memoire magnetique thermodestructible |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5718027A JPS5718027A (en) | 1982-01-29 |
| JPS6223364B2 true JPS6223364B2 (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=9242200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7582181A Granted JPS5718027A (en) | 1980-05-21 | 1981-05-21 | Magnetic memory cell |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4403138A (ja) |
| EP (1) | EP0040561B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5718027A (ja) |
| AT (1) | ATE15559T1 (ja) |
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