JPS62234355A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62234355A JPS62234355A JP61078618A JP7861886A JPS62234355A JP S62234355 A JPS62234355 A JP S62234355A JP 61078618 A JP61078618 A JP 61078618A JP 7861886 A JP7861886 A JP 7861886A JP S62234355 A JPS62234355 A JP S62234355A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- lead frame
- resin
- sealing resin
- lead
- Prior art date
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止パッケージを
含む半導体装置に関する。
含む半導体装置に関する。
半導体製品の種類と応用範囲の拡大に伴って、最近では
、様々な形をしたパッケージが見られるようＫなった。
、様々な形をしたパッケージが見られるようＫなった。
そのうちで、品質・信頼性が飛躍的に向上した樹脂封止
パッケージの半導体製品は、現在では、一般民生用から
通信産業用までの幅広い分野で使われている。
パッケージの半導体製品は、現在では、一般民生用から
通信産業用までの幅広い分野で使われている。
第２図ｔａｌ 、 （ｂ）及びｆｃｌはそれぞれ従来の
半導体装置の一例の平面図、右側面図及び第２図（ａ）
のＢ −Ｂ線断面図である。
半導体装置の一例の平面図、右側面図及び第２図（ａ）
のＢ −Ｂ線断面図である。
この従来例の半導体装置は、第２図（ａｌ 、 （ｂ）
及び（Ｃ）に示すように１ リードフレームのアイラン
ド１上に銀ペースト又は金等のろう材によって半導体チ
ップ２を固定し、３０μｍφ程度の金あるいはアルミニ
ウムのボンディング線３で半導体チップ２とリード４と
を接続し、更に封入金型を使ってエポキシ樹脂やシリコ
ーン樹脂等の封入樹脂５′により所定の部分を封止した
構造をしている。ここで、封入樹脂５′の上部表面は全
体に平坦である。
及び（Ｃ）に示すように１ リードフレームのアイラン
ド１上に銀ペースト又は金等のろう材によって半導体チ
ップ２を固定し、３０μｍφ程度の金あるいはアルミニ
ウムのボンディング線３で半導体チップ２とリード４と
を接続し、更に封入金型を使ってエポキシ樹脂やシリコ
ーン樹脂等の封入樹脂５′により所定の部分を封止した
構造をしている。ここで、封入樹脂５′の上部表面は全
体に平坦である。
又、この従来例の半導体装置のパッケージは２８ピンＯ
プラスチツク・デュアルインラインパッケージ（以降２
８ビンΦプラスチツクＤＩＰと称す）と呼ばれる。
プラスチツク・デュアルインラインパッケージ（以降２
８ビンΦプラスチツクＤＩＰと称す）と呼ばれる。
このようなプラスチック会パッケージの封入樹脂の役割
は、一般的に、半導体チップの機械的損傷及び外部から
の水分、汚れ等の侵入を防止し、ボンディング線を保護
しかつリードを固定する等である。
は、一般的に、半導体チップの機械的損傷及び外部から
の水分、汚れ等の侵入を防止し、ボンディング線を保護
しかつリードを固定する等である。
上述した従来の半導体装置は、半導体チップ上の封入樹
脂の厚さが他の部分と同一であるので、封入樹脂と半導
体チップの熱膨張率の違いにより半導体チップに機械的
応力が加わシ易く、温度サイクル等熱的環境変動により
、電気的特性の変動あるいは半導体チップ上の機械的応
力によるパシベーション膜のクラック及び金属配線の断
線等の故障を引起すという欠点がある。
脂の厚さが他の部分と同一であるので、封入樹脂と半導
体チップの熱膨張率の違いにより半導体チップに機械的
応力が加わシ易く、温度サイクル等熱的環境変動により
、電気的特性の変動あるいは半導体チップ上の機械的応
力によるパシベーション膜のクラック及び金属配線の断
線等の故障を引起すという欠点がある。
更に、従来のプラスチック封止型の半導体装置では、故
障原因解析を行う場合に、発煙硝酸等で封入樹脂を溶か
して開封するが、封入樹脂厚が均一なため、半導体チッ
プ表面だけを露出しｔい場合でもリードも一緒に露出し
てばらばらになってしまい、もはや電気的特性の解析が
困難になってしまうという欠点があっ几。
障原因解析を行う場合に、発煙硝酸等で封入樹脂を溶か
して開封するが、封入樹脂厚が均一なため、半導体チッ
プ表面だけを露出しｔい場合でもリードも一緒に露出し
てばらばらになってしまい、もはや電気的特性の解析が
困難になってしまうという欠点があっ几。
本発明の目的は、温度サイクル等熱的環境変動による機
械的応力を緩和すると共に１さらに故障原因解析の際に
リード損傷なしに、容易に封入樹脂を開封でき、従来よ
りも高度な故障原因解析を可能にする半導体装置を提供
することにある。
械的応力を緩和すると共に１さらに故障原因解析の際に
リード損傷なしに、容易に封入樹脂を開封でき、従来よ
りも高度な故障原因解析を可能にする半導体装置を提供
することにある。
本発明の半導体装置は、半導体チップとインチ１７−ド
が樹脂で封止されている半導体装置において、前記半導
体チップの上の前記樹脂の厚さが他の部分の厚さよりも
薄く形成されてなる。
が樹脂で封止されている半導体装置において、前記半導
体チップの上の前記樹脂の厚さが他の部分の厚さよりも
薄く形成されてなる。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図ｆａ） 、 （ｂ）及び（Ｃ１はそれぞれ本発明
の半導体装置の一実施例の平面図、右側面図及び第１図
ｔａｌのＡ−Ａ線断面図である。
の半導体装置の一実施例の平面図、右側面図及び第１図
ｔａｌのＡ−Ａ線断面図である。
この実施例は、第１図（ａｌ 、 （ｂ）及び（Ｃ）に
示すように、先ず、リードフレームのアイランド１上に
半導体チップ２を銀ペースト又はＡｕ等のろう材を使っ
て固定し、Ａｕ又はｌの細ＡＭ（３０μｍφ程度）３を
用いて半導体チップのポンディングパッドとリード４に
ボンディングしｔ後、半導体チップ表面上に対応する部
分に凸部のある封入金型にリードフレームをセットして
エポキシ又はシリコーン等の封入樹脂５を流し込み封止
する。更に、リードフレームの外部リードを切断俳成型
すれば半導体チップ表面上の封入樹脂が他の部分よりも
薄い樹脂封止型の半導体装置ができる。
示すように、先ず、リードフレームのアイランド１上に
半導体チップ２を銀ペースト又はＡｕ等のろう材を使っ
て固定し、Ａｕ又はｌの細ＡＭ（３０μｍφ程度）３を
用いて半導体チップのポンディングパッドとリード４に
ボンディングしｔ後、半導体チップ表面上に対応する部
分に凸部のある封入金型にリードフレームをセットして
エポキシ又はシリコーン等の封入樹脂５を流し込み封止
する。更に、リードフレームの外部リードを切断俳成型
すれば半導体チップ表面上の封入樹脂が他の部分よりも
薄い樹脂封止型の半導体装置ができる。
このようにしてでき比半導体装置は、半導体チップ２の
表面上の封入樹脂に凹部６を設け、その部分の封入樹脂
を薄くしているため、封入樹脂５と半導体チップ２の熱
膨張率の違いによる熱的環境変動による機械的応力を緩
和する事ができる。
表面上の封入樹脂に凹部６を設け、その部分の封入樹脂
を薄くしているため、封入樹脂５と半導体チップ２の熱
膨張率の違いによる熱的環境変動による機械的応力を緩
和する事ができる。
又、半導体装置の故障原因解析の際にリード部分の破壊
なしに半導体チップ表面を露出でき電気的特性の測定と
チップ表面観察との両面チェック等従来より高度な解析
が可能である。
なしに半導体チップ表面を露出でき電気的特性の測定と
チップ表面観察との両面チェック等従来より高度な解析
が可能である。
又、半導体チップ表面の封入樹脂を薄くする事によって
内部への水分・汚れ等の侵入は従来より悪くなるが半導
体チップのバッジベージ、ン膜にプラズマ窒化膜を用い
る等、パッシベーション膜の改善等によシ十分補償でき
る。更に又、半導体チップ表面上の封入樹脂を薄くする
事で、リード固定部分の封入樹脂は厚いままなので、リ
ードの機械的強度を低下させる事はない。
内部への水分・汚れ等の侵入は従来より悪くなるが半導
体チップのバッジベージ、ン膜にプラズマ窒化膜を用い
る等、パッシベーション膜の改善等によシ十分補償でき
る。更に又、半導体チップ表面上の封入樹脂を薄くする
事で、リード固定部分の封入樹脂は厚いままなので、リ
ードの機械的強度を低下させる事はない。
なお、この実施例は２８ピンＤＩＰ を例にしたがフラ
ットパッケージ等の他のプラスチックパッケージにも適
用できることは自明である。
ットパッケージ等の他のプラスチックパッケージにも適
用できることは自明である。
以上説明したように本発明は、樹脂封止型の半導体装置
において、半導体チップ表面上の封入樹脂に凹部を設け
、半導体チップ表面上の封入樹脂を薄くすることによっ
て半導体装置の温度サイクル等熱的環境変動による機械
的応力を緩和すると共に、さらに故障原因解析の際にリ
ードの損傷なしに、容易に封入樹脂を開封でき、従来よ
りも高度な故障原因解析を可能にすることができる効果
がある。
において、半導体チップ表面上の封入樹脂に凹部を設け
、半導体チップ表面上の封入樹脂を薄くすることによっ
て半導体装置の温度サイクル等熱的環境変動による機械
的応力を緩和すると共に、さらに故障原因解析の際にリ
ードの損傷なしに、容易に封入樹脂を開封でき、従来よ
りも高度な故障原因解析を可能にすることができる効果
がある。
第１図ｔａｌ 、 （ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ本発明
の半導体装置の一実施例の平面図、右側面図及び第１図
ｆａｔのＡ−Ａ線断面図、第２図ｆａｒ 、 （ｂ）及
び（Ｃ１はそれぞれ従来の半導体装置の一例の平面図、
右側面図及び第２図（ａｌのＢ−Ｂ線断面図である。 １・・・・・・アイランド、２・・・・・・半導体チッ
プ、３・・・・・・ボンディング線、４・・・・・・リ
ード、５．５’・・・・・・封入樹脂、６・・・・・・
凹部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ′（久］
（しン（Ｃ
） 峯１″ｌｆＩ 夕′ （幻 （Ｃ） Ｙｚ゛ ３′ （レノ
の半導体装置の一実施例の平面図、右側面図及び第１図
ｆａｔのＡ−Ａ線断面図、第２図ｆａｒ 、 （ｂ）及
び（Ｃ１はそれぞれ従来の半導体装置の一例の平面図、
右側面図及び第２図（ａｌのＢ−Ｂ線断面図である。 １・・・・・・アイランド、２・・・・・・半導体チッ
プ、３・・・・・・ボンディング線、４・・・・・・リ
ード、５．５’・・・・・・封入樹脂、６・・・・・・
凹部。 代理人 弁理士 内 原 晋 ′（久］
（しン（Ｃ
） 峯１″ｌｆＩ 夕′ （幻 （Ｃ） Ｙｚ゛ ３′ （レノ
Claims (1)
- 半導体チップとインナーリードが樹脂で封止されている
半導体装置において、前記半導体チップの上の前記樹脂
の厚さが他の部分の厚さよりも薄く形成されていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61078618A JPS62234355A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61078618A JPS62234355A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234355A true JPS62234355A (ja) | 1987-10-14 |
Family
ID=13666876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61078618A Pending JPS62234355A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62234355A (ja) |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61078618A patent/JPS62234355A/ja active Pending
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