JPS62237720A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS62237720A JPS62237720A JP61079138A JP7913886A JPS62237720A JP S62237720 A JPS62237720 A JP S62237720A JP 61079138 A JP61079138 A JP 61079138A JP 7913886 A JP7913886 A JP 7913886A JP S62237720 A JPS62237720 A JP S62237720A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- crystal growth
- plasma
- wall
- gas
- Prior art date
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- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
分子線結晶成長装置の内部部品のクリーニングを外部ヒ
ータによらず、プラズマを発生させ、これにより行う。
ータによらず、プラズマを発生させ、これにより行う。
本発明は分子線結晶成長装置に係わり、特に装置内のク
リーニング方法の改良に関する。
リーニング方法の改良に関する。
分子線結晶成長装置は超精密制御の薄膜エピタキシャル
を低温で、大面積にわたり成長させることが出来る装置
で、超格子構造の結晶製造に欠かせない装置であるが、
１Ｏ−１°Ｔｏｒｒオーダの超高真空で使用するため、
特に入念なガス抜きをして使用する必要がある。
を低温で、大面積にわたり成長させることが出来る装置
で、超格子構造の結晶製造に欠かせない装置であるが、
１Ｏ−１°Ｔｏｒｒオーダの超高真空で使用するため、
特に入念なガス抜きをして使用する必要がある。
このため、従来は゛外部ヒータで長時間加熱してガス抜
きしていたので、加熱による熱的ストレスで部品の溶接
部等に劣化が生じ、又運転効率上も長時間かかることは
好ましくないので改善が望まれている。
きしていたので、加熱による熱的ストレスで部品の溶接
部等に劣化が生じ、又運転効率上も長時間かかることは
好ましくないので改善が望まれている。
第２図は従来例における分子線結晶成長装置とクリーニ
ング用ヒータの模式的上面図である。
ング用ヒータの模式的上面図である。
図において、１は回転基板ホルダーで、ここに図示しな
いＧａＡｓ等の半４体基板をマウントして加熱する。こ
の半導体基板上に分子線セル９−Ａ、９−Ｂに載置した
結晶の構成元素であるソース材料を、分子状態で飛ばし
てつけ、単結晶薄膜を成長させる。この分子線結晶成長
は１０− ” Ｔｏｒｒ程度の超高真空下でなされるが
、分子線セルのソース材料が消耗してなくなれば、真空
系を破って再チャージする必要がある。この装置の運転
には超高真空でなければならないので、一度真空を破る
と、そのとき装置内壁に吸着される不純物ガス及び運転
中に付着した種々の不純物を除去するクリーニングを行
う必要がある。
いＧａＡｓ等の半４体基板をマウントして加熱する。こ
の半導体基板上に分子線セル９−Ａ、９−Ｂに載置した
結晶の構成元素であるソース材料を、分子状態で飛ばし
てつけ、単結晶薄膜を成長させる。この分子線結晶成長
は１０− ” Ｔｏｒｒ程度の超高真空下でなされるが
、分子線セルのソース材料が消耗してなくなれば、真空
系を破って再チャージする必要がある。この装置の運転
には超高真空でなければならないので、一度真空を破る
と、そのとき装置内壁に吸着される不純物ガス及び運転
中に付着した種々の不純物を除去するクリーニングを行
う必要がある。
このため、分子線結晶成長装置６全体を上方と側面より
覆うクリーニング用ヒータ１０を組立て、これで約２０
０℃に加熱しながら７２時間真空にひいて脱ガスを行っ
ている。かかるクリーニング法は長時間を要するだけで
なく、装置を形成するステンレス、タンタルその他の部
品に熱的ストレスを生じさせ劣化の原因となる。特に溶
接部分における劣化が多く、リーク不良等を起こす。
覆うクリーニング用ヒータ１０を組立て、これで約２０
０℃に加熱しながら７２時間真空にひいて脱ガスを行っ
ている。かかるクリーニング法は長時間を要するだけで
なく、装置を形成するステンレス、タンタルその他の部
品に熱的ストレスを生じさせ劣化の原因となる。特に溶
接部分における劣化が多く、リーク不良等を起こす。
従来例においては装置のクリーニングに、装置全体に被
せる外部ヒータを取りつけ、且つ長時間かけてクリーニ
ングしていた。これをプラズマを使用してクリーニング
することにより、短時間化し、且つ装置部品の劣化も少
なくする。
せる外部ヒータを取りつけ、且つ長時間かけてクリーニ
ングしていた。これをプラズマを使用してクリーニング
することにより、短時間化し、且つ装置部品の劣化も少
なくする。
上記問題点の解決は、成長室と、該成長室内に設けられ
基板を保持する回転基板ホルダーと、該回転基板ホルダ
ーに高周波高電圧を印加する電源と、該成長室内にプラ
ズマ発生用の不活性ガスを導入するガス導入口と、該成
長室に接続された排気用のイオンポンプ（８）とを有し
、該回転基板ホルダーと成長室内壁との間でプラズマを
発生させて該内壁に付着している不純物をイオン化し該
イオンポンプにより排気させる本発明による分子線結晶
成長装置により達成される。
基板を保持する回転基板ホルダーと、該回転基板ホルダ
ーに高周波高電圧を印加する電源と、該成長室内にプラ
ズマ発生用の不活性ガスを導入するガス導入口と、該成
長室に接続された排気用のイオンポンプ（８）とを有し
、該回転基板ホルダーと成長室内壁との間でプラズマを
発生させて該内壁に付着している不純物をイオン化し該
イオンポンプにより排気させる本発明による分子線結晶
成長装置により達成される。
分子線結晶成長装置内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、
プラズマを発生させ装置内壁に吸着するガスをイオン化
して排気除去する。
プラズマを発生させ装置内壁に吸着するガスをイオン化
して排気除去する。
第１図は本発明における分子線結晶成長装置の模式図上
面図である。
面図である。
この図において、１は回転基板ホルダーで、これは基板
マニピュレータポート２にだいし電気的に絶縁されてお
り、高周波高圧電源３により、高周波電力が供給し得る
。又４はニードルバルブ５付きのプラズマ発生用のガス
導入口であり、ここより分子線結晶成長装置６の内部に
Ａｒ、 ＮｚまたはＮｅ等の不活性ガスを導入しガス圧
は５ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にニードルバルブ５で
調整し、次ぎに回転基板ホルダー１に高周波高圧電源３
を通して数十ＫＶの高周波電力を印加すると成長室７内
にプラズマが発生する。 プラズマ発生により装置内壁
に吸着された不純物ガスはイオン化する。分子線結晶成
長装置の排気系にはオイルフリーの超高真空にするため
イオンポンプ８が使用されているので、イオン化した不
純物ガスはこのイオンポンプ８で排気される。
マニピュレータポート２にだいし電気的に絶縁されてお
り、高周波高圧電源３により、高周波電力が供給し得る
。又４はニードルバルブ５付きのプラズマ発生用のガス
導入口であり、ここより分子線結晶成長装置６の内部に
Ａｒ、 ＮｚまたはＮｅ等の不活性ガスを導入しガス圧
は５ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にニードルバルブ５で
調整し、次ぎに回転基板ホルダー１に高周波高圧電源３
を通して数十ＫＶの高周波電力を印加すると成長室７内
にプラズマが発生する。 プラズマ発生により装置内壁
に吸着された不純物ガスはイオン化する。分子線結晶成
長装置の排気系にはオイルフリーの超高真空にするため
イオンポンプ８が使用されているので、イオン化した不
純物ガスはこのイオンポンプ８で排気される。
本実施例によれば、従来例における脱ガス法と異なり装
置全体を加熱することがなく、装置内壁をイオン衝撃で
脱ガスするので、金属部品に対する熱ストレスがなく、
従って金属の溶接部等における劣化も生ぜず、又クリー
ニング所用時間も十数時間程度で大幅に短縮出来る。
置全体を加熱することがなく、装置内壁をイオン衝撃で
脱ガスするので、金属部品に対する熱ストレスがなく、
従って金属の溶接部等における劣化も生ぜず、又クリー
ニング所用時間も十数時間程度で大幅に短縮出来る。
以上詳細に説明したように、本発明による分子線結晶成
長装置は装置内のクリーニングを短時間に、且つ筒易に
行うことが出来、又装置を加熱する必要がないので金属
の劣化が少ない。
長装置は装置内のクリーニングを短時間に、且つ筒易に
行うことが出来、又装置を加熱する必要がないので金属
の劣化が少ない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明における分子線結晶成長装置の模式的上
面図、 第２図は従来例における分子線結晶成長装置とクリーニ
ング用ヒータの模式的上面図である。 図において、 １は回転基板ホルダー、 ２は基板マニピュレータポート、 ３は高周波高圧電源、 ４はガス導入口、 ５はニードルバルブ、 ６は分子線結晶成長装置 ７は成長室、 ８はイオンポンプ である。
面図、 第２図は従来例における分子線結晶成長装置とクリーニ
ング用ヒータの模式的上面図である。 図において、 １は回転基板ホルダー、 ２は基板マニピュレータポート、 ３は高周波高圧電源、 ４はガス導入口、 ５はニードルバルブ、 ６は分子線結晶成長装置 ７は成長室、 ８はイオンポンプ である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 成長室（７）と、 該成長室（７）内に設けられ基板を保持する回転基板ホ
ルダー（１）と、 該回転基板ホルダー（１）に高周波高電圧を印加する電
源（３）と、 該成長室（７）内にプラズマ発生用の不活性ガスを導入
するガス導入口（４）と、 該成長室（７）に接続された排気用のイオンポンプ（８
）とを有し、 該回転基板ホルダー（１）と成長室（７）内壁との間で
プラズマを発生させて該内壁に付着している不純物をイ
オン化し該イオンポンプ（８）により排気させる ことを特徴とする分子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079138A JPS62237720A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079138A JPS62237720A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237720A true JPS62237720A (ja) | 1987-10-17 |
| JPH0329290B2 JPH0329290B2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=13681596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61079138A Granted JPS62237720A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62237720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025751A (en) * | 1988-02-08 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Solid film growth apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117071A (en) * | 1976-03-29 | 1977-10-01 | Hitachi Ltd | Self-cleaning type preparation of semiconductor |
| JPS5821826A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP61079138A patent/JPS62237720A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117071A (en) * | 1976-03-29 | 1977-10-01 | Hitachi Ltd | Self-cleaning type preparation of semiconductor |
| JPS5821826A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025751A (en) * | 1988-02-08 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Solid film growth apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0329290B2 (ja) | 1991-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |