JPS5880184A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は排気バブルの高速駆動を可能とする磁気）（プ
ルメモリデバイスに関する。

（２）従来技術と問題点 磁気バブルメモリデバイスにおいてメモリ素子として働
らく磁気バブルメモリチップ（以下メモリチップ）は印
刷配線基板に塔載され、これに駆動コイルが装着纒れて
駆動磁界を与えるように構成されている゛。

第１図はか＼る基板の正面図で、第２図は印刷配線パタ
ーンを省略した基板の斜視図である。

メモリチップ１は深い切シ込み都２をもつ基板３の中央
部４に接着剤を用いて固定されておシ、メモリチップ１
の１林端子は基板３上に設けられている印刷配線５とポ
ンディングパッド６においてボンディング縁続されてい
る。

こ＼で従来の基板３はアルミナ磁器のような無機材料或
はガラスエポキシ、ポリイミドのような高分子材料から
なっておシ、この上に施された単層、或は多層からなる
印桐配森５は基板の端面にある端子ｓ７において図示し
ていないパッケージのリード端子と溶着される構造とな
っている０次に基板３に設けられている旅い切シ込み部
２紘メモリチップ１に駆動磁界を与えるためのＸ方゛向
コイルを挿着するためのものである◎第３図と第４図れ
基板３に駆動コイルを装着する工程を示すもので第３図
は予め巻回されているＹ方向コイ、ル８をメモリチップ
ｌが塔載されている重板３の中央部に装着した状雇図で
あシ、第４図は基板３の深い切シ込み部２を用いてＹ方
向コイル８の上にＸ方向コイル９を′＃１着し丸状ｉｉ
ｗ図である。

さてＹ方向コイル８とＸ方向コイル９Ｆｉこのように直
交して設けられておシ、パッケージ装層恢リード端子を
通じて外部のコイルドライバーＩｇ１ｋＩに接続されて
磁気バブルを＆動する回転磁界が形成されるように構成
されている。

こ＼で従来駆動コイルに与えられている動作周波数は１
００ＫＨｚ程度であるが、磁気バブル（以下バブル）を
高速駆動させるために動作周波数を例えば−２００ＫＨ
ｇ以上に壕で増加すると駆動コイルのりアクタンスが増
加して１００ＫＨｚで駆動しとＫなる。

それで従来通シの電圧値で必要とする妹外を得るため（
はコイルを小形化すれによいが、机在の基板を用いる限
シこれ紘不可能でめり、またコイルの巻ｌ！１数を等ら
す場合は必要な磁界を得るために電流値を増すことが必
要で発熱の点から制約され、何れも実用的な方法とは云
えない。

（３）発明の目的 本発明は従来の駆動コイルを用いて電圧値を変えずに高
い周波数での動作ｔ−ＴＩ］能とするものであって、こ
れによシバプルメモリデバイスの高速化を達成させるも
のである。

（４）　　発明の構成 本発明はメモリチップ搭載基板の表向または全体を導体
とすることによシリフレクション効米による磁界を生じ
させ、これを用いて必要とする磁界を得ると共にメモリ
チップ搭載面と反対側にある駆動コイルを導体で包むこ
とによシリアクタンスを約半分に減少させるものである
。

本発明に使用するりフレダション効果は例えば第４図の
基板３０表面部に金ｉよ）なる導体層を設け、これを反
射面として基板３のメモリチップ搭載面側にあるＮ方向
コイル９およびＹ方向コイル８の鈍像を作；シ、これに
よる磁界を）ＦＩＪ　Ｊ’Ｈするものであるら そのためには従来の絶縁基板に代って導体層をもつ基板
にメモリチップを塔載する必要がある。

第５囚および第６図はか＼る基板を用いたバブルメモリ
デバイスの実施例についての断面図である０ 第５図の実施例で使用している基板はアルξ或は銅など
の金属板１００表面にポリイミド、ポリシルキサンなど
の耐熱性樹脂１１を被覆してこの上に印刷配線を施して
基板としたものであシ、この基板の中央部にメそりチッ
プを塔載し、以後従来と同様な方法でＹ方向コイル８と
Ｘ方向コイル９が挿着されて第４図と同様な外観をもつ
素子が形成される。

この第５図に示す構造をとる実施例においては金−板１
０の表面がリフレクション面で表・シ、この面Ｊｊ）上
にあるＹ方向コイル８とＸ方向コイル９は本実施例の場
合臂、像が金属板１０中に生じこれらの磁界がメモリチ
ップ１に加わってこの中のパズルを駆動する。

次に第６図の場合は基板１２は従来と同じアルミナ、′
ポリイミドなどの絶縁材料により形成されているが上層
部に銅、銀などの導電膜からなる導体層１３があり、こ
の上に基板と同じ材料を用いて絶縁層１４が形成されて
印刷配線基板を構成している。

この実施例の場合は導体層１３の上面がリフレクション
面と々シ、Ｘ方向コイルおよびＹ方向コイルの鶴像は絶
縁材料よシなる基板１２の中に形成されている。

さてリフレクション効果により生じた磁界の方向は元の
コイルによる方向と対称的であシ、基板上に塔載されて
いるメモリナツプに加算して加わるため従来の基板を挾
んで設けられている表面側のコイルによる寄与分と＃１
ソ郷しい。

次に高周波で使用する場合のりアクタンスの増加を減ら
すためには基板の裏面側の磁界を遮蔽すればよく、この
方法として基板の裏側部分を導体をもって覆えばよい。

第５図および第６図の実施例においては銅箔１５を用い
て基板１０，１２の下面のコイル８．９を包んである。

か＼る方法をとることによシ下面のコイル８．９による
磁界は遮蔽されリアクタンスは１／２に減少さすことが
できる。

なおか＼る遮蔽導体は本実施例のように電気的に浮かせ
て設けても差支えないが基板のりフレクション用導体と
結線すると雑音対策上有利である。

（５）発明の効果 本発明は１００ＫＨｚの動作周波数で従来使用されてい
たバブルメモリデバイスを更に高速動作させる場合、駆
動コイルのリアクタンスが増加するため従来と同様な駆
動磁界を得るためにはＴｓＡ動コイルへの印加電圧値の
増加が必要であるが、リフレクション効果を用い、一方
メモリチップと反対側の磁界を遮蔽する本発明を実施す
ることにょシ駆動コイルへの印加電圧値を堀・すことな
く２００ＫＨｚへの高速化を達成することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリチップを塔載する基板の正面
図、第２図は基板のｆ！＋祝図、４３図は基板にＹ方向
コイルを装着した状四図、第４１町はこれにＸ方向コイ
ルを装着【、た状態図、＆ｓｅ’：および第６図は本発
明の実施例の１Ｉ７Ｔ爾１構造である。 図において ｌは磁気メモリチップ、３打基板、８はＹ方向コイル、
９けＸ方向コイル、１ｏは金ｂ＆、１１は耐熱性樹脂、
１２は絶＃基板、１３は導体層、１４は絶縁編、１５は
一箔。 第１図 り 第５図 １２図 舅４図 第６図 ｈイ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）印刷配線基板の中央部に磁気バブルメモリチップ
   を搭、載したる後、該チップを中心としてＸ方向コイル
   およびＹ方向コイルを装着して磁気バブルの駆動コイル
   を形成してなる磁気バブルメモリデバイスにおいて、該
   チップを塔載する前記基板に導体層を設けると共に基板
   の裏面側の駆動コイル（導体を用いて遮蔽してなること
   を特徴とする磁気バブルメモリデバイス。 イス。